JPS63145786A - エツチング液の測定法 - Google Patents
エツチング液の測定法Info
- Publication number
- JPS63145786A JPS63145786A JP29320686A JP29320686A JPS63145786A JP S63145786 A JPS63145786 A JP S63145786A JP 29320686 A JP29320686 A JP 29320686A JP 29320686 A JP29320686 A JP 29320686A JP S63145786 A JPS63145786 A JP S63145786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- spectrophotometer
- soln
- etching solution
- spray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031308 UBX domain-containing protein 4 Human genes 0.000 description 1
- 101710109022 UBX domain-containing protein 4 Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、エツチング液の疲労度測定とエツチング処理
時間の°制御法にかかわり、特にスプレーエツチングで
使われるエツチング処理液の疲労度を検知し、液の疲労
度に応じ、スプレーエツチングの処理時間を調節するの
に有効なものである。
時間の°制御法にかかわり、特にスプレーエツチングで
使われるエツチング処理液の疲労度を検知し、液の疲労
度に応じ、スプレーエツチングの処理時間を調節するの
に有効なものである。
（発明のＩ！要）
本発明は、分析化学で用いられる分光光度計において、
腐食環境を避けるための液送りの機構を設け、液による
腐食も避けながら、エツチング液の吸収測定を可能にし
、エツチング液の疲労度を定量的に検知してエツチング
時間の制御を容易に調節できるようにしたものである。
腐食環境を避けるための液送りの機構を設け、液による
腐食も避けながら、エツチング液の吸収測定を可能にし
、エツチング液の疲労度を定量的に検知してエツチング
時間の制御を容易に調節できるようにしたものである。
（従来の技術）
従来は、特開昭６０−１８６０２１号公報のように、透
過率によるエツチング処理時間の制御方法が半導体ウェ
ハーのエツチングの場合に用いられていたが、ＳＵＳ系
、銅系等金属材料での塩化第二鉄、塩化第二銅等の懸濁
エツチング液では、透過率による測定法の採用は困難で
あり、公知のことである。スプレーエツチング処理の特
徴は、エツチング装置に、エツチング加［対象となる金
属の基板材料をスプレー噴射しているエツチング処理槽
の中に投入し、多聞の基板材料をエツチング液理するこ
とが可能であるが、厳密な加、［精度を要求するエツチ
ング処理には有効ではない。
過率によるエツチング処理時間の制御方法が半導体ウェ
ハーのエツチングの場合に用いられていたが、ＳＵＳ系
、銅系等金属材料での塩化第二鉄、塩化第二銅等の懸濁
エツチング液では、透過率による測定法の採用は困難で
あり、公知のことである。スプレーエツチング処理の特
徴は、エツチング装置に、エツチング加［対象となる金
属の基板材料をスプレー噴射しているエツチング処理槽
の中に投入し、多聞の基板材料をエツチング液理するこ
とが可能であるが、厳密な加、［精度を要求するエツチ
ング処理には有効ではない。
したがって、大まかなエツチング液の測定手段として、
浮き秤りによる液の比重を応用したボーメ度測定によっ
て、液の疲労度を見ているが、この方法では、液の疲労
度管理が満足に行われない。
浮き秤りによる液の比重を応用したボーメ度測定によっ
て、液の疲労度を見ているが、この方法では、液の疲労
度管理が満足に行われない。
（発明が解決しようとする問題点）
エツチング工程において、エツチング液が新鮮であり、
初期の状態が保てれば、エツチングは満足に行われるが
、同一のエツチング液で基板材料を多Ｒに処理すると、
エツチング液は次第に疲労し、エツチング液中のエツチ
ング加工に寄りするイオンの發が減少してくる。このと
き、エツチング液の疲労に応じて、エツチング処理時間
を長くする必要があり、適切なエツチング処理時間の条
件を明確にすることが困ガとなる。又、エツチング時の
基板材料の加工面積、処理枚数、材料の構成成分等が、
複雑で不特定なため、エツチング液の疲労度の定量隔離
が極めて困難で、満足なエツチング加工が行われないと
いう欠点を有していた。
初期の状態が保てれば、エツチングは満足に行われるが
、同一のエツチング液で基板材料を多Ｒに処理すると、
エツチング液は次第に疲労し、エツチング液中のエツチ
ング加工に寄りするイオンの發が減少してくる。このと
き、エツチング液の疲労に応じて、エツチング処理時間
を長くする必要があり、適切なエツチング処理時間の条
件を明確にすることが困ガとなる。又、エツチング時の
基板材料の加工面積、処理枚数、材料の構成成分等が、
複雑で不特定なため、エツチング液の疲労度の定量隔離
が極めて困難で、満足なエツチング加工が行われないと
いう欠点を有していた。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するため、本発明は、分光光度計によ
る吸光度測定と、エツチング装置と分光光度計とを、チ
ューブによる液送り機構を介して行い、測定セル部のセ
ル厚をａくすることにより、エツチング液の疲労度を分
光光度計で測定可能として測定法とを組み合せ、総合的
に、液の定量評価できるようにする。
る吸光度測定と、エツチング装置と分光光度計とを、チ
ューブによる液送り機構を介して行い、測定セル部のセ
ル厚をａくすることにより、エツチング液の疲労度を分
光光度計で測定可能として測定法とを組み合せ、総合的
に、液の定量評価できるようにする。
（作用）
上記の様な構成にすれば、エツチングの雰囲気、つまり
、腐食雰囲気中で分光光度計の様な精密測定機器を使う
こともなく、エツチング液の疲労度を定量的に測定でき
、エツチング加工精度と液の疲労度との関係が明確とな
り、エツチング工程上、液管理上の測定とエツチング時
間の調節が容易にできる。
、腐食雰囲気中で分光光度計の様な精密測定機器を使う
こともなく、エツチング液の疲労度を定量的に測定でき
、エツチング加工精度と液の疲労度との関係が明確とな
り、エツチング工程上、液管理上の測定とエツチング時
間の調節が容易にできる。
（実施例）
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図においては、本発明に係る方法を実施する！！１構
のブロック系統図であり、エツチング液を所定岱満たし
たスプレーエツチング装置の処理槽１より、デユープ５
を介して、Ｏ−ラーボンブ４により、エツチング液をエ
ツチング処理ｆａ１から抽出し、液中の不純物や酸化物
を除去するフィルター６を経由して、分光光度計３内の
シーケンシャルサンプラー２のセル部にエツチング液を
たくりえ、たくりえたエツチング液に可視から近赤外ま
で有効波長の光を照射し、液の疲労度の状態を検知する
。分光光度計３より得られる吸光度の値を第４図に示す
様な、エツチング液の吸光度とエツチング時間との関係
図に合せ、所望の加工精度を得るために、エツチング時
間の調節を行う。
１図においては、本発明に係る方法を実施する！！１構
のブロック系統図であり、エツチング液を所定岱満たし
たスプレーエツチング装置の処理槽１より、デユープ５
を介して、Ｏ−ラーボンブ４により、エツチング液をエ
ツチング処理ｆａ１から抽出し、液中の不純物や酸化物
を除去するフィルター６を経由して、分光光度計３内の
シーケンシャルサンプラー２のセル部にエツチング液を
たくりえ、たくりえたエツチング液に可視から近赤外ま
で有効波長の光を照射し、液の疲労度の状態を検知する
。分光光度計３より得られる吸光度の値を第４図に示す
様な、エツチング液の吸光度とエツチング時間との関係
図に合せ、所望の加工精度を得るために、エツチング時
間の調節を行う。
測定し終えた液は、チューブ５′を介してエツチング処
理槽に戻る。この液の循環は、エツチング作業中、常時
、続けられる。
理槽に戻る。この液の循環は、エツチング作業中、常時
、続けられる。
チューブ５．５’ 、ローラーポンプ４を用いるのは、
分光光度計の様な精密測定機器内にエツチング処理を行
う部屋の環境、つまり腐食雰囲気を直接、試料室に持ち
込まないことにある。
分光光度計の様な精密測定機器内にエツチング処理を行
う部屋の環境、つまり腐食雰囲気を直接、試料室に持ち
込まないことにある。
また、ローラーポンプ４についても、吸引式のポンプを
使うと、エツチング液がポンプ内に入ったとき、エツチ
ング液の腐食作用によって腐食される危惧があるので、
第３図に示す様に、エツチング液がポンプ内に流入しな
い様、ローラーポンプ４を用いて、液送りの機構を作っ
た。尚、チューブ５は、ローラーポンプ４でも径が押し
つぶされぬ様、材質がシリコン系のシリコン、タイボン
チューブ等を用いる。
使うと、エツチング液がポンプ内に入ったとき、エツチ
ング液の腐食作用によって腐食される危惧があるので、
第３図に示す様に、エツチング液がポンプ内に流入しな
い様、ローラーポンプ４を用いて、液送りの機構を作っ
た。尚、チューブ５は、ローラーポンプ４でも径が押し
つぶされぬ様、材質がシリコン系のシリコン、タイボン
チューブ等を用いる。
本発明の前記実施例により得られた吸収スペクトルを、
第５図にＳＵＳ系塩化第二鉄エツヂング液、第６図に銅
系塩化第二鉄液エツチング液の疲労に伴う変化で示す。
第５図にＳＵＳ系塩化第二鉄エツヂング液、第６図に銅
系塩化第二鉄液エツチング液の疲労に伴う変化で示す。
これらの吸収スペクトルより、特定波長か特定波長領域
でのエツチング液の規則的な変化を見出し、その規則性
を液の管理測定基準として採用する。この種のエツチン
グ溶液は、懸濁性が強く、光の透過性が悪いので、１０
顛の標準セル部を持つシーケンシャルサンプラー２では
、吸光度が検知できないので第２図に示すように、セル
部が２ｍのシーケンシャルサンプラー２を用いて、エツ
チング液の吸光度の測定を行なった。
でのエツチング液の規則的な変化を見出し、その規則性
を液の管理測定基準として採用する。この種のエツチン
グ溶液は、懸濁性が強く、光の透過性が悪いので、１０
顛の標準セル部を持つシーケンシャルサンプラー２では
、吸光度が検知できないので第２図に示すように、セル
部が２ｍのシーケンシャルサンプラー２を用いて、エツ
チング液の吸光度の測定を行なった。
（発明の効果）
本発明は、スプレーエツチング装置のある腐食し易いエ
ツチング室答の腐ａ環境を避け、エツチング装置と分光
光度計をシーケンシャルサンプラーにより、チューブを
介して接続し、ローラーポンプによって、エツチング液
を分光光度計の測定部に送り、セル部のエツチング液に
光を照射して、塩化第二鉄の様な懸濁液でも、吸光度を
もって定量的に液の状態を把握し、基板材料のエツチン
グ時間を設定することができ、常に適正かつ一定の条件
下で、加工精度の良い部品を製造するエツチング作業を
施すことができる。
ツチング室答の腐ａ環境を避け、エツチング装置と分光
光度計をシーケンシャルサンプラーにより、チューブを
介して接続し、ローラーポンプによって、エツチング液
を分光光度計の測定部に送り、セル部のエツチング液に
光を照射して、塩化第二鉄の様な懸濁液でも、吸光度を
もって定量的に液の状態を把握し、基板材料のエツチン
グ時間を設定することができ、常に適正かつ一定の条件
下で、加工精度の良い部品を製造するエツチング作業を
施すことができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る方法を実部する機構
のブロック系統図であり、第２図は、シーケンシャルサ
ンプラー断面図、第３図は、ローラーポンプでの液の動
きを示す側面図、第４図は、エツチング液の吸光度とエ
ツチング時間との関係を示すグラフ、第５図、第６図は
、本発明実施に基づく、ＳＯ３系、銅系エツチング液で
得られる吸収スペクトルの変化を示したものである。 １・・・エツチング処理槽 ２・・・シーケンシャルサンプラー ３・・・分光光度計 ４・・・ローラーポンプ 出願人 セイコー電子工業株式会社 −一′、・ 代理人 弁理士 最 上 務ｌ ・。 （他１名）一 本宛Ｉ＋月のプロ・ノア系岸を図 弔 １ 図 シーグノソ、ＩＬサンプクー℃ル船断面図裏２図 ローラーポンプて′のｔｒ）３と才、１州面図第３０ σ又え、ｉとエラ士ン７゛哨間との関係とホ１７゛つ７
第４図
のブロック系統図であり、第２図は、シーケンシャルサ
ンプラー断面図、第３図は、ローラーポンプでの液の動
きを示す側面図、第４図は、エツチング液の吸光度とエ
ツチング時間との関係を示すグラフ、第５図、第６図は
、本発明実施に基づく、ＳＯ３系、銅系エツチング液で
得られる吸収スペクトルの変化を示したものである。 １・・・エツチング処理槽 ２・・・シーケンシャルサンプラー ３・・・分光光度計 ４・・・ローラーポンプ 出願人 セイコー電子工業株式会社 −一′、・ 代理人 弁理士 最 上 務ｌ ・。 （他１名）一 本宛Ｉ＋月のプロ・ノア系岸を図 弔 １ 図 シーグノソ、ＩＬサンプクー℃ル船断面図裏２図 ローラーポンプて′のｔｒ）３と才、１州面図第３０ σ又え、ｉとエラ士ン７゛哨間との関係とホ１７゛つ７
第４図
Claims (1)
- スプレーエッチングの処理槽より、チューブ経由でエッ
チング液を分光光度計のセル部に抽出し、前記エッチン
グ液に光を照射し、エッチング液の疲労度を検知するこ
とを特徴とするエッチング液の測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29320686A JPS63145786A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | エツチング液の測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29320686A JPS63145786A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | エツチング液の測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63145786A true JPS63145786A (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=17791796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29320686A Pending JPS63145786A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | エツチング液の測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63145786A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05179466A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tsurumi Soda Kk | ハロゲン化金属溶液中からの金属の回収方法及び回収装置 |
| JPH05179463A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tsurumi Soda Kk | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JPH0624895A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-01 | Fujikura Ltd | Ｃｖｄ原料気化装置 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29320686A patent/JPS63145786A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05179466A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tsurumi Soda Kk | ハロゲン化金属溶液中からの金属の回収方法及び回収装置 |
| JPH05179463A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Tsurumi Soda Kk | エッチング方法及びエッチング装置 |
| JPH0624895A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-01 | Fujikura Ltd | Ｃｖｄ原料気化装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lahmani et al. | Photofragmentation of CH3ONO at 355 nm. Energy distribution in the NO fragment | |
| US6762832B2 (en) | Methods and systems for controlling the concentration of a component in a composition with absorption spectroscopy | |
| DE60036145T2 (de) | Anlage zur Abgasidentifizierung | |
| CN105954260B (zh) | 基于激光诱导击穿光谱对水体元素定量分析的制样方法 | |
| Chu et al. | Simultaneous multielement determination of trace metals in seawater by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry using chelating resin column preconcentration. | |
| JPS63145786A (ja) | エツチング液の測定法 | |
| DE102019122163A1 (de) | Messanordnung zur Messung des gesamten gebundenen Stickstoffs in einer Messflüssigkeit | |
| JP3290982B2 (ja) | 半導体処理用無機電解質の定量法 | |
| DE4200493C2 (de) | Vorrichtung zur Untersuchung der Zusammensetzung dünner Schichten | |
| Ariel et al. | The determination of thallium in urine | |
| Alexander | An X-ray fluorescence method for the determination of calcium, potassium, chlorine, sulfur, and phosphorus in biological tissues | |
| EP2002238B1 (en) | Method and system for the measurement of chemical species in caustic aluminate solutions | |
| EP1086353A1 (en) | Method and apparatus for determining processing chamber cleaning or wafer etching endpoint | |
| TWI770596B (zh) | 電漿處理方法及使用在電漿處理的波長選擇方法 | |
| Rawling et al. | Determination of Silver in Lead Concentrates by Atomic Absorption Spectroscopy | |
| DE102017108076A1 (de) | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Objekten | |
| Haimovich et al. | Electronic Spectrum of IO− in Solution | |
| Lucena et al. | ATR-FTIR membrane-based sensor for the simultaneous determination of surfactant and oil total indices in industrial degreasing baths | |
| Shimazu et al. | Spectral characteristics of laser-induced plasma generated on porous silicon produced by metal-assisted etching | |
| Shull | Estimation of Hydroxyl, Methyl, and Phenyl in Dimethyldiphenyl Silicone Resins by Infrared Spectrophotometry | |
| Lu et al. | Determination of metal elements in workplace air by ICP-MS | |
| US5893046A (en) | Real time monitor of reacting chemicals in semiconductor manufacturing | |
| Dolance et al. | Spectrophotometric Determination of Nitrates in Plating Baths | |
| Walrafen et al. | Weak Raman bands and the reduced spectrum from vitreous BeF 2 | |
| SU911227A2 (ru) | Способ определени концентрации поверхностноактивных веществ в водных растворах |