JPS63159284A - 単結晶引上げ装置 - Google Patents

単結晶引上げ装置

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JPS63159284A
JPS63159284A JP30648886A JP30648886A JPS63159284A JP S63159284 A JPS63159284 A JP S63159284A JP 30648886 A JP30648886 A JP 30648886A JP 30648886 A JP30648886 A JP 30648886A JP S63159284 A JPS63159284 A JP S63159284A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
melt
single crystal
crystal
blade
interface
Prior art date
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Pending
Application number
JP30648886A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiyunji Hinatsu
日夏 順次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63159284A publication Critical patent/JPS63159284A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、単結晶引上げ装置に関し、さらに詳しくい
うと、溶融体から、半導体、金属、酸化物、光学結晶等
の単結晶を形成する単結晶引上げ装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
第3図は、たとえば、特公昭6/−2タタl弘号公報に
示された従来の単結晶引上げ装置であり、ルツボ(1)
に単結晶原料の融液(Ja)が収容されており、ルツボ
(1)と所定の間隔をあけて鉛直方向に配置された軸(
≠)に、融液(コa)と対向して洩結晶(3)が取付け
られている。
以上の構成により1種結晶(3)には所望される結晶、
すなわち、半導体、金属あるいは酸化物等を用い、融液
(Ja)として上記結晶を得るための被溶融材を溶融し
たものが、るつぼ(1)K注湯される。
図示のように、るつぼ(/)に結晶の原料となる融液(
2a)を収容し、種結晶(3)が融液(Ja)と接触す
るように軸棒)を下降し、軸棒)を回転させながら上昇
させると1種結晶(3)と融液(Ja)との固液界面(
12)で結晶(コb)が時間の経過とともに育成される
、 ここで、融液(2a)の挙動を考察すると、第参図に示
すように、ルツボ(1)の外周に配置した発熱体(13
)による加熱によって融液(2a)には矢印(ハ0で示
す自然対流により外から内側に向う流れが生ずる。この
流れのため、固液界面(/コ)で乱れが生じ良質の単結
晶を育成できないため、第3図および第5図に示すよう
に、育成されて込る単結晶(2b)を回転させ遠心力に
より固液界面(lコ)で強制対流(lta)を起こさせ
、固液界面(八〇の流れを押えていた、ところが、一定
の回転数の場合、成・長じていく単結晶(コb)の径に
よシ強制対流(lta)の強さが変化するつそこで。
単結晶(2b)の径に応じて回転数を制御するのである
が、結晶径に応じて最適の回転数に制御することはきわ
めて難しく、うまく、自然対流(ハ0と強制対流(Zt
a)を完全に拮抗させることは不可能でめった。
〔発明が解決しようとする問題点1 以上のような従来の結晶引上げ装置では、融液に生じる
自然対流と強制対流とを完全忙互いに拮抗させることが
できないため、良質の単結晶を育成できないという問題
点がめった。
この発明は上記のような問題点を解消するためKなされ
たもので、結晶を回転することなく、固液界面の融液の
状態を安定にできるとともに、これによシ良質の単結晶
な育成できる結晶引上げ装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
、この発明に係る単結晶引き上げ装置は、融液内で一定
の回転数で回転するプロペラ状の羽根が設けられている
、 〔作 用〕 この発明忙おいては、プロペラ状の羽根を回転すること
により、融液に強制対流を起こさせ、これを自然対流に
拮抗させることによシ、固液界面忙おける融液の流れを
抑制し、安定な状態にする。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示し、ルツボ(1)内に
配設されたプロペラ状の羽根(71は、モータ(7)に
結合された軸(A) K固着されている。(t)はプロ
ペラ(りの上下位置を変化させる可動ステージである。
ルツボ(1)内には融液界面の位置を検出する検出器(
10)が配置されており、検出器(lO)と信号線(り
)で接続された制御器(//)は検出器(lO)からの
信号を受け、これ忙より可動ステージ(r)を制御する
。(13)は原料融液な加熱する発熱体でめる。
その他、第3図におけると同一符号は同一部分を示して
いる。ただし、軸(≠1は、上下方向に変位するが回転
はしない。
次に動作について説明する。発熱体(13)により単結
晶原料の融液(コa)が加熱され、結晶成長に適当な温
度にされる。このとき融液(コa)は加熱されているの
で、第2図に示されているような自然対流(/≠)が生
じ、固液界面(/2)に対流による乱れが生じる。これ
を、プロペラ状の羽根(j)を回転することにより強制
対流<1zb)を生じさせ、自然対流(/りと強制対流
(ztb)がちょうど拮抗するようにすることによシ、
固液界面(12)に乱れが生じないよう圧する。軸(4
t)には種結晶(Jlが取付けられておシ、これを融液
(コa)に接したのち、徐々に引上げることによ)、良
好な固液界面(12)の形成と相俟って良質の単結晶(
2b>が育成される。結晶(コb)の成長とともに固液
界面(lコ)は低下する。すると羽根(j)と液面の相
対位置が変化し、羽根(j) Kよる強制対流(lrb
)の様子も変化する。これを補正するため、液面を検出
器(10)で検出し、制御器(l/)が指定する高さに
可動ステージ(r)を移動するととKより、プロペラ状
の羽根(j)の位置を変史し、羽根(りと融液面の相対
位置が変化しないよう忙コントロールされる。
なお、王妃実施例では、プロペラ状の羽根(jlが回転
する場合を示したが、プロペラ状の羽根(jlが固定さ
れ、ルツボ(1)が回転することによシ強制対流が発生
するようにしてもよい。
また、上記実施例では融液面とプロペラ状の羽根(jl
の相対位置を一定にするため、プロペラ状の羽根(j)
を上下させたが、プロペラ状の羽根を固定し、ルツボ(
/lを上下させるようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、融液内にプロペラ状
の羽根を設け、これによシ強制対流を起こさせ、これを
自然対流に拮抗するようにしたので、径が変化する結晶
の回転数を、直径に応じて制御しながら回転させる必要
がなく、融液界面の融液の状態を安定に制御できるので
、極めて良質の結晶を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の正断面図、第2図は第7
図のものの動作を説明するための模式図。 第3図は従来の単結晶引上げ装置の正断面図、第参図、
第j図はそれぞれ第3図のものの動作を説明するための
模式図である、 (1)・・ルツボ、(2a)・・融液、(コb)・・単
結晶、(3)−0種結晶、(j)・・プロペラ状の羽根
。 (/Q)・・検出器、 (//)・・制御器。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 市1図 00GO 寸  C)0000 oooooへ、−)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ルツボに収容した被溶融材を前記ルツボを囲む発
    熱体により加熱溶融した融液と種結晶とを接触させ、上
    記融液と上記種結晶とが開離する方向に動作させて、上
    記融液と上記種結晶との固液界面で単結晶を育成し成長
    させる単結晶引上げ装置において、上記融液中に配設さ
    れ上記融液に強制対流を生じさせるプロペラ状の羽根を
    備えてなることを特徴とする単結晶引上げ装置。
  2. (2)単結晶の成長にしたがつて生じる液面低下を検出
    する検出器と、この検出器からの信号によりプロペラ状
    の羽根が液面から一定の距離を保つように制御する制御
    手段とを備えた特許請求の範囲第1項記載の単結晶引上
    げ装置。
JP30648886A 1986-12-24 1986-12-24 単結晶引上げ装置 Pending JPS63159284A (ja)

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JP30648886A JPS63159284A (ja) 1986-12-24 1986-12-24 単結晶引上げ装置

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JP30648886A JPS63159284A (ja) 1986-12-24 1986-12-24 単結晶引上げ装置

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JPS63159284A true JPS63159284A (ja) 1988-07-02

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ID=17957621

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JP30648886A Pending JPS63159284A (ja) 1986-12-24 1986-12-24 単結晶引上げ装置

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