JPS6314500Y2 - - Google Patents

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JPS6314500Y2
JPS6314500Y2 JP8768982U JP8768982U JPS6314500Y2 JP S6314500 Y2 JPS6314500 Y2 JP S6314500Y2 JP 8768982 U JP8768982 U JP 8768982U JP 8768982 U JP8768982 U JP 8768982U JP S6314500 Y2 JPS6314500 Y2 JP S6314500Y2
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muting
transistor
circuit
voltage
reference voltage
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はFM受信機の局間雑音や離調時の雑音
を除去するミユーテイング回路に関し、殊に低電
圧電源で良好な特性を得るミユーテイング回路を
提供することを目的とする。
[Detailed description of the invention] The present invention relates to a muting circuit that removes inter-office noise and detuning noise of an FM receiver, and in particular, the purpose is to provide a muting circuit that obtains good characteristics with a low voltage power supply. do.

本考案のミユーテイング回路に就いて第1図乃
至第5図に基づき説明する。尚、図面を通し共通
部分には共通符号が付与されている。
The muting circuit of the present invention will be explained based on FIGS. 1 to 5. Note that common parts are given common symbols throughout the drawings.

第1図はミユーテイング回路Mを具えたFM受
信機のブロツク図である。図に於て、1はフロン
トエンド、2は中間周波増幅段、3はFM検波
段、4は復調器、5はAFC回路(自動周波数制
御回路)、6はミユーテイング帯域を設定する為
のミユーテイング信号を得る帯域設定回路、7,
8はミユーテイング帯域を設定する為の基準電圧
源、9は低周波増幅器、10,11はスピーカで
ある。ミユーテイング回路Mは、AFC回路5か
ら出力aと基準電圧源7,8から基準電圧が供給
され、ミユーテイング信号bを得ている。第2図
に示すように、FM検波段3の出力aの周波数振
幅特性はS字特性を有する。また、基準電圧源7
はミユーテイング帯域を設定する上位の電圧P1
を有し、基準電圧源8は下位の電圧P2を有する。
第2図の斜線で示した部分はミユーテイング回路
を駆動させて、音声が出力されないようになされ
た離調周波数領域である。
FIG. 1 is a block diagram of an FM receiver equipped with a muting circuit M. In the figure, 1 is the front end, 2 is the intermediate frequency amplification stage, 3 is the FM detection stage, 4 is the demodulator, 5 is the AFC circuit (automatic frequency control circuit), and 6 is the muting signal for setting the muting band. Band setting circuit to obtain 7,
8 is a reference voltage source for setting a muting band, 9 is a low frequency amplifier, and 10 and 11 are speakers. The muting circuit M is supplied with an output a from the AFC circuit 5 and a reference voltage from reference voltage sources 7 and 8, and obtains a muting signal b. As shown in FIG. 2, the frequency amplitude characteristic of the output a of the FM detection stage 3 has an S-shaped characteristic. In addition, the reference voltage source 7
is the upper voltage P 1 that sets the muting band
, and the reference voltage source 8 has a lower voltage P 2 .
The shaded area in FIG. 2 is the detuned frequency region in which the muting circuit is driven so that no sound is output.

第3図は本考案に係るミユーテイング回路の説
明の為の図であり、帯域設定回路6は差動増幅器
A1,A2から形成される。基準電圧源7,8は差
動増幅器A1,A2の正転入力端子に夫々接続され、
それらの反転入端子は共通接続され、AFC回路
5に接続される。aはAFC回路5の出力を示し、
bは差動増幅器A1,A2からの出力を示している。
FIG. 3 is a diagram for explaining the muting circuit according to the present invention, in which the band setting circuit 6 is a differential amplifier.
It is formed from A 1 and A 2 . The reference voltage sources 7 and 8 are connected to the normal input terminals of the differential amplifiers A 1 and A 2 , respectively.
Their inverting input terminals are commonly connected and connected to the AFC circuit 5. a indicates the output of the AFC circuit 5,
b indicates the output from the differential amplifiers A 1 and A 2 .

さて、第4図はそのミユーテイング回路の具体
的な回路図である。差動増幅器A1は対を形成し
たNPNトランジスタQ1,Q2と負荷抵抗R5及びエ
ミツタ抵抗R7から形成される。差動増幅器A2
対を形成したPNPトランジスタQ3,Q4と負荷抵
抗R6及びエミツタ抵抗R8から形成される。そし
て、NPNトランジスタQ2のベースとPNPトラン
ジスタQ4のベースとは端子12に共通接続され
る。また、NPNトランジスタQ1とPNPトランジ
スタQ3のベースには夫々基準電圧源7,8が接
続される。基準電圧7,8は直列接続したダイオ
ード接続されたトランジスタQ12,Q13がトラン
ジスタQ10,Q11及びQ14,Q15からなる電流源回
路によつてフローテイング状態に形成され、そし
て、トランジスタQ11とQ15のコレクタ間に分割
抵抗R1〜R4が接続される。抵抗R1とR2との接続
点K1からミユーテイング帯域を設定する上位の
基準電圧P1を得る。そして、抵抗R3,R4との接
続点K2からミユーテイング帯域を設定する下位
の基準電圧P2を得る。尚、端子14には電源電
圧VCCの2分の1の基準電圧E1が供給され、端子
15からバイアス電圧E2の電圧が供給される。
そして負荷抵抗R5とトランジスタQ2のコレクタ
との接続点はトランジスタQ6のベースに接続さ
れ、トランジスタQ4のコレクタと抵抗R6との接
続点はトランジスタQ5のベースに接続される。
トランジスタQ5のコレクタは抵抗R9を介してト
ランジスタQ6のベースに接続される。トランジ
スタQ6のコレクタはダイオード接続したトラン
ジスタQ8のアノード側が接続される。トランジ
スタQ7はトランジスタQ8によつてバイアスされ
て端子13からミユーテイング信号を得る。
Now, FIG. 4 is a specific circuit diagram of the muting circuit. The differential amplifier A1 is formed by a pair of NPN transistors Q1 , Q2 , a load resistor R5 , and an emitter resistor R7 . The differential amplifier A2 is formed from a pair of PNP transistors Q3 , Q4 , a load resistor R6 and an emitter resistor R8 . The base of the NPN transistor Q 2 and the base of the PNP transistor Q 4 are commonly connected to the terminal 12. Further, reference voltage sources 7 and 8 are connected to the bases of the NPN transistor Q 1 and the PNP transistor Q 3 , respectively. The reference voltages 7 and 8 are formed by diode-connected transistors Q 12 and Q 13 connected in series in a floating state by a current source circuit consisting of transistors Q 10 , Q 11 and Q 14 , and Q 15 . Dividing resistors R 1 to R 4 are connected between the collectors of Q 11 and Q 15 . An upper reference voltage P1 for setting the muting band is obtained from the connection point K1 between the resistors R1 and R2 . Then, a lower reference voltage P2 for setting the muting band is obtained from the connection point K2 with the resistors R3 and R4 . Note that the terminal 14 is supplied with a reference voltage E 1 which is one half of the power supply voltage V CC , and the terminal 15 is supplied with a bias voltage E 2 .
The connection point between the load resistance R 5 and the collector of the transistor Q 2 is connected to the base of the transistor Q 6 , and the connection point between the collector of the transistor Q 4 and the resistance R 6 is connected to the base of the transistor Q 5 .
The collector of transistor Q 5 is connected to the base of transistor Q 6 via a resistor R 9 . The collector of transistor Q6 is connected to the anode side of diode-connected transistor Q8 . Transistor Q 7 is biased by transistor Q 8 to obtain a muting signal from terminal 13.

さて、第4図によつてミユーテイング回路の動
作に就いて第2図を参照して説明する。端子12
に入力されるAFC回路5の出力aが接続点K1
電圧P1より高いときは、NPNトランジスタQ2
オン状態となり抵抗R5の端子間電圧によつてバ
イアスされトランジスタQ6がオン状態となり、
トランジスタQ7からミユーテイング帯域の上位
の電圧P1を設定する為のミユーテイング信号b
を発生している。また、AFC回路5の出力aが
第2図に示すように中心周波数0から±Δ周波
数が離調した範囲にあるときはトランジスタQ2
のベースの電位が基準電圧P1の電位より小さい
のでトランジスタQ2はオフ状態となる。また、
この状態のとき差動増幅器A2を形成するPNPト
ランジスタQ3,Q4のうちトランジスタQ4がオフ
状態になつている。出力aがミユーテイング帯域
の下位の電圧P2より低下するとPNPトランジス
タQ4がオン状態に反転する。従つて、抵抗R6
端子間電圧によつてトランジスタQ5がオン状態
となつて、トランジスタQ6がオンとなり、トラ
ンジスタQ7からミユーテイング信号bを発生す
る。このミユーテイング信号bによつて低周波増
幅器9を制御して、ミユーテイング帯域を設定す
る。尚、ミユーテイング帯域は基準電圧源7,8
の電位を調整することで任意に設定できる。
Now, with reference to FIG. 4, the operation of the muting circuit will be explained with reference to FIG. 2. terminal 12
When the output a of the AFC circuit 5 inputted to is higher than the voltage P1 at the connection point K1 , the NPN transistor Q2 is turned on, biased by the voltage across the terminals of the resistor R5 , and the transistor Q6 is turned on. Then,
Muting signal b for setting the upper voltage P1 of the muting band from transistor Q7
is occurring. Furthermore, when the output a of the AFC circuit 5 is in the range ±Δ frequency detuned from the center frequency 0 as shown in FIG .
Since the base potential of the transistor Q2 is lower than the potential of the reference voltage P1, the transistor Q2 is turned off. Also,
In this state, transistor Q 4 of PNP transistors Q 3 and Q 4 forming differential amplifier A 2 is in an off state. When the output a falls below the voltage P2 at the lower end of the muting band, the PNP transistor Q4 is turned on. Therefore, the voltage across the terminals of the resistor R6 turns on the transistor Q5 , turning on the transistor Q6 and generating the muting signal b from the transistor Q7 . The low frequency amplifier 9 is controlled by this muting signal b to set a muting band. Note that the muting band is based on the reference voltage sources 7 and 8.
It can be set arbitrarily by adjusting the potential of .

因に、低電圧源でトランジスタ増幅回路の動作
を妨げる要因の一つとしてはトランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧(約0.6V)による電圧損失
が挙げられる。本考案のミユーテイング回路は電
源電圧1.8ボルトで作動させるべく、ミユーテイ
ング帯域の上位の電圧P1を検出する差動増幅器
A1をNPNトランジスタで形成し、下位の電圧P2
を検出する差動増幅器A2をPNPトランジスタで
形成して、ベース・エミツタ間電圧が電圧損失と
して作用しないようになされている。仮に、
PNPトランジスタQ3,Q4をNPNトランジスタで
形成した場合、NPNトランジスタのエミツタ・
ベース間電圧(約0.6ボルト)とエミツタ抵抗に
よる電圧損失とが約0.8ボルトであり、従つてこ
の電位を越えない限り差動増幅器は動作しない。
また、電源電圧が1.8ボルトのとき中間点の基準
電圧E1は0.9ボルトであり、僅か0.1ボルトの電圧
の余裕しかなく安定した動作特性を得ることは極
めて困難である。しかし、第4図の実施例のよう
に、差動増幅器A2をPNPトランジスタで形成す
ることによつて、これらの問題点は解消すること
ができる。即ち、PNPトランジスタQ4のベース
電圧がPNPトランジスタQ3のベース電圧より低
い電圧によつてPNPトランジスタQ4は作動する。
また、PNPトランジスタのベース・エミツタ間
電圧は電圧損失としては作用しない。
Incidentally, one of the factors that hinders the operation of a transistor amplifier circuit with a low voltage source is voltage loss due to the voltage between the base and emitter of the transistor (approximately 0.6V). The mutating circuit of the present invention uses a differential amplifier that detects the upper voltage P1 of the muting band in order to operate with a power supply voltage of 1.8 volts.
A 1 is formed by an NPN transistor, and the lower voltage P 2
The differential amplifier A2 that detects the voltage is formed from a PNP transistor so that the base-emitter voltage does not act as a voltage loss. what if,
When PNP transistors Q 3 and Q 4 are formed of NPN transistors, the emitters of the NPN transistors
The base-to-base voltage (about 0.6 volts) and the voltage loss due to the emitter resistance are about 0.8 volts, so the differential amplifier will not operate unless this potential is exceeded.
Furthermore, when the power supply voltage is 1.8 volts, the reference voltage E 1 at the midpoint is 0.9 volts, and there is only a voltage margin of 0.1 volts, making it extremely difficult to obtain stable operating characteristics. However, these problems can be solved by forming the differential amplifier A2 with a PNP transistor as in the embodiment shown in FIG. That is, the PNP transistor Q 4 is activated by a voltage where the base voltage of the PNP transistor Q 4 is lower than the base voltage of the PNP transistor Q 3 .
Furthermore, the base-emitter voltage of a PNP transistor does not act as a voltage loss.

第5図は本考案に係る他の実施例である。第4
図の実施例とは差動増幅器A1,A2が相違してい
る。即ち、エミツタ抵抗R7,R8の代わりに電流
源トランジスタQ20,Q21で形成されている点と、
負荷抵抗R5,R6の代わりにダイオード接続され
たトランジスタQ22,Q23で形成されている点で
ある。他の回路は第4図と略同一である。
FIG. 5 shows another embodiment of the present invention. Fourth
Differential amplifiers A 1 and A 2 are different from the embodiment shown in the figure. That is, the emitter resistors R 7 and R 8 are replaced by current source transistors Q 20 and Q 21 , and
The difference is that the load resistors R 5 and R 6 are replaced by diode-connected transistors Q 22 and Q 23 . The other circuits are substantially the same as those in FIG.

上述のように、本考案に係るミユーテイング回
路は1.8乃至3ボルトの低電圧源であつても、安
定した動作をするミユーテイング回路を提供する
ことが可能である。無論、5ボルト以上の電源電
圧であつても動作することには変わりはない。
As described above, the muting circuit according to the present invention can provide a muting circuit that operates stably even with a low voltage source of 1.8 to 3 volts. Of course, it will still work even if the power supply voltage is 5 volts or more.

また、低電圧電源の基準電圧をベース・エミツ
タ間電圧による電圧源を分割抵抗によつて得るよ
うになされ、また、その基準電圧源が電流源回路
によつてフローテイング状態にあり、電源電圧の
中間電圧が基準電圧として供給されている。従つ
て、極めて安定した基準電圧源である。
In addition, the reference voltage of the low-voltage power supply is obtained by dividing the voltage source based on the base-emitter voltage, and the reference voltage source is kept in a floating state by the current source circuit, so that the voltage source is obtained from the base-emitter voltage. An intermediate voltage is supplied as a reference voltage. Therefore, it is an extremely stable reference voltage source.

本考案のミユーテイング回路は基準電圧源7,
8と帯域設定回路6によつて任意のミユーテイン
グ帯域を設定することが可能である。そして、低
電圧源で作動する優れたFM受信機のミユーテイ
ング回路を提供することができる。
The muting circuit of the present invention includes a reference voltage source 7,
8 and the band setting circuit 6, it is possible to set an arbitrary muting band. Furthermore, it is possible to provide an excellent muting circuit for an FM receiver that operates with a low voltage source.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はミユーテイング回路を具えたFM受信
機のブロツク図、第2図はFM検波出力であるS
字特性とミユーテイング帯域を示す図、第3図は
本考案に係るミユーテイング回路の概略を示す為
の図、第4図は本考案に係るミユーテイング回路
の具体的な一実施例を示す回路図である。第5図
はミユーテイング回路の他の実施例である。 5:AFC回路、6:帯域設定回路、7,8:
基準電圧源、9:低周波増幅回路、M:ミユーテ
イング回路、A1,A2:差動増幅回路。
Figure 1 is a block diagram of an FM receiver equipped with a muting circuit, and Figure 2 is the FM detection output S
FIG. 3 is a diagram showing an outline of the muting circuit according to the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific embodiment of the muting circuit according to the present invention. . FIG. 5 shows another embodiment of the muting circuit. 5: AFC circuit, 6: Band setting circuit, 7, 8:
Reference voltage source, 9: low frequency amplifier circuit, M: mutating circuit, A 1 , A 2 : differential amplifier circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] FM受信機のミユーテイング回路に於て、ミユ
ーテイング帯域を設定する上位の電圧と下位の電
圧を有する第1と第2の基準電圧源とNPNトラ
ンジスタ対からなる第1の差動増幅器とPNPト
ランジスタ対からなる第2の差動増幅器と有し、
第1の基準電圧源が該NPNトランジスタの一方
のベースに、且つ第2の基準電圧源が該PNPト
ランジスタの一方のベースに夫々供給され、該
NPNトランジスタとPNPトランジスタの他方の
夫々のベースにAFC回路からの出力を供給する
ことによつて、該第1と第2の差動増幅器からミ
ユーテイング帯域を設定するミユーテイング信号
を得ることを特徴とするFM受信機のミユーテイ
ング回路。
In the muting circuit of the FM receiver, from the first and second reference voltage sources having upper and lower voltages that set the muting band, a first differential amplifier consisting of a pair of NPN transistors, and a pair of PNP transistors. a second differential amplifier,
A first reference voltage source is supplied to one base of the NPN transistor, a second reference voltage source is supplied to one base of the PNP transistor, and the second reference voltage source is supplied to one base of the PNP transistor.
A muting signal for setting a muting band is obtained from the first and second differential amplifiers by supplying the output from the AFC circuit to the bases of the other of the NPN transistor and the PNP transistor, respectively. FM receiver muting circuit.
JP8768982U 1982-06-11 1982-06-11 FM receiver muting circuit Granted JPS58189634U (en)

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JPS58189634U JPS58189634U (en) 1983-12-16
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