JPS63149368A - 乾式気相メツキ法 - Google Patents
乾式気相メツキ法Info
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- JPS63149368A JPS63149368A JP29546186A JP29546186A JPS63149368A JP S63149368 A JPS63149368 A JP S63149368A JP 29546186 A JP29546186 A JP 29546186A JP 29546186 A JP29546186 A JP 29546186A JP S63149368 A JPS63149368 A JP S63149368A
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- thin film
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- workpiece
- plating method
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＰＶＤ法（物理的気相成長法）やＣｖＤ法（化
学的気相成長法）等の乾式気相メッキ法に関するもので
あって、特に稠密で表面が平滑な薄膜が得られる様な乾
式気相メッキ法に関するものである。
学的気相成長法）等の乾式気相メッキ法に関するもので
あって、特に稠密で表面が平滑な薄膜が得られる様な乾
式気相メッキ法に関するものである。
ＰＶＤ法（物理的気相成長法）やＣＶＤ法（化学的気相
成長法）等の乾式気相メッキ法による薄膜形成技術は近
年急速な進歩をとげ、半導体デバイス、磁気記録媒体等
エレクトロニクス分野で広く利用されている。而してＰ
ＶＤ法に関しては真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等が行なわれており、一方ＧＶＤ法に関し
ても熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、マイクロ波ＣＶＤ等が
あり、夫々独自の特徴を有している。
成長法）等の乾式気相メッキ法による薄膜形成技術は近
年急速な進歩をとげ、半導体デバイス、磁気記録媒体等
エレクトロニクス分野で広く利用されている。而してＰ
ＶＤ法に関しては真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等が行なわれており、一方ＧＶＤ法に関し
ても熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、マイクロ波ＣＶＤ等が
あり、夫々独自の特徴を有している。
しかしながらこれら乾式気相メッキ法全般にわたる特徴
として、薄膜形成時に下地面としての被加工物面から垂
直にのびる柱状晶が極めて出来やすい点がある。即ち前
記薄膜の結晶組織は真空度、ガス圧、被加工物の温度等
のパラメーターによりある程度コントロール出来るもの
の、大部分は柱状晶である。そのために粒界にボイドが
出来やすくて前記薄膜の稠密度が低下し、極端な場合に
は下地面から薄膜表面布貫通した孔即ちピンホールが生
じる。又前記薄膜表面は下地面から自由成長したもので
あるため、被加工物及び薄膜の組合せ如何によっては非
常に粗くなる場合もあるが、この様な薄膜表面の粗さを
コントロールする適切な手段がない。
として、薄膜形成時に下地面としての被加工物面から垂
直にのびる柱状晶が極めて出来やすい点がある。即ち前
記薄膜の結晶組織は真空度、ガス圧、被加工物の温度等
のパラメーターによりある程度コントロール出来るもの
の、大部分は柱状晶である。そのために粒界にボイドが
出来やすくて前記薄膜の稠密度が低下し、極端な場合に
は下地面から薄膜表面布貫通した孔即ちピンホールが生
じる。又前記薄膜表面は下地面から自由成長したもので
あるため、被加工物及び薄膜の組合せ如何によっては非
常に粗くなる場合もあるが、この様な薄膜表面の粗さを
コントロールする適切な手段がない。
一方磁気記録媒体等エレクトロニクス分野で使用される
薄膜の表面品質に対する要求は近年益々厳しいものにな
る傾向にあり、稠密でかつ表面が平滑な薄膜が得られる
様な乾式気相メッキ法の開発が強く求められている。
薄膜の表面品質に対する要求は近年益々厳しいものにな
る傾向にあり、稠密でかつ表面が平滑な薄膜が得られる
様な乾式気相メッキ法の開発が強く求められている。
本発明はこの様な問題点を解決するため鋭意研究の結果
得られたものである。即ち本発明による乾式気相メッキ
法は被加工物に振動を与えることを特徴とするものであ
る。又被加工物に振動を与えつつ、更に回転又は往復運
動を加えることも効果的である。
得られたものである。即ち本発明による乾式気相メッキ
法は被加工物に振動を与えることを特徴とするものであ
る。又被加工物に振動を与えつつ、更に回転又は往復運
動を加えることも効果的である。
本発明においては薄膜形成時に被加工物に振動が与えら
れるため、該被加工物表面からの柱状晶の成長が阻止さ
れ、結晶粒が微細化（粒状晶化）する。従って粒界にボ
イドが生じなく、ピンホール等の欠陥がない稠密な薄膜
が形成され、該薄膜の表面も平滑になる。
れるため、該被加工物表面からの柱状晶の成長が阻止さ
れ、結晶粒が微細化（粒状晶化）する。従って粒界にボ
イドが生じなく、ピンホール等の欠陥がない稠密な薄膜
が形成され、該薄膜の表面も平滑になる。
本発明において被加工物に与える振動としては超音波振
動を用いることが好ましいが、それ以外の機械的振動或
いは電磁力による振動を用いても差し支えない。
動を用いることが好ましいが、それ以外の機械的振動或
いは電磁力による振動を用いても差し支えない。
又被加工物に振動を与えつつ、更に回転又は往復運動を
加えても差しつかえなく、前記運動によって薄膜結晶の
配向の偏りを防ぎ且つ被加工物の全面にわたって均一な
厚さの薄膜を形成することが出来る。
加えても差しつかえなく、前記運動によって薄膜結晶の
配向の偏りを防ぎ且つ被加工物の全面にわたって均一な
厚さの薄膜を形成することが出来る。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
まず本発明の実施に使用した高周波マグネトロンスパッ
タ装置の構成の概要を第１図に示す。第１図において、
１は基板（被加工物）であり、又超音波振動子、２はタ
ーゲット、つは超音波発振器、４は銅プレート、５Ａ、
５Ｂは磁石、６は高周波電源、７は真空ポンプである。
タ装置の構成の概要を第１図に示す。第１図において、
１は基板（被加工物）であり、又超音波振動子、２はタ
ーゲット、つは超音波発振器、４は銅プレート、５Ａ、
５Ｂは磁石、６は高周波電源、７は真空ポンプである。
被加工物１を厚さ１ｆｉ、巾５０ｗ！、長さ１００簡の
Ｆｅ板、ターゲット２をＮｉ−５０％Ｏｒ合金板とし、
スパッタガスとしてＡｒガス（圧カニ２ｘｌＯＴｏｒｒ
）を用い、高周波人力５００Ｗにて前記Ｆｅ板の表面
に厚さ４μｍのＮｉ −５０％Ｏｒ合金薄膜を形成させ
た。この際超音波発振器で発振させた入力２Ｋｖｊの超
音波振動を被加工物１に与えた。
Ｆｅ板、ターゲット２をＮｉ−５０％Ｏｒ合金板とし、
スパッタガスとしてＡｒガス（圧カニ２ｘｌＯＴｏｒｒ
）を用い、高周波人力５００Ｗにて前記Ｆｅ板の表面
に厚さ４μｍのＮｉ −５０％Ｏｒ合金薄膜を形成させ
た。この際超音波発振器で発振させた入力２Ｋｖｊの超
音波振動を被加工物１に与えた。
その結果得られた薄膜の組織は粒径α２μｍ程度の微細
な粒状晶組織となっており、かつ表面粗度（Ｒｍａｘ
） もα１μｍであって下地面（被加工物面）と変ら
なかった。更にピンホールテストとして５％塩水中に８
時間浸漬したがピンホールは認められなかった。
な粒状晶組織となっており、かつ表面粗度（Ｒｍａｘ
） もα１μｍであって下地面（被加工物面）と変ら
なかった。更にピンホールテストとして５％塩水中に８
時間浸漬したがピンホールは認められなかった。
一方前記薄膜の形成において被加工物１に超音波振動を
与えなかった場合、即ち従来法で薄膜を形成した場合は
、該薄膜の組織は下地面に垂直に該薄膜の表面迄細長く
伸びた柱状晶組織であった。
与えなかった場合、即ち従来法で薄膜を形成した場合は
、該薄膜の組織は下地面に垂直に該薄膜の表面迄細長く
伸びた柱状晶組織であった。
又表面粗度（Ｒｍｃｍ）は下地面では０．１μｍであっ
たのが、薄膜表面では０．つμｍになっており、表面が
粗くなる傾向があった。更にピンホールテストを行なっ
たところ０３個／ｄのピンホールが認められた。
たのが、薄膜表面では０．つμｍになっており、表面が
粗くなる傾向があった。更にピンホールテストを行なっ
たところ０３個／ｄのピンホールが認められた。
本発明によればピンホール等の欠陥がない稠密な薄膜を
形成することが出来る。又該薄膜の表面も平滑になるた
め、摺動部材等に使用した場合の摩擦係数が小さくなる
等工業上顕著な効果を奏するものである。
形成することが出来る。又該薄膜の表面も平滑になるた
め、摺動部材等に使用した場合の摩擦係数が小さくなる
等工業上顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施に使用した高周波マグネトロンス
パッタ装置の構成概要図である。
パッタ装置の構成概要図である。
Claims (3)
- （１）被加工物に振動を与えることを特徴とする乾式気
相メッキ法。 - （２）被加工物に超音波振動を与えることを特徴とする
特許請求の範囲第一項記載の乾式気相メッキ法。 - （３）被加工物に振動を与えつつ、更に回転又は往復運
動を加えることを特徴とする特許請求の範囲第一項記載
の乾式気相メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29546186A JPS63149368A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 乾式気相メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29546186A JPS63149368A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 乾式気相メツキ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149368A true JPS63149368A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17820885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29546186A Pending JPS63149368A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 乾式気相メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63149368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219463A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Teijin Ltd | 薄膜形成装置 |
| US5277740A (en) * | 1990-08-31 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming a fine pattern |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29546186A patent/JPS63149368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219463A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Teijin Ltd | 薄膜形成装置 |
| US5277740A (en) * | 1990-08-31 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming a fine pattern |
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