JPS63162877A - 結晶性グラフアイトの製造方法 - Google Patents

結晶性グラフアイトの製造方法

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JPS63162877A
JPS63162877A JP30860786A JP30860786A JPS63162877A JP S63162877 A JPS63162877 A JP S63162877A JP 30860786 A JP30860786 A JP 30860786A JP 30860786 A JP30860786 A JP 30860786A JP S63162877 A JPS63162877 A JP S63162877A
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JP
Japan
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crystalline graphite
liquid
graphite
compd
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Application number
JP30860786A
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English (en)
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Yoshinori Kuwae
桑江 良昇
Masato Kamata
眞人 鎌田
Tadao Inuzuka
犬塚 直夫
Atsuhito Sawabe
厚仁 澤邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1229Composition of the substrate
    • C23C18/1241Metallic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C18/1291Process of deposition of the inorganic material by heating of the substrate

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的1 (産業上の利用分野) 本発明は結晶性グラファイトの製造方法に関し、更に詳
しくは各種基体の表面に簡便かつ迅速に人造のグラファ
イトを形成する方法に係る。
(従来の技術) グラファイトは、固体潤清材、離型剤、又は摩擦材料と
して用いられている。また、グラファイトには、導電材
料、触媒担体、あるいは中性子減速材としての用途もあ
る。更に、グラファイト単結晶は、X線や中性子1等の
モノクロメータの材料として一般的に用いられている。
従来、結晶性グラファイトを人工的に製造する方法とし
ては、以下のような方法が知られている。
すなわち、■高温に加熱した基体上に炭化水素等の原料
ガスを導入し、この原料ガスを熱分解して基体上にグラ
ファイトを形成する方法;■ポリマー状物質を熱分解し
てグラファイトを形成する方法二等である。
しかし、これらの方法で得られるグラファイトは、純度
や結晶性が悪かったり、密度が低いという問題があった
。このため、純度、結晶性又は密度を向上させるために
後処理を施すこともあるが、I処理に時間がかかる、後
処理用の装置が大規模である等の別の問題が生じ、しか
も後処理を行なっても特性がそれほど向上しないことも
あるという問題があった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は上記問題点゛を解決するためになされたもので
あり、純度や密度の高い結晶性グラファイトを簡便かつ
迅速に形成することができる方法を提供することを目的
とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明の結晶性グラファイトの製造方法は、原料として
少なくとも有機化合物を含む液体中に、基体の少な(と
も一部を浸漬させた状態でam体を加熱し、上記有機化
合物を熱分解させ、上記基体表面に結晶性グラファイト
を成長させることを特徴とするものである。
本発明を実施するためには、まず反応容器中に基体を設
置する。基体の材料としては、各種の単体、化合物、合
金又は複合材料が用いられ、特に限定されないが、通電
加熱できるW、S+、グラファイト等の導電物質を用い
ることが望ましい。
基体の形状も特に限定されず、線状、板状等のものが用
いられる。   ・ 次に、反応容器内に原料となる有機化合物を含む液体を
入れ、基体の少なくとも一部を浸漬させた状態にする。
上記液体としては、■液体の有機化合物のみからなるも
の;■気体、液体又は固体の有機化合物を別の液体に混
合(望ましくは溶解)させたちの:を挙げることができ
る。■の具体例としてはセタン(Cr s H34)が
、■の具体例としてはアセトンと水との混合溶液が挙げ
られる。
こうした液体は、反応容器内に静置してもよいが、流動
させることが望ましい。液体を流動させる方式としては
、例えば循環式が挙げられる。
つづいて、基体を加熱する。基体の適切な加熱温度は有
機化合物の種類、液体の流動速度、基体の材質等の条件
にも依存するため、特に限定されないが、例えば400
〜1800℃の範囲が好ましい。このように基体を加熱
すると、有機化合物が熱分解され、基体表面に結晶性グ
ラファイトが成長する。
上述した反応系全体の雰囲気は大気であってもよいが、
Ar、N2等の不活性ガス雰囲気中の方が副反応が抑制
されるので好ましい。
なお、以上の説明では、■基体の配置、■液体の導入、
■基体の加熱の順序で操作を行なう場合について説明し
たが、この順序に限定されるものではなく、例えば■と
■との順序を逆にしてもよい。
本発明方法で製造される結晶性グラファイトは結晶性が
良好であるため、更に例えば2500℃以上で焼鈍する
と、天然グラファイトとほぼ同等の構造及び特性を示す
グラファイトを容易に得ることができる。
(作用) 上述したような本発明方法によれば、液体中の有機化合
物が励起・分解し、基体表面に順次グラファイトが析出
・成長する。この際、原料が液体であるので、励起・分
解の頻度が^まり、迅速にグラファイトが成長し、特性
も良好になる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明方法を実施するための反応装置の概略構
成図である。第1図において、反応容器1には、その底
面に液体入口2及び液体出口3が、その上面にガス人口
4及びガス出口5がそれぞれ設けられている。この反応
容器1の内部に原料液体6が収容される。この原料液体
6中には基体7が、両端を電極8.8に支持された状態
で浸漬される。そして、電極8.8間には電源9が接続
される。
上記反応装置を用い、以下のようにして結晶性グラファ
イトを製造した。まず、基体7としてW板を用意し、そ
の両端を電極8.8で支持して反応容器1内に設置し、
室温に保持した。次に、液体出口3を閉じ、液体入口2
から原料液体6であるセタン(C1s H34)を60
d/minの流量で反応容器1内へ流入させ、基体7が
完全に原料液体6に浸漬されたところで液体出口3を開
いた。
その後は、循環袋ml(図示せず)により、液体出口3
から出た原料液体6が液体人口2から反応容器1内へ6
0se/winの流−で導入されるように循環させた。
なお、後述する反応操作中は消費されただけの原料液体
6を適宜補給した。つづいて、ガス人口4から反応容器
1内へArを1011i/1nの流量で導入し、ガス出
口5から流出させて、反応容器1内をAr雰囲気に保っ
た。次いで、基体7に通電して800℃まで加熱した。
この状態を1時間保持したところ、基体7の表面には平
均厚さ2履の結晶性グラファイトの層が形成された。
得られた結晶性グラファイト層について、X線回折、ラ
マンスペクトル、エネルギ損失スペクトルを測定して、
その結晶構造を調べたところ、結晶性の良好なグラファ
イトであることが判明した。
また、元素分析により炭素量を測定したところ、99.
9%以上であった。更に、キシレン中で密度を測定した
ところ、2.2g/cab3であり、天然グラファイト
の2.3G/(:II3に近い値であった。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明方法によれば、良好な特性を
有する人造の結晶性グラファイトを高い成長速度で容易
に製造できる等工業上極めて顕著な効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例において用いられた結晶性グラ
ファイトを得るための反応装置の概略構成図である。 1・・・反応容器、2・・・液体入口、3・・・液体出
口、4・・・ガス入口、5・・・ガス出口、6・・・原
料液体、7・・・基体、8・・・N極、9・・・電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 原料として少なくとも有機化合物を含む液体中に、基体
    の少なくとも一部を浸漬させた状態で該基体を加熱し、
    上記有機化合物を熱分解させ、上記基体表面に結晶性グ
    ラファイトを成長させることを特徴とする結晶性グラフ
    ァイトの製造方法。
JP30860786A 1986-12-26 1986-12-26 結晶性グラフアイトの製造方法 Pending JPS63162877A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2366818A1 (en) 2010-02-22 2011-09-21 Savio Macchine Tessili S.p.A. Device for automatically adjusting the tension of the feeding yarn of four-twist spindles
JP2013023746A (ja) * 2011-07-23 2013-02-04 Toshiyuki Onishi 金属の表面上にグラファイトを形成する方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2366818A1 (en) 2010-02-22 2011-09-21 Savio Macchine Tessili S.p.A. Device for automatically adjusting the tension of the feeding yarn of four-twist spindles
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