JPS63200415A - 超電導線 - Google Patents
超電導線Info
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- JPS63200415A JPS63200415A JP62032847A JP3284787A JPS63200415A JP S63200415 A JPS63200415 A JP S63200415A JP 62032847 A JP62032847 A JP 62032847A JP 3284787 A JP3284787 A JP 3284787A JP S63200415 A JPS63200415 A JP S63200415A
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- JP
- Japan
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- glass
- ceramic
- particles
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- insulating
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Insulating Bodies (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は電気絶縁された超電導線に関するものであり
、特に高温で熱処理することにより超電導特性を向上で
きるＦ＆）３ Ｓｎ、 Ｖ ３ Ｇａ、 Ｆｋｚｓ Ｍ
ｌなどの化合物系超電導線の絶縁に関するものである。
、特に高温で熱処理することにより超電導特性を向上で
きるＦ＆）３ Ｓｎ、 Ｖ ３ Ｇａ、 Ｆｋｚｓ Ｍ
ｌなどの化合物系超電導線の絶縁に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、Ｆｂ３Ｓｎ、 Ｖ ３ Ｇａ、ｈ、ＡＱなどの化
合物系超電導線材は超電導特性を上げるため５００℃以
上の高温で熱処理されることが多い。このため、該化合
物超電導線材の電気絶縁材としては、そのような高温の
熱処理に耐え得るものとしてガラスまたはセラミック（
アスベスト、酸化マグネシウム、アルミナなど）が用い
られて（＼る。
合物系超電導線材は超電導特性を上げるため５００℃以
上の高温で熱処理されることが多い。このため、該化合
物超電導線材の電気絶縁材としては、そのような高温の
熱処理に耐え得るものとしてガラスまたはセラミック（
アスベスト、酸化マグネシウム、アルミナなど）が用い
られて（＼る。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、このような化合物超電導線材で行なわれ
ているガラスまたはセラミック絶縁は超電導線材が使用
される極低温において、電気絶縁特性については実績が
得られつつあるが、極低温における熱伝導特性について
は必ずしも良好とはいえない。
ているガラスまたはセラミック絶縁は超電導線材が使用
される極低温において、電気絶縁特性については実績が
得られつつあるが、極低温における熱伝導特性について
は必ずしも良好とはいえない。
超電導線材を安定に使用するためには、超電導線材中に
発生する熱を速やかに取除く必要がある。
発生する熱を速やかに取除く必要がある。
従って従来の絶縁特性を維持し、かつ熱伝導特性を向上
させることが要求される。
させることが要求される。
く問題点を解決するための手段〉
本発明者らは上記した問題点を解決すべく検討の結果、
電気絶縁層としてガラスまたはセラミック絶縁層中にダ
イヤモンドまたは結晶石英粉末を分散せしめた絶縁材を
用いた超電導線を得たちのである。
電気絶縁層としてガラスまたはセラミック絶縁層中にダ
イヤモンドまたは結晶石英粉末を分散せしめた絶縁材を
用いた超電導線を得たちのである。
く作用〉
この発明によれば、使用する材料即ち、ガラス、セラミ
ック、ダイヤモンド粒子、結晶石英粒子はいずれも電気
絶縁性を有しており、かつダイヤモンド、結晶石英はセ
ラミックやガラスに比べて熱伝導性がすぐれているため
、従来のガラスやセラミックのみによる絶縁の場合に比
べて超電導線材の安定性の向上に寄与するのである。
ック、ダイヤモンド粒子、結晶石英粒子はいずれも電気
絶縁性を有しており、かつダイヤモンド、結晶石英はセ
ラミックやガラスに比べて熱伝導性がすぐれているため
、従来のガラスやセラミックのみによる絶縁の場合に比
べて超電導線材の安定性の向上に寄与するのである。
例えば４．２ｋにおけるダイヤモンドの熱伝導率は約Ｉ
Ｗ／ｃｇ＋＊に、結晶石英は約５Ｗ／ｃＩＩ−にであり
、ガラスの１０−’ｗ／ｃｍ ｅ ｋに比べて１０００
倍程度熱伝導率は大きくなるのである。
Ｗ／ｃｇ＋＊に、結晶石英は約５Ｗ／ｃＩＩ−にであり
、ガラスの１０−’ｗ／ｃｍ ｅ ｋに比べて１０００
倍程度熱伝導率は大きくなるのである。
この発明において、ガラスまたはセラミックスへのダイ
ヤモンドまたは結晶石英粉末粒子の分散は絶縁材作成時
に機械的撹拌または超音波振動等を利用して行なえばよ
い。
ヤモンドまたは結晶石英粉末粒子の分散は絶縁材作成時
に機械的撹拌または超音波振動等を利用して行なえばよ
い。
ダイヤモンドまたは結晶石英粉末粒子の使用量はあまり
少ないと熱伝導特性に対する効果が小さく、また多すぎ
るとコストが高くなるだけでなく、被’ＩＵ層の密着性
が悪くなって表面状態も悪くなるのでガラスまたはセラ
ミックスに対して１０〜５０％程度が好ましい。
少ないと熱伝導特性に対する効果が小さく、また多すぎ
るとコストが高くなるだけでなく、被’ＩＵ層の密着性
が悪くなって表面状態も悪くなるのでガラスまたはセラ
ミックスに対して１０〜５０％程度が好ましい。
そしてこれらダイヤモンドまたは結晶石英粉末粒子を分
散したガラスまたはセラミックス絶縁層の被覆厚みは数
μｍ〜数１０００μ肌とすることができる。なおダイヤ
モンドまたは結晶石英粉末粒子の使用効果は殆んど変わ
りないが、若干結晶粒子の方が熱伝導特性が良好である
。
散したガラスまたはセラミックス絶縁層の被覆厚みは数
μｍ〜数１０００μ肌とすることができる。なおダイヤ
モンドまたは結晶石英粉末粒子の使用効果は殆んど変わ
りないが、若干結晶粒子の方が熱伝導特性が良好である
。
〈発明の効果〉
以上説明したように、この発明はガラスまたはセラミッ
クス絶縁層中にダイヤモンドまたは結晶石英粒子を分散
させることにより絶縁層の電気絶縁性および熱伝導性を
良好なものとすることができ、このような絶縁層を有す
る超電導線材は電気絶縁および熱安定性ともに良好とな
るのである。
クス絶縁層中にダイヤモンドまたは結晶石英粒子を分散
させることにより絶縁層の電気絶縁性および熱伝導性を
良好なものとすることができ、このような絶縁層を有す
る超電導線材は電気絶縁および熱安定性ともに良好とな
るのである。
このような超電導線材は超電導マグネットに用いる線材
として特に効果的である。
として特に効果的である。
Claims (2)
- （１）ガラスまたはセラミック絶縁層中にダイヤモンド
または結晶石英粉末を分散した絶縁層を有することを特
徴とする超電導線。 - （２）超電導線がＮｏ＿３Ｓｎ、Ｖ＿３ＧａまたはＮｏ
＿３Ａｌの化合物系超電導線である特許請求の範囲第１
項記載の超電導線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032847A JPS63200415A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 超電導線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032847A JPS63200415A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 超電導線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200415A true JPS63200415A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12370219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032847A Pending JPS63200415A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 超電導線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200415A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822317B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-11-23 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor apparatus including insulating layer having a protrusive portion |
| US7038322B2 (en) | 2000-10-05 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Multi-chip module |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62032847A patent/JPS63200415A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822317B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-11-23 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor apparatus including insulating layer having a protrusive portion |
| US7038322B2 (en) | 2000-10-05 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Multi-chip module |
| US7388295B2 (en) | 2001-11-19 | 2008-06-17 | Renesas Technology Corp. | Multi-chip module |
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