JPS63152158A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS63152158A
JPS63152158A JP29875786A JP29875786A JPS63152158A JP S63152158 A JPS63152158 A JP S63152158A JP 29875786 A JP29875786 A JP 29875786A JP 29875786 A JP29875786 A JP 29875786A JP S63152158 A JPS63152158 A JP S63152158A
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JP
Japan
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resin
composite
novolac type
molecular weight
agent
Prior art date
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Pending
Application number
JP29875786A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetoshi Abe
英俊 阿部
Masaji Ogata
正次 尾形
Masanori Segawa
正則 瀬川
Shigeo Suzuki
重雄 鈴木
Tatsuo Kawada
達男 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型の薄型フラットパッケージを赤外
線リフローや蒸気凝縮法などの、はんだ面付実装におい
て、パッケージ全体が加熱された場合の耐クラツク性に
対して優れた樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体パッケージのはんだ付による基板実装は、従来、
D I L P (Dual in Line Pla
stic Package)型パッケージQリード端子
部を基板の孔に挿入するビン挿入タイプであり、リード
端子部のみを部分加熱接合する方法がとられてきた。し
かし、パッケージのサイズは軽薄短小型の傾向にあり、
チップを保護する封止樹脂は益々薄肉化しFPP(Fl
at Plastic Packaga)型を中心にピ
ン挿入タイプから、面付実装タイプへと変化している。
はんだ面付実装法は、近、遠赤外線リフローや不活性化
学液体の蒸気短縮はんだ付などによるパッケージ全体を
加熱する方法が採用されてきた。このような、面付はん
だ面付実゛装法を用いると、ICやLSIを保護してい
る封止樹脂層が薄肉化のため、加熱による高温での機械
的強度が弱く、クラックを発生し、耐湿性を著しく低下
させる問題が生じる。
この封止樹脂層が加熱によりクラック発生を伴う要因の
一つには、封止樹脂層とリード端子間の接着界面の隙間
から侵入する水分、あるいは、封止樹脂層の外側表面か
ら侵入する水分などが、加熱によって水蒸気化し、その
蒸気圧力によって封止樹脂層の機械的強度が耐えられな
くなり、クラックを発生するとされている。
その対策として、パッケージ内への水分の侵入を防止す
るためリードフレーム自体を処理し封止樹脂との接着性
を向上させた手法(特開昭61−95020号公報、あ
るいは、リードフレームの形状を改良し、水分侵入を防
止する手法(特開昭61−128551号公報)などが
ある。また、クラック発生防止のため、パッケージ全体
の形状として、基板実装されるパッケージ裏面側の封止
樹脂層に小孔を施した構造にする手法(沖電気研究開発
:Vo1252、Nα4 1985年)がある。これら
の手法は、いずれもパッケージの構造を改良したもので
あるのに対し1本発明は、ICやLSIを保護する封止
樹脂組成物自体の改良を行ない、高温での機械的強度の
向上を図り、耐クラツク性の優れ半導体封止用樹脂組成
物を得たものである。
(発明が解決しようとする問題点〕 従来の樹脂封止型半導体装置は、D I L P (D
ualin 1ine Package)型の比較的封
止樹脂層がないタイプであり、しかも、基板実装は、ピ
ン挿入タイプのため、リード端子のみはんだ加熱される
接合方法である。そのため、封止用樹脂組成物に要求さ
れる高温での機械強度はさほど重要視されない。
樹脂封止型の薄型フラットパッケージFPP(Flat
 Plastic Package)を中心にした封止
樹脂層の薄いもの、しかも実装法が赤外線リフローや蒸
気凝縮法などのはんだ面付法によるパッケージ全体が加
熱されるものになると、高温での機械強度が弱いため、
封止樹脂層にクラックが発生し、耐湿性が問題となる。
本発明は、この薄肉化タイプのパッケージで並びに、は
んだ面付実装におけるクラック発生防止のため、樹脂組
成物の検討を行ない、高温での機械的強度を向上させた
ものである。
〔問題点を解決するための手段〕
はんだ面付実装における薄型フラットパッケージの耐ク
ラツク性を向上させるには、チップを保護している封止
樹脂の高温での機械的強度を従来以上に強くする必要が
ある。即ち、高温(250℃)における封止樹脂の機械
的曲げ強度を2.0kg/++”以上にすることが望ま
しい。
そのため、封止樹脂組成物を構成しているベースエポキ
シ樹脂、硬化剤に採用しているノボラック型フェノール
樹脂、硬化促進剤、充填剤、あるいは、難燃化剤、カッ
プリング剤、離型剤2着色剤などの各素材について見直
し、検討した結果、硬化剤に採用しているノボラック型
フェノール樹脂の数平均分子量が、従来の1000以下
のものより、1000〜3000の硬化剤を使用するこ
とが最も望ましいことを見い出し、高温(250℃)で
の機械的曲げ強度を2 、0 kg/ rm”以上にす
ることが耐クラツク性に対し有効であることが判った。
〔作用〕
上記の問題を解決すべく検討を行なった結果、硬化剤と
して特定の分子量をもつノボラック型フェノール樹脂硬
化剤を使用することにより、高温下での機械的強度を強
くしたものである。
ノボラック型フェノール樹脂硬化剤(フェノールOH当
量100〜300)として数平均分子量が1000〜3
000.好ましくは、組成物の流動性を考慮して数平均
分子量1000〜2000の硬化剤と、ノボラック型エ
ポキシ樹脂との当量比が0.8〜1.2の範囲内で混合
し、それに充填剤、硬化促進剤、離型剤2着色剤、難燃
剤、カップリング剤等を使用して配合した組成物をロー
ル等で混練し、シート状にし、粉砕を行ない、封止用樹
脂組成物を得る。
この組成物をトランスファープレスで成形した成形品の
高温(250℃)下での機械的曲げ強度は、従来の数平
均分子量が1000以下のノボラック型フェノール樹脂
硬化剤を用いた場合の2.0kg/nm”以下に対し、
いずれも、  2 、0 kg/ mm”以上の曲げ強
度を示し、機械的強度の強い封止用樹脂組成物を得るこ
とができる。
しかも、本発明で得た封止用樹脂組成物を用い、FPP
型の薄型フラットパッケージを成形し、赤外線加熱によ
る耐クラツク性を検討した結果、吸湿後のクラック発生
率が少なく、耐クラツク性の良好な半導体封止用樹脂組
成物が得られた。
〔実施例〕
〈実施例1〉 エポキシ樹脂系組成物の硬化剤として、数平均分子量が
1500のノボラック型フェノール樹脂(フェノール○
H当量106)を用い、主剤のエポキシ樹脂として○−
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量1
95)を臭素化エポキシ樹脂(エポキシ当量400)を
当量比で混合し、さらに硬化促進剤として有機フォスフ
イン系のテトラフェニルホスホニウムテトラボレートを
、難燃化剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、離型剤にヘキストワックス、着色剤にカーボ
ンブラック、充填剤に溶融シリカ粉を表1に示す配合比
で混合し、90℃に加熱したロールで十分量混練し、シ
ート状にした後、粉砕して、半導体封止用樹脂組成物を
得た。
なお、ノボラック型フェノール樹脂の数平均分子量測定
は、東洋ソーダ社、HLC−802A型の液体グロマト
グラフイーを用い、分子量とカウント数の関係から、分
子量1500に担当するカウント数を求め、面積比から
算出した。
この半導体封止用樹脂組成物を用い、トランスファープ
レスで機械的曲げ試験測定用成形品を180℃、70k
g/d、1.5分間の条件で成形し、180℃六時間の
アフターキュアーをする。
曲げ試験成形品を250℃、支点間40mnの2点曲げ
試験を行ない、その結果を表1に示す。
また、この封止用樹脂組成物を用いて、薄型フラットパ
ッケージFPP型をトランスファープレスで同様に成形
しアフターキュアー後、赤外線加熱による耐クラツク性
を調べ結果を表1に示す。
〈実施例2〜3〉 エポキシ系樹脂組成物の硬化剤として、数平均分子量が
1300.あるいは1100のノボラック型フェノール
樹脂を用い、その他のエポキシ樹脂、硬化促進剤、難燃
化剤、離型剤、カップリング剤2着色剤、充填剤は、実
施例1と同様にし、同様な方法で封止用樹脂組成物を得
た。
この組成物を用い、高温での機械的曲げ強度並びに耐ク
ラツク性試験を行ない、表1の結果を得た。
〈比較例1〜2〉 エポキシ系樹脂組成物の硬化剤として、数平均分子量が
800、あるいは、700のノボラック型フェノール樹
脂を用い、その他の組成物並びに作製法は実施例1と同
様にした得た封止用樹脂組。
酸物の高温での機械的曲げ強度及び耐クラツク性の結果
を表1に示す。
〔発明の効果〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、エポキシ系樹脂の機械的曲げ強度が250℃で2.
    0kg/mm^2以上の値であることを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。 2、前記エポキシ樹脂の硬化剤として、ノボラック型フ
    ェノール樹脂の数平均分子量が1000〜3000であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂封
    止型半導体装置。
JP29875786A 1986-12-17 1986-12-17 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS63152158A (ja)

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JPS63152158A true JPS63152158A (ja) 1988-06-24

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ID=17863836

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014051149A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 住友金属鉱山株式会社 導電性接着剤

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014051149A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 住友金属鉱山株式会社 導電性接着剤
JPWO2014051149A1 (ja) * 2012-09-28 2016-08-25 住友金属鉱山株式会社 導電性接着剤

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