JPS63166302A - 分波器 - Google Patents
分波器Info
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- JPS63166302A JPS63166302A JP61309179A JP30917986A JPS63166302A JP S63166302 A JPS63166302 A JP S63166302A JP 61309179 A JP61309179 A JP 61309179A JP 30917986 A JP30917986 A JP 30917986A JP S63166302 A JPS63166302 A JP S63166302A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
この発明は、比較的離れた2つの周波数成分を含む高周
波信号から、その一方のみを取り出すのに使用される分
波器に関し、例えば超高周波(マイクロ波)受信器にお
いて、ミキサ出力に含まれるローカル信号(RF)とI
F信号の分離に利用できる分波器に関するものである。
波信号から、その一方のみを取り出すのに使用される分
波器に関し、例えば超高周波(マイクロ波)受信器にお
いて、ミキサ出力に含まれるローカル信号(RF)とI
F信号の分離に利用できる分波器に関するものである。
〔従来の技術)
従来の高周波帯域において、周波数差のある高、低2波
の信号成分を分離し、そのうちの一方(ここでは、便宜
上低周波数成分として説明する)のみを取り出すために
、第7図に示すような回路構成が用いられている。
の信号成分を分離し、そのうちの一方(ここでは、便宜
上低周波数成分として説明する)のみを取り出すために
、第7図に示すような回路構成が用いられている。
この図において、11はバイパスフィルタ(以下HP
Fという)、12はローパスフィルタ(以下LPFとい
う)である。
Fという)、12はローパスフィルタ(以下LPFとい
う)である。
このような回路構成において重要なことは、入力側から
見たインピーダンスを一定に保つために、HPFllと
LPF12のクロスオーバ部分の特性を相補的に良く合
せることであるが、信号周波数がマイクロ波帯に及ぶよ
うになると、このことは極めて困難になってくる。
見たインピーダンスを一定に保つために、HPFllと
LPF12のクロスオーバ部分の特性を相補的に良く合
せることであるが、信号周波数がマイクロ波帯に及ぶよ
うになると、このことは極めて困難になってくる。
このため、第8図、第9図に示すような構成が用いられ
ている。
ている。
これらの図において、13はアイソレータ、14はLP
F、15はバイパスフィルタ(以下BPFという)であ
る。
F、15はバイパスフィルタ(以下BPFという)であ
る。
これらは、一方(高周波側)の周波数成分の帯域のアイ
ソレータ13の出力側に他方(低周波側)の成分のみを
通過させるLPF14あるいはBPF15を設け、高周
波数の成分をこれらで反射させてアイソレータ13に吸
収させるものである。この場合、入力側から見たインピ
ーダンスはアイソレータ13のみで決まり一定値に保た
れる。
ソレータ13の出力側に他方(低周波側)の成分のみを
通過させるLPF14あるいはBPF15を設け、高周
波数の成分をこれらで反射させてアイソレータ13に吸
収させるものである。この場合、入力側から見たインピ
ーダンスはアイソレータ13のみで決まり一定値に保た
れる。
しかし、上記のような構成の分波器で用いられるアイソ
レータとしては、広帯域のRF傷信号対応することが要
求され、アイソレータが高価で大型となるため、分波器
も高価で大型のものになるという問題点があった。
レータとしては、広帯域のRF傷信号対応することが要
求され、アイソレータが高価で大型となるため、分波器
も高価で大型のものになるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、安価で簡単な構成、かつ広帯域で高周波数帯の信
号に対して良好な整合を保つことができる分波器を提供
することを目的とする。
ので、安価で簡単な構成、かつ広帯域で高周波数帯の信
号に対して良好な整合を保つことができる分波器を提供
することを目的とする。
この発明に係る分波器は、高周波帯の信号が伝送される
伝送線路の入力方向から出力方向に向って、その減衰量
が徐々に増加するように特定の周波数成分に対する吸収
量の多い電波吸収体を配置したものである。
伝送線路の入力方向から出力方向に向って、その減衰量
が徐々に増加するように特定の周波数成分に対する吸収
量の多い電波吸収体を配置したものである。
(作用)
この発明においては、伝送線路の入力方向から出力方向
に伝送される信号のうちの一定の周波数成分が電波吸収
体によりて次第に減衰され、その出力として特定の周波
数成分が除去された信号が得られる。
に伝送される信号のうちの一定の周波数成分が電波吸収
体によりて次第に減衰され、その出力として特定の周波
数成分が除去された信号が得られる。
また、減衰量が徐々に増加するように配置されることに
より、特定の周波数成分における入力端反射減衰量(整
合度)も良好になる。
より、特定の周波数成分における入力端反射減衰量(整
合度)も良好になる。
(実施例)
第1図(a)〜(C)はこの発明の分波器の一実施例の
構成を示す分解斜視図、断面図および蓋を取った状態の
上面図である。
構成を示す分解斜視図、断面図および蓋を取った状態の
上面図である。
これらの図において、1は誘電体基板、2は伝送線路を
構成するストリップ導体、2aは入力端、2bは出力端
、3は誘電体、4は電波吸収体、5は金属台、6は金属
製の蓋である。
構成するストリップ導体、2aは入力端、2bは出力端
、3は誘電体、4は電波吸収体、5は金属台、6は金属
製の蓋である。
次にその構成について説明する。
まず、第1図(a)に示したように、金属台5の上に、
テーパをつけたストリップ導体2が表面に形成された誘
電体基板1を置き、その上に、このストリップ導体2と
接触するように誘電体3と電波吸収体4を置き、さらに
その上から金属製の蓋6を重ねる。蓋6は止ネジ等(図
では省略されている)で、金属台5に締め付ける。誘電
体3と電波吸収体4の厚さを等しくし、これと誘電体基
板1の厚さを加えたものと金属台5の凹部の深さを等し
くすると、蓋6を金属台5に締め付けたとき、これらは
すき間なく重なる。これを中心付近で切断したときの断
面図は第1図(b)に示すようになり、周知のようにス
トリップ導体2の両端を人、出力端2a、 2bとする
ストリップラインと呼ばれる高周波伝送線路が形成され
る。
テーパをつけたストリップ導体2が表面に形成された誘
電体基板1を置き、その上に、このストリップ導体2と
接触するように誘電体3と電波吸収体4を置き、さらに
その上から金属製の蓋6を重ねる。蓋6は止ネジ等(図
では省略されている)で、金属台5に締め付ける。誘電
体3と電波吸収体4の厚さを等しくし、これと誘電体基
板1の厚さを加えたものと金属台5の凹部の深さを等し
くすると、蓋6を金属台5に締め付けたとき、これらは
すき間なく重なる。これを中心付近で切断したときの断
面図は第1図(b)に示すようになり、周知のようにス
トリップ導体2の両端を人、出力端2a、 2bとする
ストリップラインと呼ばれる高周波伝送線路が形成され
る。
蓋6を取った状態を示す第1図(c)より明らかなよう
に、ストリップ導体2と誘電体3.電波吸収体4の接触
面積は相補的に変化するようになっている。
に、ストリップ導体2と誘電体3.電波吸収体4の接触
面積は相補的に変化するようになっている。
すなわち、誘電体3とストリップ導体2との接触面積が
入力端2a側で大きく出力端2bに向って次第に小さく
なってゆくのに対し、電波吸収体4とストリップ導体2
との接触面積は逆に入力端2a側で小さく出力端2b側
に向って次第に大きくなるように構成しである。これは
電波吸収体4の装荷による線路インピーダンスの変化が
急激に起こらないようにして、電波吸収体4の吸収効果
の大籾い周波数帯域における入力端反射減衰量特性を良
好にするためである。
入力端2a側で大きく出力端2bに向って次第に小さく
なってゆくのに対し、電波吸収体4とストリップ導体2
との接触面積は逆に入力端2a側で小さく出力端2b側
に向って次第に大きくなるように構成しである。これは
電波吸収体4の装荷による線路インピーダンスの変化が
急激に起こらないようにして、電波吸収体4の吸収効果
の大籾い周波数帯域における入力端反射減衰量特性を良
好にするためである。
また、ストリップ導体2の幅を誘電体3あるいは電波吸
収体4との接触面積に応じて変化させているのは、電波
吸収体4の吸収効果の小さい周波数帯域において、これ
らの誘電体3と電波吸収体4の定数(誘電率、透磁率)
の差による伝送線路の特性インピーダンスの変化を補償
して一定に保つようにするためである。この実施例では
誘電体3の誘電率より電波吸収体4の誘電率が高い場合
を想定している(仮にこれらの誘電率の大小が逆の場合
は、これらの接触面積とストリップ導体2の幅との関係
も逆転させればよく、これは例えば第1図(a)〜(e
)においてストリップ導体2を逆向きに形成した場合に
相当する。
収体4との接触面積に応じて変化させているのは、電波
吸収体4の吸収効果の小さい周波数帯域において、これ
らの誘電体3と電波吸収体4の定数(誘電率、透磁率)
の差による伝送線路の特性インピーダンスの変化を補償
して一定に保つようにするためである。この実施例では
誘電体3の誘電率より電波吸収体4の誘電率が高い場合
を想定している(仮にこれらの誘電率の大小が逆の場合
は、これらの接触面積とストリップ導体2の幅との関係
も逆転させればよく、これは例えば第1図(a)〜(e
)においてストリップ導体2を逆向きに形成した場合に
相当する。
特定の周波数成分に対する吸収量の多い電波吸収体4と
しては、高周波数成分のみを減衰させるような特性のも
のを選んでおけば、出力端2bには低周波数成分のみが
伝送される。このとき高周波数成分は整合負荷に吸収さ
れる形となるので、入力端2aへの反射は起こらない。
しては、高周波数成分のみを減衰させるような特性のも
のを選んでおけば、出力端2bには低周波数成分のみが
伝送される。このとき高周波数成分は整合負荷に吸収さ
れる形となるので、入力端2aへの反射は起こらない。
第2図は実際に用いられる電波吸収体4の減衰量(吸収
i)−周波数特性の一例を示す図であり、第3図は、第
2図に示した特性の電波吸収体4を用いて構成した分波
器の伝送特性の一例を示す図である。
i)−周波数特性の一例を示す図であり、第3図は、第
2図に示した特性の電波吸収体4を用いて構成した分波
器の伝送特性の一例を示す図である。
すなわち、第3図より、3〜7GHzの信号成分と50
0MHz以下の信号成分とは20dB以上の減衰量の差
で分離でき、全帯域にわたって整合も良好であることが
わかる。
0MHz以下の信号成分とは20dB以上の減衰量の差
で分離でき、全帯域にわたって整合も良好であることが
わかる。
この実施例の場合、接地面(金属台5の凹部の幅)を約
20mm、伝送線路(ストリップ導体2)の長さを約5
0mmとしており、極めて小形、軽量で十分な性能が得
られる。
20mm、伝送線路(ストリップ導体2)の長さを約5
0mmとしており、極めて小形、軽量で十分な性能が得
られる。
一方、より大きな分離度、あるいは良い整合度が要求さ
れる場合は、伝送線路の全長を長くし、ストリップ導体
2と電波吸収体4との接触面積の変化をゆるやかにする
ことにより容易に実現できる。
れる場合は、伝送線路の全長を長くし、ストリップ導体
2と電波吸収体4との接触面積の変化をゆるやかにする
ことにより容易に実現できる。
また、誘電体3の誘電率と等しい誘電率の電波吸収体4
を用いることが可能な場合や整合度の要求が厳しくない
場合には、第4図(a)〜(C)の実施例に示すように
、ストリップ導体2の幅を一定にして構成することがで
き、設計が簡単となる。
を用いることが可能な場合や整合度の要求が厳しくない
場合には、第4図(a)〜(C)の実施例に示すように
、ストリップ導体2の幅を一定にして構成することがで
き、設計が簡単となる。
また、さらにこの発明は、伝送線路の形態がストリップ
線路のみに限定されるものでなく、あらゆる伝送線路を
用いることが考えられ、例えば第5図(a)〜(C)に
示すようにマイクロストリップ線路に応用してもよいほ
か、第6図(a)。
線路のみに限定されるものでなく、あらゆる伝送線路を
用いることが考えられ、例えば第5図(a)〜(C)に
示すようにマイクロストリップ線路に応用してもよいほ
か、第6図(a)。
(b)に示すように同軸線路に応用してもよく、同様な
効果を得ることができる。なお、これらの図において、
第1図(a)〜(C)と同一符号は同一部材を示し、第
6図(a)、(b)における7は内導体、8は外導体、
9は電波吸収体である。
効果を得ることができる。なお、これらの図において、
第1図(a)〜(C)と同一符号は同一部材を示し、第
6図(a)、(b)における7は内導体、8は外導体、
9は電波吸収体である。
なお、上記実施例では高周波数成分を阻止して低周波数
成分を取り出す場合を中心に述べたが、低周波数成分の
みを吸収する特性の電波吸収体を用いることにより、逆
に高周波数成分のみを取り出す回路も容易に実現できる
ことは自明である。
成分を取り出す場合を中心に述べたが、低周波数成分の
みを吸収する特性の電波吸収体を用いることにより、逆
に高周波数成分のみを取り出す回路も容易に実現できる
ことは自明である。
また、上記実施例では電波吸収体として均質なものを用
いた例について説明したが、電波吸収体の配置はこれに
限定されるものでなく、例えば不均質で吸収量のみが徐
々に増加するようなものを用いることにより、電波吸収
体を同一の形状で配置することが可能になる。
いた例について説明したが、電波吸収体の配置はこれに
限定されるものでなく、例えば不均質で吸収量のみが徐
々に増加するようなものを用いることにより、電波吸収
体を同一の形状で配置することが可能になる。
この発明は以上説明したとおり、高周波帯の信号が伝送
される伝送線路と、その減衰量が徐々に増加するように
前記伝送線路の信号の入力方向から出力方向に向って配
置した特定の周波数成分に対する吸収量の多い電波吸収
体とから構成したので、安価で簡単、小形の構造を持つ
うえ、高性能でその設計の自由度も大きい分波器を得ら
れるという効果がある。
される伝送線路と、その減衰量が徐々に増加するように
前記伝送線路の信号の入力方向から出力方向に向って配
置した特定の周波数成分に対する吸収量の多い電波吸収
体とから構成したので、安価で簡単、小形の構造を持つ
うえ、高性能でその設計の自由度も大きい分波器を得ら
れるという効果がある。
第1図(a)〜(c)はこの発明の分波器の一実施例の
構成を示す分解斜視図、断面図および蓋を取った状態の
上面図、第2図は電波吸収体の減衰量−周波数特性の一
例を示す図、第3図はこの発明の分波器の一実施例の伝
送特性の一例を示す図、第4図(a)〜(C)、第5図
(a)〜(C)、第6図(a)、(b)はこの発明の他
の実施例の構成を説明するための図、第7図、第8図は
従来の分波器の構成を示す図である。 図中、1は誘電体基板、2はストリップ導体、3は誘電
体、4,9は電波吸収体、5は金属台、6は蓋、7は内
導体、8は外導体である。 第1図 6亘 第2図 151゜ 一屑涙教(Gl−1お 第3図 第4図 (C) 第7図 J三続♀山ヱE書(方式) 昭和62年4月 6日
構成を示す分解斜視図、断面図および蓋を取った状態の
上面図、第2図は電波吸収体の減衰量−周波数特性の一
例を示す図、第3図はこの発明の分波器の一実施例の伝
送特性の一例を示す図、第4図(a)〜(C)、第5図
(a)〜(C)、第6図(a)、(b)はこの発明の他
の実施例の構成を説明するための図、第7図、第8図は
従来の分波器の構成を示す図である。 図中、1は誘電体基板、2はストリップ導体、3は誘電
体、4,9は電波吸収体、5は金属台、6は蓋、7は内
導体、8は外導体である。 第1図 6亘 第2図 151゜ 一屑涙教(Gl−1お 第3図 第4図 (C) 第7図 J三続♀山ヱE書(方式) 昭和62年4月 6日
Claims (2)
- (1)高周波帯の信号が伝送される伝送線路と、その減
衰量が徐々に増加するように前記伝送線路の信号の入力
方向から出力方向に向って配置した特定の周波数成分に
対する吸収量の多い電波吸収体とから構成したことを特
徴とする分波器。 - (2)電波吸収体を配置する領域における電波吸収体配
置前の伝送線路特性インピーダンスが、あらかじめ電波
吸収体の配置による乱れを補償するように構成されたも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の分波器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309179A JPH0716121B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309179A JPH0716121B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 分波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63166302A true JPS63166302A (ja) | 1988-07-09 |
JPH0716121B2 JPH0716121B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17989880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61309179A Expired - Lifetime JPH0716121B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 分波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0716121B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006022350A1 (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Omron Corporation | チップアンテナおよびその製造方法 |
JP2006197506A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波増幅装置 |
JP2008135907A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Daido Steel Co Ltd | バンドパスフィルタ |
JP2010050653A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fujikura Ltd | バンドパスフィルタ及びその設計方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48108537U (ja) * | 1972-03-16 | 1973-12-14 | ||
JPS5685403U (ja) * | 1979-12-04 | 1981-07-09 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61309179A patent/JPH0716121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48108537U (ja) * | 1972-03-16 | 1973-12-14 | ||
JPS5685403U (ja) * | 1979-12-04 | 1981-07-09 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006022350A1 (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Omron Corporation | チップアンテナおよびその製造方法 |
JP2006197506A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Yagi Antenna Co Ltd | 高周波増幅装置 |
JP2008135907A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Daido Steel Co Ltd | バンドパスフィルタ |
JP4706861B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2011-06-22 | 大同特殊鋼株式会社 | バンドパスフィルタ |
JP2010050653A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fujikura Ltd | バンドパスフィルタ及びその設計方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0716121B2 (ja) | 1995-02-22 |
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