JPS63155676A - 触覚センサ - Google Patents
触覚センサInfo
- Publication number
- JPS63155676A JPS63155676A JP30118286A JP30118286A JPS63155676A JP S63155676 A JPS63155676 A JP S63155676A JP 30118286 A JP30118286 A JP 30118286A JP 30118286 A JP30118286 A JP 30118286A JP S63155676 A JPS63155676 A JP S63155676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor cell
- tactile sense
- cell
- tactile
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015541 sensory perception of touch Effects 0.000 title abstract 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 230000037152 sensory function Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ロボットのハンドに装着して把握物から受け
る力を検出するのに好適な触覚センサに関する。
る力を検出するのに好適な触覚センサに関する。
[従来の技術]
従来のロボットは、マニプレータ、シーケンス型ロボッ
ト、プレイバック型ロボット等のよう」 、ある固定された場所で作業するものが多く、・1 1)4用溶接ロボツトは生産ラインのある場所に固定さ
れた状態で使用され、溶接アームが動いて車体の溶接を
行うものであり、ロボット自身が車体の方へ移動し、自
ら判断して溶接を行うものではない。ところが、近年で
は人間の五感に相当する感覚機能をもつロボットが開発
され、しだいに実用化されつつあり、近い将来には2足
歩行の歩くロボットも実用化されるであろうと考えられ
る。
ト、プレイバック型ロボット等のよう」 、ある固定された場所で作業するものが多く、・1 1)4用溶接ロボツトは生産ラインのある場所に固定さ
れた状態で使用され、溶接アームが動いて車体の溶接を
行うものであり、ロボット自身が車体の方へ移動し、自
ら判断して溶接を行うものではない。ところが、近年で
は人間の五感に相当する感覚機能をもつロボットが開発
され、しだいに実用化されつつあり、近い将来には2足
歩行の歩くロボットも実用化されるであろうと考えられ
る。
これらのいわゆる知能ロボットは従来のロボットと異な
り、各種センサを取付けている必要かある。代表的なセ
ンサとしては、視覚センサと触覚センサであり、特に触
覚センサは物の把握1把持などの作業に″不可欠なもの
となっている。
り、各種センサを取付けている必要かある。代表的なセ
ンサとしては、視覚センサと触覚センサであり、特に触
覚センサは物の把握1把持などの作業に″不可欠なもの
となっている。
このような知能ロボット用の触覚センサに要求される性
能仕様としては、次のようなものがある。
能仕様としては、次のようなものがある。
■ 高感度二 力を検出する感度が高いこと、例えば数
グラムの荷重を検出できるこ と。
グラムの荷重を検出できるこ と。
■ 高分解能:センサセルは小さく、かつ密度の高いこ
と。
と。
■ 広ダイナミックスレンジ:できるだけ動作範囲を広
くすること。
くすること。
■ 高信頼性・高耐久性:A酷な環境に耐えること。
■ 線形性・少ヒステリシスコ圧力と出力が比例し、ヒ
ステリシスが少ないこと。
ステリシスが少ないこと。
■ 応答速度:信号処理の応答速度が速いこと。
■ 柔軟性:人間の手の皮膚のように軟かいこ■ すべ
り感覚:圧力だけでなく、できればすべりも検出するこ
と。
り感覚:圧力だけでなく、できればすべりも検出するこ
と。
■ 小型廉価:薄くて小型で製造コストが低いこと。
これらのいくつかの要求を満足する各種の触覚センサが
これまで提案、ないし実用化されてきた。その触覚セン
サとしては、たとえば、 (イ)マイクロスイッチの0
N10FFを利用する、 (ロ)感圧ゴムシート(導電
ゴムシートとも称する)を利用するもの、 (ハ)光の
反射量の変化を利用するもの、などがある。
これまで提案、ないし実用化されてきた。その触覚セン
サとしては、たとえば、 (イ)マイクロスイッチの0
N10FFを利用する、 (ロ)感圧ゴムシート(導電
ゴムシートとも称する)を利用するもの、 (ハ)光の
反射量の変化を利用するもの、などがある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしこれらの従来の触覚センサには次のよう゛ツ問題
点がある。
点がある。
(a) マイクロスイッチの0N10FFを利用する
も−のは、通常OFFの状態にあるセンサが力を受ける
とONの状態になるものである力演これは力の有無を検
出するたけて、その力の大きさを連続的に検出すること
ができるものではない。
も−のは、通常OFFの状態にあるセンサが力を受ける
とONの状態になるものである力演これは力の有無を検
出するたけて、その力の大きさを連続的に検出すること
ができるものではない。
(b) 感圧ゴムシートを利用するものは、1枚のシ
ートを電極で挟み、その電極に加わった力によってシー
ト抵抗が変ることを利用したものであるが、直線性やヒ
ステリシスが生しやすく、また耐熱性が低いという問題
がある。
ートを電極で挟み、その電極に加わった力によってシー
ト抵抗が変ることを利用したものであるが、直線性やヒ
ステリシスが生しやすく、また耐熱性が低いという問題
がある。
(c)光の反射量の変化を利用するものは、透明なガラ
ス板の表面に多数の円錐状の突起を有するゴムシートを
あてがい、そのガラス板の裏面に鏡かまたは受光素子を
並べておき、そのガラス板の横方向からそのガラス板内
へ光を照射し、外力の大きさに応じて変化する上述のゴ
ムシートの突起ゴムのへこみ具合を鏡かまたは受光素子
で検知するものである。しかし、この光の反射を利用す
る触覚センサは外力の絶対値を正確に知ることがむづか
しく、また検出精度が悪いなどの問題がある。
ス板の表面に多数の円錐状の突起を有するゴムシートを
あてがい、そのガラス板の裏面に鏡かまたは受光素子を
並べておき、そのガラス板の横方向からそのガラス板内
へ光を照射し、外力の大きさに応じて変化する上述のゴ
ムシートの突起ゴムのへこみ具合を鏡かまたは受光素子
で検知するものである。しかし、この光の反射を利用す
る触覚センサは外力の絶対値を正確に知ることがむづか
しく、また検出精度が悪いなどの問題がある。
これらの触覚センサ以外にも、多数の触覚センサが提案
、ないし試作されているが、いずれも上述の性能仕様を
十分に満足するには至っていない。そのため、真に実用
性の高い触覚センサの開発か、いまだに強く叫ばれてい
るのが実情でである。
、ないし試作されているが、いずれも上述の性能仕様を
十分に満足するには至っていない。そのため、真に実用
性の高い触覚センサの開発か、いまだに強く叫ばれてい
るのが実情でである。
この発明は、上述の問題点に鑑み、実用的性能か高く、
しかも構造が簡単で、薄型かつ高密度に配列てきる触覚
センサを提供することを目的とす穴を形成し、裏面に圧
力を検出する半導体ストレンゲージとスイッチとはんだ
バンプとを形成したシリコンセンサセルと、シリコンセ
ンサセルの裏面に熱圧着で接合するシート状接着剤と電
極と多層配線とで構成された多層配線基板と、多層配線
基板上にシリコンセンサセルを搭載して熱圧着し、受圧
体を底付穴にはめ込んだ後、受圧体を覆うように配設さ
れる保護膜とを具備したことを特徴とする。
しかも構造が簡単で、薄型かつ高密度に配列てきる触覚
センサを提供することを目的とす穴を形成し、裏面に圧
力を検出する半導体ストレンゲージとスイッチとはんだ
バンプとを形成したシリコンセンサセルと、シリコンセ
ンサセルの裏面に熱圧着で接合するシート状接着剤と電
極と多層配線とで構成された多層配線基板と、多層配線
基板上にシリコンセンサセルを搭載して熱圧着し、受圧
体を底付穴にはめ込んだ後、受圧体を覆うように配設さ
れる保護膜とを具備したことを特徴とする。
[作用]
この発明では、シリコンウェハから作ったセンサセルの
片面に半導体ストレンゲーシ、スイッチおよび電極バン
ブを形成し、その裏面には庇付の円柱状穴(底付穴)を
あける。一方、上述のセンサセルを搭載する多層配線基
板には、電極と薄い接着シートおよび人力信号層と出力
信号層とを形成し、上述のセンサセルの電極バンプと電
極との位置合わせを行ってセンサセルと多層配線基板と
を熱圧着で接着およびはんだ付けを行う。このあて、薄
型かつ高密度に配列できる触覚センサが得られる。
片面に半導体ストレンゲーシ、スイッチおよび電極バン
ブを形成し、その裏面には庇付の円柱状穴(底付穴)を
あける。一方、上述のセンサセルを搭載する多層配線基
板には、電極と薄い接着シートおよび人力信号層と出力
信号層とを形成し、上述のセンサセルの電極バンプと電
極との位置合わせを行ってセンサセルと多層配線基板と
を熱圧着で接着およびはんだ付けを行う。このあて、薄
型かつ高密度に配列できる触覚センサが得られる。
[実施例コ
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
■実施例の触覚センサの原理
第1図 (A)〜(D)は本発明の実施例の原理を示す
。
。
第1図(八)は本発明実施例に適用した周知のホビート
ス1−ンブリツジの回路構成を示す。ここで、 R□、
R2,R3,R4はそれぞれブリッジ1の四辺のゲージ
抵抗を示す。■は直流電源であり、その負側はアースに
接続して、ブリッジ1に直流電圧を印加する。ブリッジ
1の出力の検出は不平行電位を電圧計Eにより検出する
ことにより行う。
ス1−ンブリツジの回路構成を示す。ここで、 R□、
R2,R3,R4はそれぞれブリッジ1の四辺のゲージ
抵抗を示す。■は直流電源であり、その負側はアースに
接続して、ブリッジ1に直流電圧を印加する。ブリッジ
1の出力の検出は不平行電位を電圧計Eにより検出する
ことにより行う。
SyはX軸指令であり、電源Vの電圧スイッチSvと、
ブリッジ出力の一方の片側電流スイッチSA2゜とを同
時に開又は閏にする。SyはY軸指令であり、ブリッジ
出力の他方の片側電流スイッチSハ1い。なお、これら
のスイッチSv、Sへ1.SA2.は例えばFET(電
解効果型I・ランジスタ)で作られる。さらに、Sx’
はX軸指令端子、V′は電圧端子、Gはアース端子、
八、は電流端子、 八2は電流端子、SY′はY軸端
子てあり、これらの端子は後述するシリコンセルのはん
だバンブや多層配線基板の電極に対応する。
ブリッジ出力の一方の片側電流スイッチSA2゜とを同
時に開又は閏にする。SyはY軸指令であり、ブリッジ
出力の他方の片側電流スイッチSハ1い。なお、これら
のスイッチSv、Sへ1.SA2.は例えばFET(電
解効果型I・ランジスタ)で作られる。さらに、Sx’
はX軸指令端子、V′は電圧端子、Gはアース端子、
八、は電流端子、 八2は電流端子、SY′はY軸端
子てあり、これらの端子は後述するシリコンセルのはん
だバンブや多層配線基板の電極に対応する。
第1図(B)は円形のダイヤフラム2上に、半径方向に
沿って外周部位置にストレンゲージR2とR4とを、中
央部位置にストレンゲージR1とR3とを配設した場合
の本発明実施例でのゲージ配置を示す。この第1図(B
)のゲージ配置で半導体ゲージ抵抗が作られた触覚セン
サ3の断面形態を第1図(C)に示す。第1図(C)
に示すように触覚センサ3の中央位置で圧力Fを受けた
場合の、ストレンゲージR1〜R4を設けた張り出し面
の応力分布は第1図(D)に示すようにダイヤフラム2
の外周部位置で圧縮力、中央部位置で引っ張り力を受け
る分布となる。このように、半導体スト−出値は高くな
り、高感度が得られる。
沿って外周部位置にストレンゲージR2とR4とを、中
央部位置にストレンゲージR1とR3とを配設した場合
の本発明実施例でのゲージ配置を示す。この第1図(B
)のゲージ配置で半導体ゲージ抵抗が作られた触覚セン
サ3の断面形態を第1図(C)に示す。第1図(C)
に示すように触覚センサ3の中央位置で圧力Fを受けた
場合の、ストレンゲージR1〜R4を設けた張り出し面
の応力分布は第1図(D)に示すようにダイヤフラム2
の外周部位置で圧縮力、中央部位置で引っ張り力を受け
る分布となる。このように、半導体スト−出値は高くな
り、高感度が得られる。
■触覚センサセル
第2図(八)〜(D)、第3図(A) 、 (B)およ
び第4図(八) 、 (B)は本発明の一実施例の触覚
センサの製造工程と構成を示す。第2図(A)〜(D)
は一枚のシリコンウェハから公知の半導体加工プロセス
により触覚センサ3のシリコンセンサセル(触覚センサ
セル)を製造する工程と、そのシリコンセンサセルの配
線パターンとを示す。第2図(A)はシリコンウェハの
一部、すなわちシリコンセンサセルの素材4を示す。次
に、第2図(B)に示すように、あらかじめ設計した所
定の配線パターンに逆転して第2図(C) に示すよう
にストシンゲージ5等の無い裏面側に公知のエツチング
性等により円柱状の底付穴8をあける。この穴8には後
述の円柱状受圧体かはめこまれる。
び第4図(八) 、 (B)は本発明の一実施例の触覚
センサの製造工程と構成を示す。第2図(A)〜(D)
は一枚のシリコンウェハから公知の半導体加工プロセス
により触覚センサ3のシリコンセンサセル(触覚センサ
セル)を製造する工程と、そのシリコンセンサセルの配
線パターンとを示す。第2図(A)はシリコンウェハの
一部、すなわちシリコンセンサセルの素材4を示す。次
に、第2図(B)に示すように、あらかじめ設計した所
定の配線パターンに逆転して第2図(C) に示すよう
にストシンゲージ5等の無い裏面側に公知のエツチング
性等により円柱状の底付穴8をあける。この穴8には後
述の円柱状受圧体かはめこまれる。
第2図(D)は第2図(C)に示す触覚センサセル9の
配線パターンの一例を示す。ここて八、 、5yjV’
、 Sx’ 、A2 、Gはそれぞれ第1図(A)
の各端子に対応し、第2図(B)で示す工程で形成した
はんだバンブ7である。
配線パターンの一例を示す。ここて八、 、5yjV’
、 Sx’ 、A2 、Gはそれぞれ第1図(A)
の各端子に対応し、第2図(B)で示す工程で形成した
はんだバンブ7である。
また、触覚センサセル(シリコンセンサセル)9の4隅
には後述のシート状接着剤を置くスペースが(接着場所
)10が設けである。この4ケ所の接着場所10で触覚
センサセル9と後述の基板とが接合される。しかも、こ
の接着場所10は触覚センサ3の力が加わる所でもある
。
には後述のシート状接着剤を置くスペースが(接着場所
)10が設けである。この4ケ所の接着場所10で触覚
センサセル9と後述の基板とが接合される。しかも、こ
の接着場所10は触覚センサ3の力が加わる所でもある
。
◎多層配線基板
第3図(A) 、 (B)は第2図の触覚センサセル9
を搭載する多層配線基板11の構造を示す。第3図ζイ ら電極12は第2図で示したはんだバンブ7と熱圧着に
よってはんだ付される。一方、正方形のシート状接着剤
13は基板11の4隅に配置され、しかもこのシート状
接着剤13は触覚センサ3が受けた力を支える所である
から、弾性が高く、かつ強固なもφでなければならない
。従って、このシート状第3図(B)は上述の多層配線
基板11の断面構造を示す。この基板11はガラスエポ
キシ樹脂製か、またはセラミック製で作成する。この配
線基板11の第一層は電極12のみとし、第2層は縦列
信号線層14、すなわちSx、V、Gが通る層であり、
第3層は横列信号線層15、すなわちSY 、A1.A
2が通る層である。また第4層はベース層16である。
を搭載する多層配線基板11の構造を示す。第3図ζイ ら電極12は第2図で示したはんだバンブ7と熱圧着に
よってはんだ付される。一方、正方形のシート状接着剤
13は基板11の4隅に配置され、しかもこのシート状
接着剤13は触覚センサ3が受けた力を支える所である
から、弾性が高く、かつ強固なもφでなければならない
。従って、このシート状第3図(B)は上述の多層配線
基板11の断面構造を示す。この基板11はガラスエポ
キシ樹脂製か、またはセラミック製で作成する。この配
線基板11の第一層は電極12のみとし、第2層は縦列
信号線層14、すなわちSx、V、Gが通る層であり、
第3層は横列信号線層15、すなわちSY 、A1.A
2が通る層である。また第4層はベース層16である。
■触覚センサ単体の組立
第4図(A) 、 (B)は第2図のシリコン触覚セン
サセル9と第3図の多層配線基板11とを接合して、ざ
らに受圧体17と保護膜18とを形成する組み立て工程
と完成状態を示す。すなわち、第2図(D)の配線パタ
ーンに合わせて、上部のセンサセル9と下部の多層配線
基板11とを第4図(八)に示すように位置合わせを行
って重ね、その後に加熱圧着して、はんだバンブ7と電
極12との接続およびシート接着剤13によるセンサセ
ル9の接着場所lOへの接着とを行う。最後に、第4図
(B) に示すように、剛性の高い合金網などで形成し
た受圧体17をセンサセル9の底付穴8にはめこみ、さ
らにポリ第4図(B)に示すような触覚センサ3の単体
を多数マトリックス状に平面または立体配列すれば、圧
力分布を求めることが可能である。しかし、その圧力分
布の検出の際に信号処理をどのようにするかという問題
が残る。
サセル9と第3図の多層配線基板11とを接合して、ざ
らに受圧体17と保護膜18とを形成する組み立て工程
と完成状態を示す。すなわち、第2図(D)の配線パタ
ーンに合わせて、上部のセンサセル9と下部の多層配線
基板11とを第4図(八)に示すように位置合わせを行
って重ね、その後に加熱圧着して、はんだバンブ7と電
極12との接続およびシート接着剤13によるセンサセ
ル9の接着場所lOへの接着とを行う。最後に、第4図
(B) に示すように、剛性の高い合金網などで形成し
た受圧体17をセンサセル9の底付穴8にはめこみ、さ
らにポリ第4図(B)に示すような触覚センサ3の単体
を多数マトリックス状に平面または立体配列すれば、圧
力分布を求めることが可能である。しかし、その圧力分
布の検出の際に信号処理をどのようにするかという問題
が残る。
第5図はこの問題を解決した本発明実施例における信号
処理回路の構成を示す。
処理回路の構成を示す。
本例は9ケの触覚センサ単体をマトリックス状に並べた
場合の一例である。
場合の一例である。
本図において、Sx1〜Sx3は縦列のスイッチ信号(
X軸指令)を示し、信号Sx1 、 Sx2 、 Sx
3の順に0N10FFの切換走査をする。また、 SY
I〜SY3は横列のスイッチ信号(X軸指令)を示し、
信号Sy1 、 Sy2 、Syうの順に0N10FF
の切換走査をする。本例では電源Vは信号Sx1 、
Sx2 、 Sx3に対して独立しているが、共通にし
てもよい。
X軸指令)を示し、信号Sx1 、 Sx2 、 Sx
3の順に0N10FFの切換走査をする。また、 SY
I〜SY3は横列のスイッチ信号(X軸指令)を示し、
信号Sy1 、 Sy2 、Syうの順に0N10FF
の切換走査をする。本例では電源Vは信号Sx1 、
Sx2 、 Sx3に対して独立しているが、共通にし
てもよい。
EYIは本図の矢印で示すように、回路的に1段目の単
体出力Ezt 、 En 、 Elsとそれぞれに直結
しており、Sx1〜Sx3およびsy工のスイッチ走査
によりE□l 、E2L、 Ej5のいずれか1つを送
出し、3段目の出力EY3についても同様にして単体出
力E31 + E、a2.r E33を送出する。した
がって、信号Sx1〜Sx3と SYI〜SY3とを切
換走査することによって、任意の触覚センサ3の1つを
アドレス指定でき、指定したセンサ3の出力を得ること
ができる。
体出力Ezt 、 En 、 Elsとそれぞれに直結
しており、Sx1〜Sx3およびsy工のスイッチ走査
によりE□l 、E2L、 Ej5のいずれか1つを送
出し、3段目の出力EY3についても同様にして単体出
力E31 + E、a2.r E33を送出する。した
がって、信号Sx1〜Sx3と SYI〜SY3とを切
換走査することによって、任意の触覚センサ3の1つを
アドレス指定でき、指定したセンサ3の出力を得ること
ができる。
第5図は、触覚センサ3を9イ固マトリツクス状に並べ
た場合を示したが、触覚センサ3を10ケ以上並べた場
合においても、その信号処理方法は第5図と同しである
。
た場合を示したが、触覚センサ3を10ケ以上並べた場
合においても、その信号処理方法は第5図と同しである
。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、触覚センサセル
内に半導体ストレンゲージとスイッチとはんだバンブと
を形成し、この触覚センサセルを搭載する多層配線基板
内に電極とシート状接着剤と多層配線とを形成し、その
セルと基板の両者をはり合わせた後、触覚センサセルの
上部に形成した底付穴に受圧体をはめ込み、保護膜で覆
って触覚センサを形成したので、全体が小型で薄く、し
かも検出感度、検出精度および応答速度等にすぐので、
ロボットのハンドにとりつけて高度な作業を行わせる際
に、極めて有効なセンサとなる。また、多層配線基板を
可塑性材料で形成してフレキシブルにすれば、曲面に取
りつけることも可能であり、用途は一層広がる。
内に半導体ストレンゲージとスイッチとはんだバンブと
を形成し、この触覚センサセルを搭載する多層配線基板
内に電極とシート状接着剤と多層配線とを形成し、その
セルと基板の両者をはり合わせた後、触覚センサセルの
上部に形成した底付穴に受圧体をはめ込み、保護膜で覆
って触覚センサを形成したので、全体が小型で薄く、し
かも検出感度、検出精度および応答速度等にすぐので、
ロボットのハンドにとりつけて高度な作業を行わせる際
に、極めて有効なセンサとなる。また、多層配線基板を
可塑性材料で形成してフレキシブルにすれば、曲面に取
りつけることも可能であり、用途は一層広がる。
第1図(八)〜(D)は本発明実施例の原理を示し、本
図(A)は回路図、本図(B)は底面図、本図(C)は
断面図、本図(DJはゲージ位置と応力の関係を示す特
性図、 第2図(八)〜(D)は本発明実施例の触覚センサセル
の製造工程と配線パターンを示し、本図(A)。 (B) 、 (C)は断面図、本図(D)は底面図、第
3図(A) 、 (B)は本発明実施例の多層配線基板
の構成を示し、本図(八)は平面図、本図(B)は断面
図、 第4図(A)は本発明実施例の触覚センサの組み立て工
程を示す断面図、本図(B)はその完成状態を示す断面
図、 i I;:オイユh > 2 !J v 0.2・・・
ダイヤフラム、 3・・・触覚センサ、 4・・・シリコンセンサセルの素材、 5・・・ストレンゲージ、 6・・・FIETスイッチ、 7・・・はんだバンプ、 8・・・底付穴、 9・・・触覚センサ、 10・・・接着場所、 11・・・多層配線基板、 12・・・電極、 13・・・シート状接着剤、 14・・・縦列信号線層、 15・・・横列信号層、 16・・・ベース層、 17・・・受圧体、 18・・・保護膜。 雲施例1の灸層配線基版の市に族庖ボ1」図寅施合1の
m1=7/−立X工程と完成状態予ホ寸図第4図
図(A)は回路図、本図(B)は底面図、本図(C)は
断面図、本図(DJはゲージ位置と応力の関係を示す特
性図、 第2図(八)〜(D)は本発明実施例の触覚センサセル
の製造工程と配線パターンを示し、本図(A)。 (B) 、 (C)は断面図、本図(D)は底面図、第
3図(A) 、 (B)は本発明実施例の多層配線基板
の構成を示し、本図(八)は平面図、本図(B)は断面
図、 第4図(A)は本発明実施例の触覚センサの組み立て工
程を示す断面図、本図(B)はその完成状態を示す断面
図、 i I;:オイユh > 2 !J v 0.2・・・
ダイヤフラム、 3・・・触覚センサ、 4・・・シリコンセンサセルの素材、 5・・・ストレンゲージ、 6・・・FIETスイッチ、 7・・・はんだバンプ、 8・・・底付穴、 9・・・触覚センサ、 10・・・接着場所、 11・・・多層配線基板、 12・・・電極、 13・・・シート状接着剤、 14・・・縦列信号線層、 15・・・横列信号層、 16・・・ベース層、 17・・・受圧体、 18・・・保護膜。 雲施例1の灸層配線基版の市に族庖ボ1」図寅施合1の
m1=7/−立X工程と完成状態予ホ寸図第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 a)圧力を受ける受圧体と、 表面に前記受圧体をはめ込む底付穴を形成し、裏面に前
記圧力を検出する半導体ストレンゲージとスイッチとは
んだバンプとを形成したシリコンセンサセルと、 c)該シリコンセンサセルの前記裏面に熱圧着で接合す
るシート状接着剤と電極と多層配線とで構成された多層
配線基板と、 d)該多層配線基板上に前記シリコンセンサセルを搭載
して熱圧着し、前記受圧体を前記底付穴にはめ込んだ後
、該受圧体を覆うように配設される保護膜とを具備した
ことを特徴とする触覚センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30118286A JPH0736444B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 触覚センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30118286A JPH0736444B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 触覚センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63155676A true JPS63155676A (ja) | 1988-06-28 |
JPH0736444B2 JPH0736444B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=17893766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30118286A Expired - Lifetime JPH0736444B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 触覚センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0736444B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2738705A1 (fr) * | 1995-09-07 | 1997-03-14 | Sagem | Dispositif capteur electromecanique et procede de fabrication d'un tel dispositif |
WO2003040676A1 (de) * | 2001-11-03 | 2003-05-15 | Kmw Dünnschichttechnik Und Mikrosysteme Gmbh | Druckaufnehmer, insbesondere zur zylinderdruckmessung bei motoren, und verfahren zur herstellung desselben |
US6848306B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-02-01 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic sensor |
JP2006189418A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2007093236A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ニップ荷重測定装置 |
JP2007263781A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 力学量測定装置 |
JP2007298308A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | ニップ荷重測定装置 |
JP2009031045A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 圧力センサー |
JP2011112419A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサ及びその実装方法 |
WO2011078043A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | アルプス電気株式会社 | フォースセンサ及びその製造方法 |
CN102156012A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-08-17 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
JP2012141190A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Alps Electric Co Ltd | 荷重センサ及びその製造方法 |
WO2014017169A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 株式会社村田製作所 | 押圧力センサ |
DE10346905B4 (de) * | 2002-10-10 | 2016-05-19 | Harmonic Drive Systems Inc. | Verfahren und System zur taktilen Abtastung |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP30118286A patent/JPH0736444B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2738705A1 (fr) * | 1995-09-07 | 1997-03-14 | Sagem | Dispositif capteur electromecanique et procede de fabrication d'un tel dispositif |
US6848306B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-02-01 | Denso Corporation | Semiconductor dynamic sensor |
WO2003040676A1 (de) * | 2001-11-03 | 2003-05-15 | Kmw Dünnschichttechnik Und Mikrosysteme Gmbh | Druckaufnehmer, insbesondere zur zylinderdruckmessung bei motoren, und verfahren zur herstellung desselben |
DE10346905B4 (de) * | 2002-10-10 | 2016-05-19 | Harmonic Drive Systems Inc. | Verfahren und System zur taktilen Abtastung |
JP2006189418A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Denso Corp | センサ装置 |
JP2007093236A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | ニップ荷重測定装置 |
JP2007263781A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 力学量測定装置 |
JP4697004B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-06-08 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
JP2007298308A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | ニップ荷重測定装置 |
JP2009031045A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 圧力センサー |
JP2011112419A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Alps Electric Co Ltd | フォースセンサ及びその実装方法 |
WO2011078043A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | アルプス電気株式会社 | フォースセンサ及びその製造方法 |
CN102575964A (zh) * | 2009-12-25 | 2012-07-11 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 测力传感器及其制造方法 |
US8516906B2 (en) | 2009-12-25 | 2013-08-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Force sensor and method of manufacturing the same |
JP5295388B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-09-18 | アルプス電気株式会社 | フォースセンサ及びその製造方法 |
JP2012141190A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Alps Electric Co Ltd | 荷重センサ及びその製造方法 |
CN102156012A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-08-17 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
WO2014017169A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 株式会社村田製作所 | 押圧力センサ |
JP5854143B2 (ja) * | 2012-07-26 | 2016-02-09 | 株式会社村田製作所 | 押圧力センサ |
JPWO2014017169A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2016-07-07 | 株式会社村田製作所 | 押圧力センサ |
US9528890B2 (en) | 2012-07-26 | 2016-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pressing force sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0736444B2 (ja) | 1995-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63155676A (ja) | 触覚センサ | |
US5055838A (en) | Silicon tactile imaging array and method of making same | |
US6886415B1 (en) | Tactile sensor and gripping robot using the same | |
JPS62191730A (ja) | 圧力センサ | |
JPH10153499A (ja) | コプレーナ歪ゲージを有する改良された力トランスデューサ | |
EP0844584A3 (en) | Pointing device | |
JPH0577304B2 (ja) | ||
JPH0719975A (ja) | 圧力センサチップ、触覚センサ、および触覚センサの製造方法 | |
Mei et al. | Design and fabrication of an integrated three-dimensional tactile sensor for space robotic applications | |
CN107368218A (zh) | 一种阵列基板、触控显示面板及其显示装置 | |
TWI653737B (zh) | 薄膜感測器 | |
JP2004330370A (ja) | ロボットハンド用触覚センサ | |
JPH0629808B2 (ja) | 圧覚センサ | |
JPS63217241A (ja) | 接触覚センサ | |
JPH06347350A (ja) | 力・モーメントセンサー | |
JPH076860B2 (ja) | 触覚センサ | |
JPH01312433A (ja) | 圧覚センサ | |
JPH01312436A (ja) | 圧覚センサ | |
JPH0658269B2 (ja) | 触覚センサ | |
JPH0736445B2 (ja) | 圧覚センサ | |
JPH03163322A (ja) | 圧覚センサ | |
JPS61224465A (ja) | 力センサ及びその製造方法 | |
JP2001153735A (ja) | ロードセル | |
JPS63226073A (ja) | 力検出装置 | |
Kim et al. | Technology development of silicon based CMOS tactile senor for robotics applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |