JPS63174210A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63174210A JPS63174210A JP62004328A JP432887A JPS63174210A JP S63174210 A JPS63174210 A JP S63174210A JP 62004328 A JP62004328 A JP 62004328A JP 432887 A JP432887 A JP 432887A JP S63174210 A JPS63174210 A JP S63174210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- temperature coefficient
- composition
- ceramic composition
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑに
すぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関する
ものである。
すぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関する
ものである。
従来の技術
従来から温度係数の小さい誘電体が、コンデンサ用素子
として要求され、誘電体磁器組成物として下記のような
系が知られている。
として要求され、誘電体磁器組成物として下記のような
系が知られている。
ＭｇＯ−Ｔｉ０２−Ｃｏｏ系
Ｌａ２０３−２ＴＬａ２Ｏ３−２Ｔｉ０２−ＣａＴｉＯ
３−２系Ｔｉ０２−ＢａＴｉＯ３−Ｂｉ２０３ Ｌａ２
Ｏ３系５ｒＺｒ○３−３ｒＯ−Ｎｂ２０ｓ−ＣａＴｉ○
３系発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの組成は誘電率が低く、又、５ｒＺｒ０
３−８ｒＯ−Ｎｂ２０５−ＣａＴｉ０３系は良好度Ｑも
悪いという問題点があった。
３−２系Ｔｉ０２−ＢａＴｉＯ３−Ｂｉ２０３ Ｌａ２
Ｏ３系５ｒＺｒ○３−３ｒＯ−Ｎｂ２０ｓ−ＣａＴｉ○
３系発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの組成は誘電率が低く、又、５ｒＺｒ０
３−８ｒＯ−Ｎｂ２０５−ＣａＴｉ０３系は良好度Ｑも
悪いという問題点があった。
本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑに
すぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを目
的とするものである。
すぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、一般式％式％）
と表わした時、
ｘ、ｙ、ｚが以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
るモル比の範囲にある組成物に対し、ＰｂＯが１５重量
％以下添加含有されていることを特徴とする誘電体磁器
組成物である。
るモル比の範囲にある組成物に対し、ＰｂＯが１５重量
％以下添加含有されていることを特徴とする誘電体磁器
組成物である。
図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示す三
角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図を参
照しながら説明する。Ａ領域では焼結困難となり誘電率
、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温度係数
が一例に大きくなり過ぎて、実用的でな（なる。Ｃ領域
では温度係数が＋側に大きくなり、誘電率も小さい。Ｄ
領域では焼結が困難となり、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵
抗が低下する。又、Ｏｈｍ≦０．２５の範囲ではｍを大
きくすると温度係数は＋側に移行し、更に焼結性が向上
し適当な組成を選ぶことによって温度係数ＮＰＯ付近で
誘電率の大きな組成が得られる。ｍが０．２５を越える
と、誘電率、良好度Ｑが低下する。又、０．０５≦ｎ＜
１．００の範囲ではｎを太き（すると、温度係数は＋側
に移 行し、適当な組成を選ぶ事によって温度係数ＮＰ
Ｏ付近で誘電率の大きな組成物が得られる。ｎが０．０
５未満になると温度係数が一例に大きくなり実用的でな
くなる。又、Ｐｂｏの添加については、添加量を増やす
に従って誘電率を増大させることができ、温度係数を＋
側へ移行させることができ、適当な添加量を選ぶ事によ
って温度係数ＮＰＯ付近で誘電率の大きな組成物が得ら
れる。
角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図を参
照しながら説明する。Ａ領域では焼結困難となり誘電率
、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温度係数
が一例に大きくなり過ぎて、実用的でな（なる。Ｃ領域
では温度係数が＋側に大きくなり、誘電率も小さい。Ｄ
領域では焼結が困難となり、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵
抗が低下する。又、Ｏｈｍ≦０．２５の範囲ではｍを大
きくすると温度係数は＋側に移行し、更に焼結性が向上
し適当な組成を選ぶことによって温度係数ＮＰＯ付近で
誘電率の大きな組成が得られる。ｍが０．２５を越える
と、誘電率、良好度Ｑが低下する。又、０．０５≦ｎ＜
１．００の範囲ではｎを太き（すると、温度係数は＋側
に移 行し、適当な組成を選ぶ事によって温度係数ＮＰ
Ｏ付近で誘電率の大きな組成物が得られる。ｎが０．０
５未満になると温度係数が一例に大きくなり実用的でな
くなる。又、Ｐｂｏの添加については、添加量を増やす
に従って誘電率を増大させることができ、温度係数を＋
側へ移行させることができ、適当な添加量を選ぶ事によ
って温度係数ＮＰＯ付近で誘電率の大きな組成物が得ら
れる。
本発明は更に、上記主成分に対し、マンガン。
クロム、鉄、ニッケル、コバルト及びケイ素の元素の群
の中から選ばれた少な（とも１種を、それぞれＭｎＯ２
，Ｃｒ２Ｏ３，Ｆｅｄ、Ｎｉｐ、Ｃｏｏ及び５ｉＯ２１
：：換算して、該主成分（７）０．０５〜１．００重量
％添加せしめた構成とすることができる。これらの添加
物は磁器の焼結性を向上する効果を有し、その添加量が
０．０５重量％未満では添加効果はな（，１，００重量
％を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
の中から選ばれた少な（とも１種を、それぞれＭｎＯ２
，Ｃｒ２Ｏ３，Ｆｅｄ、Ｎｉｐ、Ｃｏｏ及び５ｉＯ２１
：：換算して、該主成分（７）０．０５〜１．００重量
％添加せしめた構成とすることができる。これらの添加
物は磁器の焼結性を向上する効果を有し、その添加量が
０．０５重量％未満では添加効果はな（，１，００重量
％を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
作用
本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率が高（温度係
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘
電体磁器を得ることができる。
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘
電体磁器を得ることができる。
実施例
以下に、具体的実施例により説明する。
（実施例１〉
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３゜ＴｉＯ２，
ＳｎＯ２，ＰｒｚＯｘ／３，５１１２０３及びＰｂＯ粉
末を第１表に示す組成になるように秤量し、めのうボー
ルを備えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入
れ、湿式混合後、脱水乾燥した。
ＳｎＯ２，ＰｒｚＯｘ／３，５１１２０３及びＰｂＯ粉
末を第１表に示す組成になるように秤量し、めのうボー
ルを備えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入
れ、湿式混合後、脱水乾燥した。
この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、１１００
℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備
えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、湿
式粉砕した。この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバイ
ンダーとして濃度５％のポリビニールアルコール溶液を
９重量％添加して均質とした後、３２メツシユのふるい
を通して整粒した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃｄで直径１５ｗｍ、厚み０．４
ｍｍに成形し、成形物をジルコニア匣鉢中に入れ、空気
中において第１表に示す温度で２時間焼成し、第１表に
示す配合組成の誘電体磁器を得た。
℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボールを備
えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ、湿
式粉砕した。この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバイ
ンダーとして濃度５％のポリビニールアルコール溶液を
９重量％添加して均質とした後、３２メツシユのふるい
を通して整粒した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃｄで直径１５ｗｍ、厚み０．４
ｍｍに成形し、成形物をジルコニア匣鉢中に入れ、空気
中において第１表に示す温度で２時間焼成し、第１表に
示す配合組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼き
付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度
２５℃、測定電圧１、ＱＶｒｍｓ、測定周波数ＩＭＨｚ
による測定より求めた。尚、温度係数は２５℃に於ける
容量値を基準とし、次式により求めた。
付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用し、測定温度
２５℃、測定電圧１、ＱＶｒｍｓ、測定周波数ＩＭＨｚ
による測定より求めた。尚、温度係数は２５℃に於ける
容量値を基準とし、次式により求めた。
温度係数（ｐｐｍ／℃） ＝
［（Ｃｓｓ℃−Ｃ１６℃）／（Ｃ２５℃Ｘ ６０）ＩＸ
１０’絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３
２９Ａを使用し測定電圧り、Ｃ，５０Ｖ、測定時間１分
間による測定より求めた。試験結果を第１表に示した。
１０’絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３
２９Ａを使用し測定電圧り、Ｃ，５０Ｖ、測定時間１分
間による測定より求めた。試験結果を第１表に示した。
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３゜ＴｉＯ２，
５ｎ０２．Ｐｒ２０目／３．５１１２０３．ＰｂＯ。
５ｎ０２．Ｐｒ２０目／３．５１１２０３．ＰｂＯ。
ＭｎＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｎｉｐ、Ｃｏｏ及び５
ｉ０２粉末を第２表に示す組成になるように秤量し、そ
れ以後は実施例１の場合と同様に処理して第２表に示す
配合組成の誘電体磁器を得た。
ｉ０２粉末を第２表に示す組成になるように秤量し、そ
れ以後は実施例１の場合と同様に処理して第２表に示す
配合組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり試験結
果を第２表に示す。
果を第２表に示す。
（以 下 余 白 ）
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率が高（、温度係数
が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電
体磁器が得られる。又、マンガン、クロム、鉄、ニッケ
ル、コバルト及びケイ素の酸化物の添加により焼成温度
を低下させることができる。
が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電
体磁器が得られる。又、マンガン、クロム、鉄、ニッケ
ル、コバルト及びケイ素の酸化物の添加により焼成温度
を低下させることができる。
さらに得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素体
をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効
である。
をきわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効
である。
図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名（ｆｆｉＯ
’：４） （Ｓ１ｍ２（ｈ）ｕ （−Ｅ ル）−ｍ
：」−一一−
る。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名（ｆｆｉＯ
’：４） （Ｓ１ｍ２（ｈ）ｕ （−Ｅ ル）−ｍ
：」−一一−
Claims (2)
- （１）一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿１＿−＿ｍ（ＳｎＯ＿
２）＿ｍ］−ｚ［（Ｐｒ＿２Ｏ＿１＿１＿／＿３）＿１
＿−＿ｎ（Ｓｍ＿２Ｏ＿３）＿ｎ］と表わした時、 ［ただし ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００ ０＜ｍ≦０．２５ ０．０５≦ｎ＜１．００］ ｘ、ｙ、ｚが以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
るモル比の範囲にある組成物に対しＰｂＯが１５重量％
以下添加含有されていることを特徴とする誘電体磁器組
成物。 - （２）マンガン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト及び
ケイ素の酸化物からなる群の中から選ばれた少なくとも
１種を、それぞれＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＦｅＯ
、ＮｉＯ、ＣｏＯ及びＳｉＯ＿２に換算して、主成分の
０．０５乃至１．００重量％添加含有したことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の誘電体磁器組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004328A JPS63174210A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004328A JPS63174210A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174210A true JPS63174210A (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=11581380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62004328A Pending JPS63174210A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174210A (ja) |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP62004328A patent/JPS63174210A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63174210A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174206A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243208A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568567B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174204A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174208A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174209A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63174205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6256361A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568565B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63193401A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63193403A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63193402A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62145603A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63193404A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568566B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04188506A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2676778B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2615636B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243206A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0353408A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS581913A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH02242515A (ja) | 誘電体磁器組成物 |