JPS63175825A - 光分波器の選択特性制御方法 - Google Patents
光分波器の選択特性制御方法Info
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- JPS63175825A JPS63175825A JP604387A JP604387A JPS63175825A JP S63175825 A JPS63175825 A JP S63175825A JP 604387 A JP604387 A JP 604387A JP 604387 A JP604387 A JP 604387A JP S63175825 A JPS63175825 A JP S63175825A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、周波数多重光伝送用の光分波器に関するも
のである。
のである。
半導体レーザ装置に供給する電流を発振しきい値以下に
すると、その半導体レーザ装置は分布帰還形光増幅器と
して作用し、その内部の回折格子の作用により、数ＧＨ
，〜数十〇Ｈ，の信号の中から単一の波長を選択増幅す
る性質がある。このことは本出願の発明者等が昭和６１
年秋期の第４７回応用物理学会学術講演会講演予講集に
開示したｒ２８Ｐ−Ｘ−３Ｊの「ＤＦＢ形光増幅器を用
いた光周波数多重分波器」に詳細に記載されている。
すると、その半導体レーザ装置は分布帰還形光増幅器と
して作用し、その内部の回折格子の作用により、数ＧＨ
，〜数十〇Ｈ，の信号の中から単一の波長を選択増幅す
る性質がある。このことは本出願の発明者等が昭和６１
年秋期の第４７回応用物理学会学術講演会講演予講集に
開示したｒ２８Ｐ−Ｘ−３Ｊの「ＤＦＢ形光増幅器を用
いた光周波数多重分波器」に詳細に記載されている。
しかしながらこのようカ従来の装置は供給されるバイア
ス電流が秒単位程度の短い時間で変動し、そのバイアス
電流が変化するとキャリヤ密度も変化するため、内部の
屈折率が変化し、それに伴い選択特性の中心波長が数Ｇ
Ｈ１／ｍＡ程度でシフトするので、半導体レーザ装置の
バイアス電流変動特性によって選択特性の安定性が支配
されてしまい、安定な選択特性が得られないという問題
を有している。
ス電流が秒単位程度の短い時間で変動し、そのバイアス
電流が変化するとキャリヤ密度も変化するため、内部の
屈折率が変化し、それに伴い選択特性の中心波長が数Ｇ
Ｈ１／ｍＡ程度でシフトするので、半導体レーザ装置の
バイアス電流変動特性によって選択特性の安定性が支配
されてしまい、安定な選択特性が得られないという問題
を有している。
このような問題を解決するためにこの発明は、光導波路
から分岐した信号を検出し、その検出出力が常に最大と
なるようにバイアス電流の値を制御するようにしたもの
である。
から分岐した信号を検出し、その検出出力が常に最大と
なるようにバイアス電流の値を制御するようにしたもの
である。
このような方法をとったので１．安定な選択特性が得ら
れる。
れる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図である。図に
おいて１は入射用の光導波路、２は光分波器として作用
する半導体レーザ装置、３は分岐路を有する出力用の光
導波路、４は光検出器、５は電流量制御装置、６は半導
体レーザ装置へバイアス電流を供給する駆動電流源であ
る。電流量制御装置５は光検出器４の出力が常に最大と
なるように駆動電流源６から出力されるバイアス電流を
制御するようになっており、駆動電流源６は半導体レー
ザ装置に供給するバイアス電流を発振しきい値以下とな
るように制御する構成となっている。
おいて１は入射用の光導波路、２は光分波器として作用
する半導体レーザ装置、３は分岐路を有する出力用の光
導波路、４は光検出器、５は電流量制御装置、６は半導
体レーザ装置へバイアス電流を供給する駆動電流源であ
る。電流量制御装置５は光検出器４の出力が常に最大と
なるように駆動電流源６から出力されるバイアス電流を
制御するようになっており、駆動電流源６は半導体レー
ザ装置に供給するバイアス電流を発振しきい値以下とな
るように制御する構成となっている。
このように構成された装置において、１．３μｍ帯Ｉｎ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰダブルへテロ埋め込み構造ＤＦＢ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆ＋＠ｄ−Ｂａｃｋ）形半
導体レーザ装置を光分波器として使用し、波長１．３μ
ｍ帯で周波数間隔１０ＧＨｚの２光波（その中心波長を
λ□およびλ意 とし、λ１くλ冨とする）が光導波路
１から入射され、バイアス電流がしきい値利得の０．９
８倍、結合係数に＝６６．７α−１キャビティ長し＝３
００μｍとした場合の動作は次のとうりである。
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰダブルへテロ埋め込み構造ＤＦＢ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆ＋＠ｄ−Ｂａｃｋ）形半
導体レーザ装置を光分波器として使用し、波長１．３μ
ｍ帯で周波数間隔１０ＧＨｚの２光波（その中心波長を
λ□およびλ意 とし、λ１くλ冨とする）が光導波路
１から入射され、バイアス電流がしきい値利得の０．９
８倍、結合係数に＝６６．７α−１キャビティ長し＝３
００μｍとした場合の動作は次のとうりである。
このように構成した装置は第２図に示すように最大信号
利得Ｇｌ！ｌａｘ ＝３６ｄｂ、それより１Ｑｄｂ利得
が減少する時の帯域幅７ＧＨｚの選択特性が得られる。
利得Ｇｌ！ｌａｘ ＝３６ｄｂ、それより１Ｑｄｂ利得
が減少する時の帯域幅７ＧＨｚの選択特性が得られる。
従ってこの光分波器はクロストーク−１０ｄｂ以下で波
長λ１の光信号だけを選択的に増幅する。
長λ１の光信号だけを選択的に増幅する。
ここで、半導体レーザ装置へのバイアス電流が０．１ｍ
Ａ減少すると、第２図に点線で示すように透過波長中心
が０．５ＧＨｚ程度長波長側にシフトし、波長λ１に対
する信号利得が約１ｄｂ減少して、波長λ鵞に対する信
号利得が約２ｄｂ増加するので、このままではクロスト
ークが３ｄｂ程度悪化する。
Ａ減少すると、第２図に点線で示すように透過波長中心
が０．５ＧＨｚ程度長波長側にシフトし、波長λ１に対
する信号利得が約１ｄｂ減少して、波長λ鵞に対する信
号利得が約２ｄｂ増加するので、このままではクロスト
ークが３ｄｂ程度悪化する。
しかし、電流量制御装置５は駆動電流源６を制御して光
検出器４の出力が最大となるようにバイアス電流を制御
する。このため、半導体レーザ装置２の増幅特性は第２
図の集線の状態に復旧し、透過波長は再びλ１となる。
検出器４の出力が最大となるようにバイアス電流を制御
する。このため、半導体レーザ装置２の増幅特性は第２
図の集線の状態に復旧し、透過波長は再びλ１となる。
そして、電流量制御装置５は光検出器４の出力を最大に
するように駆動電流源６を制御するので、波長λｌの光
信号が常時安定して得られる。また波長λ宜の光波を得
る場合も同様である。
するように駆動電流源６を制御するので、波長λｌの光
信号が常時安定して得られる。また波長λ宜の光波を得
る場合も同様である。
このように、駆動電流源から供給するバイアス電流の安
定度を厳しく要求しなくても、検出出力が常に最大とな
るように制御することによって、安定な選択特性を確保
することができる。
定度を厳しく要求しなくても、検出出力が常に最大とな
るように制御することによって、安定な選択特性を確保
することができる。
以上説明したようにこの発明は、光分波器の検出信号が
常に最大となるように制御するようにしたので、安定な
選択特性を得ることができるという効果を有する。
常に最大となるように制御するようにしたので、安定な
選択特性を得ることができるという効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図は選
択特性を示すグラフである。 １．３・・・・光導波路、２・・・・半導体レーザ装置
、４・・・・光検出器、５・・・・電流量制御装置、６
・・・・駆動電流源。
択特性を示すグラフである。 １．３・・・・光導波路、２・・・・半導体レーザ装置
、４・・・・光検出器、５・・・・電流量制御装置、６
・・・・駆動電流源。
Claims (1)
- 光導波路中に挿入されバイアス電流がしきい値以下の値
に設定された半導体レーザ装置を用いて多重化された光
信号の中から所定波長の光信号を分波する光分波器の選
択特性制御方法において、半導体レーザ装置の出力を分
岐し、その分岐された出力が常に最大となるようにバイ
アス電流の値を制御する光分波器の選択特性制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP604387A JPS63175825A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光分波器の選択特性制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP604387A JPS63175825A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光分波器の選択特性制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63175825A true JPS63175825A (ja) | 1988-07-20 |
Family
ID=11627598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP604387A Pending JPS63175825A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光分波器の選択特性制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63175825A (ja) |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP604387A patent/JPS63175825A/ja active Pending
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