JPS63199876A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
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- JPS63199876A JPS63199876A JP3010387A JP3010387A JPS63199876A JP S63199876 A JPS63199876 A JP S63199876A JP 3010387 A JP3010387 A JP 3010387A JP 3010387 A JP3010387 A JP 3010387A JP S63199876 A JPS63199876 A JP S63199876A
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- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 241001474791 Proboscis Species 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は被膜形成方法、特に寸法精度が厳しく要求さ
れる光学部品などの被膜形成方法に関するものである。
れる光学部品などの被膜形成方法に関するものである。
第3図は1例えば金属表面技術第30巻5号(1979
年発刊)に示された真空蒸着装置の構成図で、従来この
ような装置を用いて被膜形成を行なっていた。図におい
て、(1)は形成された膜、(2)は被加工物である基
板、(3)は蒸着用原料、(4)はるつぼ、(5)はヒ
ータ、(6)は排気系、(7)はチャンバである。
年発刊)に示された真空蒸着装置の構成図で、従来この
ような装置を用いて被膜形成を行なっていた。図におい
て、(1)は形成された膜、(2)は被加工物である基
板、(3)は蒸着用原料、(4)はるつぼ、(5)はヒ
ータ、(6)は排気系、(7)はチャンバである。
この装置を用いて被膜を形成するには、先ず排気系(6
)にてチャンバ(7)内を真空排気し、るつぼ(4)を
加熱し、蒸着用原料(3)を蒸発・蒸着させる。この時
、必要に応じてヒータ(5)にて被加工物である基板(
2)を加熱して、1M形成することもある。
)にてチャンバ(7)内を真空排気し、るつぼ(4)を
加熱し、蒸着用原料(3)を蒸発・蒸着させる。この時
、必要に応じてヒータ(5)にて被加工物である基板(
2)を加熱して、1M形成することもある。
しかしながら、上述したような従来の被膜形成方法では
、被加工物の実際の使用温度を考慮せずに被膜形成を行
なっていたため、蒸着された時の被加工物の温度と、被
加工物の使用温度が異なった場合、膜(1)と被加工物
(2)の熱膨張のために、被膜形成された被加工物にそ
り、またはたわみといった形状変化が生じるという問題
点があった。このため寸法精度が厳しく要求される光学
部品や精密部品のコーティングとして用いるには、おの
ずと限界があった。
、被加工物の実際の使用温度を考慮せずに被膜形成を行
なっていたため、蒸着された時の被加工物の温度と、被
加工物の使用温度が異なった場合、膜(1)と被加工物
(2)の熱膨張のために、被膜形成された被加工物にそ
り、またはたわみといった形状変化が生じるという問題
点があった。このため寸法精度が厳しく要求される光学
部品や精密部品のコーティングとして用いるには、おの
ずと限界があった。
この発明は9以上のような問題点を解消するためになさ
れたもので9寸法変化や形状変化をほとんどひき起すこ
とのない被膜形成方法を得ることを目的とする。
れたもので9寸法変化や形状変化をほとんどひき起すこ
とのない被膜形成方法を得ることを目的とする。
この発明に係る被膜形成方法は、真空雰囲気中で、蒸着
用原料を蒸発させ、被加工物に上記原料を堆積させて膜
を形成するものにおいて、上記被加工物の温度を、被加
工物の使用温度以下に保持して上記蒸着用原料を被加工
物に堆積させて膜を形成する工程、及び上記被加工物の
温度を、被加工物の使用温度以下に保持して上記蒸着用
原料を被加工物に堆積させて膜を形成する工程を施すよ
うにしたものである。
用原料を蒸発させ、被加工物に上記原料を堆積させて膜
を形成するものにおいて、上記被加工物の温度を、被加
工物の使用温度以下に保持して上記蒸着用原料を被加工
物に堆積させて膜を形成する工程、及び上記被加工物の
温度を、被加工物の使用温度以下に保持して上記蒸着用
原料を被加工物に堆積させて膜を形成する工程を施すよ
うにしたものである。
この発明の被膜形成方法においては、被加工物の実際の
使用温度以上の温度と、以下の温度とで被膜形成するの
で、被加工物と膜との熱膨張が逆方向に働き、形状変化
がほとんど無い被膜形成を実現できる。
使用温度以上の温度と、以下の温度とで被膜形成するの
で、被加工物と膜との熱膨張が逆方向に働き、形状変化
がほとんど無い被膜形成を実現できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図人、B、C,Dはこの発明の一実施例の被膜形成
方法を工程順に示し、被加工物である基板と、この基板
に形成される膜の部分を表わす側面図である。図におい
て、 (1a)は被加工物(2)上に蒸着用原料を堆積
させて形成された膜、 (1b)p膜(1a)上に蒸着
用原料を堆積させて形成された膜である。被膜形成のた
めの装置は従来と同様で、さらに排気及びるつぼの加熱
等は従来と同様の方法にて行なう。この後、被膜形成中
の被加工物(2)の温度につき、以下に示すような制御
を行なう。
方法を工程順に示し、被加工物である基板と、この基板
に形成される膜の部分を表わす側面図である。図におい
て、 (1a)は被加工物(2)上に蒸着用原料を堆積
させて形成された膜、 (1b)p膜(1a)上に蒸着
用原料を堆積させて形成された膜である。被膜形成のた
めの装置は従来と同様で、さらに排気及びるつぼの加熱
等は従来と同様の方法にて行なう。この後、被膜形成中
の被加工物(2)の温度につき、以下に示すような制御
を行なう。
ここでは、被加工物よりも膜の方が熱膨張係数が大きい
場合につき2図をもとに変形の様子を示しながら工程順
に説明する。
場合につき2図をもとに変形の様子を示しながら工程順
に説明する。
まず、第1図人に示したように、被加工物(2)の実際
の使用温度よシも高温に被加工物(2)の温度を保持し
て所望の膜厚の半分の膜厚まで[(1a)を形成する。
の使用温度よシも高温に被加工物(2)の温度を保持し
て所望の膜厚の半分の膜厚まで[(1a)を形成する。
この状態では形状の変化は生じない。
次に第2の段階として、被加工物(2)の実際の使用温
度以下の温直にまで被加工物の温度を下げると、使用温
度では被加工物(2)よシもl1li (la)の方が
熱膨張係数が大きいので、膜(1a)の方が大きく収縮
し、変形を生ずる(第1図Bに示す。)。さらに、使用
温度よシ低温に膜(1a)を形成した被加工物(2)を
保持すると、変形はさらに大きくなるが。
度以下の温直にまで被加工物の温度を下げると、使用温
度では被加工物(2)よシもl1li (la)の方が
熱膨張係数が大きいので、膜(1a)の方が大きく収縮
し、変形を生ずる(第1図Bに示す。)。さらに、使用
温度よシ低温に膜(1a)を形成した被加工物(2)を
保持すると、変形はさらに大きくなるが。
この状態で最終膜厚まで膜(1b)を形成する(第1図
Cに示す。)。最終的に低温から使用温度にまで被加工
物の温度を上昇すれば、今度は、膜(1)の方が被加工
物(2)よシも大きく熱膨張するため、実際の使用温度
では、被加工物(2)にはほとんど変形が生じない(第
1図りに示す。)。なお第1図B。
Cに示す。)。最終的に低温から使用温度にまで被加工
物の温度を上昇すれば、今度は、膜(1)の方が被加工
物(2)よシも大きく熱膨張するため、実際の使用温度
では、被加工物(2)にはほとんど変形が生じない(第
1図りに示す。)。なお第1図B。
Dに示した矢印は、熱膨張及び熱収縮の方向と。
相対的な大きさを示している。
以下、上述した実施例について具体例を挙げて理論的に
詳述する。
詳述する。
この場合、被加工物(2)への膜の形成は張シで行なっ
た。
た。
ここで、第2図を用いて、張りの場合のたわみについて
一般的K115!明する。@2図人において。
一般的K115!明する。@2図人において。
Qυ−りはそれぞれ第1の材料、、@2の材料で、張り
合わされておシそのそれぞれの板厚は”Ae h/!r
機膨張機敏張係数れぞれα1.α2とする。1は第1゜
第2の材料(1カ、 aaの長さである。第2図Bは第
2図人に示したものを温度差tで放置した後の九わんだ
状態を示している。図におφて、rは曲率半径、Wはた
わみである。一般に9曲率半径をrとすると、1.3(
dに”l’ 、 w −r(1−as −)でr
2h 2r
与えられる。例えば、第1の材料I、第2の材料住りを
それぞれ人19人Uとし、総厚みhを5m、長さ1は1
00 xw、とする。ム1.ムUの線膨張係数、即ち熱
膨張係数は、それぞれ14.2 x 10 /deg
。
合わされておシそのそれぞれの板厚は”Ae h/!r
機膨張機敏張係数れぞれα1.α2とする。1は第1゜
第2の材料(1カ、 aaの長さである。第2図Bは第
2図人に示したものを温度差tで放置した後の九わんだ
状態を示している。図におφて、rは曲率半径、Wはた
わみである。一般に9曲率半径をrとすると、1.3(
dに”l’ 、 w −r(1−as −)でr
2h 2r
与えられる。例えば、第1の材料I、第2の材料住りを
それぞれ人19人Uとし、総厚みhを5m、長さ1は1
00 xw、とする。ム1.ムUの線膨張係数、即ち熱
膨張係数は、それぞれ14.2 x 10 /deg
。
25.9 X 10 /degである。温度差tを一
100℃とすると、上記式に代入して。
100℃とすると、上記式に代入して。
w = 5430 x(1−cos(100/2 x3
430))−a、s6a (nm) という結果が得られる。これは即ち、 Alと人Uを張
り合わせたものが一100℃温度変化すると、その中央
部で0.364mmたわみを生ずるということである。
430))−a、s6a (nm) という結果が得られる。これは即ち、 Alと人Uを張
り合わせたものが一100℃温度変化すると、その中央
部で0.364mmたわみを生ずるということである。
即ち、ここでAuを被加工物(2)2人1を膜(1a)
とすると、被膜形成した被加工物(2)に0.364r
nrIしたわみが生ずるということである。同様に考え
て、たわみを生じた被加工物(2)にさらにA1で!(
1b)を形成して、今度はプラスの温度差1例えば温度
差100℃で放置した場合、逆方向のたわみが発生する
。その結果、第1,11g2の膜形成時に生じる互いの
たわみが相殺して、たわみの少ない膜が形成される。
とすると、被膜形成した被加工物(2)に0.364r
nrIしたわみが生ずるということである。同様に考え
て、たわみを生じた被加工物(2)にさらにA1で!(
1b)を形成して、今度はプラスの温度差1例えば温度
差100℃で放置した場合、逆方向のたわみが発生する
。その結果、第1,11g2の膜形成時に生じる互いの
たわみが相殺して、たわみの少ない膜が形成される。
なお2以上のことから、被加工物の使用温度以上の温度
に保持して膜を形成する被加工物の温度と被加工物の使
用温度との温度差と、被加工物の使用温度以下の@度に
保持して膜を形成する被加工物の温度と被加工物の使用
温度との温度差が等しく、かつそれぞれの場合に形成さ
れた膜の膜厚が等しいことが望ましい。
に保持して膜を形成する被加工物の温度と被加工物の使
用温度との温度差と、被加工物の使用温度以下の@度に
保持して膜を形成する被加工物の温度と被加工物の使用
温度との温度差が等しく、かつそれぞれの場合に形成さ
れた膜の膜厚が等しいことが望ましい。
また上記実施例では1gの方が被加工物よシ熱膨張係数
が大きい場合につき説明したが、これとは逆の組み合わ
せで、膜の方が熱膨張係数が小さい場仕にも、プロセス
の途中での変形の方向は逆になるが、最終的には変形は
ほとんど生じないということは明らかである。
が大きい場合につき説明したが、これとは逆の組み合わ
せで、膜の方が熱膨張係数が小さい場仕にも、プロセス
の途中での変形の方向は逆になるが、最終的には変形は
ほとんど生じないということは明らかである。
また、さらに上記実施例では被加工物の温ばを被刀ロエ
物の使用温度以下に保持して被加工物に膜を形成した後
、被加工物の温度を被加工物の使用温度風Fに保持して
膜を形成したが、工程の順序を逆にしても同様の幼果が
得られる。
物の使用温度以下に保持して被加工物に膜を形成した後
、被加工物の温度を被加工物の使用温度風Fに保持して
膜を形成したが、工程の順序を逆にしても同様の幼果が
得られる。
以上のように、この発明によれば、被刀I工物の温度を
、被加工物の使用温度以上に保持して蒸着用原料を被加
工物に堆積させて膜を形成する工程。
、被加工物の使用温度以上に保持して蒸着用原料を被加
工物に堆積させて膜を形成する工程。
及び被加工物の温度を、被加工物の使用温度以下に保持
して上記蒸着用原料を被〃ロエ物に堆積させて膜を形成
する工程を施すようにしたので2寸法n1度良く、また
形状の変形の極めて少ない膜の形成が5T能な被膜形成
方法が得られる効果がある。
して上記蒸着用原料を被〃ロエ物に堆積させて膜を形成
する工程を施すようにしたので2寸法n1度良く、また
形状の変形の極めて少ない膜の形成が5T能な被膜形成
方法が得られる効果がある。
第1図人、B、C,Dはこの発明の一実施例の被膜形成
方法を工程順に示すための被加工物と被膜の側面図、第
2図はこの発明の一実施例に係シ。 張り合わせの場合のたわみの量を求めるだめの説明図、
第3図は一般的な被膜形成に用いられる真空蒸着装置の
構成図である。 (1)、 (1a) 、 (1b)・・・膜、 +2
1−・・被刀ロエ吻、 (31・・・蒸着用原料。 なお1図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
方法を工程順に示すための被加工物と被膜の側面図、第
2図はこの発明の一実施例に係シ。 張り合わせの場合のたわみの量を求めるだめの説明図、
第3図は一般的な被膜形成に用いられる真空蒸着装置の
構成図である。 (1)、 (1a) 、 (1b)・・・膜、 +2
1−・・被刀ロエ吻、 (31・・・蒸着用原料。 なお1図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)真空雰囲気中で、蒸着用原料を蒸発させ、被加工
物に上記原料を堆積させて膜を形成するものにおいて、
上記被加工物の温度を、被加工物の使用温度以上に保持
して上記蒸着用原料を被加工物に堆積させて膜を形成す
る工程、及び上記被加工物の温度を、被加工物の使用温
度以下に保持して上記蒸着用原料を被加工物に堆積させ
て膜を形成する工程を施すようにした被膜形成方法。 - (2)被加工物の使用温度以上の温度に保持した被加工
物の温度と被加工物の使用温度との温度差と、被加工物
の使用温度以下の温度に保持した被加工物の温度と被加
工物の使用温度との温度差が等しく、かつ、それぞれの
場合に形成された膜の膜厚が等しい特許請求の範囲第1
項記載の被膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3010387A JPS63199876A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3010387A JPS63199876A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 被膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63199876A true JPS63199876A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12294445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3010387A Pending JPS63199876A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63199876A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106467966A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | 蒂森克虏拉塞斯坦有限公司 | 用于热处理黑铁皮的方法和用于制造黑铁皮的方法 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP3010387A patent/JPS63199876A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106467966A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | 蒂森克虏拉塞斯坦有限公司 | 用于热处理黑铁皮的方法和用于制造黑铁皮的方法 |
CN106467966B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-07-16 | 蒂森克虏拉塞斯坦有限公司 | 用于热处理黑铁皮的方法和用于制造黑铁皮的方法 |
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