JPS63169376A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS63169376A JPS63169376A JP84387A JP84387A JPS63169376A JP S63169376 A JPS63169376 A JP S63169376A JP 84387 A JP84387 A JP 84387A JP 84387 A JP84387 A JP 84387A JP S63169376 A JPS63169376 A JP S63169376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plasma
- wafer holder
- wafer support
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用弁！ｆ）
この発明はスパッタによりウェーハが受けるダメージを
軽減したスパッタ装置に関するものである。
軽減したスパッタ装置に関するものである。
〔従来の技術）
第２図は従来のスパッタ装置を示す。図において、１は
反応チャンバーで、アースされている。
反応チャンバーで、アースされている。
２はＲＦ Ｔｉ、極で、その内部にガス導入路３が形成
され、絶縁シール４を介して前記反応チャンバー１に取
り付けられている。前記ガス導入路３の先端のガス導入
「１５から不活性ガスと反応ガスの混合ガスが導入され
る。６は前記反応チャンバー１に設けたガス排気口で、
このガス排気口６から未反応ガス等が排出される。７は
ウェーハＵを載置するウェーハ支持台で、面記ＲＦ電極
２に対向させ、絶縁シール８を介して前記反応チャンバ
ーＩに取り付けられている。９は前記ＲＦ電極２に電圧
を印加するＲＦジャネレータ、１０は前記つ工−ハ支持
台７にバイアスをかけるＲＦジェネレータ、１１はＲＦ
ジェネレータ９．１０を整合する整合ｆｉｉｌ路である
。
され、絶縁シール４を介して前記反応チャンバー１に取
り付けられている。前記ガス導入路３の先端のガス導入
「１５から不活性ガスと反応ガスの混合ガスが導入され
る。６は前記反応チャンバー１に設けたガス排気口で、
このガス排気口６から未反応ガス等が排出される。７は
ウェーハＵを載置するウェーハ支持台で、面記ＲＦ電極
２に対向させ、絶縁シール８を介して前記反応チャンバ
ーＩに取り付けられている。９は前記ＲＦ電極２に電圧
を印加するＲＦジャネレータ、１０は前記つ工−ハ支持
台７にバイアスをかけるＲＦジェネレータ、１１はＲＦ
ジェネレータ９．１０を整合する整合ｆｉｉｌ路である
。
次に、動作を説明する。
ウェーハ支持台７にウェーハＵを載置し、所定の圧力下
で、ウェーハ支持台７にＲＦジェネレータ１０により電
圧を印加するとともに、電極２にＲＦジェネレータ９に
よりバイアスをかけると、前記ウェーハ支持台７と電極
２との間にグロー放電が生じ、ブラダが発生し、発生し
たプラズマ粒子はウェーハＵに１度衝突すると飛散し、
ライフタイムを終える。しかし、プラズマ粒子が繰り返
しウェーハＵに衝突するのでウェーハ上では成膜とエツ
チングか同時に進行する。エツチングレートはエツチン
グイオンの入射角により異なり、段差部では他の部分に
比してエツチング量が多くなる。第３図にこの方法によ
り形成した層間絶膜２０と二層配線２１の一例を示す。
で、ウェーハ支持台７にＲＦジェネレータ１０により電
圧を印加するとともに、電極２にＲＦジェネレータ９に
よりバイアスをかけると、前記ウェーハ支持台７と電極
２との間にグロー放電が生じ、ブラダが発生し、発生し
たプラズマ粒子はウェーハＵに１度衝突すると飛散し、
ライフタイムを終える。しかし、プラズマ粒子が繰り返
しウェーハＵに衝突するのでウェーハ上では成膜とエツ
チングか同時に進行する。エツチングレートはエツチン
グイオンの入射角により異なり、段差部では他の部分に
比してエツチング量が多くなる。第３図にこの方法によ
り形成した層間絶膜２０と二層配線２１の一例を示す。
従来のスパッタ装置は、上記のように構成したから、例
えば第３図に示す能動領域２２のように直接プラズマに
曝れる箇所は、前記プラズマによりダメージ（図中、矢
印で示す）を受けるという問題点があった。
えば第３図に示す能動領域２２のように直接プラズマに
曝れる箇所は、前記プラズマによりダメージ（図中、矢
印で示す）を受けるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ウェーハＵの受けるダメージを軽減するス
パッタ装置を得ることを目的とする。
れたもので、ウェーハＵの受けるダメージを軽減するス
パッタ装置を得ることを目的とする。
この発明に係るスパッタ装置は、バイアスをかけてウェ
ーハ支持台と、このウェーハ支持台に対向させて設けた
電極との間に高電圧をかけて発生させたプラズマにより
、前記ウェーハ支持台上のウェーハに成１摸するスパッ
タ装置であって、前記ウェーハ支持台近傍のプラズマを
閉じ込める磁界発生手段を設けている。
ーハ支持台と、このウェーハ支持台に対向させて設けた
電極との間に高電圧をかけて発生させたプラズマにより
、前記ウェーハ支持台上のウェーハに成１摸するスパッ
タ装置であって、前記ウェーハ支持台近傍のプラズマを
閉じ込める磁界発生手段を設けている。
この発明における磁界発生手段は、ウェーハ支持台近傍
のプラズマを閉じ込める構成にしたので、磁界中のプラ
ズマは回転しながら、ライフタイム中に、数回、ウェー
ハと衝突を繰り返してウェーハをエツチングし、ウェー
ハの受けるダメージを軽減する。
のプラズマを閉じ込める構成にしたので、磁界中のプラ
ズマは回転しながら、ライフタイム中に、数回、ウェー
ハと衝突を繰り返してウェーハをエツチングし、ウェー
ハの受けるダメージを軽減する。
第１図はこの発明の一実施例を示す。図において、１〜
１１、Ｕは第２図と同一部分を示す。
１１、Ｕは第２図と同一部分を示す。
１２は磁界発生手段としての永久磁石で餅記ウェーハ支
持台７の下部に取り付けられ、このウェーハ支持台７近
傍のプロズマを閉じ込めている。
持台７の下部に取り付けられ、このウェーハ支持台７近
傍のプロズマを閉じ込めている。
この実施例が従来例と相違する点は、プラズマ粒子が磁
石１２の発生する磁界により閉じ込められる点である。
石１２の発生する磁界により閉じ込められる点である。
プラズマ粒子が磁界に閉じ込められると、プラズマ粒子
は回転運動をしながら、ライフタイム中に、何度も、ウ
ェーハＵに衝突することになり、スパッタが軽減される
。
は回転運動をしながら、ライフタイム中に、何度も、ウ
ェーハＵに衝突することになり、スパッタが軽減される
。
以上のように、この発明よれば、プラズマを磁界中に閉
じ込める構成にしたので、スパッタに起因するウェーハ
のダメージを軽減することができるという効果がある。
じ込める構成にしたので、スパッタに起因するウェーハ
のダメージを軽減することができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来のスパッタ装置を示す断面図、第３図は第２図に示す
スパッタ装置による成膜説明図である。 図において、２は電極、７はウェーハ支持台、１２は磁
石、Ｕはウェーハである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
来のスパッタ装置を示す断面図、第３図は第２図に示す
スパッタ装置による成膜説明図である。 図において、２は電極、７はウェーハ支持台、１２は磁
石、Ｕはウェーハである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- バイアスをかけたウェーハ支持台と、このウェーハ支持
台に対向させて設けた電極との間に高電圧をかけて発生
させたプラズマにより、前記ウェーハ支持台上のウェー
ハに成膜するスパッタ装置において、前記ウェーハ支持
台近傍のプラズマを閉じ込める磁気発生手段を備えたこ
とを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP84387A JPS63169376A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP84387A JPS63169376A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169376A true JPS63169376A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11484905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP84387A Pending JPS63169376A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5228950A (en) * | 1990-12-04 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dry process for removal of undesirable oxide and/or silicon residues from semiconductor wafer after processing |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095913A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造装置 |
| JPS60136230A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Ulvac Corp | 基板表面の整形装置 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP84387A patent/JPS63169376A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6095913A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造装置 |
| JPS60136230A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Ulvac Corp | 基板表面の整形装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5228950A (en) * | 1990-12-04 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Dry process for removal of undesirable oxide and/or silicon residues from semiconductor wafer after processing |
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