JPS6319796Y2 - - Google Patents

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JPS6319796Y2
JPS6319796Y2 JP9992181U JP9992181U JPS6319796Y2 JP S6319796 Y2 JPS6319796 Y2 JP S6319796Y2 JP 9992181 U JP9992181 U JP 9992181U JP 9992181 U JP9992181 U JP 9992181U JP S6319796 Y2 JPS6319796 Y2 JP S6319796Y2
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JP
Japan
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sampling
molten steel
sample collection
composition
probe
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Application number
JP9992181U
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JPS587858U (ja
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  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本案はサブランス・プローブの改良に関し、更
に詳しくは転炉内の溶鋼を、その組成を分析すべ
く採取するに際して採取位置及び方向を任意に決
定可能となして転炉内の溶鋼組成を正確に把握し
得るようにしたプローブに関するものである。
転炉操業においては最近底吹又は上下吹錬等の
新しい技術が開発され、これによつて炉内の溶鋼
は複雑な流動状態を呈し、又従来からの上吹吹錬
の場合でも炉内の修理前、後で溶鋼の流動状態が
変化することがあり、従つて転炉内溶鋼の組成を
正確に把握する為にはサブランス・プローブの試
料採取口の構成を上述の如く複雑な流動状態を呈
する炉内の状況に応じたものとなさねばならない
のである。しかし乍ら従来のサブランス・プロー
ブによる試料採取は、単一の採取口を湯面下450
〜900mmに位置させるだけであり、しかも当該採
取口は方向(即ち採取方向)が決定されていなか
つた為に前記のような複雑な流動状態の溶鋼の正
確な組成を検知することは不可能であつた。
以上のような問題点及び従来技術の欠点に鑑み
て考案された本案の要旨とするところは組成分析
用の代表試料の採取位置及び方向を常に監視し得
るように、複数の採取口を高さ方向一定間隔毎に
かつ開口方向を一定角度づつ変位させて形成する
ことによつて前記のように複雑な流動状態下にあ
る炉内溶鋼の組成を正確に把握し得るようになし
た点にある。
以下添付の実施図例にて本案を詳説すれば、第
1図は試料採取管1を示し隔壁2…にて区画形成
された複数(少なくとも4個以上)の採取室3…
の各採取口4…は高さ方向に一定間隔(図中寸法
l)毎に形成されるとともに隣接する上下の採取
口4,4に対して開口方向を一定角度(第1図で
は90゜)づつ変位させて形成され、各採取室3…
に流入する溶鋼を高さ及び流入方向が変化した状
況で採取し得るようになしている。尚、当然のこ
と乍ら試料採取管1には絶縁紙管を外嵌装着する
ものとし、又転炉内溶鋼の温度、炭素量、酸素量
の測定の全部又は何れかの機能を付加することは
従前のサブランス・プローブと同様である。
以上のようになる本案のサブランス・プローブ
は複数の採取室3…を設け、しかもその採取口4
…を高さ方向一定間隔毎にかつ開口方向を一定角
度毎に変位させて形成したので試料採取位置(深
さ)及び採取方向を常に把握した状況下で試料採
取を行うことができ、ひいては前記のような複雑
な流動状態下にある炉内溶鋼の組成分析を正確に
なし、もつて吹錬技術の向上及び同時適中率の上
昇が可能となるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本案の1例を示すプローブの試料採取
管の縦断面図、第2図は従来の試料採取管を示す
縦断面図である。 1:試料採取管、2:隔壁、3:採取室、4:
採取口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 試料採取管1に複数の採取室3…を設けるとと
    もに各採取室3…に形成される採取口4…を高さ
    方向一定間隔毎にかつ開口方向を一定角度づつ変
    位させて形成したことを特徴とするサブランス・
    プローブ。
JP9992181U 1981-07-03 1981-07-03 サブランス・プロ−ブ Granted JPS587858U (ja)

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JP9992181U JPS587858U (ja) 1981-07-03 1981-07-03 サブランス・プロ−ブ

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JP9992181U JPS587858U (ja) 1981-07-03 1981-07-03 サブランス・プロ−ブ

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JPS587858U JPS587858U (ja) 1983-01-19
JPS6319796Y2 true JPS6319796Y2 (ja) 1988-06-02

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JP9992181U Granted JPS587858U (ja) 1981-07-03 1981-07-03 サブランス・プロ−ブ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element

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JPH0785045B2 (ja) * 1987-02-25 1995-09-13 東京エレクトロン株式会社 発塵量測定方法

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US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element

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Publication number Publication date
JPS587858U (ja) 1983-01-19

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