JPS63169720A - 連続プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
連続プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS63169720A JPS63169720A JP117687A JP117687A JPS63169720A JP S63169720 A JPS63169720 A JP S63169720A JP 117687 A JP117687 A JP 117687A JP 117687 A JP117687 A JP 117687A JP S63169720 A JPS63169720 A JP S63169720A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、線、条、帯等の連続長尺体にプラズマＣＶ
Ｄ法により連続して薄膜を形成させる連続プラズマＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
Ｄ法により連続して薄膜を形成させる連続プラズマＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
［従来の技術および発明が解決しようとする問題点］
プラズマＣＶＤ法により長尺体に連続して薄膜を形成さ
せる方法は、従来はとんど知られていない。ＣＶＤ法に
よる連続薄膜形成装置としては、熱ＣＶＤ法によるもの
が知られており、たとえばボロン繊維製造袋ａ ＜ ｒ
ｔｓｔハンドブック］オーム社刊、１９８３年発行）な
どが知られている。
せる方法は、従来はとんど知られていない。ＣＶＤ法に
よる連続薄膜形成装置としては、熱ＣＶＤ法によるもの
が知られており、たとえばボロン繊維製造袋ａ ＜ ｒ
ｔｓｔハンドブック］オーム社刊、１９８３年発行）な
どが知られている。
しかしながら、熱ＣＶＤ装置は、薄膜形成温度が高いた
め、基材としては、タングステンなどのように高温にお
いて高強度を示すものを用いな【ノればならない。プラ
ズマＣＶＤ法により連続的に薄膜を形成することができ
れば、より汎用的な長尺体に薄膜形成可能となるため、
連続プラズマＣＶＤ装置の開発が望まれている。
め、基材としては、タングステンなどのように高温にお
いて高強度を示すものを用いな【ノればならない。プラ
ズマＣＶＤ法により連続的に薄膜を形成することができ
れば、より汎用的な長尺体に薄膜形成可能となるため、
連続プラズマＣＶＤ装置の開発が望まれている。
ところが、従来の熱ＣＶＤ装置と同様の装置に、電極を
設け、電極間または電極と長尺体間に電圧を印加してプ
ラズマを発生させる構成では、生産性が低く、実用に適
しないという問題点を生じる。
設け、電極間または電極と長尺体間に電圧を印加してプ
ラズマを発生させる構成では、生産性が低く、実用に適
しないという問題点を生じる。
また、連続プラズマＣＶＤ装置ではガス導入口から連続
して原料ガスが供給されるが、ガス導入口に近いプラズ
マ発生領域の部分では、活性化される原料ガスの組成が
不安定であり、この部分で形成された膜の組成が不均一
になるという問題点も生じる。
して原料ガスが供給されるが、ガス導入口に近いプラズ
マ発生領域の部分では、活性化される原料ガスの組成が
不安定であり、この部分で形成された膜の組成が不均一
になるという問題点も生じる。
それゆえに、この発明の目的は、生産性が高く、しかも
厚み方向に均一な組成で薄膜を形成させることのできる
連続プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
厚み方向に均一な組成で薄膜を形成させることのできる
連続プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
１内゛題点を解決するための手段］
この発明の連続プラズマＣＶＤ装置では、プラズマ発生
領域を挾みその両側にそれぞれロールを設置し、長尺体
がプラズマ発生領域を往復して通過するように長尺体を
ロール間に巻きつけて通している。さらに、原料ガス導
入口に近いプラズマ領域の部分に、長尺体を覆う遮蔽部
材を設け、この部分における＊ｍ形成を抑制している。
領域を挾みその両側にそれぞれロールを設置し、長尺体
がプラズマ発生領域を往復して通過するように長尺体を
ロール間に巻きつけて通している。さらに、原料ガス導
入口に近いプラズマ領域の部分に、長尺体を覆う遮蔽部
材を設け、この部分における＊ｍ形成を抑制している。
［作用］
この発明では、プラズマ領域を挾みその両側に設けられ
たロール間に長尺体を巻きつけて通し、長尺体がプラズ
マ発生領域を往復して通過するようにしている。したが
って、１度の供給で、プラズマ発生領域を所定の回数通
過させてＳａを形成させることができる。このため、長
尺体の供給速度を速くする等のことが可能になり、生産
性を著しく高めることができる。
たロール間に長尺体を巻きつけて通し、長尺体がプラズ
マ発生領域を往復して通過するようにしている。したが
って、１度の供給で、プラズマ発生領域を所定の回数通
過させてＳａを形成させることができる。このため、長
尺体の供給速度を速くする等のことが可能になり、生産
性を著しく高めることができる。
また、ロールがプラズマ発生領域の外側に設置されてい
るため、３ｔＩ膜形膜形成上は無関係にロール温度を冷
却することができる。このため、カーボンスリーブを使
用して滑かに回転可能なロールを使用することができる
。
るため、３ｔＩ膜形膜形成上は無関係にロール温度を冷
却することができる。このため、カーボンスリーブを使
用して滑かに回転可能なロールを使用することができる
。
さらに、原料ガス導入口に近いプラズマ領域の部分に遮
蔽部材が設けられているため、この部分におけるａｍ形
成が抑制され、厚み方向における不均一性を改善するこ
とができる。
蔽部材が設けられているため、この部分におけるａｍ形
成が抑制され、厚み方向における不均一性を改善するこ
とができる。
また、プラズマ発生領域では、熱ＣＶＤ法に比べ、ＷＪ
ｌｌ形成と同時に起こるエツチングの速度をたとえば１
０Ａ／分といった大きな値に設定することができる。こ
のため、プラズマ発生領域以外の領域において、不純物
を含むような層が形成されても、エツチング速度を高め
て不純物層を除去することができるので、良好な膜質の
ｗ＊ｍとすることができる。
ｌｌ形成と同時に起こるエツチングの速度をたとえば１
０Ａ／分といった大きな値に設定することができる。こ
のため、プラズマ発生領域以外の領域において、不純物
を含むような層が形成されても、エツチング速度を高め
て不純物層を除去することができるので、良好な膜質の
ｗ＊ｍとすることができる。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示す断面図である。第
１図において、１および２は真空容器外壁を示しており
、電極を兼用している。真空容器内には、電極６が設け
られており、Ｗ１極１および電極２と電極６との間でプ
ラズマが発生し、プラズマ発生領１８を形成する。この
プラズマ発生領域８を挾みその両側には、ロール３およ
びロール４が設置されている。長尺体５は、第２図に斜
視図で示すように、Ｏ−ル３およびロール４の間に巻き
つけて通されており、プラズマ発生領域８を往復して通
過するようにされている。真空容器の外壁には、プラズ
マ発生領域８を加熱するためのヒータ１１，１２が取付
けられている。また、真空容器内にガスを導入するため
のガス導入ロアが真空容器内に設けられている。このガ
ス導入ロアに近いプラズマ発生領域８の部分には、長尺
体５を覆うように遮蔽部材９．１０が設けられている。
１図において、１および２は真空容器外壁を示しており
、電極を兼用している。真空容器内には、電極６が設け
られており、Ｗ１極１および電極２と電極６との間でプ
ラズマが発生し、プラズマ発生領１８を形成する。この
プラズマ発生領域８を挾みその両側には、ロール３およ
びロール４が設置されている。長尺体５は、第２図に斜
視図で示すように、Ｏ−ル３およびロール４の間に巻き
つけて通されており、プラズマ発生領域８を往復して通
過するようにされている。真空容器の外壁には、プラズ
マ発生領域８を加熱するためのヒータ１１，１２が取付
けられている。また、真空容器内にガスを導入するため
のガス導入ロアが真空容器内に設けられている。このガ
ス導入ロアに近いプラズマ発生領域８の部分には、長尺
体５を覆うように遮蔽部材９．１０が設けられている。
ロール３およびロール４は、第１図および第２図に示す
矢印Ａおよび矢印Ｂの方向に回転しており、このロール
３．４に巻つけられた長尺体５は、ロール３．４の回転
により、第１図および第２図に示す矢印Ｃおよび矢印り
方向に移動している。
矢印Ａおよび矢印Ｂの方向に回転しており、このロール
３．４に巻つけられた長尺体５は、ロール３．４の回転
により、第１図および第２図に示す矢印Ｃおよび矢印り
方向に移動している。
これにより、長尺体５は、プラズマ発生領域８内を往復
して通過し、その間に表面に薄膜が形成される。なお、
プラズマ発生領域８の部分は、ヒータ１１．１２により
加熱されている。
して通過し、その間に表面に薄膜が形成される。なお、
プラズマ発生領域８の部分は、ヒータ１１．１２により
加熱されている。
原料ガスは、ガス導入ロアから真空容器内に供給される
が、このガス導入ロアに近いプラズマ発生領域８の部分
には、遮蔽部材９．１０が設けられており、この遮蔽部
材により長尺体５表面での薄膜の形成が抑制されている
。この部分は、ガス導入ロアに近いため活性化されたガ
スの組成が不安定であり、もしこの部分で薄膜が形成さ
れると、不均一な組成となる。したがって、この実施例
のように、遮蔽部材を設けることにより厚み方向の［１
１１成の均一性が改善される。
が、このガス導入ロアに近いプラズマ発生領域８の部分
には、遮蔽部材９．１０が設けられており、この遮蔽部
材により長尺体５表面での薄膜の形成が抑制されている
。この部分は、ガス導入ロアに近いため活性化されたガ
スの組成が不安定であり、もしこの部分で薄膜が形成さ
れると、不均一な組成となる。したがって、この実施例
のように、遮蔽部材を設けることにより厚み方向の［１
１１成の均一性が改善される。
また、この実施例では、プラズマ発生領域内を長尺体が
何度も往復して通過し、その際薄膜が形成されるので、
プラズマ発生領域が有効に利用され、薄膜形成速度が高
められる。
何度も往復して通過し、その際薄膜が形成されるので、
プラズマ発生領域が有効に利用され、薄膜形成速度が高
められる。
以下、第１図および第２図に示した連続プラズマＣＶＤ
装置とほぼ同様の装置を用いて鋼線上にｓｇｉを形成し
た実験例について説明する。連続プラズマＣＶＤ装置の
真空容器としては、直径５０Ｃ＋＋＋、高さ１００ｃｍ
のものを用いた。ロールの軸としては、５４重量％Ｎ＋
−１７重量％Ｍｏ−１５重量％Ｃｒ−５ｔｉｆｆｉ％Ｆ
ｅ−４１！ｆｆｉ％Ｗ合金（商品名ハステロイＣ）を用
い、ロール表面部としては鋼を用い、その間にカーボン
スリーブを入れ、小さな抵抗で回転するロールにして使
用した。真空容器の外壁を接地し、長尺体である鋼線お
よびロールは電気的に浮かせた状態で、真空容器内の電
極に対し、１３．５６ＭＨ２のＲＦＮ圧を印加させてプ
ラズマを発生させた。遮蔽部材としては、１００ｘ４０
０ｘ２ （厚み） ａｍのモリブデン板を使用した。
装置とほぼ同様の装置を用いて鋼線上にｓｇｉを形成し
た実験例について説明する。連続プラズマＣＶＤ装置の
真空容器としては、直径５０Ｃ＋＋＋、高さ１００ｃｍ
のものを用いた。ロールの軸としては、５４重量％Ｎ＋
−１７重量％Ｍｏ−１５重量％Ｃｒ−５ｔｉｆｆｉ％Ｆ
ｅ−４１！ｆｆｉ％Ｗ合金（商品名ハステロイＣ）を用
い、ロール表面部としては鋼を用い、その間にカーボン
スリーブを入れ、小さな抵抗で回転するロールにして使
用した。真空容器の外壁を接地し、長尺体である鋼線お
よびロールは電気的に浮かせた状態で、真空容器内の電
極に対し、１３．５６ＭＨ２のＲＦＮ圧を印加させてプ
ラズマを発生させた。遮蔽部材としては、１００ｘ４０
０ｘ２ （厚み） ａｍのモリブデン板を使用した。
鋼線は１１１φのものを用い、常法によりパテンティン
グ侵に酸洗いしたものを使用した。また、プラズマ発生
領域の温度は７５０±３０℃となるようにヒータを用い
て加熱した。
グ侵に酸洗いしたものを使用した。また、プラズマ発生
領域の温度は７５０±３０℃となるようにヒータを用い
て加熱した。
薄膜としては、５ＩＧＮ−１ＴｉｃおよびＴｌＢ２を形
成させた。原料ガスとしてはＳｌ、Ｎ。
成させた。原料ガスとしてはＳｌ、Ｎ。
の場合Ｓｉ ＣｆＬｓ ０． Ｉ Ｔｏｒｒ 、ＮＨａ
０．１ ＴＯｒｒ 、ＴＩ ＣＨ７）場合Ｔｉ Ｃ１
４０，１Ｔｏｒｒ 、 ＣＨ４０，Ｉ Ｔｏｒｒ 、Ｔ
Ｉ Ｂｚの場合ＴｉＣ見、０゜１ Ｔｏｒｒ 、 ８Ｃ
ｆｔｓ Ｏ，Ｉ Ｔｏｒｒを用いた。なおキャリアガス
としてはＨ２０，８Ｔｏｒｒとし、流１！！２００ｃｃ
／ＱｆＬ、た。ＲＦ電力としては１００〜５００Ｗの範
囲内で行なった。加熱は、幅５０ＱＣＩでプラズマ発生
領域内のみを加熱した。
０．１ ＴＯｒｒ 、ＴＩ ＣＨ７）場合Ｔｉ Ｃ１
４０，１Ｔｏｒｒ 、 ＣＨ４０，Ｉ Ｔｏｒｒ 、Ｔ
Ｉ Ｂｚの場合ＴｉＣ見、０゜１ Ｔｏｒｒ 、 ８Ｃ
ｆｔｓ Ｏ，Ｉ Ｔｏｒｒを用いた。なおキャリアガス
としてはＨ２０，８Ｔｏｒｒとし、流１！！２００ｃｃ
／ＱｆＬ、た。ＲＦ電力としては１００〜５００Ｗの範
囲内で行なった。加熱は、幅５０ＱＣＩでプラズマ発生
領域内のみを加熱した。
遮蔽部材としては、第１図に示すようにガス導入口側に
のみ設けた場合（実施例４）と、ガス導入口側およびそ
の反対側の両側に設けた場合の２種について行なった（
実験例１〜３，５〜７）。
のみ設けた場合（実施例４）と、ガス導入口側およびそ
の反対側の両側に設けた場合の２種について行なった（
実験例１〜３，５〜７）。
なお、比較のため遮蔽部材を設けない４合についても行
なった（比較例１〜６）。
なった（比較例１〜６）。
薄膜中の塩素の最大値は、膜を深さ方向にエツチングし
ながら行なうオージェ電子分光法により測定した。また
赤錆発生時間は、塩水噴霧試験法（ＪＩＳ−２２３７１
）に準拠して測定した。得られた結果を第１表にまとめ
て示す。
ながら行なうオージェ電子分光法により測定した。また
赤錆発生時間は、塩水噴霧試験法（ＪＩＳ−２２３７１
）に準拠して測定した。得られた結果を第１表にまとめ
て示す。
（以下余白）
第１表
第１表の結果から明らかなように、この発明に従い″ａ
ｉ部材を設けることにより、成膜中の不純物が減少し、
均一な組成のＩｍが得られる。また、実験例４および実
験例５を比較してわかるように、遮蔽部材は少なくとも
ガス導入口側に設けられていればよい。
ｉ部材を設けることにより、成膜中の不純物が減少し、
均一な組成のＩｍが得られる。また、実験例４および実
験例５を比較してわかるように、遮蔽部材は少なくとも
ガス導入口側に設けられていればよい。
以上の実験例では、プラズマ発生領域部分のみを加熱し
てＩＩＦＩを形成させているが、真空容器全体を加熱し
ても同様に薄膜を形成させることができる。しかしなが
ら、真空容器全体を加熱すると、ロールの傷みが速くな
るので、上述の実験のようにプラズマ発生領域部分のみ
を加熱することが望ましい。
てＩＩＦＩを形成させているが、真空容器全体を加熱し
ても同様に薄膜を形成させることができる。しかしなが
ら、真空容器全体を加熱すると、ロールの傷みが速くな
るので、上述の実験のようにプラズマ発生領域部分のみ
を加熱することが望ましい。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の連続プラズマＣＶＤ装
置では、プラズマ発生ｍ域の両側にロールを設置し、長
尺体がプラズマ発生領域を往復して通過するようにこの
長尺体をロール間に巻つけているので、プラズマ発生領
域を有効に利用して、ｗＩ膜形成速度を高めることがで
きる。したがって、ｉＱ備生産性の向上した連続プラズ
マＣＶＤ装置とすることができ、ランニングコストを大
幅に低減することができる。
置では、プラズマ発生ｍ域の両側にロールを設置し、長
尺体がプラズマ発生領域を往復して通過するようにこの
長尺体をロール間に巻つけているので、プラズマ発生領
域を有効に利用して、ｗＩ膜形成速度を高めることがで
きる。したがって、ｉＱ備生産性の向上した連続プラズ
マＣＶＤ装置とすることができ、ランニングコストを大
幅に低減することができる。
また、この発明の連続プラズマＣＶＤ装置では、原料ガ
ス導入口に近いプラズマ領域の部分に遮蔽部材を設けて
、この部分における薄膜形成を抑制しているので、薄膜
内に不純物の多い層が形成されるのを防止することがで
き、薄膜の組成を均一にすることができる。このように
＊ｉの組成を均一にすることにより、化学的安定性、表
面平滑性、耐摩耗性等の機械的特性や、耐電圧等の電気
的特性の優れたｓｇｉを長尺体に形成させることが可能
になる。
ス導入口に近いプラズマ領域の部分に遮蔽部材を設けて
、この部分における薄膜形成を抑制しているので、薄膜
内に不純物の多い層が形成されるのを防止することがで
き、薄膜の組成を均一にすることができる。このように
＊ｉの組成を均一にすることにより、化学的安定性、表
面平滑性、耐摩耗性等の機械的特性や、耐電圧等の電気
的特性の優れたｓｇｉを長尺体に形成させることが可能
になる。
したがって、この発明の装置を使用することにより、た
とえば給油の不要な綱索用鋼線を比較的安価に製造する
ことができ、しかも耐食性および潤滑性に優れたものに
することができる。また、ｆ１４線やアモルファスワイ
ヤを芯材として、ボロンｗ４維を製造する場合にも応用
することができ、低コストでの製造を図ることができる
。さらに、テープ巻線のような電線の用途やカーボン繊
維やガラスＷＪ、Ｍのコーティングにも幅広く応用でき
るものである。
とえば給油の不要な綱索用鋼線を比較的安価に製造する
ことができ、しかも耐食性および潤滑性に優れたものに
することができる。また、ｆ１４線やアモルファスワイ
ヤを芯材として、ボロンｗ４維を製造する場合にも応用
することができ、低コストでの製造を図ることができる
。さらに、テープ巻線のような電線の用途やカーボン繊
維やガラスＷＪ、Ｍのコーティングにも幅広く応用でき
るものである。
また、薄膜形成のみではなく、その前処理として真空中
で行なうドライエツチングにも応用することができる。
で行なうドライエツチングにも応用することができる。
第１図は、この発明の一実施例を示す概略構成図である
。第２図は、第１図におけるローラおよび長尺体の状態
を示す斜視図である。 図において、１．２は電極、３．４はロール、５は長尺
体、６は電極、７はガス導入口、８はプラズマ発生領域
、９．１０は遮蔽部材、１１．１２はヒータを示す。 （ばか２るン
。第２図は、第１図におけるローラおよび長尺体の状態
を示す斜視図である。 図において、１．２は電極、３．４はロール、５は長尺
体、６は電極、７はガス導入口、８はプラズマ発生領域
、９．１０は遮蔽部材、１１．１２はヒータを示す。 （ばか２るン
Claims (1)
- （１）原料ガスを原料ガス導入口から連続して供給する
とともに、プラズマ発生領域に長尺体を連続して供給し
、長尺体にプラズマＣＶＤ法による薄膜を連続して形成
させる連続プラズマＣＶＤ装置において、 前記プラズマ発生領域を挾みその両側にそれぞれロール
を設置し、前記長尺体がプラズマ発生領域を往復して通
過するように長尺体を前記ロール間に巻きつけて通し、
かつ、前記原料ガス導入口に近いプラズマ発生領域の部
分での薄膜形成を抑制するため遮蔽部材が設けられてい
ることを特徴とする、連続プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117687A JPS63169720A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 連続プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117687A JPS63169720A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 連続プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169720A true JPS63169720A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11494129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP117687A Pending JPS63169720A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 連続プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720576B1 (en) | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
-
1987
- 1987-01-07 JP JP117687A patent/JPS63169720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720576B1 (en) | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
| US7095090B2 (en) | 1992-09-11 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
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