JPS63199479A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS63199479A JPS63199479A JP3300287A JP3300287A JPS63199479A JP S63199479 A JPS63199479 A JP S63199479A JP 3300287 A JP3300287 A JP 3300287A JP 3300287 A JP3300287 A JP 3300287A JP S63199479 A JPS63199479 A JP S63199479A
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- Japan
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- heat sink
- semiconductor substrate
- light source
- semiconductor laser
- array device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は複数の半導体レーザ素子が単一基板に形成され
た半導体レーザ装置に関する。
た半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
半導体レーザ（ＬＤ）は大容量、広帯域の通信を可能に
する光通信システムの光源をはじめとして、文書１画像
データ等の大容量情報ファイルとしての光ディスクや高
速、高品質情報出力装置としてのレーザプリンタの光源
等いろいろな分野に応用されている。光デイスク装置で
は、サーボ動作の安定化、記録再生の高速化には単一光
源よりも複数の光源の方が望ましい。またレーザプリン
タでも高速化のためには複数の光源を必要とする。
する光通信システムの光源をはじめとして、文書１画像
データ等の大容量情報ファイルとしての光ディスクや高
速、高品質情報出力装置としてのレーザプリンタの光源
等いろいろな分野に応用されている。光デイスク装置で
は、サーボ動作の安定化、記録再生の高速化には単一光
源よりも複数の光源の方が望ましい。またレーザプリン
タでも高速化のためには複数の光源を必要とする。
これら光ディスクやレーザプリンタ装置等、複数のＬＤ
光源を用いる場合、複数のビーム調整の容易さ、装置の
簡便さ、小型化の上で複数のＬＤは単一基板上にアレイ
化した方が有利である。
光源を用いる場合、複数のビーム調整の容易さ、装置の
簡便さ、小型化の上で複数のＬＤは単一基板上にアレイ
化した方が有利である。
アレイＬＤはそれぞれのＬＤを独立に駆動する必要があ
るから、互いのＬＤの熱的な干渉を極力小さく抑える必
要があり、放熱効果の優れたマウント方式が望まれてい
る。第２図は従来のアレイＬＤのマウント方式を示す断
面図である。アレイＬＤ２１の発光部２８．２９に近い
電極（通常ｐ電極）２２、２３を」二側にし、その反対
側電極（通常ｎ電極）２４をヒートシンク２５の上面電
極２６に密着させている。この方式はマウンティングか
容易であるがＬＤの発光部２８．２９がヒートシンクに
遠い（８０〜１００μｍ）ので互いの熱干渉を避けるた
めにＬＤ間隔を数百μｍ以」二に広げている。放熱効果
の優れた方式として、第３図に示したようなｐ電極２２
をヒートシンク２５に密着させるＰサイドタウンの構造
がある。この方式では発光部から数ｌＪｍの位置にヒー
トシンクがあるので放熱効果は大きくＬＤ間隔を小さく
できる。
るから、互いのＬＤの熱的な干渉を極力小さく抑える必
要があり、放熱効果の優れたマウント方式が望まれてい
る。第２図は従来のアレイＬＤのマウント方式を示す断
面図である。アレイＬＤ２１の発光部２８．２９に近い
電極（通常ｐ電極）２２、２３を」二側にし、その反対
側電極（通常ｎ電極）２４をヒートシンク２５の上面電
極２６に密着させている。この方式はマウンティングか
容易であるがＬＤの発光部２８．２９がヒートシンクに
遠い（８０〜１００μｍ）ので互いの熱干渉を避けるた
めにＬＤ間隔を数百μｍ以」二に広げている。放熱効果
の優れた方式として、第３図に示したようなｐ電極２２
をヒートシンク２５に密着させるＰサイドタウンの構造
がある。この方式では発光部から数ｌＪｍの位置にヒー
トシンクがあるので放熱効果は大きくＬＤ間隔を小さく
できる。
（発明が解決しようとする問題点）
発光部がヒートシンクから遠いＰサイドアップの方式は
前述の如＜ＬＤ間隔が大きいので、ＬＤ光源を用いて収
差の小さい集光光学系を構成する場合には有効視野の大
きいＮＡの小さいレンズを使わさ゛るを得ない。このよ
うなレンズを用いると尤透過牢は減少するかろ、ＬＤの
出力を増加する必要かありＬＤの信頼性が低下する問題
が生じる。
前述の如＜ＬＤ間隔が大きいので、ＬＤ光源を用いて収
差の小さい集光光学系を構成する場合には有効視野の大
きいＮＡの小さいレンズを使わさ゛るを得ない。このよ
うなレンズを用いると尤透過牢は減少するかろ、ＬＤの
出力を増加する必要かありＬＤの信頼性が低下する問題
が生じる。
また多数のＬＤのアレイ化にも不都合である。
ＬＤ基板を薄くすることにより発光部とヒートシンクを
接近させる方法もあるがハンドリンクが誼しくなり作製
上歩留りを低下さぜる。ｐサイドタウンの方式では、ヒ
ートシンク電極２６をアレイＬＤのｐ電極２２．２３に
合わせて分離する必要がある事、ＬＤマウント時にＬＤ
のｐ電極２２． ’２３とヒートシンクの分離型［２６
，２７を正確に目金ぜする必要がある。従来構造の半導
体レーザアレイ装置にはこのような難点があった。
接近させる方法もあるがハンドリンクが誼しくなり作製
上歩留りを低下さぜる。ｐサイドタウンの方式では、ヒ
ートシンク電極２６をアレイＬＤのｐ電極２２．２３に
合わせて分離する必要がある事、ＬＤマウント時にＬＤ
のｐ電極２２． ’２３とヒートシンクの分離型［２６
，２７を正確に目金ぜする必要がある。従来構造の半導
体レーザアレイ装置にはこのような難点があった。
本発明の目的は上記の問題点を解消し安定な独立駆動か
可能な半導体レーザアレイ装置を提供することにある。
可能な半導体レーザアレイ装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、同一半導体基板上に複数の半導体レーザが集積された
アレイ状光源と、前記アレ、イ状光源の半導体基板表面
に形成された共通電極に」二面金属部を密着したヒート
シンクがち成る半導体レーザアレイ装置であって、前記
アレイ状光源の発光部近傍の前記半導体基板の厚みか周
辺部より小さく、前記ヒートシンク上面金属部が前記半
導体基板に符合した形状を有することを特徴としている
。
、同一半導体基板上に複数の半導体レーザが集積された
アレイ状光源と、前記アレ、イ状光源の半導体基板表面
に形成された共通電極に」二面金属部を密着したヒート
シンクがち成る半導体レーザアレイ装置であって、前記
アレイ状光源の発光部近傍の前記半導体基板の厚みか周
辺部より小さく、前記ヒートシンク上面金属部が前記半
導体基板に符合した形状を有することを特徴としている
。
（作用）
上述の本発明の構造では、発光部で発生した熱は、発光
部に近接したヒートシンクを通して逃がされるので発光
部に近い電極かヒートシンクに接するｐサイドタウンの
マウント方式に近い放熱効果が得られ隣接したＬＤへの
熱的な干渉は極めて小さく、安定な独立駆動が可能とな
る。また発光部以外のＬＤの厚みは従来の構造と同じで
あるのでハンドリング性は損われない。
部に近接したヒートシンクを通して逃がされるので発光
部に近い電極かヒートシンクに接するｐサイドタウンの
マウント方式に近い放熱効果が得られ隣接したＬＤへの
熱的な干渉は極めて小さく、安定な独立駆動が可能とな
る。また発光部以外のＬＤの厚みは従来の構造と同じで
あるのでハンドリング性は損われない。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳廁に説
明する。第１図は、本発明の一実施例を示す断面図であ
る。本実施例では、アレイＬＤ２１は発光部２８．２９
に近い電極２２．２３を上側にしてヒートシンク２５に
マウントしである。そして、このアレイＬ Ｄ ２１の
半導体基板は発光部２８．２９の近傍で厚みか小さく１
１０μｍ程度でそれ以外では８０〜１００μｍである。
明する。第１図は、本発明の一実施例を示す断面図であ
る。本実施例では、アレイＬＤ２１は発光部２８．２９
に近い電極２２．２３を上側にしてヒートシンク２５に
マウントしである。そして、このアレイＬ Ｄ ２１の
半導体基板は発光部２８．２９の近傍で厚みか小さく１
１０μｍ程度でそれ以外では８０〜１００μｍである。
ヒートシンク２５は半導体の形状に符合して発光部近傍
部は７０ＩＩＩ１１程度厚い。第１図の構造では発光部
２８．２９で発生ずる熱はヒートシンク２５の突出部か
ら逃げることができるので、発光部に近い電極２２．２
３をヒートシンクに密着させる方式（ｐサイドタウン）
に近い放熱効果を得ることができる。アレイＬＤ半導体
基板（例えばＧａＡｓ）の渭やヒートシンク（例えばＳ
ｔ）の突出部は、ケミカルあるいはドライエツチングに
より容易に作製が可能である。
部は７０ＩＩＩ１１程度厚い。第１図の構造では発光部
２８．２９で発生ずる熱はヒートシンク２５の突出部か
ら逃げることができるので、発光部に近い電極２２．２
３をヒートシンクに密着させる方式（ｐサイドタウン）
に近い放熱効果を得ることができる。アレイＬＤ半導体
基板（例えばＧａＡｓ）の渭やヒートシンク（例えばＳ
ｔ）の突出部は、ケミカルあるいはドライエツチングに
より容易に作製が可能である。
以上のようにマウンティングが簡易なｐサイドアップの
方式でも放熱効果の大きく安定した独立駆動が可能な半
導体レーザアレイ装置を実現できた。
方式でも放熱効果の大きく安定した独立駆動が可能な半
導体レーザアレイ装置を実現できた。
以上の実施例では、アレイ状光源として２つのＬＤのア
レイを示したが３つ以上のＬＤアレイでも同様な事が言
える。ｔｆ、：＃！−導体基板としてｎ型基板を示した
が、本発明ではｎ型基板でもかまわない。さらに基板、
ヒートシンクの材料をＧａＡｓ、Ｓｉとしたが、他の材
料でも同様に本発明を適用できる。
レイを示したが３つ以上のＬＤアレイでも同様な事が言
える。ｔｆ、：＃！−導体基板としてｎ型基板を示した
が、本発明ではｎ型基板でもかまわない。さらに基板、
ヒートシンクの材料をＧａＡｓ、Ｓｉとしたが、他の材
料でも同様に本発明を適用できる。
（発明の効果）
以上に示したように本発明の構成によれば、安定な独立
駆動か可能な半導体レーザアレイ装置を実現できる。
駆動か可能な半導体レーザアレイ装置を実現できる。
第１図は本発明による半導体レーザアレイ装置の一実施
例を示す断面図、第２図および第３図は従来の半導体レ
ーザアレイ装置を示す断面図である。 ２１・・・半導体レーザアレイ、２２．２３．２４・・
・電極、２５・・・ヒートシンク、２６．２７・・・金
属部、２８．２９・・・発光部。
例を示す断面図、第２図および第３図は従来の半導体レ
ーザアレイ装置を示す断面図である。 ２１・・・半導体レーザアレイ、２２．２３．２４・・
・電極、２５・・・ヒートシンク、２６．２７・・・金
属部、２８．２９・・・発光部。
Claims (1)
- 同一半導体基板上に複数の半導体レーザが集積されたア
レイ状光源と、前記アレイ状光源の半導体基板表面に形
成された共通電極に上面金属部を密着したヒートシンク
から成る半導体レーザアレイ装置において、前記アレイ
状光源の発光部近傍の前記半導体基板の厚みが周辺部よ
り小さく、ヒートシンク上面金属部が前記半導体基板に
符合した形状を有することを特徴とする半導体レーザア
レイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300287A JPS63199479A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300287A JPS63199479A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199479A true JPS63199479A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12374635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3300287A Pending JPS63199479A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160500A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
| JP2010050362A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP3300287A patent/JPS63199479A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160500A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
| JP2010050362A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ |
| JP4697488B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2011-06-08 | ソニー株式会社 | マルチビーム半導体レーザ |
| US8121168B2 (en) | 2008-08-22 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Multibeam laser diode |
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