JPS63172905A - 回折光の分離方法および分離装置 - Google Patents
回折光の分離方法および分離装置Info
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- JPS63172905A JPS63172905A JP62004133A JP413387A JPS63172905A JP S63172905 A JPS63172905 A JP S63172905A JP 62004133 A JP62004133 A JP 62004133A JP 413387 A JP413387 A JP 413387A JP S63172905 A JPS63172905 A JP S63172905A
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- diffraction gratings
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばLSIを製造するための露光装置にお
いて、マスクとウェハ間の位置ずれを、マスクおよびウ
ェハ上に形成した回折格子を利用して検出する際などに
用′いられる光学系に関し、特に、各回折格子からの回
折光を分離して取出すための分離方法および分離装置に
関する。
いて、マスクとウェハ間の位置ずれを、マスクおよびウ
ェハ上に形成した回折格子を利用して検出する際などに
用′いられる光学系に関し、特に、各回折格子からの回
折光を分離して取出すための分離方法および分離装置に
関する。
LSIの微細化に伴い、マスクパタンをウェハに転写す
る露光装置などにおいて、マスクとウェハとを互いに高
精度に位置合せすることが要求されている。特に、X線
露光装置では、マスクとウェハとを数10μmのギャッ
プに維持した状態で、マスクとウェハとの位置合せを行
なう必要がある。
る露光装置などにおいて、マスクとウェハとを互いに高
精度に位置合せすることが要求されている。特に、X線
露光装置では、マスクとウェハとを数10μmのギャッ
プに維持した状態で、マスクとウェハとの位置合せを行
なう必要がある。
そのための方法として、出願人は先に、特願昭61−1
04186号において、光ヘテロダイン干渉法を利用し
た位置合せ方法を提案した。この方法について、第3図
を用いて説明する。
04186号において、光ヘテロダイン干渉法を利用し
た位置合せ方法を提案した。この方法について、第3図
を用いて説明する。
第3図において、2波長直交偏光レーザー光源1から発
した光は、ミラー2、円筒レンズ3を通して楕円状のビ
ームとなり、そのビームは偏光ビームスプリッタ−4に
よシ、それぞれ水平成分、あるいは垂直成分のみを有す
る直線偏光でしかも周波数が互いにわずかに異なる2波
長の光に分離される。分離された光は、それぞれミラー
5m 。
した光は、ミラー2、円筒レンズ3を通して楕円状のビ
ームとなり、そのビームは偏光ビームスプリッタ−4に
よシ、それぞれ水平成分、あるいは垂直成分のみを有す
る直線偏光でしかも周波数が互いにわずかに異なる2波
長の光に分離される。分離された光は、それぞれミラー
5m 。
5b(入射角調整手段)を介して所望の入射角で、マス
ク6に形成した反射型回折格子7およびウェハ8に形成
した反射型回折格子9に入射する。第3図の例では、反
射型回折格子7,9はそれぞれ格子ライン方向にずれて
おり、シかも2波長の入射光の同一楕円ビーム内に配置
されている。また、反射型回折格子71−9の回折格子
ピッチは等しく設定されている。回折格子7から得られ
る回折光およびマスク6に設けた窓10を通して回折格
子9から得られる回折光は、ミラー5c (光合成手段
)、プリズム状ミラー11(光分離手段)、偏光板12
m、12bl集光レンズ13&、13bを介して光検出
器14as14bにそれぞれ導かれ、回折光ビート信号
として信号処理制御部15で処理される。
ク6に形成した反射型回折格子7およびウェハ8に形成
した反射型回折格子9に入射する。第3図の例では、反
射型回折格子7,9はそれぞれ格子ライン方向にずれて
おり、シかも2波長の入射光の同一楕円ビーム内に配置
されている。また、反射型回折格子71−9の回折格子
ピッチは等しく設定されている。回折格子7から得られ
る回折光およびマスク6に設けた窓10を通して回折格
子9から得られる回折光は、ミラー5c (光合成手段
)、プリズム状ミラー11(光分離手段)、偏光板12
m、12bl集光レンズ13&、13bを介して光検出
器14as14bにそれぞれ導かれ、回折光ビート信号
として信号処理制御部15で処理される。
信号処理制御部15では、反射型回折格子T。
9から得られた回折光のそれぞれのビート信号のいずれ
か一方の信号を基準ビート信号として両ビート信号の位
相差を検出し、その位相差がo’ になるようにマス
クステージ16.あるいはウェハステージ17を相対移
動させ、マスク面上のバタンかウェハ面上の所定の位置
に精度よく重なって露光できるようにマスク6とウェハ
8との間の精密な位置合わせを行なう。
か一方の信号を基準ビート信号として両ビート信号の位
相差を検出し、その位相差がo’ になるようにマス
クステージ16.あるいはウェハステージ17を相対移
動させ、マスク面上のバタンかウェハ面上の所定の位置
に精度よく重なって露光できるようにマスク6とウェハ
8との間の精密な位置合わせを行なう。
第3図に示す光学系において、反射形回折格子7.9よ
シ得られる回折光は、プリズム状ミラー11の先端エツ
ジを構成する両面によって反射され、光検出器14 a
s 14 bで受光される。このとき、プリズムの先
端エツジは、通常丸みをもち、一方、回折光ビームも数
100μmの大きさく径)をもつため、回折光を分離、
独立して検出するためには、第4図に示すように、反射
形回折格子7,9の格子ライン方向の間隔tを、約1寵
程度は離す必要がある。したがって、両回折格子を同一
のビームスポット21内に入れるためには、入射光(第
4図には一方のみ示した22を構成する楕円状レーザー
ビームの長径を大きくしなければならず、そうすると、
レーザー光源1の出力が同じである場合には回折格子に
入射するレーザー光の平均照射強度が低下し、得られる
回折光23.24の強度も小さくなシ、その結果、検出
精度も低下するという問題がある。
シ得られる回折光は、プリズム状ミラー11の先端エツ
ジを構成する両面によって反射され、光検出器14 a
s 14 bで受光される。このとき、プリズムの先
端エツジは、通常丸みをもち、一方、回折光ビームも数
100μmの大きさく径)をもつため、回折光を分離、
独立して検出するためには、第4図に示すように、反射
形回折格子7,9の格子ライン方向の間隔tを、約1寵
程度は離す必要がある。したがって、両回折格子を同一
のビームスポット21内に入れるためには、入射光(第
4図には一方のみ示した22を構成する楕円状レーザー
ビームの長径を大きくしなければならず、そうすると、
レーザー光源1の出力が同じである場合には回折格子に
入射するレーザー光の平均照射強度が低下し、得られる
回折光23.24の強度も小さくなシ、その結果、検出
精度も低下するという問題がある。
また、ウェハ面もしくはマスク面上に設ける回折格子7
.9のいずれか一方は、L8Iパタン等の露光領域(デ
バイス領域)25.26から少なくとも1jflK程度
離して配置しなければならないこととなシ、広いアライ
メントマーク領域が必要となる。
.9のいずれか一方は、L8Iパタン等の露光領域(デ
バイス領域)25.26から少なくとも1jflK程度
離して配置しなければならないこととなシ、広いアライ
メントマーク領域が必要となる。
本発明による回折光の分離方法線、回折格子に照射する
光として、収束光または発散光を用いたものである。
光として、収束光または発散光を用いたものである。
また本発明による回折光の分離装置は、光源装置および
回折光を検出する手段の他に、光源装置からの光を収束
または発散させる手段を備えたものである。
回折光を検出する手段の他に、光源装置からの光を収束
または発散させる手段を備えたものである。
回折格子に発散光を照射して得られる回折光は発散光と
なシ、回折格子から離れるにしたがって両回折格子から
の回折光は分離される。収束光を照射する場合には、回
折光はいったん収束した後、発散するため、上述したと
同様に両回折格子からの回折光は分離される。
なシ、回折格子から離れるにしたがって両回折格子から
の回折光は分離される。収束光を照射する場合には、回
折光はいったん収束した後、発散するため、上述したと
同様に両回折格子からの回折光は分離される。
第1図は本発明をX線露光装置に適用した場合の一実施
例を示す概略構成図であり、第3図と同一部分は同一符
号を用いて示し、その詳細説明は省略する。
例を示す概略構成図であり、第3図と同一部分は同一符
号を用いて示し、その詳細説明は省略する。
第1図において、31j、31bは集光レンズであシ、
楕円状ビームの長径方向のみを集光する。このとき、各
集光レンズ31 m + 31bは、その焦点が反射形
回折格子7.9の手前に位置するように、いわゆる前ビ
ンの状態に配置するため、反射形回折格子7,9への入
射光32.33は、発散光となって入射する。その結果
、各回折格子からの回折光34.35は発散光となり、
回折格子7,9から離れるKしたがって分離される。こ
のため、両反射形回折格子7,9を相互に近接して配置
しても、それぞれの回折光を容易に分離・独立して検出
できる。とのとき、両回折格子に照射される楕円状レー
ザービームのスポット径は小さくてよいため、回折光強
度を強くすることができ、検出信号のS/N比を向上さ
せることができる。
楕円状ビームの長径方向のみを集光する。このとき、各
集光レンズ31 m + 31bは、その焦点が反射形
回折格子7.9の手前に位置するように、いわゆる前ビ
ンの状態に配置するため、反射形回折格子7,9への入
射光32.33は、発散光となって入射する。その結果
、各回折格子からの回折光34.35は発散光となり、
回折格子7,9から離れるKしたがって分離される。こ
のため、両反射形回折格子7,9を相互に近接して配置
しても、それぞれの回折光を容易に分離・独立して検出
できる。とのとき、両回折格子に照射される楕円状レー
ザービームのスポット径は小さくてよいため、回折光強
度を強くすることができ、検出信号のS/N比を向上さ
せることができる。
本実施例では、集光レンズ311.31bを、その焦点
が反射形回折格子7,9の手前にくるように配置したが
、逆に、焦点位置が両回折格子7,9の後方にくるよう
に、いわゆる後ピンの状態となるように配置してもよい
。その場合、第2図に示すように、入射光(第2図には
一方のみ示した)36は、反射形回折格子7,9には収
束光として入射する。3Tはそのときのビームスボット
チする。このため、回折光38.39は、いったん収束
した後、発散する。したがって、発散光を入射させた第
1図の場合と同様に、両回折光を容易に分離・独立して
検出できる。
が反射形回折格子7,9の手前にくるように配置したが
、逆に、焦点位置が両回折格子7,9の後方にくるよう
に、いわゆる後ピンの状態となるように配置してもよい
。その場合、第2図に示すように、入射光(第2図には
一方のみ示した)36は、反射形回折格子7,9には収
束光として入射する。3Tはそのときのビームスボット
チする。このため、回折光38.39は、いったん収束
した後、発散する。したがって、発散光を入射させた第
1図の場合と同様に、両回折光を容易に分離・独立して
検出できる。
なお、第1図において、集光レンズ311.31 bは
ミラー5m、5bとマスク6との間に配置したが、偏光
ビームスプリッタ4とミラー5m、5b との間に挿入
してもよい。
ミラー5m、5bとマスク6との間に配置したが、偏光
ビームスプリッタ4とミラー5m、5b との間に挿入
してもよい。
各回折格子は、吸収形あるいは反射形のいずれでもよく
、さらにバイナリ−回折格子に限定されることなく、正
弦波状回折格子、フレーズ回折格子など種々の組み合わ
せが可能である。
、さらにバイナリ−回折格子に限定されることなく、正
弦波状回折格子、フレーズ回折格子など種々の組み合わ
せが可能である。
さらに上記実施例では、単色光入射・回折光取り出し窓
としてマスク基板上に開口部を設けたが、開口部を設け
ることなく、入射光および回折光が透過し得る透明薄膜
の窓にした場合においても同様の効果を得ることができ
る。
としてマスク基板上に開口部を設けたが、開口部を設け
ることなく、入射光および回折光が透過し得る透明薄膜
の窓にした場合においても同様の効果を得ることができ
る。
以上、位置合わせに用いる場合を中心に説明したが、本
発明は、ある物体の微小変位を測定する装置、座標位置
検出または制御装置等に対しても適用することが可能で
ある。
発明は、ある物体の微小変位を測定する装置、座標位置
検出または制御装置等に対しても適用することが可能で
ある。
本発明によれば、回折格子に照射する光を収束光または
発散光とすることにより、近接して配置した回折格子か
らの回折光を容易に分離できる。
発散光とすることにより、近接して配置した回折格子か
らの回折光を容易に分離できる。
ビーム径を絞った状態で照射できるため、同一の光源出
力に対して得られる回折光の強度も大きくなり、S/N
比が向上し、位置合せ等に利用した場合にその精度を高
めることができる。また、例えばX線露光装置に適用し
た場合などは、アライメントマーク領域が小さくて済む
ため、本来の露光バタン領域を大きくとることができる
利点がある。
力に対して得られる回折光の強度も大きくなり、S/N
比が向上し、位置合せ等に利用した場合にその精度を高
めることができる。また、例えばX線露光装置に適用し
た場合などは、アライメントマーク領域が小さくて済む
ため、本来の露光バタン領域を大きくとることができる
利点がある。
第1図および第2図は本発明の一実施例を示す図で、第
1図は概略構成図、第2図は回折格子部分の詳細図、第
3図は従来例を示す概略構成図、第4図はその回折格子
部分の詳細図である。 1・・・・2波長直交偏光レーザー光源、719・・・
・回折格子、11・・・・プリズム状ミラー 14m、
14b II @ * 11光検出器、311.31b
、+1・・集光レンズ、$2.33,36・0.・入射
光、34,35,38,39・・・回折光、37−・・
・ビームスポット。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山川 政樹(ほか1名) 第2図 第4図
1図は概略構成図、第2図は回折格子部分の詳細図、第
3図は従来例を示す概略構成図、第4図はその回折格子
部分の詳細図である。 1・・・・2波長直交偏光レーザー光源、719・・・
・回折格子、11・・・・プリズム状ミラー 14m、
14b II @ * 11光検出器、311.31b
、+1・・集光レンズ、$2.33,36・0.・入射
光、34,35,38,39・・・回折光、37−・・
・ビームスポット。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山川 政樹(ほか1名) 第2図 第4図
Claims (2)
- (1)格子ラインが互いに平行になるように配置した複
数の回折格子に対し、各回折格子が同一のスポット内に
入るように収束光または発散光を照射し、各回折格子か
ら得られる回折光を独立に取出すことを特徴とする回折
光の分離方法。 - (2)スポット光を発する光源装置と、この光源装置か
ら発せられた光を収束または発散させ、複数の回折格子
に対し、各回折格子が同一のスポット内に入るようにし
て照射する手段と、各回折格子から得られた回折光をそ
れぞれ検出する手段とを備えたことを特徴とする回折光
の分離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62004133A JPH07104131B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 回折光の分離方法および分離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62004133A JPH07104131B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 回折光の分離方法および分離装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63172905A true JPS63172905A (ja) | 1988-07-16 |
JPH07104131B2 JPH07104131B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=11576280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62004133A Expired - Fee Related JPH07104131B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 回折光の分離方法および分離装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07104131B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0288906A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ光学系 |
JP2012032837A (ja) * | 2006-09-08 | 2012-02-16 | Nikon Corp | マスク、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59132311A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Sony Magnescale Inc | 光学スケ−ル |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP62004133A patent/JPH07104131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59132311A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Sony Magnescale Inc | 光学スケ−ル |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0288906A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ光学系 |
JP2012032837A (ja) * | 2006-09-08 | 2012-02-16 | Nikon Corp | マスク、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07104131B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |