JPS63166276A - 太陽電池素子の電極形成方法 - Google Patents
太陽電池素子の電極形成方法Info
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- JPS63166276A JPS63166276A JP61311757A JP31175786A JPS63166276A JP S63166276 A JPS63166276 A JP S63166276A JP 61311757 A JP61311757 A JP 61311757A JP 31175786 A JP31175786 A JP 31175786A JP S63166276 A JPS63166276 A JP S63166276A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は厚さ約１００μｍ以下のシリコン（Ｓｉ）基板
上にｐｎ接合を有する薄膜■−ｖ族化合物半導体層が形
成された、例えば宇宙用薄膜■−■族化合物半導体太陽
電池素子の製造法の改良に関し、更に詳細にはシリコン
（Ｓｉ）基板裏面の電極形成方法の改良に関するもので
ある。
上にｐｎ接合を有する薄膜■−ｖ族化合物半導体層が形
成された、例えば宇宙用薄膜■−■族化合物半導体太陽
電池素子の製造法の改良に関し、更に詳細にはシリコン
（Ｓｉ）基板裏面の電極形成方法の改良に関するもので
ある。
〈従来の技術及びその問題点〉
一般に■−Ｖ族化合物半導体材料（以下代表的な■−Ｖ
族化合物半導体材料として特にＧａＡｓを例に挙げて説
明する）を用いた太陽電池はＳｉ太陽電池に比して、高
効率であり、また温度上昇に伴なう効率低下が小さく、
更には耐放射線性が優れているため、その応用分野が拡
大しつつある。
族化合物半導体材料として特にＧａＡｓを例に挙げて説
明する）を用いた太陽電池はＳｉ太陽電池に比して、高
効率であり、また温度上昇に伴なう効率低下が小さく、
更には耐放射線性が優れているため、その応用分野が拡
大しつつある。
しかし、ＧａＡｓ単結晶基板はＳｉ単結晶基板に比較し
て、著しく高価であり、また重いためＧａＡｓ単結晶基
板を用いたＧａＡｓ太陽電池は単位重量当たりの発電能
力が小さいという問題点があった。
て、著しく高価であり、また重いためＧａＡｓ単結晶基
板を用いたＧａＡｓ太陽電池は単位重量当たりの発電能
力が小さいという問題点があった。
最近、特に宇宙用太陽電池の重量能率（単位重量当たり
の出カニＷ／ｙ）を上げることを目的とした研究開発の
一環として、軽量なＳｉ基板上にＧａＡｓ薄膜をＭＯＣ
ＶＤ法やＭＢＥ法によって成長させて、高効率のＧａＡ
ｓ太陽電池を形成する試みが進められている。この試み
は種々の成長条件の改善により、Ｓｉ基板上への高品質
ＧａＡｓ薄膜の成長は可能になりつつあるが、ＧａＡＳ
成長層にはＳｉ基板との熱膨張係数の差に起因する引張
り応力が作用しており、エピタキシャル・ウェノ・に反
りを生じさせる場合があるという問題点が残されている
。例えば第４図に示すように２８０μｍ厚の２インチＳ
ｉ基板１１上に約４μｍのＧａＡｓ薄膜層１２を成長さ
せた場合、ウェハ中央が下に凸の形状に約５０μｍ程度
も反ることが知られている。
の出カニＷ／ｙ）を上げることを目的とした研究開発の
一環として、軽量なＳｉ基板上にＧａＡｓ薄膜をＭＯＣ
ＶＤ法やＭＢＥ法によって成長させて、高効率のＧａＡ
ｓ太陽電池を形成する試みが進められている。この試み
は種々の成長条件の改善により、Ｓｉ基板上への高品質
ＧａＡｓ薄膜の成長は可能になりつつあるが、ＧａＡＳ
成長層にはＳｉ基板との熱膨張係数の差に起因する引張
り応力が作用しており、エピタキシャル・ウェノ・に反
りを生じさせる場合があるという問題点が残されている
。例えば第４図に示すように２８０μｍ厚の２インチＳ
ｉ基板１１上に約４μｍのＧａＡｓ薄膜層１２を成長さ
せた場合、ウェハ中央が下に凸の形状に約５０μｍ程度
も反ることが知られている。
さらにこのＳｉ基板上に成長したＧａＡｓ（以下ＧａＡ
ｓ／Ｓｉと配子）を宇宙胴太’ｔｙＮ池に応用して重量
能率を充分に高めるためには、そのＳｉ基板の厚さと少
なくとも１００μｍ以下に設定する必要があるため、こ
の反りの程度はますます大きくなる。
ｓ／Ｓｉと配子）を宇宙胴太’ｔｙＮ池に応用して重量
能率を充分に高めるためには、そのＳｉ基板の厚さと少
なくとも１００μｍ以下に設定する必要があるため、こ
の反りの程度はますます大きくなる。
幸いＳｉ基板裏面の電極材料として、従来から宇宙用Ｓ
ｉ太陽電池の電極材料として広く用いられ、信頼性の点
からも多くの実績を有するＴｉ−Ｐｄ−Ａｇを採用した
場合、第５図に示すようにその主材料であるＡｇ電極層
１３とＳｉ基板１１間でも両者の熱膨張係数の差Ｇこ起
因した応力がＳｉ基板１１を引張る方向に生じるので、
この電極材。
ｉ太陽電池の電極材料として広く用いられ、信頼性の点
からも多くの実績を有するＴｉ−Ｐｄ−Ａｇを採用した
場合、第５図に示すようにその主材料であるＡｇ電極層
１３とＳｉ基板１１間でも両者の熱膨張係数の差Ｇこ起
因した応力がＳｉ基板１１を引張る方向に生じるので、
この電極材。
料をＧａＡｓ／Ｓｉ太陽電池に適用することで上記エピ
タキシャルウェハの反りの緩和にも役立つことが期待さ
れる。
タキシャルウェハの反りの緩和にも役立つことが期待さ
れる。
しかし従来の電極形成条件（Ａｇ層厚約５μｍ。
蒸着時の基板加熱温度１５０°Ｃ以上）をそのまま用い
た場合にはＡｇとＳｉ基板間で生しる応力の方が強すぎ
、厚さ１００μｍ以下のシリコン基板１１ａを用いたＧ
ａＡｓ／Ｓｉウェハでは第６図に示すように電極形成前
とは逆にウェハ中央が上に凸の形状に反ることが実験的
に明らかになった。
た場合にはＡｇとＳｉ基板間で生しる応力の方が強すぎ
、厚さ１００μｍ以下のシリコン基板１１ａを用いたＧ
ａＡｓ／Ｓｉウェハでは第６図に示すように電極形成前
とは逆にウェハ中央が上に凸の形状に反ることが実験的
に明らかになった。
反りの存在はその形状にかかわらず太陽電池製作工程中
のカバーガラス接着工程やアセンブリーの際の溶接工程
で作業に困難を生じさせ、カバーガラス貼り付け、イン
ターコネクタの溶接等で割れ、歩留りを著るしく低下さ
せていた。本発明は上記の点に鑑みて創案されたもので
あり、カバーガラス接着作業、セル溶接作業等を容易に
行なうことが出来る、反りを有しないＳｉ基板厚さが１
００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太＠電池等の太腹電池Ｖ
族化合物半導体太陽電池素子を製造する′ためのＳｉ基
板裏面の電極形成方法を提供することを目的としている
。
のカバーガラス接着工程やアセンブリーの際の溶接工程
で作業に困難を生じさせ、カバーガラス貼り付け、イン
ターコネクタの溶接等で割れ、歩留りを著るしく低下さ
せていた。本発明は上記の点に鑑みて創案されたもので
あり、カバーガラス接着作業、セル溶接作業等を容易に
行なうことが出来る、反りを有しないＳｉ基板厚さが１
００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太＠電池等の太腹電池Ｖ
族化合物半導体太陽電池素子を製造する′ためのＳｉ基
板裏面の電極形成方法を提供することを目的としている
。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明は厚さ約１００μｍ
以下のシリコン基板上にｐｎ接合を有する薄膜ｌ１１−
４異化合物半導体層が形成された太陽電池素子の電極形
成方法において、上記のシリコン基板の裏面側に電極材
料の少なくとも一部として厚さ約３μｍ以上の銀を基板
加熱温度５０〜１５０℃の条件下で蒸着し、その後上記
の■−ｖ族化合物半導体層側の電極の合金化温度で熱処
理するように構成している。
以下のシリコン基板上にｐｎ接合を有する薄膜ｌ１１−
４異化合物半導体層が形成された太陽電池素子の電極形
成方法において、上記のシリコン基板の裏面側に電極材
料の少なくとも一部として厚さ約３μｍ以上の銀を基板
加熱温度５０〜１５０℃の条件下で蒸着し、その後上記
の■−ｖ族化合物半導体層側の電極の合金化温度で熱処
理するように構成している。
〈発明の詳細な説明〉
従来、Ｓｉ太陽電池の電極形成条件（Ａｇ層厚約５μｍ
１蒸着時の基板加熱温度１５０℃以上）がＧａＡｓ／Ｓ
ｉ太陽電池のＳｉ基板裏面電極形成にもそのまま採用さ
れていたが、厚さが約１００μｍ以下のＳｉ基板Ｉａ上
にｐｎ接合を有する薄膜ＩＩＴ−Ｖ族化合物半導体層、
例えばＧａＡｓ層２の形成された薄型ＧａＡｓ／Ｓｉ太
陽電池の場合には、Ａｇ層３の厚さを約３μｍ以上に、
蒸着時の基板加熱湿度５０〜１５０℃の条件下で電極を
形成し、その後ＧａＡｓ化合物半導体層側電極の合金化
温度で熱処理を施すことで、第１図に示すようにエピタ
キシャル・ウェハが有していた反りをほぼフラットな状
態に緩和することが出来、アセンブリーにあたっても従
来の宇宙用太＠電池の溶接条件をほぼそのまま適用する
ことで従来並みの強度を有する溶接が可能な太陽電池素
子を作製出来ることが確認された。
１蒸着時の基板加熱温度１５０℃以上）がＧａＡｓ／Ｓ
ｉ太陽電池のＳｉ基板裏面電極形成にもそのまま採用さ
れていたが、厚さが約１００μｍ以下のＳｉ基板Ｉａ上
にｐｎ接合を有する薄膜ＩＩＴ−Ｖ族化合物半導体層、
例えばＧａＡｓ層２の形成された薄型ＧａＡｓ／Ｓｉ太
陽電池の場合には、Ａｇ層３の厚さを約３μｍ以上に、
蒸着時の基板加熱湿度５０〜１５０℃の条件下で電極を
形成し、その後ＧａＡｓ化合物半導体層側電極の合金化
温度で熱処理を施すことで、第１図に示すようにエピタ
キシャル・ウェハが有していた反りをほぼフラットな状
態に緩和することが出来、アセンブリーにあたっても従
来の宇宙用太＠電池の溶接条件をほぼそのまま適用する
ことで従来並みの強度を有する溶接が可能な太陽電池素
子を作製出来ることが確認された。
Ｓｉ基板ｌの厚さが１００μｍ以下の薄型ＧａＡｓ／Ｓ
ｉ太陽電池の場合、従来のＳｉ太陽電池と異なった裏面
電極形成条件で従来並みの電極形成が可能となった理由
は以下のように考えられる。
ｉ太陽電池の場合、従来のＳｉ太陽電池と異なった裏面
電極形成条件で従来並みの電極形成が可能となった理由
は以下のように考えられる。
従来のＳｉ太陽電池において、Ａｇ電極層の蒸着時の１
５０°Ｃ以上の基板加熱は電極の付着強度向上を目的と
して行なわれていた。この基板加熱を５０〜＋５０°Ｃ
で行なった場合には、Ａｇ電極層の蒸着後に１５０°Ｃ
以上の熱処理を施す工程を付は加えることで同様の効果
を得ることが出来る。ＧａＡｓ／Ｓｉ太陽電池において
、ＧａＡｓ半導体層側電極の合”金化温度での熱処理（
例えば水素雰囲気中４００”Ｃ）をＧａＡｓ半導体層側
電極とＳｉ基板側電極の両者の蒸着後に施せば、ＧａＡ
Ｓ＃導体層側電極の合金化のみならず上記８１基板側電
極の付着強度向上をもはかることが出来るのである。こ
の熱処理によって新たな反りの発生は認められない。
５０°Ｃ以上の基板加熱は電極の付着強度向上を目的と
して行なわれていた。この基板加熱を５０〜＋５０°Ｃ
で行なった場合には、Ａｇ電極層の蒸着後に１５０°Ｃ
以上の熱処理を施す工程を付は加えることで同様の効果
を得ることが出来る。ＧａＡｓ／Ｓｉ太陽電池において
、ＧａＡｓ半導体層側電極の合”金化温度での熱処理（
例えば水素雰囲気中４００”Ｃ）をＧａＡｓ半導体層側
電極とＳｉ基板側電極の両者の蒸着後に施せば、ＧａＡ
Ｓ＃導体層側電極の合金化のみならず上記８１基板側電
極の付着強度向上をもはかることが出来るのである。こ
の熱処理によって新たな反りの発生は認められない。
また本条件にて電極形成を行った場合、Ａｇ層厚は３μ
ｍ以上あれば従来並みの溶接が可能となる溶接条件を見
出すことができる。
ｍ以上あれば従来並みの溶接が可能となる溶接条件を見
出すことができる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して、本発明の一実施例を代表的な■
−Ｖ族化合物半導体材料として特にＧａＡｓを用いた場
合を例にして具体的に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
−Ｖ族化合物半導体材料として特にＧａＡｓを用いた場
合を例にして具体的に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
第２図は本発明による電極形成方法を適用して製作した
Ｓｉ基板の厚さが１００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太！
池の概略断面を示す図である。
Ｓｉ基板の厚さが１００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太！
池の概略断面を示す図である。
この太陽電池セルは、厚さ約２８０μｍのＳｉ基板上に
ＧａＡｓ成長層２を形成した後、Ｓ ｉ基板を厚さ１０
０μｍ以下に裏面からエツチングし、その後、この厚さ
１００μｍ以下のＳｉ基板１ａに裏面電極３を形成する
と共に、ＧａＡｓ成長層２側に電極４及び反射防止膜５
を形成したものである。
ＧａＡｓ成長層２を形成した後、Ｓ ｉ基板を厚さ１０
０μｍ以下に裏面からエツチングし、その後、この厚さ
１００μｍ以下のＳｉ基板１ａに裏面電極３を形成する
と共に、ＧａＡｓ成長層２側に電極４及び反射防止膜５
を形成したものである。
第３図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例と
−しての電極形成方法を採用した薄膜ＧａＡｓ／Ｓ
ｉ太陽電池の製作工程を示すウェハ断面図である。
−しての電極形成方法を採用した薄膜ＧａＡｓ／Ｓ
ｉ太陽電池の製作工程を示すウェハ断面図である。
まず、第３図（ａ）に示すように厚さ２８０μｍないし
それ以上のＳｉ基板１上にＧａＡｓエピタキシャル成長
層２をＭＯＣＶＤ法、Ｍ Ｂ Ｅ法等で形成する。
それ以上のＳｉ基板１上にＧａＡｓエピタキシャル成長
層２をＭＯＣＶＤ法、Ｍ Ｂ Ｅ法等で形成する。
当該成長層２にはＧａＡｓ太陽電池を形成するｐｎ接合
を有していることは言うまでもない。
を有していることは言うまでもない。
次に第３図（ｂ）に示すように、ＧａＡｓエピタキシャ
ル成長層２上の所望領域に、例えばＡｇ−Ｚｎ合金等の
ＧａＡｓ半導体側電極４を形成する金属層を蒸着等によ
り形成し、更にＳｉ３Ｎ４等の反射防止膜５を形成する
。続いて第３図（ｃ）に示すようにＳｉ基板１を例えば
ＮａＯＨ系のエッチャントを用いることによって、厚さ
１００μｍ以下にまでエツチングして、１００μｍ以下
厚のＳｉ基板１ａとする。
ル成長層２上の所望領域に、例えばＡｇ−Ｚｎ合金等の
ＧａＡｓ半導体側電極４を形成する金属層を蒸着等によ
り形成し、更にＳｉ３Ｎ４等の反射防止膜５を形成する
。続いて第３図（ｃ）に示すようにＳｉ基板１を例えば
ＮａＯＨ系のエッチャントを用いることによって、厚さ
１００μｍ以下にまでエツチングして、１００μｍ以下
厚のＳｉ基板１ａとする。
この場合、ＧａＡｓ側表面は耐エツチング性の樹脂等を
コーティングすることで容易に損傷が防止される。
コーティングすることで容易に損傷が防止される。
このＳｉ基板上の薄型化が、終了した段階では、第８図
（ｃ）に示すようにウェハは下に凸の形状の反りが著る
しくなる。この状態はＳｉ基板１が薄くなった分だけ、
ＧａＡｓ／Ｓｉ界面に生じている引張り応力が顕著に現
われる結果であり、反りの曲率径はＳｉ基板１ａの厚さ
が１００μｍの場合は約５０口となり、またＳｉ基板１
ａの厚さが５０μｍの場合には約１０（！ＩＩ＋にも達
する。
（ｃ）に示すようにウェハは下に凸の形状の反りが著る
しくなる。この状態はＳｉ基板１が薄くなった分だけ、
ＧａＡｓ／Ｓｉ界面に生じている引張り応力が顕著に現
われる結果であり、反りの曲率径はＳｉ基板１ａの厚さ
が１００μｍの場合は約５０口となり、またＳｉ基板１
ａの厚さが５０μｍの場合には約１０（！ＩＩ＋にも達
する。
次に、このウェハを適当な治具で固定し、Ｓｉ基板の裏
面側の電極金属３として、例えばＴｉ −Ｐｄ−Ａｇを
順次蒸着する。特に、このＡｇ金属層の蒸着時の条件を
基板加熱温度を５０〜１５０℃に設定すると共に、蒸着
厚さを少なくとも約３μｍに設定することによって第３
図（ｃ）に示した反りが緩和され、第２図に示すように
反りを有しない太陽電池セルが製作されることになる。
面側の電極金属３として、例えばＴｉ −Ｐｄ−Ａｇを
順次蒸着する。特に、このＡｇ金属層の蒸着時の条件を
基板加熱温度を５０〜１５０℃に設定すると共に、蒸着
厚さを少なくとも約３μｍに設定することによって第３
図（ｃ）に示した反りが緩和され、第２図に示すように
反りを有しない太陽電池セルが製作されることになる。
次にＧａＡｓ半導体層側電′極４の合金化温度による熱
処理を行なうことになるが、例えばＧ ａ Ａ ｓ半導
体層側電極４としてＡｇ−Ｚｎ合金を用いた場合には水
素雰囲気中４００℃、２分間の熱処理を施す。この熱処
理によって新たな反りの発生は認められず、ＧａＡｓ側
、Ｓｉ側電極ともにその付着強度を向上させることがで
きると共に従来なみの溶接性を得ることが出来る。その
後必要に応じて所望形状にグイシングし、カバーガラス
の貼り付け、インター、コネクターの溶接等アセンブリ
一工程を施すことによって太陽電池セルを完成する。
処理を行なうことになるが、例えばＧ ａ Ａ ｓ半導
体層側電極４としてＡｇ−Ｚｎ合金を用いた場合には水
素雰囲気中４００℃、２分間の熱処理を施す。この熱処
理によって新たな反りの発生は認められず、ＧａＡｓ側
、Ｓｉ側電極ともにその付着強度を向上させることがで
きると共に従来なみの溶接性を得ることが出来る。その
後必要に応じて所望形状にグイシングし、カバーガラス
の貼り付け、インター、コネクターの溶接等アセンブリ
一工程を施すことによって太陽電池セルを完成する。
〈本発明の効果〉
以上のように本発明による電極形成方法によればＳｉ基
板厚さが１００μｍ以下の反りを有しないｌ１１−Ｖ族
化合物半導体太陽電池を製作することが出来、本太陽電
池のカバーガラス接着工程や溶接工程における歩留り改
善に著るしく寄与することができる。
板厚さが１００μｍ以下の反りを有しないｌ１１−Ｖ族
化合物半導体太陽電池を製作することが出来、本太陽電
池のカバーガラス接着工程や溶接工程における歩留り改
善に著るしく寄与することができる。
第１図は、本発明を説明するために示したウェハ断面図
、第２図は本発明を適用して製作したＳｉ基板厚さが１
００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太陽電池の断面を示す図
、第３図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例
としての電極形成方法を採用した薄膜ＧａＡｓ／Ｓｉ太
陽電池の製作工程を示すウェハ断面を示す図、第４図乃
至第６図はそれぞれ従来の技術を説明するために示した
ウェハ断面図である。 １− Ｓ ｉ基板（厚さ約２８０μｍ）、＋ａ・＝Ｓｉ
基板（厚さ約１００μｍ以下）、２・・ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体エピタキシャル成長層、３・・・Ａｇを主材
′料とする５１基板裏面電極ＣＡｇ層厚約３μｍ以
上）、４・・・■−■族化合物半導体エピタキシャル成
長層側電極、５・・・反射防止膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）（ａ） （ｂ） （Ｃ）
、第２図は本発明を適用して製作したＳｉ基板厚さが１
００μｍ以下のＧａＡｓ／Ｓｉ太陽電池の断面を示す図
、第３図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例
としての電極形成方法を採用した薄膜ＧａＡｓ／Ｓｉ太
陽電池の製作工程を示すウェハ断面を示す図、第４図乃
至第６図はそれぞれ従来の技術を説明するために示した
ウェハ断面図である。 １− Ｓ ｉ基板（厚さ約２８０μｍ）、＋ａ・＝Ｓｉ
基板（厚さ約１００μｍ以下）、２・・ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体エピタキシャル成長層、３・・・Ａｇを主材
′料とする５１基板裏面電極ＣＡｇ層厚約３μｍ以
上）、４・・・■−■族化合物半導体エピタキシャル成
長層側電極、５・・・反射防止膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）（ａ） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、厚さ約１００μｍ以下のシリコン基板上にｐｎ接合
を有する薄膜III−Ｖ族化合物半導体層が形成された太
陽電池素子の電極形成方法であって、上記シリコン基板
の裏面側に電極材料の少なくとも一部として厚さ約３μ
ｍ以上の銀を基板加熱温度５０〜１５０℃の条件下で蒸
着し、その後上記III−Ｖ族化合物半導体層側の電極の
合金化温度で熱処理することを特徴とする太陽電池素子
の電極形成法。 ２、前記III−Ｖ族化合物半導体層を形成する材料の少
なくとも一部がガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）で構成され
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の太
陽電池素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311757A JPS63166276A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 太陽電池素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311757A JPS63166276A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 太陽電池素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166276A true JPS63166276A (ja) | 1988-07-09 |
| JPH0453112B2 JPH0453112B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=18021114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311757A Granted JPS63166276A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 太陽電池素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166276A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296278A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US8187983B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61311757A patent/JPS63166276A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03296278A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US8187983B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing |
| US8530895B2 (en) | 2009-04-16 | 2013-09-10 | Micron Technology, Inc. | Thinned semiconductor components having lasered features and method of fabrication |
| US8728921B2 (en) | 2009-04-16 | 2014-05-20 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating semiconductor components having lasered features containing dopants |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453112B2 (ja) | 1992-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |