JPS6317432A - 平面デイスプレイ装置 - Google Patents
平面デイスプレイ装置Info
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- JPS6317432A JPS6317432A JP61159619A JP15961986A JPS6317432A JP S6317432 A JPS6317432 A JP S6317432A JP 61159619 A JP61159619 A JP 61159619A JP 15961986 A JP15961986 A JP 15961986A JP S6317432 A JPS6317432 A JP S6317432A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば液晶テレビ等の平面ディスプレイ装置
に関し、特にTFTアクティブマトリックス基板を用い
た平面ディスプレイ装置に関する。
に関し、特にTFTアクティブマトリックス基板を用い
た平面ディスプレイ装置に関する。
近年、鮮明度の高いカラー画像が得られる液晶テレビを
実現するものとして、TFT(薄膜トランジスタ)を搭
載したアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装
置が注目されている(日経エレクトロニクス1984年
9月10日号P211)。
実現するものとして、TFT(薄膜トランジスタ)を搭
載したアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装
置が注目されている(日経エレクトロニクス1984年
9月10日号P211)。
上記アクティブマトリックス基板は、絶縁基板上に各画
素の制御用のTFTをマトリックス状に配列したもので
、各TFTのゲート電極およびソース・ドレイン電極の
一方はそれぞれX方向およびY方向に共通接続され、共
通の端子に終端される。他方のソース・ドレイン電極は
、画素電極に接続される。
素の制御用のTFTをマトリックス状に配列したもので
、各TFTのゲート電極およびソース・ドレイン電極の
一方はそれぞれX方向およびY方向に共通接続され、共
通の端子に終端される。他方のソース・ドレイン電極は
、画素電極に接続される。
このようなTFTアクティブマトリックス基板を用いた
平面ディスプレイ装置において、TFTの心臓部である
ゲート領域に外部光が入り込み、エラーの原因となるの
を避けるために、ゲート電極に対向して全屈等の遮光膜
を形成することが行われる。
平面ディスプレイ装置において、TFTの心臓部である
ゲート領域に外部光が入り込み、エラーの原因となるの
を避けるために、ゲート電極に対向して全屈等の遮光膜
を形成することが行われる。
ところが、このような構造において、ゲート電極、ゲー
ト絶縁膜および半導体層を順次形成し、その上にソース
・ドレイン電極を形成した後、絶縁性の保護膜を介して
上記遮光膜が形成されることから、ゲート電極と遮光膜
との間に電荷が帯電し、甚しい場合にはゲート絶縁膜お
よび保護膜が静電破壊を起こす。
ト絶縁膜および半導体層を順次形成し、その上にソース
・ドレイン電極を形成した後、絶縁性の保護膜を介して
上記遮光膜が形成されることから、ゲート電極と遮光膜
との間に電荷が帯電し、甚しい場合にはゲート絶縁膜お
よび保護膜が静電破壊を起こす。
この発明は、遮光膜に帯電する電荷に起因する静電破壊
を防止し得るTFTアクティブマトリックス基板利用の
平面ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
を防止し得るTFTアクティブマトリックス基板利用の
平面ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
上記問題点は、従来電気的に浮遊状態にあった遮光膜と
ゲート電極とを電気的に接続することにより解決される
。′ 〔作用〕 遮光膜とゲート電極とは同電位に保たれ、その間に電位
差は生じない。
ゲート電極とを電気的に接続することにより解決される
。′ 〔作用〕 遮光膜とゲート電極とは同電位に保たれ、その間に電位
差は生じない。
第2図は本発明の一実施例を示す平面図、第3図はその
m−nt断面図である。
m−nt断面図である。
同図において、5UBIは1.1(m)程の厚さを有す
るガラス基板であり、GTはCr等から成るゲート電極
である。ASは非晶質のSiであり、ゲート電極GTや
ガラス基板5UBlとの間には電界効果トランジスタ(
FET)のゲート絶縁膜として作用する膜GIが形成さ
れている。SDI及びSC2は一対のソース・ドレイン
電極であり、シリコン膜AS上に間隔をあけて、またゲ
ート電極GTがそれらをまたぐように形成されている。
るガラス基板であり、GTはCr等から成るゲート電極
である。ASは非晶質のSiであり、ゲート電極GTや
ガラス基板5UBlとの間には電界効果トランジスタ(
FET)のゲート絶縁膜として作用する膜GIが形成さ
れている。SDI及びSC2は一対のソース・ドレイン
電極であり、シリコン膜AS上に間隔をあけて、またゲ
ート電極GTがそれらをまたぐように形成されている。
一対のソース・ドレイン電極SDは、回路のバイアス極
性が変わると動作上のソース・ドレインが入れ替わるの
で、つまり通常のFETと同様に双方向性であるので、
両方共ソース・ドレイン電極と名づける。このソース・
ドレイン電極SDは下からN + (ドナー不純物濃度
の高い)非晶質Si、Cr及びAQの3層構造とされて
いる。N+−8i電極層は非晶質Siとの接触抵抗を下
げ、Cr電極層はAQ電極層がSi層と反応するのを防
ぐために用いられる。psvは保護膜であり、FETを
湿気等から保護し、透明性が高く耐湿性の良いSi0.
膜やSi3N、膜で形成される。IT○はソース・ドレ
イン電極SDの一方(SC2)に接続された透明導電膜
であり、液晶表示装置の一方の電極として作用する。他
方のソース・ドレイン電極SDIはY方向に走る配線と
しても兼用されている。また、X方向にはゲート電極G
Tが配線層も兼ねて走っている。LSは前述したように
外部光がFETの心臓部であるゲート領域に入り込まな
いようにするための遮光膜であり、Cr材等で形成され
る。このFETはソース電極に対してゲート電極を正の
バイアスにすればソースとドレイン間の抵抗が小さくな
り、ゲートバイアスを零に近くすれば大きな抵抗を示す
。
性が変わると動作上のソース・ドレインが入れ替わるの
で、つまり通常のFETと同様に双方向性であるので、
両方共ソース・ドレイン電極と名づける。このソース・
ドレイン電極SDは下からN + (ドナー不純物濃度
の高い)非晶質Si、Cr及びAQの3層構造とされて
いる。N+−8i電極層は非晶質Siとの接触抵抗を下
げ、Cr電極層はAQ電極層がSi層と反応するのを防
ぐために用いられる。psvは保護膜であり、FETを
湿気等から保護し、透明性が高く耐湿性の良いSi0.
膜やSi3N、膜で形成される。IT○はソース・ドレ
イン電極SDの一方(SC2)に接続された透明導電膜
であり、液晶表示装置の一方の電極として作用する。他
方のソース・ドレイン電極SDIはY方向に走る配線と
しても兼用されている。また、X方向にはゲート電極G
Tが配線層も兼ねて走っている。LSは前述したように
外部光がFETの心臓部であるゲート領域に入り込まな
いようにするための遮光膜であり、Cr材等で形成され
る。このFETはソース電極に対してゲート電極を正の
バイアスにすればソースとドレイン間の抵抗が小さくな
り、ゲートバイアスを零に近くすれば大きな抵抗を示す
。
液晶LCは上下のガラス基板5UBI及び5UB2間に
封入され、液晶分子の向きは上下の配向膜0RI2及び
0R11で決められる。psv2はアクリル系の樹脂で
形成された保護膜である。
封入され、液晶分子の向きは上下の配向膜0RI2及び
0R11で決められる。psv2はアクリル系の樹脂で
形成された保護膜である。
FILはカラーフィルターである。IrO2は配列され
た複数のピクセル電極ITOIに対向する共通透明電極
である。
た複数のピクセル電極ITOIに対向する共通透明電極
である。
このような表示装置は、基板5UBI側と5UB2側の
積層を別個に行い、その後液晶を封入することによって
組み立てられる。
積層を別個に行い、その後液晶を封入することによって
組み立てられる。
ここで、第2図および第3図においては省略したが、各
TFTごとに形成された遮光膜LSは、保護膜PSV1
を貫通するスルーホール中に埋め込まれたCr等の導電
材からなる配線により、第1図に示すようにそれぞれそ
のTFTのゲート電極GTと相互に接続されている。こ
のため、各TFTのゲート電極GTと遮光膜LSとは、
常に同電位に保たれ、その間の電位差によって絶縁破壊
が生じることはなくなる。
TFTごとに形成された遮光膜LSは、保護膜PSV1
を貫通するスルーホール中に埋め込まれたCr等の導電
材からなる配線により、第1図に示すようにそれぞれそ
のTFTのゲート電極GTと相互に接続されている。こ
のため、各TFTのゲート電極GTと遮光膜LSとは、
常に同電位に保たれ、その間の電位差によって絶縁破壊
が生じることはなくなる。
なお、同図において、TM2.TM3は、X方向、Y方
向に共通接続したゲート配線およびソース・ドレイン配
線が終端する端子である。
向に共通接続したゲート配線およびソース・ドレイン配
線が終端する端子である。
なお、第2図に示した例では1つのピクセル平面パター
ンPIXIは縦、横の配列ピッチがほぼ同じとなるよう
に設計されており、ドツトの大きさが縦、横同じである
単色表示の場合はそのままのパターンで行、列に配列す
れば良い。
ンPIXIは縦、横の配列ピッチがほぼ同じとなるよう
に設計されており、ドツトの大きさが縦、横同じである
単色表示の場合はそのままのパターンで行、列に配列す
れば良い。
カラー表示の場合、赤、緑及び青等のカラーフィルター
を交互に横方向に配列する場合、すなわち縦ストライプ
の配列では1つのピクセルパターンは第4図Aに示すよ
うに縦長にされ(PIX2)。
を交互に横方向に配列する場合、すなわち縦ストライプ
の配列では1つのピクセルパターンは第4図Aに示すよ
うに縦長にされ(PIX2)。
それと逆の横ストライプの配列では第4図Bに示すよう
に横長にされる(PIX3)。
に横長にされる(PIX3)。
第5図はこのようにして形成された液晶表示装置(LC
D)パネル(PNL)の等価回路と、その周辺駆動回路
を示すものである。LVSはLCD垂直走査回路であり
、TFTのゲート電極に走査スイッチング信号を印加す
る。LH3はLCD水平走査回路であり、TFTのソー
ス・ドレイン電極SDIに順次選択的にビデオ信号を印
加する1以上、液晶表示装置を例に説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、その他の表示装置に
よるアクティブマトリックス方式の平面ディスプレイ装
置にも同様に適用できる。
D)パネル(PNL)の等価回路と、その周辺駆動回路
を示すものである。LVSはLCD垂直走査回路であり
、TFTのゲート電極に走査スイッチング信号を印加す
る。LH3はLCD水平走査回路であり、TFTのソー
ス・ドレイン電極SDIに順次選択的にビデオ信号を印
加する1以上、液晶表示装置を例に説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、その他の表示装置に
よるアクティブマトリックス方式の平面ディスプレイ装
置にも同様に適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、遮光膜とゲート
電極とを電気的に接続したことにより、両者間での静電
破壊の発生を防ぐことが可能となった・
電極とを電気的に接続したことにより、両者間での静電
破壊の発生を防ぐことが可能となった・
第1図ないし第5図は本発明の一実施例を示す図で、第
1図は遮光膜および各電極の接続状態を示す等価回路図
、第2図および第3図は1画素分の構成を示す平面図お
よびその■−■断面図、第4図はそれぞれピクセルの他
の構成例を示す平面図、第5図は液晶表示装置および周
辺駆動回路の回路図である。 GT・・・ゲート電極 LS・・・遮光膜
1図は遮光膜および各電極の接続状態を示す等価回路図
、第2図および第3図は1画素分の構成を示す平面図お
よびその■−■断面図、第4図はそれぞれピクセルの他
の構成例を示す平面図、第5図は液晶表示装置および周
辺駆動回路の回路図である。 GT・・・ゲート電極 LS・・・遮光膜
Claims (1)
- 1、複数の表示画素および各表示画素をスイッチ駆動す
る複数のTFTをマトリックス状に配列してなるアクテ
ィブマトリックス方式の平面ディスプレイ装置において
、表示画面より入射する外部光からゲート領域を保護す
るために各ゲート電極に対向して配置した遮光膜とゲー
ト電極とを電気的に接続したことを特徴とする平面ディ
スプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159619A JPS6317432A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 平面デイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159619A JPS6317432A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 平面デイスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6317432A true JPS6317432A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15697672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61159619A Pending JPS6317432A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 平面デイスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6317432A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-07-09 JP JP61159619A patent/JPS6317432A/ja active Pending
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