JPS63153816A - 半導体ウェハの熱処理方法 - Google Patents
半導体ウェハの熱処理方法Info
- Publication number
- JPS63153816A JPS63153816A JP27918387A JP27918387A JPS63153816A JP S63153816 A JPS63153816 A JP S63153816A JP 27918387 A JP27918387 A JP 27918387A JP 27918387 A JP27918387 A JP 27918387A JP S63153816 A JPS63153816 A JP S63153816A
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- JP
- Japan
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- tube
- quartz
- wafer
- pan
- jig
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- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 8
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 41
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造に使用する半導体ウェハの熱処
理技術に関する。
理技術に関する。
半導体素子の製造においては半導体ウェハの状態でこれ
を横形の熱処理炉で高温に加熱し、酸化。
を横形の熱処理炉で高温に加熱し、酸化。
不純物拡散、アニーリング等の処理を行なうが、このた
めに熱処理炉の炉心石英管１石英受皿９石英サイドチュ
ーブ管、ウェハ立てかけておく石英よりなる支持治具９
石英引出し棒等の石英からなる工具類を使用する。
めに熱処理炉の炉心石英管１石英受皿９石英サイドチュ
ーブ管、ウェハ立てかけておく石英よりなる支持治具９
石英引出し棒等の石英からなる工具類を使用する。
これらの半導体素子製造用の治工具類は、その製造工程
に於いて一度に２〜３種類を一緒に使用するため、互に
接触し合う事が多い。そのためにその一部分が破損して
大なり小なりの破片が加工物に付着し、その付着した部
分が不良として問題になっていた。特に石英治具類の両
端が多い。
に於いて一度に２〜３種類を一緒に使用するため、互に
接触し合う事が多い。そのためにその一部分が破損して
大なり小なりの破片が加工物に付着し、その付着した部
分が不良として問題になっていた。特に石英治具類の両
端が多い。
例えば第６図１と示すように高温に熱せられた電気炉１
内に石英管２を入れ、石英ウェハ立て治具３に加工物（
ウェハ）４を立てたものを石英受皿５に入れて、これを
石英管２の入口に当てて徐々にウェハ立て治具３を石英
管２内に入れ、一定時間後石英管引出棒６を使用してウ
ェハ立て治具３を引き出し、さの際ウェハ立て治具３を
一時受皿５に乗せろ。
内に石英管２を入れ、石英ウェハ立て治具３に加工物（
ウェハ）４を立てたものを石英受皿５に入れて、これを
石英管２の入口に当てて徐々にウェハ立て治具３を石英
管２内に入れ、一定時間後石英管引出棒６を使用してウ
ェハ立て治具３を引き出し、さの際ウェハ立て治具３を
一時受皿５に乗せろ。
尚、受皿を用いる方法は、特開昭５４−６３６７０号公
報によって知られている。しかし、受皿の破損等は全く
認識されていない。
報によって知られている。しかし、受皿の破損等は全く
認識されていない。
加工物４をのせた石英ウェハ立て治具３３石英受皿５及
び石英引出し棒６が移動時に石英管２の開口と受皿の端
面部分７に当り合って生じた破片が加工物４に付着して
汚染し、半導体製品の特性や信頼性を低下させることに
なった。
び石英引出し棒６が移動時に石英管２の開口と受皿の端
面部分７に当り合って生じた破片が加工物４に付着して
汚染し、半導体製品の特性や信頼性を低下させることに
なった。
本発明の目的は上述の如き欠点を解決した新たな半導体
ウェハの熱処理方法を提供するためのものである。
ウェハの熱処理方法を提供するためのものである。
上記目的を達成するための本発明は、複数の半導体ウェ
ハが配置されたウェハ支持治具を管内に挿入し、加熱処
理する半導体ウェハ熱処理方法であって、その管におけ
る挿入口はラッパ状の開きをなし、上記ウェハ支持治具
を端部が下方へわん曲したラッパ状となす受皿にのせ、
その端部を管の挿入口に当接せしめて管内に挿入してな
ることを特徴とするものである。
ハが配置されたウェハ支持治具を管内に挿入し、加熱処
理する半導体ウェハ熱処理方法であって、その管におけ
る挿入口はラッパ状の開きをなし、上記ウェハ支持治具
を端部が下方へわん曲したラッパ状となす受皿にのせ、
その端部を管の挿入口に当接せしめて管内に挿入してな
ることを特徴とするものである。
本発明の構成によれば、管および受皿の破損や異物発生
がなくなり、半導体ウェハへの破片、異物付着がなくな
る。
がなくなり、半導体ウェハへの破片、異物付着がなくな
る。
以下実施例の図面に従って詳述する。
第２図は本発明による石英管２の１断面図を示し、その
開口部半導体ウェハ挿入口をラッパ状に開いた形状２Ａ
としたものである。
開口部半導体ウェハ挿入口をラッパ状に開いた形状２Ａ
としたものである。
第３図は本発明による石英受皿５を上部より見た平面図
を示し、石英管ｌと突き合せる一端部５Ａを下方へわん
曲させてラッパ状に開いた形状としたものである。尚、
５Ｂは受皿をもつための取っ手て”ある。
を示し、石英管ｌと突き合せる一端部５Ａを下方へわん
曲させてラッパ状に開いた形状としたものである。尚、
５Ｂは受皿をもつための取っ手て”ある。
第４図は本発明による半導体高温処理装置において使用
する溝を有するウェハ立て石英治具３を示す。この治具
３に対し、半導体ウェハ４が図のように溝ｌｌ内に挿入
され、立てかけられる。
する溝を有するウェハ立て石英治具３を示す。この治具
３に対し、半導体ウェハ４が図のように溝ｌｌ内に挿入
され、立てかけられる。
また、第５図はウェハ立て石英治具を石英管に対し、搬
出入するための引出し棒６を示している。
出入するための引出し棒６を示している。
これら治具においては、石英管２や受皿５に接触する角
部ｌＯや、半導体ウェハに接触する石英冶具３の溝部１
１やＲを付けたものである。
部ｌＯや、半導体ウェハに接触する石英冶具３の溝部１
１やＲを付けたものである。
第１図は本発明による半導体高温処理治具の使用時の一
形態を示すものである。すなわち、受皿５を石英管２の
挿入口２Ａに当接させ、引出し棒６を矢印Ａの如き方向
に移動させ、半導体ウェハ４が支持されているウェハ立
て石英治具３を石英管２内に挿入する。しかる後、半導
体ウェハ４を管内において加熱処理する。
形態を示すものである。すなわち、受皿５を石英管２の
挿入口２Ａに当接させ、引出し棒６を矢印Ａの如き方向
に移動させ、半導体ウェハ４が支持されているウェハ立
て石英治具３を石英管２内に挿入する。しかる後、半導
体ウェハ４を管内において加熱処理する。
以上実施例で述べた本発明の構成によれば、お互いの接
触部分が加工物より下になり、互いに当ったとしても、
破片の量が少なく、加工物への影響は少ない。又ウェハ
立て治具に於いては加工物との接触部分が少な（なり、
同様に破片が少なくなった。受皿・サイドチューブのラ
ッパ化により、ビンボール不良が減った。又それによる
効率向上をはかることができる。
触部分が加工物より下になり、互いに当ったとしても、
破片の量が少なく、加工物への影響は少ない。又ウェハ
立て治具に於いては加工物との接触部分が少な（なり、
同様に破片が少なくなった。受皿・サイドチューブのラ
ッパ化により、ビンボール不良が減った。又それによる
効率向上をはかることができる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図。
第２図は本発明に使用される石英管の断面図。
第３図は本発明に使用される受皿の平面図。
第４図は本発明に使用されるウェハ立て石英治具の断面
図。 第５図は本発明に使用される引出し棒の断面図。 第６図は従来のウェハ挿入形態を示す断面図。 １・・・電気炉、２・・・石英管、３・・・石英ウェハ
立て治具、４・・・ウェハ、５・・・石英受皿、６・・
・石英引出棒、７・・・端面部分、訃・・角部、９・・
・溝部。 第 １ １ 第 ２ 図 第 ３５ｉ１第
６ 図
図。 第５図は本発明に使用される引出し棒の断面図。 第６図は従来のウェハ挿入形態を示す断面図。 １・・・電気炉、２・・・石英管、３・・・石英ウェハ
立て治具、４・・・ウェハ、５・・・石英受皿、６・・
・石英引出棒、７・・・端面部分、訃・・角部、９・・
・溝部。 第 １ １ 第 ２ 図 第 ３５ｉ１第
６ 図
Claims (1)
- １、複数の半導体ウェハが配置されたウェハ支持治具を
管内に挿入し、加熱処理する半導体ウェハ熱処理方法で
あって、その管における挿入口はラッパ状の開きをなし
、上記ウェハ支持治具を端部が下方へわん曲したラッパ
状となす受皿にのせ、その端部を管の挿入口に当接せし
めて管内に挿入してなることを特徴とする半導体ウェハ
熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27918387A JPS63153816A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体ウェハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27918387A JPS63153816A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体ウェハの熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032681A Division JPS57155728A (en) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | High temperature treatment device for semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153816A true JPS63153816A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17607601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27918387A Pending JPS63153816A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体ウェハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153816A (ja) |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP27918387A patent/JPS63153816A/ja active Pending
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