JPS63185000A - Memory ic checking device - Google Patents

Memory ic checking device

Info

Publication number
JPS63185000A
JPS63185000A JP62017085A JP1708587A JPS63185000A JP S63185000 A JPS63185000 A JP S63185000A JP 62017085 A JP62017085 A JP 62017085A JP 1708587 A JP1708587 A JP 1708587A JP S63185000 A JPS63185000 A JP S63185000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
maximum value
register
memory
fail
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62017085A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akinori Noguchi
野口 昭範
Tsutomu Takahashi
勉 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP62017085A priority Critical patent/JPS63185000A/en
Publication of JPS63185000A publication Critical patent/JPS63185000A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve throughput by providing an updating circuit and updating X and Y maximum value registers and X and Y maximum value address registers only at the time of detecting a fail bit of an address and acquiring information for defect mode classification in real time during a test. CONSTITUTION:Updating circuits 22X and 22Y or the like are provided which update contents of an X counter 16X, a Y counter 16Y, an X maximum value register 18X, a Y maximum value register 18Y, an X maximum address register 20X, and a Y maximum address register 20Y each time when a fail bit is detected during the test of a wave test memory IC. Since the number of fail bits on each line in the X direction and the Y direction and their maximum value and addresses are obtained in real time, acquired information is used as information for defect mode classification to start the defect analysis processing just after termination of the test for fail bit detection. Thus, the time from the test to the defect analysis is shortened to improve the throughput.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、メモリICのテストを行うメモリIC検査
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a memory IC testing device that tests a memory IC.

[従来の技術] 従来のメモリIC検査装置においては、被テストメモリ
ICのフェイルビットを検出すると、フェイルメモリの
対応アドレスにマークを記録することにより、フェイル
ビットマツプを作成する。
[Prior Art] In a conventional memory IC testing apparatus, when a fail bit of a memory IC under test is detected, a fail bit map is created by recording a mark at a corresponding address of the fail memory.

このようなフェイルビットマツプの作成の完r後、この
フェイルビットマツプに基づき、ソフトウェア処理によ
り不良解析のための不良モード分、類用の情報を得る。
After the creation of such a fail bit map is completed, information on failure modes and types for failure analysis is obtained by software processing based on this fail bit map.

この分類用の情報としては、指定アドレス範囲内のX方
向およびY方向ラインのフェイルビット数、その最大値
、最大値となったラインのアドレスなどがある。
This classification information includes the number of fail bits in the X- and Y-direction lines within the specified address range, their maximum value, and the address of the line that has the maximum value.

[解決しようとする問題点] しかし、このようなソフトウェア処理では、不良モード
分類用情報の取得のために長い時間がかかり、テストか
ら不良解析までの時間が増大し、メモリIC検査装置の
スループットを向上できないという問題があった。
[Problems to be solved] However, with such software processing, it takes a long time to acquire failure mode classification information, increasing the time from testing to failure analysis, and reducing the throughput of memory IC inspection equipment. The problem was that it couldn't be improved.

したがって、この発明の目的は、テスト中にリアルタイ
ムで不良モード分類用の情報を取得できるようにし、ス
ループットの向上を図ったメモリIC検査装置を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a memory IC testing device that is capable of acquiring failure mode classification information in real time during testing and that improves throughput.

[問題点を解決するための手段] この目的を達成するために、この発明は、メモU I 
Cのテストを行うメモリIC検査装置において、X方向
およびY方向の各ライン毎のフェイルビットをそれぞれ
カウントするためのXカウンタおよびXカウンタと、X
方向のラインの最大フェイルビット数およびそのライン
のアドレスをそれぞれ保持するためのX最大値レジスタ
およびX最大値アドレスレンスタ&、Y方向のラインの
最大フェイルビット数およびそのラインのアドレスをそ
れぞれ保持するためのX最大値レジスタおよびX最大値
アドレスレジスタと、被テストメモリICのテスト中に
フェイルビットが検出される度に、前記Xカウンタ、X
カウンタ、X最大値レジスタ、X最大値レジスタ、X最
大アドレスレジスタ、およびY最大アドレスレジスタの
更新を行う更新回路とを備えるものである。
[Means for solving the problem] In order to achieve this objective, the present invention provides a memo U I
In a memory IC testing device that performs a C test, an X counter and an X counter are used to count fail bits for each line in the
X maximum value register and X maximum value address register for holding the maximum number of fail bits of a line in the direction and the address of that line, respectively; and the maximum number of fail bits of a line in the Y direction and the address of that line, respectively. X maximum value register and X maximum value address register for
It includes an update circuit that updates a counter, an X maximum value register, an X maximum value register, an X maximum address register, and a Y maximum address register.

[作用] −L述の構成により、メモリICのテスト中にリアルタ
イムてX方向およびY方向の各ライン毎のフェイルビッ
ト数、その最大値とアドレスが得られるので、フェイル
ビット検出のためのテストを終了した直後から、その取
得情報を不良モード分類用情報として用いて不良解析処
理を開始することができる。
[Function] - With the configuration described above, the number of fail bits, their maximum value, and address for each line in the X and Y directions can be obtained in real time during a memory IC test, so the test for detecting fail bits can be performed easily. Immediately after completion, failure analysis processing can be started using the obtained information as failure mode classification information.

このように、従来のような分類情報を取得するためのソ
フトウェア処理段階が排除されるので、テストから不良
解析までの時間が短縮し、メモリIC4Q査装置のスル
ープy)が大幅に向上する。
In this way, since the conventional software processing step for acquiring classification information is eliminated, the time from testing to failure analysis is shortened, and the throughput y) of the memory IC4Q inspection device is significantly improved.

[実施例コ 以−ド、図面を参照し、この発明の一実施例について説
明する。
[Embodiment Code] An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、この発明によるメモリIC検査装置の要部構
成を示す概略ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram showing the main structure of a memory IC testing device according to the present invention.

この図において、10はテスト対象のメモリICであり
、12はメモリICl0の読み出し信号と期待値EXと
を比較してフェイルビットの検出を行い、検出時にフェ
イルパルスFPを出力する比較論理部である。
In this figure, 10 is a memory IC to be tested, and 12 is a comparison logic unit that detects a fail bit by comparing the readout signal of the memory IC10 with the expected value EX, and outputs a fail pulse FP at the time of detection. .

14はフェイルビットマツプが展開されるフェイルメモ
リであり、フェイルパルスFPが発生した場合、その時
にメモリICl0に供給されているアドレス情IKJA
DDRに対応したアドレスにマーク(例えば“1”)が
書き込まれる。
14 is a fail memory in which a fail bit map is developed, and when a fail pulse FP occurs, the address information IKJA that is supplied to the memory ICl0 at that time is
A mark (for example, "1") is written to an address corresponding to DDR.

ここまでに述べた構成は従来と同様である。また、アド
レス情報A D R1期待値EXなどを発生するための
パターン発生器などがあるが、これも従来と同様である
ので、図中省略されている。
The configuration described so far is the same as the conventional one. There is also a pattern generator for generating the address information ADR1 expected value EX, etc., but this is also the same as the conventional one, so it is omitted in the figure.

なお、フェイルメモリ14は省(こともできるが、この
実施例においては、フェイルビットマツプを利用した不
良解析も可能とするために設けられている。
Although the fail memory 14 can be omitted, it is provided in this embodiment to enable failure analysis using a fail bit map.

16xおよび16yはそれぞれ、X方向およびY方向の
各ライン毎のフェイルビット数をカウントするためのX
カウンタおよびXカウンタである。
16x and 16y are X for counting the number of fail bits for each line in the X direction and Y direction, respectively.
counter and X counter.

18xおよび18yはそれぞれ、X方向およびY方向の
ラインのフェイルビットの最大値を保持するためのX最
大値レジスタおよびX最大値レジスタである。
18x and 18y are an X maximum value register and an X maximum value register for holding the maximum values of fail bits of lines in the X direction and Y direction, respectively.

また、20Xおよび20yはそれぞれ、XおよびY方向
のフェイルビット数が最大のラインのアドレスを保持す
るためのX最大値アドレスレジスタおよびX最大値アド
レスレジスタである。
Further, 20X and 20y are an X maximum value address register and an X maximum value address register for holding the address of the line with the maximum number of fail bits in the X and Y directions, respectively.

22xおよび22yはそれぞれ、メモリIC10のテス
ト中に、フェイルビットが検出される度に(フェイルパ
ルスFPの発生の度に)、リアルタイムで前記カウンタ
16x116y、および前記レジスタ18xs 18y
t 20x、20yの更新を行う更新回路である。
22x and 22y respectively control the counter 16x116y and the register 18xs 18y in real time each time a fail bit is detected (every time a fail pulse FP occurs) during the test of the memory IC 10.
This is an update circuit that updates t 20x and 20y.

なお、フェイルメモリ14、各カウンタ16X116y
および各レジスタ18x118y120xs20yはそ
れぞれ、図示しない中央処理部(CPU)からアクセス
可能である。
In addition, fail memory 14, each counter 16x116y
And each register 18x118y120xs20y can be accessed from a central processing unit (CPU) not shown.

24は内部アドレス発生器である。これは、メモリIC
l0のテスト終了後に、対象アドレス範囲を変更して、
フェイルビットの最大値やそのアドレスなどを改めて求
める場合に必要なアドレス情報を発生させるために用い
られる。
24 is an internal address generator. This is a memory IC
After testing l0, change the target address range and
It is used to generate the address information necessary when recalculating the maximum fail bit value and its address.

28xおよび26yはそれぞれ、アドレス情報ADR(
XおよびYの2次元アドレス情報)または内部アドレス
発生器24により発生されるX1Yアドレス情報の一方
を選択して更新回路22x、22yへ供給するためのマ
ルチプレクサである。
28x and 26y respectively address information ADR (
This is a multiplexer for selecting one of X and Y two-dimensional address information (X and Y two-dimensional address information) or X1Y address information generated by the internal address generator 24 and supplying the selected one to the update circuits 22x and 22y.

このマルチプレクサ28 xs 2 B yの入力選択
はCPU側から制御される。
The input selection of this multiplexer 28xs2By is controlled from the CPU side.

第2図は、前記更新回路22 X122 ’Iの回路構
成の一例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the update circuit 22X122'I.

30xおよび30yはそれぞれ、Xカウンタ16xおよ
びXカウンタ16xのインクリメント制御を行うインク
リメント回路である。これらは、フェイルパルスFPが
発生した時に、マルチプレクサ28x、2Byを通じて
与えられたアドレス情報によって指定されるラインに対
応したX1Yカウンタ16x11E3yの位置の値を読
み出し、それに1を加算した値を同じ位置に設定するも
のである。
30x and 30y are increment circuits that perform increment control of the X counter 16x and the X counter 16x, respectively. When a fail pulse FP is generated, these read the value at the position of the X1Y counter 16x11E3y corresponding to the line specified by the address information given through the multiplexers 28x and 2By, and set the value obtained by adding 1 to the value at the same position. It is something to do.

ただし、内部アドレス発生器24側にマルチプレクサ2
E3X、26yが制御されている場合、更新回路30x
130yはカウンタ値を読み出して出力するが、カウン
タ値の更新はCPU側から抑止される。
However, multiplexer 2 is installed on the internal address generator 24 side.
When E3X, 26y are controlled, update circuit 30x
130y reads and outputs the counter value, but updating of the counter value is inhibited from the CPU side.

32xおよび32yはそれぞれ、インクリメント回路3
0x130yの出力値(更新値)とX1Y最大値レジス
タ18x、18yの値とを比較する比較器であり、それ
ぞれ前者が後者を越えた場合に更新信号を出力する。こ
の更新信号は、ロード制御回路34 X134 yに与
えられる。
32x and 32y are respectively increment circuits 3
This is a comparator that compares the output value (updated value) of 0x130y with the values of the X1Y maximum value registers 18x and 18y, and outputs an update signal when the former exceeds the latter. This update signal is given to the load control circuit 34x134y.

36xおよび38yはそれぞれ、不良モード分類用情報
を取得する対象となるアドレス範囲がCPUから設定さ
れるレジスタである。
36x and 38y are registers in which the CPU sets address ranges from which failure mode classification information is to be obtained.

38xおよび38yは比較器であり、それぞれマルチプ
レクサ26x126yから与えられるアドレス情報とレ
ジスタ38x138yに設定されたアドレス範囲の比較
を行い、アドレス範囲内のアドレスの場合に一致信号を
出力する。この一致信号はロード正着回路34x、34
yにそれぞれ与えられる。
Comparators 38x and 38y each compare the address information given from the multiplexer 26x126y with the address range set in the register 38x138y, and output a match signal if the address is within the address range. This coincidence signal is transmitted to the load correct arrival circuits 34x, 34.
given to y respectively.

前記ロード制御回路34x、34Yは、比較器32x1
32yから更新信号が送出され、かつ比較F438x1
38yから一致信号が送出された時に、インクリメント
回路30x、30yの出力値をX、 Y最大値レジスタ
18x、tsyにそれぞれ設定し、また、マルチプレク
サ26 x 1’26 yから与えられるアドレス情報
をX%Y最大値レジスタ20x、20yにそれぞれ設定
する。
The load control circuits 34x, 34Y include a comparator 32x1
The update signal is sent from 32y, and the comparison F438x1
When a match signal is sent from the increment circuit 38y, the output values of the increment circuits 30x and 30y are set in the X and Y maximum value registers 18x and tsy, respectively, and the address information given from the multiplexer 26x1'26y is set to X%. Set in the Y maximum value registers 20x and 20y, respectively.

次に、メモリICl0のテスト中に不良モード分類用情
報をリアルタイムに取得する動作について説明する。
Next, the operation of acquiring failure mode classification information in real time during the test of the memory ICl0 will be described.

メモリICl0のテストの開始前に、フェイルメモリ1
4、各カウンタ18x11E!y、各レジスタ18x1
18y120x120yがクリアされる。また、マルチ
プレクサ28x128yはアドレス情報ADHを選択す
るように制御され、レジスタ22x122yにはアドレ
ス範囲が設定される。
Before starting the test of memory ICl0, fail memory 1
4. Each counter 18x11E! y, each register 18x1
18y120x120y is cleared. Further, the multiplexer 28x128y is controlled to select address information ADH, and the address range is set in the register 22x122y.

その後、メモリICl0のテスト中にフェイルパルスF
Pが発生すると、フェイルメモリ14に記録される。こ
れと同時に、x、Xカウンタ16x s  16 Yが
インクリメント回路30 X N 30 yによりイン
クリメントされる。
After that, during the test of the memory ICl0, the fail pulse F
When P occurs, it is recorded in the fail memory 14. At the same time, the x, X counter 16x s 16 Y is incremented by the increment circuit 30 X N 30 y.

また、この時のアドレスがレジスタ38x、36yに設
定されたアドレス範囲内であり、インクリメント回路3
0x13oyの出力値がX、Y最大値レジスタ18x、
tsyの値を越えた場合は、ロード制御回路34x13
4yによってX1Y最入植レジスタ18x、18yに新
しいフェイルビット最大値として設定されるとともに、
X1Y最人値アドレスレジスタ20 xs 20 yに
その時のアドレス情報が設定される。
Also, the address at this time is within the address range set in the registers 38x and 36y, and the increment circuit 3
The output value of 0x13oy is the X, Y maximum value register 18x,
If the value of tsy is exceeded, the load control circuit 34x13
4y sets the new fail bit maximum value in the X1Y most populated registers 18x and 18y, and
The address information at that time is set in the X1Y maximum value address register 20 xs 20 y.

このようにして、メモリICl0の全アドレスについて
テストが終了すると、フェイルビットマツプがフェイル
メモリ14上に完成するとともにXNY各方向のライン
毎のフェイルビット数カX1Yカウンタ16xslE3
Yに得られる。
In this way, when the test for all addresses in the memory ICl0 is completed, a fail bit map is completed on the fail memory 14, and the number of fail bits for each line in each of the XNY directions X1Y counter 16xslE3
Obtained by Y.

また、レジスタ38x、 3eyに設定されたアドレス
範囲内について、XおよびY方向のラインのフェイルビ
ット数の最大値とそのラインのアドレスが各レジスタ1
8X%  i8y、20X% 20yに得られる。
Also, within the address range set in registers 38x and 3ey, the maximum number of fail bits for lines in the X and Y directions and the address of that line are displayed in each register.
Obtained at 8X% i8y, 20X% 20y.

このようにして、テストと同時に不良モード分類用情報
が取得されるため、直ちに不良解析プログラムをCPU
側で実行し、メモリrcioの不良モードの分類などの
解析処理を行うことができる。
In this way, the failure mode classification information is obtained at the same time as the test, so the failure analysis program can be immediately run on the CPU.
It can be executed on the side and perform analysis processing such as classification of memory rcio failure modes.

また、不良解析処理において、アドレス範囲を変更し、
そのアドレス範囲内についての不良モード分類用情報が
必認となった場合は、CPU側からの制御によりレジス
タ18xt  18y120x120yがクリアされ、
新しいアドレス範囲がレジスタ22x、22yに設定さ
れ、インクリメント回路30x130yのインクリメン
トの抑11−がなされ、かつマルチプレクサ26x12
8yが内部アドレス発生器24側へ切り換えられる。
In addition, in the failure analysis process, the address range is changed,
When the failure mode classification information within the address range is required, registers 18xt 18y120x120y are cleared under control from the CPU side,
A new address range is set in registers 22x, 22y, incrementing of increment circuit 30x130y is suppressed, and multiplexer 26x12
8y is switched to the internal address generator 24 side.

その後、内部アドレス発生器24が起動されると、前述
のような更新回路22x122yの動作により、レジス
タ3E3x、 3eyに設定されたアドレス範囲内につ
いて、X方向およびY方向のラインのフェイルビットの
最大値およびそのアドレスが高速に求められる。
Thereafter, when the internal address generator 24 is activated, the maximum value of the fail bits of the lines in the X direction and the Y direction is determined within the address range set in the registers 3E3x and 3ey by the operation of the update circuit 22x122y as described above. and its address can be found quickly.

また、従来と同様に、ソフトウェア処理によりフェイル
ビットマツプから他の必要な情報を取得することもでき
る。
Further, as in the past, other necessary information can also be obtained from the fail bitmap by software processing.

以上、一実施例について説明したが、この発明はそれた
けに限定されるものではない。
Although one embodiment has been described above, the present invention is not limited thereto.

例えば、更新回路22x122yの回路構成は、高速性
を損なわない限り様々な変形が許されるものであり、フ
ァームウェアとして実現することも−許される。
For example, the circuit configuration of the update circuit 22x122y may be modified in various ways as long as high speed performance is not impaired, and implementation as firmware is also permitted.

また、前記実施例では不良モード分類用情報としてフェ
イルビット数、その最大値とアドレスを取得したが、そ
れ以外の情報も同時に取得させるようにしてもよい。
Furthermore, in the embodiment described above, the number of fail bits, its maximum value, and address are acquired as failure mode classification information, but other information may also be acquired at the same time.

[発明の効果コ 以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ソ
フトウェア処理によらず、不良モード分類用情報をテス
ト中にリアルタイムで取得することができるため、メモ
リIC検査装置のスルーブツトを大幅に向上させること
ができ。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the present invention, information for failure mode classification can be obtained in real time during testing without using software processing, which improves the throughput of memory IC testing equipment. can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明によるメモリIC検査装置の一実施
例の要部構成を示す概略ブロック図、第2図は第1図中
の更新回路の内部回路構成の一例を示す回路図である。 10・・・メモUIC112・・・比較論理部、14・
・・フェイルメモリ、16X・・・Xカウンタ、16y
・・・Xカウンタ、18x・・・X 最大値レジスタ、
18y・・・Y最大値レジスタ、20x・・・X最大値
アドレスレジスタ、20y・・・Y最大値レジスタ、2
2x122y・・・更新回路、24・・・内部アドレス
発生器、26 xs 2 B Y・・・マルチプレクサ
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a main part configuration of an embodiment of a memory IC testing device according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of an internal circuit configuration of an update circuit in FIG. 1. 10... Memo UIC112... Comparison logic section, 14.
...Fail memory, 16X...X counter, 16y
...X counter, 18x...X maximum value register,
18y...Y maximum value register, 20x...X maximum value address register, 20y...Y maximum value register, 2
2x122y...Update circuit, 24...Internal address generator, 26 xs 2 B Y...Multiplexer.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)メモリICのテストを行うメモリIC検査装置に
おいて、X方向およびY方向の各ライン毎のフェイルビ
ットをそれぞれカウントするためのXカウンタおよびY
カウンタと、X方向のラインの最大フェイルビット数お
よびそのラインのアドレスをそれぞれ保持するためのX
最大値レジスタおよびX最大値アドレスレジスタと、Y
方向のラインの最大フェイルビット数およびそのライン
のアドレスをそれぞれ保持するためのY最大値レジスタ
およびY最大値アドレスレジスタと、被テストメモリI
Cのテスト中にフェイルビットが検出される度に、前記
Xカウンタ、Yカウンタ、X最大値レジスタ、Y最大値
レジスタ、X最大アドレスレジスタ、およびY最大アド
レスレジスタの更新を行う更新回路とを備えることを特
徴とするメモリIC検査装置。
(1) In a memory IC testing device that tests memory ICs, an X counter and a Y counter are used to count fail bits for each line in the X and Y directions.
A counter and an X to hold the maximum number of fail bits of a line in the
Maximum value register and X maximum value address register, Y
A Y maximum value register and a Y maximum value address register for holding the maximum number of fail bits of a line in the direction and the address of that line, respectively, and the memory under test I
an update circuit that updates the X counter, Y counter, X maximum value register, Y maximum value register, X maximum address register, and Y maximum address register each time a fail bit is detected during the test of C. A memory IC inspection device characterized by:
(2)更新回路はX方向およびY方向のアドレス範囲が
設定されるレジスタを有し、このレジスタに設定された
アドレス範囲内のアドレスのフェイルビットが検出され
た場合に限りX最大値レジスタ、X最大値アドレスレジ
スタ、Y最大値レジスタおよびY最大値アドレスレジス
タの更新を行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載のメモリIC検査装置。
(2) The update circuit has a register in which address ranges in the X direction and Y direction are set, and only when a fail bit of an address within the address range set in this register is detected, the 2. The memory IC testing device according to claim 1, wherein a maximum value address register, a Y maximum value register, and a Y maximum value address register are updated.
JP62017085A 1987-01-27 1987-01-27 Memory ic checking device Pending JPS63185000A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62017085A JPS63185000A (en) 1987-01-27 1987-01-27 Memory ic checking device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62017085A JPS63185000A (en) 1987-01-27 1987-01-27 Memory ic checking device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63185000A true JPS63185000A (en) 1988-07-30

Family

ID=11934142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62017085A Pending JPS63185000A (en) 1987-01-27 1987-01-27 Memory ic checking device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63185000A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100305679B1 (en) * 1999-02-24 2001-09-26 윤종용 Test method of tester of a semiconductor memory device and apparatus thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634198A (en) * 1979-08-27 1981-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Releaving method of deficient bit of semiconductor memory
JPS585681A (en) * 1981-06-30 1983-01-13 Mitsubishi Electric Corp Testing device for semiconductor memory

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634198A (en) * 1979-08-27 1981-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Releaving method of deficient bit of semiconductor memory
JPS585681A (en) * 1981-06-30 1983-01-13 Mitsubishi Electric Corp Testing device for semiconductor memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100305679B1 (en) * 1999-02-24 2001-09-26 윤종용 Test method of tester of a semiconductor memory device and apparatus thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6636998B1 (en) Semiconductor memory device and parallel bit test method thereof
US6934205B1 (en) Bist for parallel testing of on chip memory
KR940001146B1 (en) System for checking comparision check function of information processing apparatus
JPH10144095A (en) Defect analyzing memory for semiconductor memory test device
JPS63185000A (en) Memory ic checking device
US20030065500A1 (en) Reloadable word recognizer for logic analyzer
US5504862A (en) Logic verification method
JPS63148498A (en) Memory device with self-disagnosing function
JPH0855498A (en) Control circuit for write-in of memory tester
JPH0342747A (en) Memory test system
JP2953029B2 (en) Test method for logic integrated circuits
JPH03182941A (en) Program test system
JPH03197881A (en) Output display method for defective data by in-circuit tester
JPS5951023B2 (en) Diagnostic method
JP2003007090A (en) Memory defect relief and analysis method and memory tester
JPS6153579A (en) Tester for function of logical circuit
JPS61195431A (en) Parity check circuit capable of performing automatic inspection
JP2002196043A (en) Ic tester
JPH0695440B2 (en) Memory pattern generator for memory test equipment
KR19990058871A (en) How to Find Broken Address Lines in Enbit Memory Using Software
JPS61210975A (en) Electronic circuit testing method
JPS60549A (en) Memory testing system
JPS60228973A (en) Digital pattern tester
JPS63222399A (en) Auxiliary ram test circuit
JPS6319046A (en) Register testing system