JPS63169601A - 屈折率分布型光学素子 - Google Patents
屈折率分布型光学素子Info
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- JPS63169601A JPS63169601A JP151087A JP151087A JPS63169601A JP S63169601 A JPS63169601 A JP S63169601A JP 151087 A JP151087 A JP 151087A JP 151087 A JP151087 A JP 151087A JP S63169601 A JPS63169601 A JP S63169601A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
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- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/078—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing an oxide of a divalent metal, e.g. an oxide of zinc
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- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板中にイオンの濃度分布に基づく屈
折率分布を与えて光導波路等の光学素子を形成する技術
に関する。
折率分布を与えて光導波路等の光学素子を形成する技術
に関する。
ガラス基板中に、ガラスの屈折率に変化を与える一価陽
イオンを、限定された表面領域を通してガラス中の一価
陽イオンとの交換で拡散させ、拡散イオンの一一度分布
に基づく屈折率分布をもった光導波路、レンズ等の光学
素子を基板中に形成する技術が従来から知られている。
イオンを、限定された表面領域を通してガラス中の一価
陽イオンとの交換で拡散させ、拡散イオンの一一度分布
に基づく屈折率分布をもった光導波路、レンズ等の光学
素子を基板中に形成する技術が従来から知られている。
以下光導波路を例にとり説明すると、第1図(イ)のよ
うにガラス基板lの表面をTi + A/等の金属膜λ
で被覆した後、この膜2に所定の光導波目1)′のパタ
ーンに開口3を設け、この面にガラスの屈折率増大に寄
与するT l + Cs r T :L等の一価の陽イ
オンを含む溶融塩等の媒質を接触させ、この媒9中に含
まれる陽イオンとガラス中のアルカリイオンとの交換で
媒質中のイオンqをマスク開口3を通して基板内に拡散
させることにより、拡散イオンの濃度分布に基づく屈折
率分布をもった断面がほぼ半円形の光導波路!が得られ
る。
うにガラス基板lの表面をTi + A/等の金属膜λ
で被覆した後、この膜2に所定の光導波目1)′のパタ
ーンに開口3を設け、この面にガラスの屈折率増大に寄
与するT l + Cs r T :L等の一価の陽イ
オンを含む溶融塩等の媒質を接触させ、この媒9中に含
まれる陽イオンとガラス中のアルカリイオンとの交換で
媒質中のイオンqをマスク開口3を通して基板内に拡散
させることにより、拡散イオンの濃度分布に基づく屈折
率分布をもった断面がほぼ半円形の光導波路!が得られ
る。
また接続される光ファイバの断面形状に合せて上記光導
波路5の断面形状を円形にするには、第1図(イ)の処
理後に、第1図(ロ)のように基板表面からガラスの屈
折率減少に寄与するアルカリイオン乙を拡tF’<させ
る。この2段階イオン交換処理により断面がほぼ円形の
屈折率分布型光導波路jが得られる。
波路5の断面形状を円形にするには、第1図(イ)の処
理後に、第1図(ロ)のように基板表面からガラスの屈
折率減少に寄与するアルカリイオン乙を拡tF’<させ
る。この2段階イオン交換処理により断面がほぼ円形の
屈折率分布型光導波路jが得られる。
上記の基板ガラスとしては、成形性、耐候性、経済性に
優れたソーダライムガラス(例えばS10,27/、!
重it%、CaO/2.!;%、Na2O/3.’1%
、他2,6%)が使用されているが、上記のようにNa
2Oとに20がほぼ同等に含有されている市販のソーダ
ライムガラスを用いてイオン拡散処理を行なった場合、
次のような問題が生じる。
優れたソーダライムガラス(例えばS10,27/、!
重it%、CaO/2.!;%、Na2O/3.’1%
、他2,6%)が使用されているが、上記のようにNa
2Oとに20がほぼ同等に含有されている市販のソーダ
ライムガラスを用いてイオン拡散処理を行なった場合、
次のような問題が生じる。
すなわち、第717(イ)に示した光導波路5の断面内
で、基板の厚み方向(X軸方向)及び基板面平行方向(
y軸方向)でのイオン濃度Cの分布を測定してみると、
その分布は第2図(イ)の如く拡散始点から離れるほど
曲線勾配が綴やかとなる凹型を成している。
で、基板の厚み方向(X軸方向)及び基板面平行方向(
y軸方向)でのイオン濃度Cの分布を測定してみると、
その分布は第2図(イ)の如く拡散始点から離れるほど
曲線勾配が綴やかとなる凹型を成している。
また第1図(ロ)に示した円形タイプの光導波路よでは
、第2図(ロ)に示すように中心から周辺に向けての濃
度勾配はやはり凹型となり、しがも最大濃度は第一図(
イ)の場合に比べてかなり低くなる。
、第2図(ロ)に示すように中心から周辺に向けての濃
度勾配はやはり凹型となり、しがも最大濃度は第一図(
イ)の場合に比べてかなり低くなる。
そして屈折率分布は拡散イオンの濃度分布に依存し、第
2図(イ)、(ロ)のような分布形状となる。
2図(イ)、(ロ)のような分布形状となる。
一方、一般に使用されている屈折率分布型の光ファイバ
ー(以下GI 7アイバーとよぶ)では、その断面内の
屈折率分布が第3図に示すように、(Ω) バラポリツク状であり、したがって第2図−のような屈
折率分布形状を持っ光導波路に第3図の屈折率分布をも
つGI 7アイバーを接続した場合、分布形状の差に起
因して大きな伝送光損失を生じてしまう。
ー(以下GI 7アイバーとよぶ)では、その断面内の
屈折率分布が第3図に示すように、(Ω) バラポリツク状であり、したがって第2図−のような屈
折率分布形状を持っ光導波路に第3図の屈折率分布をも
つGI 7アイバーを接続した場合、分布形状の差に起
因して大きな伝送光損失を生じてしまう。
また第2図(ロ)の分布形状かられがるように、拡散イ
オンの全体量が少ないため充分な屈折率差を確保し難い
という問題もある。
オンの全体量が少ないため充分な屈折率差を確保し難い
という問題もある。
基板として、アルカリ金属(R20)を含有し、R20
のうちNa2OとK2Oの和がり0モル2以上を古め、
且−) Na/ (Na十K)−o、r 〜o、りjの
条件を満たすガラスを使用する。
のうちNa2OとK2Oの和がり0モル2以上を古め、
且−) Na/ (Na十K)−o、r 〜o、りjの
条件を満たすガラスを使用する。
以下本発明についてさらに詳しく説明する。
従来の基板ガラスを用いた場合のイオン拡散処理後にお
けるイオン濃度分布曲線(第2図(イ))は、一般に知
られている拡W・の式 c−coerrc<x/2V1丁)から予想さレル分布
に近い。
けるイオン濃度分布曲線(第2図(イ))は、一般に知
られている拡W・の式 c−coerrc<x/2V1丁)から予想さレル分布
に近い。
上aji式でCoは拡散開始点濃度、Cはこの点から距
離Xの点における濃度、tは時間、Dは拡散係数、er
t”cは誤差函数である。つまり従来の場合、拡散係数
りの濃度依存性が小さいことを示している。
離Xの点における濃度、tは時間、Dは拡散係数、er
t”cは誤差函数である。つまり従来の場合、拡散係数
りの濃度依存性が小さいことを示している。
いま−次元の拡散を考えると、拡散距離をx1拡拡散間
なtとして濃度分布は、 C−00erfO(x/ 、2 f丁! ’)
−・・・−(1)の式で与えられる。
なtとして濃度分布は、 C−00erfO(x/ 、2 f丁! ’)
−・・・−(1)の式で与えられる。
このとき拡散係数りの濃度依存性を考慮すると、D =
D□ exp(EC/Co) =−・・
・(2!1の関係となる。
D□ exp(EC/Co) =−・・
・(2!1の関係となる。
ここでルの値が濃度分布に与える効果を図で示すと第5
図のようになる。第3図中の各曲線は、eAが2.、f
、’10.jOの各位のときにおけるx/ 2 f正と
規格化濃度C/Coとの関係を表わしている。
図のようになる。第3図中の各曲線は、eAが2.、f
、’10.jOの各位のときにおけるx/ 2 f正と
規格化濃度C/Coとの関係を表わしている。
同図からeAが大きくなる(Aが大きくなる)はど濃度
分布が前述の凸型分布となることがわがる。
分布が前述の凸型分布となることがわがる。
本発明者らは、拡散イオンの拡散係数のに度依存性が屈
折率分布形状に大きな影響を及ぼしており、濃度依存性
を高めて濃度の高い部分はど拡散速度を速めてやれば凸
型の分布に変えられることに着目し、上記要求を満たす
基板ガラス組成について実験検討を重ねた結果、Na2
O/(Na20十に20)の比が0.5ないしo、qs
の範囲内にあるとき、拡散イオンの拡散係数の濃度依存
定数Rが最大値を示すことを見い出した。
折率分布形状に大きな影響を及ぼしており、濃度依存性
を高めて濃度の高い部分はど拡散速度を速めてやれば凸
型の分布に変えられることに着目し、上記要求を満たす
基板ガラス組成について実験検討を重ねた結果、Na2
O/(Na20十に20)の比が0.5ないしo、qs
の範囲内にあるとき、拡散イオンの拡散係数の濃度依存
定数Rが最大値を示すことを見い出した。
また本発明ガラスの好ましい組成範囲はモル%で、5i
02:lIj〜ざ5%、R20:3〜35%1B203
’Oん75%、Al2O3:0〜7%、ZrO2:0〜
.2%、ZnO:O−x。
02:lIj〜ざ5%、R20:3〜35%1B203
’Oん75%、Al2O3:0〜7%、ZrO2:0〜
.2%、ZnO:O−x。
%、 CaO+MgO+BaO:(II 〜/2%であ
る0〔作 用〕 ガラス中に拡散するイオンの拡散係数の濃度依存性が増
大し、つまり拡散するイオンの拡散速度が濃度によって
異なり、濃度の高い部分はど速くなり、結果として分布
曲線の中だるみが持ち上げられた第1)図(イ)、(ロ
)に示すような凸型の屈折率分布曲線が得られる。
る0〔作 用〕 ガラス中に拡散するイオンの拡散係数の濃度依存性が増
大し、つまり拡散するイオンの拡散速度が濃度によって
異なり、濃度の高い部分はど速くなり、結果として分布
曲線の中だるみが持ち上げられた第1)図(イ)、(ロ
)に示すような凸型の屈折率分布曲線が得られる。
[実 飾 例〕
第1表に示す各組成をもつ6種類のガラス基板を用意し
、この基板の表面をスパッタリング法で付着させた金属
膜で被5シし、この金属膜に周知のフォトリングラフィ
技術を用いて5〜l01)m幅の開口を設け、!;50
°Cに保持した硝飯タリウムを約100分間接触させて
Tlイオンを被膜ljN口を通して基板内に拡散させた
。
、この基板の表面をスパッタリング法で付着させた金属
膜で被5シし、この金属膜に周知のフォトリングラフィ
技術を用いて5〜l01)m幅の開口を設け、!;50
°Cに保持した硝飯タリウムを約100分間接触させて
Tlイオンを被膜ljN口を通して基板内に拡散させた
。
上記のT7?イオン拡散処理を終えた各試料中のTle
度分布をX線マイクロアナライザ装置を用い第 l
表 単位モル% て測定し、各試料について前述の(1)式から種々の濃
度での拡散係WIDを求め、この結果をもとに前述(2
)式から各試料について、拡散係数の濃度依存係数ルを
求めた。
度分布をX線マイクロアナライザ装置を用い第 l
表 単位モル% て測定し、各試料について前述の(1)式から種々の濃
度での拡散係WIDを求め、この結果をもとに前述(2
)式から各試料について、拡散係数の濃度依存係数ルを
求めた。
一例として、第1表の&jの試料について規格化拡散濃
度C/Coと、拡散係数D(ぜ/5ec)との関係を第
7図に示す。同線図を用いて D−D□e、rp(A C/co) の式から4を求
めるとルー6.2となる。
度C/Coと、拡散係数D(ぜ/5ec)との関係を第
7図に示す。同線図を用いて D−D□e、rp(A C/co) の式から4を求
めるとルー6.2となる。
上記方法で求めたA/”&6試料の)の値を第1表およ
び第6図に示した。
び第6図に示した。
第6図は横軸K Na2O/ (Na20+ K2O)
の比をとり、たて軸にルをとっている。第6図から明ら
力)なように、基板ガラス中のNa2O/ (Na20
+に20)の比率が増大するにつれて濃度依存係数は
増大する傾向を示すが、上記比率が0.7!;ないしO
lを付近で極大値となり、それより大きい組成範囲では
崖の値が急激に減少することがわかる。そして1Ja2
0 / (NazO十に20)の比率をo、sないし0
.95、xrr−1−1/ IJ /l /fPl+
I /l 077+l1NRF 准Aことにより、目的
とする凸型を成したバラポリツクに近い濃度分布が得ら
れる。
の比をとり、たて軸にルをとっている。第6図から明ら
力)なように、基板ガラス中のNa2O/ (Na20
+に20)の比率が増大するにつれて濃度依存係数は
増大する傾向を示すが、上記比率が0.7!;ないしO
lを付近で極大値となり、それより大きい組成範囲では
崖の値が急激に減少することがわかる。そして1Ja2
0 / (NazO十に20)の比率をo、sないし0
.95、xrr−1−1/ IJ /l /fPl+
I /l 077+l1NRF 准Aことにより、目的
とする凸型を成したバラポリツクに近い濃度分布が得ら
れる。
次に分布是正効果を確認するために以下の実験を行なっ
た。
た。
Tlイオン拡散処理を終えた基板の表面からマスク膜を
除去した後、基板の両面間に約/ V /amの弱い直
流電界を印加しつつ、硝酸カリウムの溶融塩を550″
Cで約120分間接触させ、Kイオンをガラス内に拡散
させたところ、深さ方向63μm。
除去した後、基板の両面間に約/ V /amの弱い直
流電界を印加しつつ、硝酸カリウムの溶融塩を550″
Cで約120分間接触させ、Kイオンをガラス内に拡散
させたところ、深さ方向63μm。
幅方向ざ0μmの断面が円形に近い屈折率分布型光導波
路が得られた。この導波路の断面内でのTJイオン濃度
分布は中央50μm径の範囲でほぼ二乗分布であった。
路が得られた。この導波路の断面内でのTJイオン濃度
分布は中央50μm径の範囲でほぼ二乗分布であった。
さらにこの導波路端部に、コア径50μm、外径125
μmの市販の屈折率分布型光ファイバ(GI−jO)を
接続して損失を測定したところ、04dB以下と極めて
小さい値であった。
μmの市販の屈折率分布型光ファイバ(GI−jO)を
接続して損失を測定したところ、04dB以下と極めて
小さい値であった。
ここで本発明で使用する基板ガラス組成の望ましい範囲
について詳述すると、5102はガラスの骨格となる成
分であり、15%未満ではガラスの耐久性、安定性が減
少し、!j%を越えると溶融温度が上昇し、また他の構
成成分の必要量が確保されず大きな屈折率差をもつレン
ズが得られなくなるのでits〜lr5%の範囲内とす
ることが望ましい。
について詳述すると、5102はガラスの骨格となる成
分であり、15%未満ではガラスの耐久性、安定性が減
少し、!j%を越えると溶融温度が上昇し、また他の構
成成分の必要量が確保されず大きな屈折率差をもつレン
ズが得られなくなるのでits〜lr5%の範囲内とす
ることが望ましい。
B2O3は添加することによってガラスの溶解が容易に
なるが、あまり多回に入れると揮発による脈理が発生し
たり、イオン交換によってレンズ部分の変形が生じたり
するので、含有テの範囲は0〜75%が望ましい。Zn
Oはガラス化範囲を広げ溶融温度を低下させ、耐失透性
、耐久性の向上に寄与するほか、イオン交換−1度を遅
くする影響が他の二価の修#酸化物に比べて小さい。し
かし205gを越えると耐久性が悪くなるので0−20
%の範囲内とすることが望ましい。ZrO2はガラスの
耐候性を向上させる効果がきわめて大であるが、2%を
越えると不溶解を生じやすくなるので、その含有量範囲
はO−2%が望ましい。Al2O3はzro2と同様ガ
ラスの耐候性、イオン交換時の耐溶融塩性向上に寄与す
るが、7%を越えると溶解性を悪化させるので0〜7%
の範囲内とすることが望ましく、ざらに0−5%の範囲
内が好ましい。
なるが、あまり多回に入れると揮発による脈理が発生し
たり、イオン交換によってレンズ部分の変形が生じたり
するので、含有テの範囲は0〜75%が望ましい。Zn
Oはガラス化範囲を広げ溶融温度を低下させ、耐失透性
、耐久性の向上に寄与するほか、イオン交換−1度を遅
くする影響が他の二価の修#酸化物に比べて小さい。し
かし205gを越えると耐久性が悪くなるので0−20
%の範囲内とすることが望ましい。ZrO2はガラスの
耐候性を向上させる効果がきわめて大であるが、2%を
越えると不溶解を生じやすくなるので、その含有量範囲
はO−2%が望ましい。Al2O3はzro2と同様ガ
ラスの耐候性、イオン交換時の耐溶融塩性向上に寄与す
るが、7%を越えると溶解性を悪化させるので0〜7%
の範囲内とすることが望ましく、ざらに0−5%の範囲
内が好ましい。
CaO、MgO、BaOはガラス化ffi囲を広げガラ
スの耐久性向上に寄与し、これらの合計量でO〜/−%
の範囲内で含有させることが望ましい。
スの耐久性向上に寄与し、これらの合計量でO〜/−%
の範囲内で含有させることが望ましい。
本発明に係るガラス組成として、上記成分以外にsro
、pbo、’rio2.La2O3から選んだ一秤また
は二種以上の成分を合計量でr%以下の範囲で含有させ
ることができる。これら成分はガラス化範囲の拡大とガ
ラスの溶解性向上のために効果があるが、上記範囲を越
えて多量に入れるとイオン交換が円滑に進行しにくくな
る。
、pbo、’rio2.La2O3から選んだ一秤また
は二種以上の成分を合計量でr%以下の範囲で含有させ
ることができる。これら成分はガラス化範囲の拡大とガ
ラスの溶解性向上のために効果があるが、上記範囲を越
えて多量に入れるとイオン交換が円滑に進行しにくくな
る。
さらに本発明に係るガラスは、ガラス溶解時の清澄剤と
して使用される5b2o3やAS203を015%以下
の範囲で含有していてよい。
して使用される5b2o3やAS203を015%以下
の範囲で含有していてよい。
本発明によれば、屈折率分布形状が光ファイバのそれと
ほぼ等しい光導波路を得ることができ、したがって分岐
・合流、分波・合波等の光導波回路を低損失で容易に実
現できる。
ほぼ等しい光導波路を得ることができ、したがって分岐
・合流、分波・合波等の光導波回路を低損失で容易に実
現できる。
第1図(イ)、(ロ)はイオン交換拡散で基数ガラス内
に光導波路を形成する方法を示す断面図、第2図(イ)
、(ロ)は従来の基板ガラスを用いた場合の拡散処理後
のr度分布を示す図、第3図は屈折率分布型光ファイバ
に才5ける屈折率分布形状を示す図、第グ図(イ)、(
ロ)は本発明の基板ガラスで得られる拡散一度分布を示
す図、第5図は、拡散係数DK濃度壽 依存係娶llを導入したとき崖の値が濃度分布に与える
効果を示す図、第6図は基板ガラス中のNa2OとK2
Oの含有量比を種々変えた場合の上記濃度依存係数ルを
実測データから求めた結果を示す図、第7図は第6図の
ルの値の算出に用いた拡散濃度と拡だf係数との関係線
図の一例を示す図である。 / ・・ガラス基板 2・・・マスク膵3・・・開 ロ
り、計・・・・拡散イオンj・ 先導波路 C−プIIIへ弘1 第1図 第2図 (1) (ロ)第3図 第4図 (’r) C口)2Mπ 第7図 規格化拡散濃度 C/C。 手 続 補 正 書
に光導波路を形成する方法を示す断面図、第2図(イ)
、(ロ)は従来の基板ガラスを用いた場合の拡散処理後
のr度分布を示す図、第3図は屈折率分布型光ファイバ
に才5ける屈折率分布形状を示す図、第グ図(イ)、(
ロ)は本発明の基板ガラスで得られる拡散一度分布を示
す図、第5図は、拡散係数DK濃度壽 依存係娶llを導入したとき崖の値が濃度分布に与える
効果を示す図、第6図は基板ガラス中のNa2OとK2
Oの含有量比を種々変えた場合の上記濃度依存係数ルを
実測データから求めた結果を示す図、第7図は第6図の
ルの値の算出に用いた拡散濃度と拡だf係数との関係線
図の一例を示す図である。 / ・・ガラス基板 2・・・マスク膵3・・・開 ロ
り、計・・・・拡散イオンj・ 先導波路 C−プIIIへ弘1 第1図 第2図 (1) (ロ)第3図 第4図 (’r) C口)2Mπ 第7図 規格化拡散濃度 C/C。 手 続 補 正 書
Claims (3)
- (1)アルカリ金属酸化物(R_2O)を含有し、R_
2OのうちNa_2OとK_2Oの和が90モル%以上
を占め、且つNa/(Na+K)=0.5〜0.95で
ある組成をもつ基板ガラス中に、一価の陽イオンの濃度
分布で屈折率分布を形成したことを特徴とする屈折率分
布型光学素子。 - (2)前記基板の組成がモル%で、SiO_2=45〜
85%、R_2O=3〜35%、B_2O_3=0〜1
5%、Al_2O_3=0〜7%、ZrO_2=0〜2
%、ZnO=0〜20%、CaO+MgO+BaO=0
〜12%である特許請求の範囲第1項記載の屈折率分布
型光学素子。 - (3)前記屈折率分布領域が基板の断面内で略円形を成
した光導波路である特許請求の範囲第1項記載の屈折率
分布型光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP151087A JPS63169601A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 屈折率分布型光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP151087A JPS63169601A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 屈折率分布型光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169601A true JPS63169601A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11503478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP151087A Pending JPS63169601A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 屈折率分布型光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169601A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03150239A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低損失埋込み導波路の製造方法 |
EP1757964A1 (en) * | 2004-05-21 | 2007-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Graded-index optical member, manufacturing methodd of graded-index optical member, optical module, and manufacturing method of an optical module |
JP2011088763A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Asahi Glass Co Ltd | ディスプレイ装置用ガラス板、ディスプレイ装置用板ガラスおよびその製造方法 |
WO2018155105A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 日本電気硝子株式会社 | 光学ガラス |
JP2018140928A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-13 | 日本電気硝子株式会社 | 光学ガラス |
Citations (4)
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-
1987
- 1987-01-07 JP JP151087A patent/JPS63169601A/ja active Pending
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EP1757964A4 (en) * | 2004-05-21 | 2011-04-06 | Panasonic Corp | OPTICAL LINK WITH GRADUATED INDEX, MANUFACTURING METHOD FOR AN OPTICAL LINK WITH GRADUATED INDEX, OPTICAL MODULE AND MANUFACTURING PROCESS FOR AN OPTICAL MODULE |
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