JPS63153263A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS63153263A JPS63153263A JP29895386A JP29895386A JPS63153263A JP S63153263 A JPS63153263 A JP S63153263A JP 29895386 A JP29895386 A JP 29895386A JP 29895386 A JP29895386 A JP 29895386A JP S63153263 A JPS63153263 A JP S63153263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bellows
- deposition
- vacuum processing
- deposition prevention
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 4
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空処理装置忙関し、とりわけ、半導体製
造装置で代表される成膜プロセスに使用される真空処理
層ｆＫ関するものである。
造装置で代表される成膜プロセスに使用される真空処理
層ｆＫ関するものである。
第１図は従来の真空処理装置を示し、真空処理室（／１
とバッファ室（λ）が密閉リング（３）で仕切られてい
る。 （４’）は密閉リング（３）の構成部材である大
径ペローズ、である。密閉リング（３）を昇降させるた
めのロツ）’ （ｊｌは真空シール用小径ペローズ（４
＋でシールされている。真空処理室（／ｌ内には上部Ｗ
Ｌ極（７）と下部電極（ｒｌが対向配電されている、下
部ｗＬ極（？）を昇降させる際の真空シールは、下部電
極用ぺａ−ズ（り）が担持している。複数のロッド（！
１は補強リング（１０）で支持され、駆動源（ｌ／）に
より昇降される。（１２）は駆動源（ｌ／）と補強リン
グ（１０）を連結する連結金具である。バッファ室（コ
）には真空排気孔（／Ｊ ）、真空処理室（／Ｉ Ｋは
真空排気孔（／りがそれぞれ設けられている。
とバッファ室（λ）が密閉リング（３）で仕切られてい
る。 （４’）は密閉リング（３）の構成部材である大
径ペローズ、である。密閉リング（３）を昇降させるた
めのロツ）’ （ｊｌは真空シール用小径ペローズ（４
＋でシールされている。真空処理室（／ｌ内には上部Ｗ
Ｌ極（７）と下部電極（ｒｌが対向配電されている、下
部ｗＬ極（？）を昇降させる際の真空シールは、下部電
極用ぺａ−ズ（り）が担持している。複数のロッド（！
１は補強リング（１０）で支持され、駆動源（ｌ／）に
より昇降される。（１２）は駆動源（ｌ／）と補強リン
グ（１０）を連結する連結金具である。バッファ室（コ
）には真空排気孔（／Ｊ ）、真空処理室（／Ｉ Ｋは
真空排気孔（／りがそれぞれ設けられている。
以上の構成により、まず、密閉リング（３）とバッファ
室（コ）天井壁とのすき間から被処理物を真空処理室（
１）内の下部電極（ｆｆ）上へ搬入後、密閉リング（３
）をバッファ室（コ）の天井壁に押付け、真空処理室（
ハをバッファ室（１）と真空隔離する。ついで上、下電
極＋７１ （Ｊｌの間隔を一定値に保つため、下部電極
（ｒ）を上部へ移動した後、目的のガスを上部電極（７
）から噴出ζせ、たとえば、ガスをイオン化し被処理物
を処理する、 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の真空処理装置は以上のように構成されいるので、
反応中に発生するイオン分子が真空処理室Ｔ／ｌ内のあ
らゆる部材にデポジションする。ペローズは薄板で、か
つ、伸縮するため１部分的にデポジションが発生すると
、伸縮時の局部応力忙より寿命が低下するという問題点
がめった。特に。
室（コ）天井壁とのすき間から被処理物を真空処理室（
１）内の下部電極（ｆｆ）上へ搬入後、密閉リング（３
）をバッファ室（コ）の天井壁に押付け、真空処理室（
ハをバッファ室（１）と真空隔離する。ついで上、下電
極＋７１ （Ｊｌの間隔を一定値に保つため、下部電極
（ｒ）を上部へ移動した後、目的のガスを上部電極（７
）から噴出ζせ、たとえば、ガスをイオン化し被処理物
を処理する、 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の真空処理装置は以上のように構成されいるので、
反応中に発生するイオン分子が真空処理室Ｔ／ｌ内のあ
らゆる部材にデポジションする。ペローズは薄板で、か
つ、伸縮するため１部分的にデポジションが発生すると
、伸縮時の局部応力忙より寿命が低下するという問題点
がめった。特に。
反応中に腐食ガスのイオンが発生する場合は、デポジシ
ョンが発生するとさらにペローズの寿命を低下させるこ
とになる。
ョンが発生するとさらにペローズの寿命を低下させるこ
とになる。
この発明は上記の問題点を解消するためＫなされたもの
で、ペローズにガスの流れが直接当らないようにし、ペ
ローズへのデポジションヲ減少させることができる真空
処理装置を得ることを目的とする。
で、ペローズにガスの流れが直接当らないようにし、ペ
ローズへのデポジションヲ減少させることができる真空
処理装置を得ることを目的とする。
この発明に係る真空処理装置は、密閉リングおよび下部
電極用ペローズのガ２と接する側に各／対の樹脂薄板円
筒状のデポジション防止板が相互に重なり合うよう取付
けられている。
電極用ペローズのガ２と接する側に各／対の樹脂薄板円
筒状のデポジション防止板が相互に重なり合うよう取付
けられている。
この発明においては、デポジション防止板が。
ペローズの伸縮を妨ることなく、かつ、ペローズ伸縮の
全ストローク位置でガス流に対しペローズを保護し、ペ
ローズへのデポジションを大幅に減少させる。
全ストローク位置でガス流に対しペローズを保護し、ペ
ローズへのデポジションを大幅に減少させる。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示し。
第１図、第２図において、符号（１）〜（ハ０は第参図
の同一符号と同一または相当部分である。＜ｍ。
の同一符号と同一または相当部分である。＜ｍ。
（１６）はそれぞれ大径ペローズ（≠１および小径ペロ
ーズ（６）の薄板円筒状の第１．第２のデポジション防
止板で、たとえばテフロン材で製作されている。
ーズ（６）の薄板円筒状の第１．第２のデポジション防
止板で、たとえばテフロン材で製作されている。
第１のデポジション防止板（／りは密閉リング（３）の
上部７ランジ部にビス（１７）で取付けられている、ビ
ス（／７）は、たとえばテフロン材で製作されている。
上部７ランジ部にビス（１７）で取付けられている、ビ
ス（／７）は、たとえばテフロン材で製作されている。
第２のデポジション防止板Ｃｔ＆＞ｄ密閉リング（３）
の下部フランジ部へピン（／ｊ）で取付けられるが、ピ
ン（ｔｌ）に設けた溝部（／ｒａ）に第２のデポジショ
ン防止板（＃）に形成した、第３図に示す切欠き穴（／
６ａ）がはまり込むようにしている。（ｌり）、（２０
）は下部電極用ペローズ（り）用の薄板円筒状の第３．
第≠のデポジション防止板で、第３のデポジション防止
板（ｌり）は下部電極用ペローズ（り）の上部フランジ
部にビス（コ／）で取付けられている。第≠のデポジシ
ョン防止板（２０）は下部電極用ペローズ（り）の下部
７ランジ部にビス（２２）で取付けられている。なお、
ピン（／Ｉ）、デポジション防止板（ｌり）、（コＯ）
、ビス（ｊ／）、Ｃ２２）も、たとえばテフロン材など
で製作されている。また、第１．第２のデポジション防
止板（ｌりと（／６）および第３．第≠のデポジション
防止板（ｌり）と（２０）は、ペローズ（グ１．（４１
および（り）が最も伸びた場合にもわずかに重なり合う
ような寸法になっている。さらに、真空処理室（７１内
のガスの流れを考慮して第２．第μのデポジション防止
板（／６）、（２０）をペローズに近い側に配置してい
る。
の下部フランジ部へピン（／ｊ）で取付けられるが、ピ
ン（ｔｌ）に設けた溝部（／ｒａ）に第２のデポジショ
ン防止板（＃）に形成した、第３図に示す切欠き穴（／
６ａ）がはまり込むようにしている。（ｌり）、（２０
）は下部電極用ペローズ（り）用の薄板円筒状の第３．
第≠のデポジション防止板で、第３のデポジション防止
板（ｌり）は下部電極用ペローズ（り）の上部フランジ
部にビス（コ／）で取付けられている。第≠のデポジシ
ョン防止板（２０）は下部電極用ペローズ（り）の下部
７ランジ部にビス（２２）で取付けられている。なお、
ピン（／Ｉ）、デポジション防止板（ｌり）、（コＯ）
、ビス（ｊ／）、Ｃ２２）も、たとえばテフロン材など
で製作されている。また、第１．第２のデポジション防
止板（ｌりと（／６）および第３．第≠のデポジション
防止板（ｌり）と（２０）は、ペローズ（グ１．（４１
および（り）が最も伸びた場合にもわずかに重なり合う
ような寸法になっている。さらに、真空処理室（７１内
のガスの流れを考慮して第２．第μのデポジション防止
板（／６）、（２０）をペローズに近い側に配置してい
る。
以上の構成により、互いに摺動可能な第１．第２のデポ
ジション防止板（／り 、 （／≦）が大径ペローズ（
４Ｌ）および小径ペローズ（６）を保護し、互いに摺動
可能な第３．第≠のデポジション防止板（ｌり）。
ジション防止板（／り 、 （／≦）が大径ペローズ（
４Ｌ）および小径ペローズ（６）を保護し、互いに摺動
可能な第３．第≠のデポジション防止板（ｌり）。
（コＱ）が下部電極用ペローズ（り）を保護することＫ
より、これらペローズへのデポジションが著シく低減さ
れる。
より、これらペローズへのデポジションが著シく低減さ
れる。
以上のように、この発明によれば、各ペローズのガス流
にざらされる側に伸縮可能なデポジション防止板を設け
たので、各ペローズのデポジション発生を大幅に減少さ
せる効果がある。
にざらされる側に伸縮可能なデポジション防止板を設け
たので、各ペローズのデポジション発生を大幅に減少さ
せる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の正断面図、第２図は第１
図の要部拡大正断面図、第３図は第２図の一部拡大図、
第参図は従来の真空処理装置の正断面図である。 （１）・・真空処理室、（コ）−〇バッファ室、（３１
・・密閉リング、悴）・・大径ペローズ、（よ）・・駆
動用ロッド、（６）・・小径ペローズ、（７１・―上部
電極。 （ｆｌ・・下部電極、（り１・・下部電極用ペローズ。 （／ｊ）、（／４）・・第１．第２のデポジション防止
板、（ｌり）Ａ２０）・ｅ第３、第４のデポジション防
止板。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 １ 〕鼻￥：傅理Ｔ ３ 。 １閉り）ヶ ４ ： 大任ペローズ１ ｓ ： ！Ｉｖｌｆｆｌｏ−ト ロ ： 小枝へ゛ロース１ ７、五静電権 ８− 下部電倦 ９ ： 下部室ＦＩＩＦｌ’ｌ’ｒＯ−：ｔ’１５．１
６ ： １１１．第２の丁ホ０ジ！ヨシ前土根１９
．２０： オ３．坤４のｆＩｆジシ１シ防止狼然２図 尾３図
図の要部拡大正断面図、第３図は第２図の一部拡大図、
第参図は従来の真空処理装置の正断面図である。 （１）・・真空処理室、（コ）−〇バッファ室、（３１
・・密閉リング、悴）・・大径ペローズ、（よ）・・駆
動用ロッド、（６）・・小径ペローズ、（７１・―上部
電極。 （ｆｌ・・下部電極、（り１・・下部電極用ペローズ。 （／ｊ）、（／４）・・第１．第２のデポジション防止
板、（ｌり）Ａ２０）・ｅ第３、第４のデポジション防
止板。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 １ 〕鼻￥：傅理Ｔ ３ 。 １閉り）ヶ ４ ： 大任ペローズ１ ｓ ： ！Ｉｖｌｆｆｌｏ−ト ロ ： 小枝へ゛ロース１ ７、五静電権 ８− 下部電倦 ９ ： 下部室ＦＩＩＦｌ’ｌ’ｒＯ−：ｔ’１５．１
６ ： １１１．第２の丁ホ０ジ！ヨシ前土根１９
．２０： オ３．坤４のｆＩｆジシ１シ防止狼然２図 尾３図
Claims (3)
- （１）真空処理室へ被処理物を搬入するための開口部を
開閉する密閉リングを形成する大径ペローズと、前記密
閉リングの複数個の駆動用ロッドをそれぞれ真空シール
する複数個の小径ペローズと、前記真空処理室内の下部
電極を昇降させる際の真空シールをなす下部電極用ペロ
ーズと、樹脂薄板円筒状をなし前記密閉リングの内側に
設けられ互いに上下方向に相対移動可動な第１、第２の
デポジション防止板と、樹脂薄板円筒状をなし前記下部
電極用ペローズを囲んで設けられ互いに上下方向に相対
移動可能な第３、第４のデポジション防止板とを備えて
なる真空処理装置。 - （２）互いに相対移動可能な１対のデポジション防止板
は、密閉リングが最も伸びた状態でもわずかに互いにオ
ーバラップしている特許請求の範囲第１項記載の真空処
理装置。 - （３）フッ素樹脂材でなるデポジション防止板を備えた
特許請求の範囲第１項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29895386A JPS63153263A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29895386A JPS63153263A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153263A true JPS63153263A (ja) | 1988-06-25 |
| JPH0475312B2 JPH0475312B2 (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=17866319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29895386A Granted JPS63153263A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024047A1 (fr) * | 1998-10-22 | 2000-04-27 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de fabrication de semiconducteurs |
| WO2010137553A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | 三菱重工業株式会社 | 基板支持台の構造及びプラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP29895386A patent/JPS63153263A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024047A1 (fr) * | 1998-10-22 | 2000-04-27 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de fabrication de semiconducteurs |
| EP1065709A1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-01-03 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Semiconductor manufacturing apparatus |
| EP1065709A4 (en) * | 1998-10-22 | 2007-10-31 | Ultraclean Technology Res Inst | APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS |
| WO2010137553A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | 三菱重工業株式会社 | 基板支持台の構造及びプラズマ処理装置 |
| JP2010275593A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板支持台の構造及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0475312B2 (ja) | 1992-11-30 |
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