JPS63161512A - フロツピ−デイスク装置の磁気ヘツド制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、記憶容量の異なる磁気記録媒体に対してデー
タのり−ド／ライト及びイレーズを行なう磁気ヘッドの
駆動制御を行なうためのフロッピーディスク装置の磁気
ヘッド制御回路に関する。

（従来の技術） 従来、フロッピーディスク装置では、磁気記録媒体（デ
ィスク）を交換して使用できる互換性を得るために、磁
気ヘッドはリード／ライトを行なうリード／ライトヘッ
ドとは別にイレーズヘッドを有する。イレーズヘッドは
、イレーズコイルにイレーズ電流が供給されると、ディ
スクのトラック間にイレーズエリアを形成するためのイ
レーズ動作を行なう。

ところで、記憶容量の異なるディスクに対する互換性を
確実にするために、イレーズコイルのイレーズ電流を切
換える切換え回路が設けられたフロッピーディスク装置
がある。この切換え回路は、例えば高記憶容量のディス
クが使用される際には比較的大きいイレーズ電流をイレ
ーズコイルに流し、低記憶容量のディスクが使用される
際には比較的小さいイレーズ電流をイレーズコイルに流
すようなスイッチ動作を行なう。しかしながら、大きい
イレーズ電流によりイレーズした後に、記憶容量の異な
るディスクに対して小さいイレーズ電流によりイレーズ
する場合、イレーズヘッドのイレーズコアは先の大きい
イレーズ電−流により帯磁された状態である。このため
、波形非対称の劣化や減磁量の増加等の悪影響を招く要
因となる。

このような点を解消するためには、消磁器等を使用して
、大きいイレーズエリアによりイレーズした後のイレー
ズコアを消磁する必要がある。しかしながら、消磁器等
を使用することは、作業上の制約等で実際的に困難であ
る。また、フロッピーディスク装置内に、消磁回路を設
けることも考えられるが、磁気ヘッド制御回路の構成が
複雑となる欠点がある。

（発明が解決しようとする問題点） 従来では、記憶容量の異なるディスクに応じて、イレー
ズコイルのイレーズ電流の切換える際に、イレーズコア
の消磁を消磁器等で行なうことは困難である。また、消
磁回路を設けると、磁気ヘッド制御回路の構成が複雑化
する問題がある。

本発明の目的は、記憶容量の異なるディスクの互換性を
得るために、イレーズヘッドに対するイレーズ電流の切
換えを行なう際に、イレーズヘッドの消磁を簡単な構成
で実現することができるフロッピーディスク装置の磁気
ヘッド制御回路を提　　′供することにある。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段と作用）本発明は、リー
ド／ライトヘッド及びイレーズヘッドを備えた磁気ヘッ
ドの磁気ヘッド制御回路において、イレーズ電流を出力
するイレーズ駆動手段、磁気記録媒体の第１の記憶容量
又は第２の記憶容量の一方を指示するための記憶容量指
示信号を出力する信号出力手段、及びイレーズ電流の極
性の切換えを行なうための第１．第２のスイッチ手段を
備えた回路である。

第１のスイッチ手段は、例えばトランジスタ回路からな
り、第１の記憶容量の磁気記録媒体にデータをライトす
る際に、記憶容量信号に応じて第１の極性のイレーズ電
流をイレーズ駆動手段からイレーズコイルへ流すような
スイッチ動作を行なう。第２のスイッチ手段は、例えば
トランジスタ回路からなり、第２の記憶容量の磁気記録
媒体にデータをライトする際に、記憶容量信号に応じて
第１の極性とは反対極性の第２の極性のイレーズ電流を
イレーズ駆動手段からイレーズコイルへ流すようなスイ
ッチ動作を行なう。

このような回路であれば、ディスクの記憶容量に応じて
イレーズ電流を切換える際に、イレー・ズヘッドに帯磁
された磁化を簡単な回路により消磁することが可能とな
る。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１１図
は第１の実施例の磁気ヘッド制御回路の部分的構成を示
す回路図である。第１図において、リード／ライトＩＣ
ｌ０は、リード／ライトヘッド及びイレーズヘッドから
なる磁気ヘッドを駆動するための集積回路であり、イレ
ーズコイル１１にイレーズ電流を供給するためのコモン
端子ＣＯＭ　（コモンドライバの出力端子）及び端子Ｅ
Ｏ（イレーズドライバの出力端子）を有する。

イレーズコイル１１の一方端子には、ＰＮＰトランジス
タ１２のコレクタ及び抵抗ｒ２を介してＮＰＮトランジ
スタ１３のコレクタが接続されている。トランジスタ１
２は、エミッタにはリード／ライトＩＣ１０のコモン端
子ＣＯＭに接続されており、ベースには抵抗ｒ３を介し
て記憶容量指示信号Ａが入力される。トランジスタ１３
は、エミッタにはリード／ライトＩＣ１Ｏの端子Ｅ○に
接続されており、ベースには抵抗ｒ１を介して記憶容量
指示信号Ａが入力される。

一方、イレーズコイル１１の他方端子には、ＰＮＰトラ
ンジスタ１４のコレクタ及び抵抗ｒ５を介してＮＰＮト
ランジスタ１５のコレクタが接続されている。トランジ
スタ１４は、エミッタにはリード／ライトＩＣ１０のコ
モン端子ＣＯＭに接続されており、ベースには抵抗ｒ６
を介してインバータ１６の出力信号が入力される。トラ
ンジスタ１５は、エミッタにはリード／ライトＩＣ１０
の端子ＥＯに接続されており、ベースには抵抗ｒ４を介
してインバータ１６の出力信号が入力される。

ここで、インバータ１６は、記憶容量指示信号Ａを反転
した信号を出力する回路である。コンデンサ１７は、一
方の端子にはトランジスタ１３．１５の各エミッタが接
続されており、及び他方の端子は接地されている。この
コンデンサ１１は、イレーズゲートのオン／オフ（イレ
ーズ電流の出力のオン／オフ）による過渡電流に時定数
を持たせるためのキャパシタである。ダイオード１８〜
２３は逆電流防止用である。

次に、第１の実施例の動作を説明する。先ず、第１の記
憶容量（例えば高容量）のディスクを使用する場合、そ
のディスクがフロッピーディスク装置にセットされると
、例えばｒｌ−ＩＪレベルの記憶容量指示信号へが出力
される。ここで、記憶容量指示信号Ａは、例えば予めデ
ィスクに記憶容量に応じて、設けられた被検出対象を検
出するセンサ（フロッピーディスク装置内に配置されて
いる）から出力されるか又はホストシステムから転送さ
れる。１示しないリード／ライトヘッドは、リード／ラ
イトＩＣ１０からのライト電流に基づいて、ディスクの
トラックにデータのライト動作を行なう。

一方、ｒＨＪレベルの記憶容量指示信号Ａにより、イン
バータ１６からｒＬＪレベルの信号が出力される。この
インバータ１６からの出力信号により、トランジスタ１
４はオン状態、トランジスタ１５はオフ状態となる。ま
た、ｒＨＪレベルの記憶容量指示信号Ａにより、トラン
ジスタ１２はオフ状態、トランジスタ１３はオン状態と
なる。これにより、トランジスタ１４のコレクタにコモ
ン端子ＣＯＭからの電圧ＶＣが印加されて、イレーズ端
子ＥＯが「Ｌ」レベルであれば、イレーズコイル１１に
はイレーズ電流Ｉｅ２が流れる。このイレーズ電流ｉｅ
２の値は抵抗ｒ２により決定される。

次に、第２の記憶容量（例えば低容量）のディスクを使
用する場合、そのディスクがフロッピーディスク装置に
セットされると、例えばｒＬＪレベルの記憶容量指示信
号Ａが出力される。ｒＬＪレベルの記憶容量指示信号Ａ
により、インバータ１６からｒＨＪレベルの信号が出力
される。このインバータ１６からの出力信号により、ト
ランジスタ１４はオフ状態、トランジスタ１５はオン状
態となる。

また、ｒＬＪレベルの記憶容量指示信号Ａにより、トラ
ンジスタ１２はオン状態、トランジスタ１３はオフ状態
となる。これにより、トランジスタ１２のコレクタにコ
モン端子ＣＯＭからの電圧ＶＣが印加されて、イレーズ
端子ＥＯＳｒＬＪレベルであれば、イレーズコイル１１
にはイレーズ電流ｆｅ１が流れる。このイレーズ電流■
ｅ１の値は抵抗ｒ５により決定される。

このようにして、第１の記憶容量のディスクに対してリ
ード／ライトヘッドによりデータがライトされる際に、
イレーズコイル１１にはイレーズ電流１ｅ２が流れる。

このイレーズ電流ｉｅ２により、イレーズヘッドはライ
トされるディスクのトラック間をイレーズすることにな
る。一方、第１の記憶容量とは異なる第２の記憶容量の
ディスクに対してリード／ライトヘッドによりデータが
ライトされる際に、イレーズコイル１１にはイレーズ電
流ｌｅ１が流れる。このイレーズ電流（ｅｌにより、イ
レーズヘッドはライトされるディスクのトラック間をイ
レーズすることになる。

ここで、イレーズ電流■ｅ１はイレーズコイル１１にイ
レーズ電流１ｅ２とは逆方向に流れる電流である。即ち
、イレーズ電流１ｅ１及びｌｅ２は、相互に橿性が反対
のイレーズ電流である。このため、例えば比較的大きい
イレーズ電流１ｅ２によりイレ−ズヘッドのイレーズコ
アが帯磁された状態でも、極性が反対の、比較的小さい
イレーズ電流１ｅ１に切換えることにより、イレーズコ
アの帯磁を消磁することができる。したがって、記憶容
量の異なるディスクを交換してイレーズ電流を切換えた
際に、先のイレーズ電流によるイレーズコアの帯磁に基
づく悪影響（波形非対称の劣化や減磁量の増加等）の発
生を防止することができる。

第２図は本発明の第２の実施例に係わる回路である。第
２の実施例では、イレーズコイル３０として、センター
タップ付コイルが使用された場合である。第２の実施例
の回路では、イレーズコイル３０のセンタータップにリ
ード／ライトＩＣｌ０のコモン端子ＣＯＭが接続されて
いる。

第２の実施例の動作では、第１の記憶容」のディスクが
セットされて、ｒＨＪレベルの記憶容量指示信号Ａが出
力されると、ＮＰＮトランジスタ３１はオン状態となる
。また、ＮＰＮトランジスタ３２は、ｒ）−ＩＪレベル
の記憶容量指示信号Ａを反転するインバータ１６の出力
信号によりオフ状態となる。これにより、トランジスタ
３１のコレクタ、エミッタ間にコモン端子ＣＯＭからの
電圧Ｖｃが印加されて、イレーズ端子ＥＯがｒＬＪレベ
ルであれば、イレーズコイル１１にはイレーズ電流■ｅ
１が流れる。このイレーズ電流１ｅｌの値は抵抗ｒ７に
より決定される。

次に、第１とは異なる第２の記憶容量のディスクがセッ
トされると、ｒＬＪレベルの記憶容量指示信号Ａが出力
される。このため、トランジスタ３１はオフ状態となり
、トランジスタ３２はｒＬＪレベルの記憶容量指示信号
Ａを反転するインバータ１６の出力信号によりオン状態
となる。これにより、トランジスタ３２のコレクタ、エ
ミッタ間にコモン端子ＣＯＭからの電圧ＶＣが印加され
て、イレーズ端子ＥＯがｒＬＪレベルであれば、イレー
ズコイル１１にはイレーズ電流１ｅ２が流れる。このイ
レーズ電流１ｅ２の値は抵抗ｒ８により決定される。

このようにして、第２の実施例においても、記憶容量の
異なるディスクを交換してイレーズ電流を切換えた際に
、相互に極性の異なるイレーズ電流Ｉｅ１．Ｉｅ２を得
ることができる。したがって、前記第１の実施例の場合
と同様な効果を得ることができる。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、記憶容量の異なる
ディスクを交換して使用できるフロッピーディスク装置
において、その記憶容量に応じてイレーズ電流を切換え
る際に、それぞれのイレーズ電流を相互に逆極性のイレ
ーズ電流としてイレーズコイルに流すことができる。こ
のため、ディスクの交換に応じてイレーズ電欅を切換え
た際に、イレーズコアの帯磁による悪影響を防止し、各
ディスクのそれぞれに対して確実なイレーズ動作を行な
うことができる。

したがって、複雑な消磁回路等を使用することなく、簡
単な回路構成で記憶容量の異なるディスクのそれぞれに
対してトラック間のイレーズエリアを確実に形成できる
ため、結果的に記憶容量の異なるディスクに対する確実
な互換性を得ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わる磁気ヘッド制御
回路の部分的構成を示す回路図、第２図は本発明の第２
の実施例に係わる磁気ヘッド制御回路の部分的構成を示
す回路図である。 １０・・・リード／ライトＩＣ，１１，３０・・・イレ
ーズコイル、１２．１４・・・ＰＮＰトランジスタ、１
３．１５．３１゜３２・・・ＮＰＮトランジスタ、１６
・・・インバータ、ｒ１〜ｒＩＱ・・・抵抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 異なる記憶容量の磁気記録媒体に対してデータのリード
   ／ライト及びイレーズを行なう磁気ヘッドの駆動制御を
   行なうフロッピーディスク装置の磁気ヘッド制御回路に
   おいて、 前記磁気記録媒体にデータをライトする際に前記磁気ヘ
   ッドのイレーズコイルにイレーズ電流を出力するイレー
   ズ駆動手段と、前記フロッピーディスク装置にセットさ
   れる前記磁気記録媒体の第１の記憶容量又は第２の記憶
   容量の一方を指示するための記憶容量指示信号を出力す
   る信号出力手段と、前記第１の記憶容量の磁気記録媒体
   にデータをライトする際に前記記憶容量信号に応じて第
   １の極性の前記イレーズ電流を前記イレーズ駆動手段か
   ら前記イレーズコイルへ流すようなスイッチ動作を行な
   う第１のスイッチ手段と、前記第２の記憶容量の磁気記
   録媒体にデータをライトする際に前記記憶容量信号に応
   じて前記第１の極性とは反対極性の第２の極性の前記イ
   レーズ電流を前記イレーズ駆動手段から前記イレーズコ
   イルへ流すようなスイッチ動作を行なう第２のスイッチ
   手段とを具備したことを特徴とするフロッピーディスク
   装置の磁気ヘッド制御回路。