JPS6319713A - Paste-like composition for formation of transparent conductive film and formation method of transparent conductive film - Google Patents

Paste-like composition for formation of transparent conductive film and formation method of transparent conductive film

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JPS6319713A
JPS6319713A JP16192786A JP16192786A JPS6319713A JP S6319713 A JPS6319713 A JP S6319713A JP 16192786 A JP16192786 A JP 16192786A JP 16192786 A JP16192786 A JP 16192786A JP S6319713 A JPS6319713 A JP S6319713A
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transparent conductive
conductive film
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film
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真 浅井
総一郎 菅野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、透明導電膜形成用組成物に係り、さらに詳し
くは、酸化インジウム−酸化錫複合膜(以下rlTOI
llJと記す、)からなるパターン化された透明導電膜
を、耐熱性基板上に形成するに適したペースト状の組成
物およびパターン化された透明導電膜の形成方法に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a composition for forming a transparent conductive film, and more specifically to an indium oxide-tin oxide composite film (rlTOI).
The present invention relates to a paste composition suitable for forming a patterned transparent conductive film (denoted as llJ) on a heat-resistant substrate, and a method for forming the patterned transparent conductive film.

本発明は、各種ディスプレイや太陽電池等用の透明電極
の製造に、好適に使用することができる。
The present invention can be suitably used for manufacturing transparent electrodes for various displays, solar cells, and the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、各種ディスプレイや太陽電池等用の透明電極の製
造方法として、ガラス等の透明基板上に真空蒸着法、ス
パッタリング法、化学蒸着法、塗布焼成法等により形成
した透明導電膜を、エツチングしてパターン化する方法
が知られており、真空蒸着法やスパッタリング法で形成
した透明導電膜をエツチングする方法が、一般に実用化
されている。
Traditionally, as a manufacturing method for transparent electrodes for various displays, solar cells, etc., a transparent conductive film is formed on a transparent substrate such as glass by a vacuum evaporation method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a coating and baking method, etc., and then etched. Patterning methods are known, and methods of etching a transparent conductive film formed by vacuum evaporation or sputtering are generally put into practical use.

近年、透明ill膜のエツチング工程を省略することを
目的として、ペースト状の透明導電膜形成用組成物をス
クリーン印刷法等により、ガラス基板等にパターン化し
て塗布し、焼成する方法が種々検討されている。たとえ
ば、有機インジウム錯体、有機錫錯体、粘結剤としての
ニトロセルロースおよび溶剤とからなるITO膜形成用
のペースト状組成物(特開昭57−27505号公報)
、硝酸インジウム誘導体、硝酸錫アルキル誘導体、セル
ロース誘導体および有機)容剤からなるITO膜形成用
のペースト状組成物およびこの組成物をスクリーン印刷
した後加熱下に紫外線を照射し、ついで、焼成、焼鈍す
るパターン化した透明導電膜の形成方法(特開昭57−
212268号公報)などが開示されている。
In recent years, with the aim of omitting the etching process for transparent illumination films, various methods have been investigated in which a paste-like composition for forming a transparent conductive film is patterned and applied to a glass substrate, etc. using a screen printing method, etc., and then baked. ing. For example, a paste composition for forming an ITO film consisting of an organic indium complex, an organic tin complex, nitrocellulose as a binder, and a solvent (Japanese Patent Laid-Open No. 57-27505)
, an indium nitrate derivative, a tin alkyl nitrate derivative, a cellulose derivative, and an organic) pasty composition for forming an ITO film, and after screen printing this composition, irradiation with ultraviolet rays while heating, followed by firing and annealing. Method for forming a patterned transparent conductive film
No. 212268) and the like are disclosed.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

透明電極の製造方法として、前記した一般に実用化され
ている方法においては、透明導電膜の形成に高真空装置
を使用するため生産性が低く、さらに、透明導電膜をパ
ターン化するためのエノチング工程を必要とする。した
がって、得られる製品は極めて高価である。
As a manufacturing method for transparent electrodes, the above-mentioned methods that are generally put into practical use have low productivity because they use high-vacuum equipment to form a transparent conductive film, and they also require an etching process to pattern the transparent conductive film. Requires. The resulting products are therefore extremely expensive.

一方、前記ペースト状組成物を用い、スクリーン印刷等
によりパターン化した透明導電膜を形成し、透明電極と
する方法においては、いづれもシート抵抗値が1〜2に
Ω/ s q程度のパターン化されたITO膜を形成す
ることができるが、これらは基板との密着性が不十分で
あり、また、LCDの透明電極用としてはシート抵抗値
が高い。
On the other hand, in the method of forming a transparent conductive film patterned by screen printing or the like using the paste composition to form a transparent electrode, the sheet resistance value is 1 to 2 and the patterning is about Ω/sq. However, these ITO films have insufficient adhesion to the substrate and have a high sheet resistance value for use in transparent electrodes of LCDs.

本発明は、シート抵抗値の低い、かつ、基板との密着性
に優れたパターン化されたITO膜を形成するに適した
、安定な透明導電膜形成用ペースト状組成物およびパタ
ーン化されたIToMの形成方法を提供することを、そ
の目的とする。
The present invention provides a stable transparent conductive film-forming paste composition suitable for forming a patterned ITO film with a low sheet resistance value and excellent adhesion to a substrate, and a patterned ITO film. The purpose is to provide a method for forming.

C問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意研究した結果
、インジウム化合物と錫化合物とをITO膜形成の主剤
とするペースト組成として、芳香族ニトロ化合物とセル
ロース誘導体とを添加した組成物を、スクリーン印刷に
より耐熱性基板に塗布した後、前加熱処理および本焼成
を行って形成したlTa1lが、基板との密着性に優れ
、かつ、シート抵抗値が低いことを見出し、本発明を完
成した。
Means for Solving Problem C] As a result of intensive research to achieve the above object, the present inventors have developed a paste composition that uses an indium compound and a tin compound as main ingredients for forming an ITO film, and an aromatic nitro compound and an aromatic nitro compound. lTa1l, which is formed by applying a composition containing a cellulose derivative to a heat-resistant substrate by screen printing and then performing preheating treatment and main firing, has excellent adhesion to the substrate and a low sheet resistance value. They discovered this and completed the present invention.

本発明は、有機インジウム化合物、錫化合物、セルロー
ス誘導体および芳香族ニトロ化合物を含有することを特
徴とする透明i!膜形成用ペースト状組成物および耐熱
性基板上に、前記ペースト状組成物をスクリーン印刷し
150〜350℃の温度で前加熱処理した後、酸化性雰
囲気中において、450℃以上の温度で焼成することを
特徴とする透明導電膜CITO膜)の形成方法である。
The present invention is characterized by containing an organic indium compound, a tin compound, a cellulose derivative, and an aromatic nitro compound. The pasty composition for film formation and a heat-resistant substrate are screen-printed, preheated at a temperature of 150 to 350°C, and then fired at a temperature of 450°C or higher in an oxidizing atmosphere. This is a method for forming a transparent conductive film (CITO film) characterized by the following.

本発明において、有機インジウム化合物および錫化合物
は、焼成により透明な酸化インジウム−酸化錫複合膜C
ITO膜)を形成するための主剤である。
In the present invention, the organic indium compound and the tin compound are used to form a transparent indium oxide-tin oxide composite film C by baking.
It is the main ingredient for forming an ITO film.

有機インジウム化合物として、熱分解により酸化インジ
ウムを生成する有機溶剤溶解性の化合物が使用できる。
As the organic indium compound, an organic solvent-soluble compound that generates indium oxide by thermal decomposition can be used.

特に、下記一般式(1)%式%(1) で表され、式中のXが、アセチルアセトン、ベンゾイル
アセトン、ベンゾイルトリフルオルアセトン、ジベンゾ
イルメタン、フロイルアセトン、トリフルオルアセトン
等のβ−ジケトン類の残基および/またはアセト酢酸メ
チル、アセト酢酸エチル、マロン酸ジエステル等のβ−
ケトエステル類の残基、Yが、ハロゲン原子、水酸基、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロ
ポキシ基、n−ブトキシ基、t−ブトキシ基等炭素数が
1〜18のアルコキシ基、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基、バレイル基、ステアロイル
基、ベンソイル基等炭素数が1〜18のアシル基および
硝酸エステル残基よりなる群から選ばれた少なくとも1
種の置換基であり、かつ、a#Oである有機インジウム
化合物が、熱分解性および有機溶剤への溶解性に優れる
ので好ましく使用される。さらに好ましくは、さらに熱
分解性および塗膜形成性に優れた前記一般式(11中の
Yが、水a基、アルコキシ基および/またはアシル基で
ある有機インジウム化合物1モルと硝酸0.3〜3.0
モルとの反応生成物を使用する。
In particular, it is represented by the following general formula (1)% formula% (1), where X in the formula is a β-diketone such as acetylacetone, benzoylacetone, benzoyltrifluoroacetone, dibenzoylmethane, furoylacetone, trifluoroacetone, etc. and/or β- such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, malonic acid diester, etc.
Ketoester residue, Y is a halogen atom, a hydroxyl group,
Alkoxy groups having 1 to 18 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, t-butoxy group, formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, valyl group At least one selected from the group consisting of acyl groups having 1 to 18 carbon atoms such as , stearoyl group, benzoyl group, and nitrate ester residues.
An organic indium compound which is a substituent of the species and is a#O is preferably used because it has excellent thermal decomposition properties and solubility in organic solvents. More preferably, 1 mol of an organic indium compound of the general formula (11, in which Y is a water a group, an alkoxy group, and/or an acyl group) and 0.3 to 0.3 to nitric acid have excellent thermal decomposition properties and coating film forming properties. 3.0
Using the reaction product with mol.

一方、錫化合物は、酸化インジウムの薄膜に導電性を付
与するための酸化錫をドープする成分である。錫化合物
として、熱分解により酸化錫を生成する有機溶剤熔解性
の2価または4価の錫化合物が使用される。たとえば、
塩化第1錫、塩化第2錫、臭化第1錫、臭化第2錫、沃
化第1錫、沃化第2s+A等のハロゲン化錫類、硝酸錫
等の無機錫塩類、ジプロピル錫、テトラプロピル錫等の
アルキル錫類、酢酸錫、安息香酸錫、ジブチル錫ラウレ
ート、オクテン酸錫等の錫有機酸塩類、ジーまたはテト
ラ−エトキシ錫1 ジーまたはテトラ−プロポキシ錫、
ジーまたはテトラ−ブトキシ錫等の錫アルコキシド類、
錫アルコキシド類とβ−ジケトン類またはβ−ケトエス
テル類とのキレート錯体または部分キレート錯体類等が
使用できる。好ましくは、無機錫塩類、錫有機酸塩類お
よび(部分)キレート錯体類を使用する。
On the other hand, the tin compound is a component for doping tin oxide to impart conductivity to the indium oxide thin film. As the tin compound, an organic solvent-soluble divalent or tetravalent tin compound that produces tin oxide by thermal decomposition is used. for example,
Tin halides such as stannous chloride, stannous chloride, stannous bromide, stannous bromide, stannous iodide, stannic iodide, etc., inorganic tin salts such as tin nitrate, dipropyltin, Alkyltins such as tetrapropyltin, tin organic acid salts such as tin acetate, tin benzoate, dibutyltin laurate, tin octenoate, di- or tetra-ethoxytin 1 di- or tetra-propoxytin,
tin alkoxides such as di- or tetra-butoxytin;
Chelate complexes or partial chelate complexes of tin alkoxides and β-diketones or β-ketoesters can be used. Preference is given to using inorganic tin salts, tin organic acid salts and (partial) chelate complexes.

インジウム化合物と錫化合物との組成比(重量基準)は
、それぞれを酸化物に換算して0.01≦5nO1/ 
(SnOz+IntO1)≦0.5、好ましくは、0.
02≦Snow/ (SnOz+InJx)≦0.3の
範囲である。
The composition ratio (weight basis) of the indium compound and the tin compound is 0.01≦5nO1/
(SnOz+IntO1)≦0.5, preferably 0.
The range is 02≦Snow/(SnOz+InJx)≦0.3.

セルロース誘導体は、前記インジウム化合物と錫化合物
とをITO膜形成の主剤とする組成物に、チクソ性を付
与しペースト化するたの増粘剤として使用される。セル
ロース誘導体として、たとえば、メチルセルロース、エ
チルセルロース、アセチルセルロース、アセチルブチル
セルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシ
プロピルセルロース、ベンジルセルロース、ニトロセル
ロースなどが使用される。特に、ヒドロキシプロピルセ
ルロース、エチルセルロース、アセチルブチルセルロー
ス、ニトロセルロースおよびそレラの混合物は、少量の
使用で組成物をペースト化するためのチクソ性の付与効
果が大きいので好ましく使用される。
The cellulose derivative is used as a thickener to impart thixotropy to a composition containing the indium compound and tin compound as main ingredients for forming an ITO film and to form a paste. Examples of cellulose derivatives used include methylcellulose, ethylcellulose, acetylcellulose, acetylbutylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose, benzylcellulose, and nitrocellulose. In particular, a mixture of hydroxypropylcellulose, ethylcellulose, acetylbutylcellulose, nitrocellulose and Sorella is preferably used because it has a large effect of imparting thixotropy to make the composition into a paste even when used in a small amount.

芳香族ニトロ化合物は、前記各成分の燃焼、熱分解を補
助、促進する成分である。芳香族ニトロ化合物として、
ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、トリニトロベンゼ
ン、ニトロトルエン、ジニトロトルエン、トリニトロト
ルエン、ニトロ−1−’7タレン、ピクリン酸、ニトロ
アニソール、ピクリン酸エチル、トリニトロジフェニル
エーテル、ピクリン酸ベンジル、酢酸ピクリル等のピク
リン酸誘導体などが使用でき、比較的に安定で取り扱い
の容易なピクリン酸が好ましく使用される。
The aromatic nitro compound is a component that assists and accelerates the combustion and thermal decomposition of each of the above components. As an aromatic nitro compound,
Nitrobenzene, dinitrobenzene, trinitrobenzene, nitrotoluene, dinitrotoluene, trinitrotoluene, nitro-1-'7talene, picric acid, nitroanisole, ethyl picrate, trinitrodiphenyl ether, benzyl picrate, picric acid derivatives such as picryl acetate, etc. Picric acid, which is relatively stable and easy to handle, is preferably used.

本発明の組成物は、有機1容剤100重量部に対し、金
属酸化物に換算したインジウム化合物と錫化合物との合
計0.5〜15重量部、セルロース誘導体5〜50重量
部およびセルロース誘導体1゜0重量部に対し、芳香族
ニトロ化合物5〜100重量部を配合し、混合したチク
ソ性を存するペースト状組成物である。
The composition of the present invention contains a total of 0.5 to 15 parts by weight of an indium compound and a tin compound calculated as metal oxide, 5 to 50 parts by weight of a cellulose derivative, and 1 part by weight of a cellulose derivative, per 100 parts by weight of an organic 1-volume preparation. It is a paste-like composition having thixotropic properties, in which 5 to 100 parts by weight of an aromatic nitro compound is blended to 0 parts by weight.

を機溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは15
0℃以上の有機溶剤が使用される。たとえば、ブタノー
ル、オクタツール、ラウリルアルコール、2−エチルヘ
キシルアルコール、ベンジルアルコール、シクロヘキサ
ノール、α−テルピネオール等のアルコール類、エチル
セロソルブ。
as a solvent with a boiling point of 100°C or higher, preferably 15°C.
An organic solvent having a temperature of 0° C. or higher is used. For example, alcohols such as butanol, octatool, lauryl alcohol, 2-ethylhexyl alcohol, benzyl alcohol, cyclohexanol, α-terpineol, and ethyl cellosolve.

ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、エチルカル、  
ビトール、メチルカルピトール、ブチルカルピトール等
のカルピトール類、エチレングリコール。
Cellosolves such as butyl cellosolve, ethylcal,
Carpitols such as bitol, methylcarpitol, butylcarpitol, and ethylene glycol.

プロピレングリコール、ジエチレングリコール等のグリ
コール類、アセト酢酸エチル、酢酸ベンジル、安息香酸
メチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジブチル、エチル
セロソルブアセテート等のエステル類などの1種の単独
溶剤または2種以上の混合溶剤が使用される。
A single solvent or a mixture of two or more solvents, such as glycols such as propylene glycol and diethylene glycol, and esters such as ethyl acetoacetate, benzyl acetate, methyl benzoate, dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, and ethyl cellosolve acetate. used.

インジウム化合物および錫化合物の合計の配合量が過少
な場合、形成されるITO膜の膜厚が薄くなり、また、
過大な場合、形成されるITOIIQに白濁や、クラッ
ク等の薄膜欠陥が生じ易くなる。
If the total amount of the indium compound and the tin compound is too small, the thickness of the ITO film formed will become thinner, and
If the amount is too large, thin film defects such as cloudiness and cracks are likely to occur in the formed ITOIIQ.

セルロース誘導体の配合量が過少な場合、チクソ性の付
与効果が十分でなく、組成物の印刷解像性が低下し形成
されるITO膜にニジミや断線を生じ易くなる。また、
過大な場合には、組成物の粘度が大きくなり、スクリー
ン印刷の作業性が低下する。
If the amount of the cellulose derivative blended is too small, the effect of imparting thixotropy will not be sufficient, the printing resolution of the composition will decrease, and the formed ITO film will be more likely to cause bleeding or disconnection. Also,
If the amount is too large, the viscosity of the composition increases and the workability of screen printing decreases.

芳香族ニトロ化合物のセルロース誘導体に対する配合型
は、使用する他の成分の種類、配合型等による熱分解性
に影響されるが、過少な場合、組成物の燃焼、分解の促
進効果が不十分となり、形成されるITO膜の基板への
密着性が低下し、また、ITO膜のシート抵抗が高くな
る。また、過剰に配合しても組成物の燃焼、分解の促進
効果の増加は期待できない。好ましい芳香族ニトロ化合
物の配合量は、セルロース誘導体100重量部に対し、
10〜30重量部である。
The type of blending of aromatic nitro compounds with cellulose derivatives is influenced by the type of other components used, the type of blending, etc., but if the amount is too low, the effect of promoting combustion and decomposition of the composition will be insufficient. , the adhesion of the formed ITO film to the substrate decreases, and the sheet resistance of the ITO film increases. Moreover, even if it is added in excess, it cannot be expected to increase the effect of promoting combustion and decomposition of the composition. The preferred blending amount of the aromatic nitro compound is based on 100 parts by weight of the cellulose derivative.
It is 10 to 30 parts by weight.

本発明において、前記組成物をスクリーン印刷により、
耐熱性基板上にパターン化して印刷し、150〜350
℃の温度に5〜30分間保持して前加熱処理を行った後
、酸化性雰囲気下、好ましくは酸化性ガスの送気下に4
50℃以上、好ましくは500〜600℃の温度に10
〜60分間保持して本焼成を行うことにより、パターン
化された透明導電膜(ITO膜)を耐熱性基板上に形成
することができる。
In the present invention, the composition is screen printed,
Patterned and printed on a heat-resistant substrate, 150 to 350
After preheating by holding at a temperature of 5 to 30 minutes at a temperature of
10 at a temperature of 50°C or higher, preferably 500-600°C.
By holding the film for 60 minutes and performing main firing, a patterned transparent conductive film (ITO film) can be formed on the heat-resistant substrate.

本焼成に引き続いて、不活性ガスおよび/または還元性
ガス雰囲気下において、300〜600℃の温度に10
〜60分間保持する後加熱処理を施すことにより、さら
に形成されたITO膜のシート抵抗を低下させることが
できる。
Following the main firing, the temperature is 300 to 600°C for 10 minutes in an inert gas and/or reducing gas atmosphere.
By performing a heat treatment after holding for ~60 minutes, the sheet resistance of the formed ITO film can be further reduced.

耐熱性性基板として、本焼成温度において、割れや変形
を生じない、たとえば、各種ガラス、マイカ、セラミッ
クス等が使用できる。特に透明電(覆には、基板の透明
性も要求されるので各種ガラス恭仮が使用され、さらに
好ましくは、Naブロック用の5i(h、 Ti0z、
 Zr0z、 Al2O3等およびそれらの複合膜をプ
レコートしたソーダライムガラス基板が使用される。
As the heat-resistant substrate, it is possible to use various types of glass, mica, ceramics, etc. that do not cause cracking or deformation at the main firing temperature. In particular, various types of glass are used for transparent conductive covers, as transparency of the substrate is also required, and more preferably 5i(h, Ti0z,
A soda lime glass substrate precoated with ZrOz, Al2O3, etc. and a composite film thereof is used.

〔作    用〕 本発明は、前記したように、組成物をペースト化するた
めのセルロース誘導体と、燃焼、分解の促進剤としての
芳香族ニトロ化合物を併用したことを特徴とするパター
ン化されたITO膜を印刷法により形成するに適したペ
ースト状の組成物およびこの組成物を使用するパターン
化されたITO膜の形成方法である。
[Function] As described above, the present invention provides a patterned ITO characterized in that a cellulose derivative for making the composition into a paste and an aromatic nitro compound as a combustion and decomposition accelerator are used together. A paste composition suitable for forming a film by a printing method and a method for forming a patterned ITO film using this composition.

セルロース誘導体は、スクリーン印刷用ペースト状組成
物の印刷性に要求されるチクソ性を、少量の使用で付与
することができ、印刷解像性の優れた組成物とすること
ができる。また、併用される芳香族ニトロ化合物は、組
成物の熱分解性を助長促進する。
The cellulose derivative can provide the thixotropy required for the printability of a pasty composition for screen printing by using a small amount, and can provide a composition with excellent printing resolution. Further, the aromatic nitro compound used in combination promotes and accelerates the thermal decomposition property of the composition.

また、本発明の前加熱処理−本焼成の2段加熱分解、所
望により追加される後加熱処理を加えた3段加熱分解に
よるITO膜の形成方法においては、前加熱処理におい
て、溶剤が蒸発し、また、低分子量の成分が熱分解した
ピンホール等の薄膜欠陥の少ないgillが形成され、
本焼成により残余成分が熱分解し、酸化インジウム−酸
化錫の複合膜が形成され、さらに結晶化する。また、後
加熱処理は、不活性ガスおよび/または還元性ガス雰囲
気下で行われるため、形成されたIT○膜中の酸素空孔
が増加し、ITO膜のシート抵抗値が低下する。
In addition, in the method of forming an ITO film by two-stage thermal decomposition of pre-heating treatment and main calcination of the present invention, and three-stage thermal decomposition including additional post-heating treatment if desired, the solvent is not evaporated in the pre-heating treatment. In addition, gills with fewer thin film defects such as pinholes caused by thermal decomposition of low molecular weight components are formed,
By the main firing, the remaining components are thermally decomposed to form a composite film of indium oxide and tin oxide, which is further crystallized. Further, since the post-heat treatment is performed in an inert gas and/or reducing gas atmosphere, the number of oxygen vacancies in the formed IT◯ film increases, and the sheet resistance value of the ITO film decreases.

本発明においては、前記組成物の作用とITO膜形成方
法の作用とが相乗的に作用し、シート抵抗が低く、かつ
、基板への密着性の優れたパターン化されたITO膜が
、耐熱性基板上に形成される。
In the present invention, the effect of the composition and the effect of the ITO film forming method act synergistically, and a patterned ITO film with low sheet resistance and excellent adhesion to the substrate has heat resistance. formed on a substrate.

〔実 施 例〕〔Example〕

本発明を、実施例および比較例により、さらに詳細に説
明する。
The present invention will be explained in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

ただし、本発明の範囲は、下記実施例により何等限定さ
れるものではない。
However, the scope of the present invention is not limited in any way by the following examples.

なお、以下の実施例および比較例中において、「部」お
よび「%」は、断りのない限り重量基準である。
In addition, in the following Examples and Comparative Examples, "parts" and "%" are based on weight unless otherwise specified.

fll  透明導電膜形成用ペースト組成物の調製fa
+  試料(A−1)〜(A−4)および比較試料(C
A−1) ブチルカルピトール/ベンジルアルコールの重量比が1
/1の混合溶剤30部をフラスコに仕込み、インジウム
トリス(アセチルアセトナト)5.0部を加え100〜
120℃に加温して攪拌溶解し、均一な溶液を得た。
fll Preparation of paste composition for forming transparent conductive film fa
+ Samples (A-1) to (A-4) and comparative sample (C
A-1) The weight ratio of butylcarpitol/benzyl alcohol is 1
Pour 30 parts of a /1 mixed solvent into a flask, add 5.0 parts of indium tris (acetylacetonate), and make 100~
The mixture was heated to 120° C. and dissolved with stirring to obtain a homogeneous solution.

前記と同一組成の混合溶剤52部にヒドロキシプロピル
セルロース(商品名・HP C−)1・日本曹達■製)
8.4部を室温下に徐々に加え、約6時間撹拌保持して
均一に溶解した後、ヒドロキシプロピルセルロース10
0部に対して45.2部に相当するピクリン酸3.8部
を加えて溶解した。
Hydroxypropyl cellulose (trade name: HP C-) 1, manufactured by Nippon Soda) is added to 52 parts of a mixed solvent having the same composition as above.
Gradually add 8.4 parts of hydroxypropyl cellulose at room temperature and keep stirring for about 6 hours to dissolve uniformly.
3.8 parts of picric acid, which is equivalent to 45.2 parts based on 0 parts, was added and dissolved.

得られたヒドロキシプロピルセルロースとピクリン酸と
の混合9g ?&に、先に調製したインジウムトリス(
アセチルアセトナト))容7佼を徐々に力■えて均一に
混合した後、ジブチル錫ジラウレート1゜0部を加えて
ペースト状組成物・試料(A−1)を調製した。
9g of the resulting mixture of hydroxypropylcellulose and picric acid? &, the previously prepared indium tris (
A paste composition sample (A-1) was prepared by adding 1.0 parts of dibutyltin dilaurate after 7 parts of acetylacetonate were mixed uniformly by gradually straining.

また、ピクリン酸のヒドロキシプロピルセルロース10
0部に対する添加量を5部、20部および100部に変
えたペースト状組成物・試料(A−1)〜(A−4)を
調製した。
Also, hydroxypropyl cellulose 10 of picric acid
Paste compositions/samples (A-1) to (A-4) were prepared in which the amount added was changed to 5 parts, 20 parts, and 100 parts relative to 0 part.

さらに、比較のためにピクリン酸の添加を省略したペー
スト状組成物・比較試料(CA−1)を調製した。
Furthermore, for comparison, a paste-like composition/comparative sample (CA-1) in which the addition of picric acid was omitted was prepared.

(bl  試料(A−5)〜(A−7)試料(A−1)
の調製において、ピクリン酸に代えて、p−ジニトロベ
ンゼン1.68部、1,3.5−トリニトロベンゼン1
.68部およびピクリン酸エチル1.68部のそれぞれ
を添加し、ペースト状組成物・試料(A−5)〜(A−
7)を調製した。
(bl Samples (A-5) to (A-7) Samples (A-1)
In the preparation of 1.68 parts of p-dinitrobenzene, 1 part of 1,3.5-trinitrobenzene in place of picric acid.
.. 68 parts and 1.68 parts of ethyl picrate were added to prepare paste compositions/samples (A-5) to (A-
7) was prepared.

fcl  試料(A−8)および比較試料(CA−1)
ブチルセロソルブ/ブチルカルピトール/酢酸ベンジル
の重量比が、2/1/1の混合溶剤122部に、インジ
ウムトリス(7セチルアセトナト)7.44部および濃
硝酸2.40部を添加し、60℃に30分間攪拌保持し
た後、冷却してチンビスメチルアセテート0.51部を
添加し均一に溶解した。
fcl sample (A-8) and comparative sample (CA-1)
7.44 parts of indium tris (7 cetyl acetonate) and 2.40 parts of concentrated nitric acid were added to 122 parts of a mixed solvent of butyl cellosolve/butyl carpitol/benzyl acetate in a weight ratio of 2/1/1, and the mixture was heated to 60°C for 30 minutes. After stirring and maintaining for a minute, the mixture was cooled and 0.51 part of tinbismethyl acetate was added and uniformly dissolved.

ついで、ヒドロキシプロピルセルロース(商品名・HP
C−M・日本曹達■M)  12.0部とアセチルブチ
ルセルロース9.3部とを、前記調製した溶液に徐々に
添加して均一に溶解した後、酢酸とクリル3.3部を添
加混合しペースト状組成物・試料(A−8)を調製した
Next, hydroxypropylcellulose (product name/HP
12.0 parts of C-M Nippon Soda M) and 9.3 parts of acetyl butylcellulose were gradually added to the solution prepared above and dissolved uniformly, and then 3.3 parts of acetic acid and krylic were added and mixed. A paste-like composition/sample (A-8) was prepared.

また、比較試料として、酢酸ピクリルの添加を省略した
(CA−1)を調製した。
In addition, as a comparative sample, (CA-1) was prepared in which the addition of picryl acetate was omitted.

+d+  試料(A−9) ブチルカルピトール/ブチルセロソルブ/酢酸  ゛ベ
ンジルの重量比が、2/1/1の混合溶剤100部に、
硝酸インジウム1モルと乳酸1モルとを反応させて合成
したインジウム・ニトリル・ラクテート3.3部および
テトラブトキシ錫1モルと乳酸2モルとを反応させて合
成したチンブトキシラクテート1.8部を添加し、均一
に溶解した。ついで、ヒドロキシプロピルセルロース・
RPC−H(前出)6部とHPC−M (前出)14部
との混合物を、前記鋼製した溶液に添力uし、十分攪拌
混合して均一に溶解した後、ピクリン酸5部を添加混合
しペースト状組成物・試料(A−9)を調製した。
+d+ Sample (A-9) Butyl calpitol/butyl cellosolve/acetic acid 100 parts of a mixed solvent with a weight ratio of benzyl of 2/1/1,
3.3 parts of indium nitrile lactate synthesized by reacting 1 mole of indium nitrate with 1 mole of lactic acid and 1.8 parts of tinbutoxylactate synthesized by reacting 1 mole of tin tetrabutoxy with 2 moles of lactic acid were added. and dissolved uniformly. Next, hydroxypropyl cellulose
A mixture of 6 parts of RPC-H (mentioned above) and 14 parts of HPC-M (mentioned above) was added to the steel solution, stirred and mixed thoroughly to dissolve uniformly, and then 5 parts of picric acid was added. were added and mixed to prepare a paste composition/sample (A-9).

以上調製した試料(A−1)〜(A−9)および比較試
料(CA−1)ならびに(CA−1)の組成を第1表に
示す。
Table 1 shows the compositions of the samples (A-1) to (A-9) and comparative samples (CA-1) and (CA-1) prepared above.

(1)透明導電膜(ITO膜)の形成 ソーダライムガラス基板上に、前記f11項で調製した
透明導電膜(ITO膜)形成用ペースト状組成物試料(
A−1)の線幅25Qum、乳r¥20μmのパターン
を、300メソシユのステンレス製スクリーンを用いて
印刷し、150℃×15分の条件で前加熱処理を施した
後、マツフル炉を使用し、空気雰囲気下において550
℃×30分の条件で本焼成した0本焼成後、室温まで自
然冷却して、当該基板上にパターン化された透明導電膜
CITO膜)を得た。
(1) Formation of transparent conductive film (ITO film) On a soda lime glass substrate, paste composition sample for forming transparent conductive film (ITO film) prepared in the above section f11 (
A-1) pattern with a line width of 25 Qum and a diameter of ¥20 μm was printed using a 300 mesh stainless steel screen, preheated at 150°C for 15 minutes, and then printed using a Matsufuru furnace. , 550 in air atmosphere
After the main firing was carried out under the conditions of 30 minutes at °C, the substrate was naturally cooled to room temperature to obtain a patterned transparent conductive film (CITO film) on the substrate.

得られたrTo膜は、膜厚1200人、室温に1日放置
後のシート抵抗値R,Q1.OKΩ/sqの断線やにじ
みのない膜であり、セロテープ剥離試験結果は良好な密
着性を示した。
The obtained rTo film had a film thickness of 1200 mm and a sheet resistance value of R and Q1 after being left at room temperature for one day. The film was OK Ω/sq without disconnection or bleeding, and the cellophane tape peel test results showed good adhesion.

また、得られたITO膜を形成した基板を、窒素ガス雰
囲気中において350℃×30分の条件で後加熱処理し
た結果、シート抵抗値R□は0.5にΩ/sqまで低下
した。
Further, as a result of post-heating the substrate on which the obtained ITO film was formed under conditions of 350° C. for 30 minutes in a nitrogen gas atmosphere, the sheet resistance value R□ decreased to 0.5 Ω/sq.

以下、ソーダライムガラス基板、5iOz被覆ソーダラ
イムガラス基板および5i(h/ZrO冨=60/40
(重量比)の複合膜被覆ソーダライムガラス基板のそれ
ぞれに、透明導電膜(ITO膜)形成用ペースト状組成
物試料(A−1)〜(A−9>および比較試料(CA−
1)ならびに(CA−1)のそれぞれのパターンを、3
00メツシユのステンレス製スクリーンを用いて印刷し
、マツフル炉または加熱冷却パターンを調整可能なイメ
ージ炉を使用して前加熱処理−本焼成−後加熱処理一冷
却の各処理を施し、当該基板上にパターン化された透明
導電IQCITO膜)を形成した。
Below, soda lime glass substrate, 5iOz coated soda lime glass substrate and 5i (h/ZrO richness=60/40
(weight ratio) of paste composition samples (A-1) to (A-9>) for forming a transparent conductive film (ITO film) and a comparative sample (CA-
1) and (CA-1), 3
Print using a 00 mesh stainless steel screen, perform preheating, main firing, postheating, and cooling using a Matsufuru furnace or an image furnace with an adjustable heating and cooling pattern, and then apply it to the substrate. A patterned transparent conductive IQCITO film was formed.

前加熱処理条件、本焼成処理条件、後加熱処理条件およ
び形成されたITO膜の特性等を第2表に示す。
Table 2 shows the pre-heat treatment conditions, main firing treatment conditions, post-heat treatment conditions, and the characteristics of the formed ITO film.

第2表中において、密着性、表面硬度および耐アルカリ
性は、下記の基準で表示した。
In Table 2, adhesion, surface hardness and alkali resistance were expressed according to the following criteria.

密着性:セロテープ剥離試験において剥離を生じなかっ
たものを良好°とした。
Adhesion: Those that did not peel off in the cellophane tape peeling test were rated as good.

表面硬度二表面を消しゴムを用いて20回摩擦し、変化
のなかったものをOl一部変 化したものを△、薄膜の消失したもの を×で表示した。
Surface Hardness 2 The surface was rubbed 20 times with an eraser, and those with no change were marked as △, those with a partial change in Ol, and those with a thin film disappeared as ×.

耐アルカリ性=60℃の5%水酸化ナトリウム水溶液に
浸漬し、薄膜が溶解するまで の時間(分)を測定し、表示した。
Alkali resistance: The film was immersed in a 5% aqueous sodium hydroxide solution at 60°C, and the time (minutes) required for the thin film to dissolve was measured and displayed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明において(よ、前記実施例に示したように芳香族
ニトロ化合物を含有していない比較試料(CA−1)ま
たは(CA−1)の組成物を使用した系に比較して、シ
ート抵抗値の低いパターン化された透明導電膜(ITO
膜)が得られる。特に、後方u’Q処理を施した系にお
いては、シート抵抗値R0が0.38 KΩ/sq、0
.10にΩ/ s qに達する低シーHff抗の、すな
わち、高導電性のIT0119が得られる。また、これ
らはいづれも基板への密着性が優れている。
In the present invention (as shown in the above examples, the sheet resistance is Patterned transparent conductive film (ITO) with low value
membrane) is obtained. In particular, in the system subjected to backward u'Q treatment, the sheet resistance value R0 is 0.38 KΩ/sq, 0
.. IT0119 with a low See Hff resistance of up to 10Ω/sq, i.e. with high conductivity, is obtained. Moreover, all of these have excellent adhesion to the substrate.

本発明は、基板への密着性に優れた、シート抵抗値の低
いパターン化された透明導電膜(ITO膜)が得られる
透明導電膜形成用ペースト状組成物およびこの組成物を
使用する透明導電膜の形成方法を提供するものであり、
その産業的意義は極めて大きい。
The present invention relates to a paste-like composition for forming a transparent conductive film that provides a patterned transparent conductive film (ITO film) with excellent adhesion to a substrate and a low sheet resistance value, and a transparent conductive film using this composition. It provides a method for forming a film,
Its industrial significance is extremely large.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)有機インジウム化合物、錫化合物、セルロース誘
導体および芳香族ニトロ化合物を含有することを特徴と
する透明導電膜形成用ペースト状組成物(1)耐熱性基
板上に、有機インジウム化合物、錫化合物、セルロース
誘導体および芳香族ニトロ化合物を含有するペースト状
組成物をスクリーン印刷し、150〜350℃の温度で
前加熱処理した後、酸化性雰囲気中において、450℃
以上の温度で焼成することを特徴とするパターン化され
た透明導電膜の形成方法
(1) A paste-like composition for forming a transparent conductive film characterized by containing an organic indium compound, a tin compound, a cellulose derivative, and an aromatic nitro compound. A pasty composition containing a cellulose derivative and an aromatic nitro compound was screen printed, preheated at a temperature of 150 to 350°C, and then heated to 450°C in an oxidizing atmosphere.
A method for forming a patterned transparent conductive film characterized by firing at a temperature higher than or equal to
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