JPS63144188A - 液相エピタキシヤル成長装置の基板ホルダ - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置の基板ホルダInfo
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- JPS63144188A JPS63144188A JP28683886A JP28683886A JPS63144188A JP S63144188 A JPS63144188 A JP S63144188A JP 28683886 A JP28683886 A JP 28683886A JP 28683886 A JP28683886 A JP 28683886A JP S63144188 A JPS63144188 A JP S63144188A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
液相エピタキシャル成長装置において基板を保持する基
板ホルダの保持爪の径方向突出長さを約１．５〜４鶴の
範囲に設定することにより基板を溶液中から引き上げる
際に保持爪部分にたまる溶液による溶液流れを少くし、
均一な膜厚の生成を保証する。
板ホルダの保持爪の径方向突出長さを約１．５〜４鶴の
範囲に設定することにより基板を溶液中から引き上げる
際に保持爪部分にたまる溶液による溶液流れを少くし、
均一な膜厚の生成を保証する。
本発明は例えば磁気バブルメモリ素子の基板上にホモま
たはへテロエピタキシャルによりバブル結晶を育成する
のに用いられる液相エピタキシャル成長装置に関し、特
にその基板ホルダに関する。
たはへテロエピタキシャルによりバブル結晶を育成する
のに用いられる液相エピタキシャル成長装置に関し、特
にその基板ホルダに関する。
近年、磁気バブルメモリ素子は４Ｍビットという大記憶
容量を持つものが量産されているが、記憶容量の高密度
化に伴いバブル結晶の膜厚も薄くなり、その結果生成薄
膜の膜厚分布の一層の均゛−化が求められる。
容量を持つものが量産されているが、記憶容量の高密度
化に伴いバブル結晶の膜厚も薄くなり、その結果生成薄
膜の膜厚分布の一層の均゛−化が求められる。
液相エピタキシャル成長装置において結晶を育成すべき
基板は基板ホルダに保持してるつぼ内の結晶溶液に出し
入れされる。
基板は基板ホルダに保持してるつぼ内の結晶溶液に出し
入れされる。
第６図に液相エピタキシャル成長装置の代表的な構造例
を示す。
を示す。
ヒータ１１を有する炉芯管１３内にるつぼ台１５が設置
され、その上部に溶液１７を満たした白金るつぼ１９が
設置される。この溶液１７内に結晶を育成すべき基板２
５が挿入される。磁気バブルメモリ素子の場合には基板
２５としては一般に略円形のＧＧＧ （ガドリニウムガ
リウムガーネット）基板（ウェハ）が用いられ、溶液と
しては例えば（ＹｚＯ＋、 ＳｍｚＯｌ、 ＬｕｚＯｚ
、 ＦｅｚＯ＋、 ＣａＣＯ２，Ｇｅ０ｔ）から成る溶
質と（ＰｂＯ，Ｂｚ０３）から成る溶媒とを含む溶液が
用いられる。
され、その上部に溶液１７を満たした白金るつぼ１９が
設置される。この溶液１７内に結晶を育成すべき基板２
５が挿入される。磁気バブルメモリ素子の場合には基板
２５としては一般に略円形のＧＧＧ （ガドリニウムガ
リウムガーネット）基板（ウェハ）が用いられ、溶液と
しては例えば（ＹｚＯ＋、 ＳｍｚＯｌ、 ＬｕｚＯｚ
、 ＦｅｚＯ＋、 ＣａＣＯ２，Ｇｅ０ｔ）から成る溶
質と（ＰｂＯ，Ｂｚ０３）から成る溶媒とを含む溶液が
用いられる。
基板２５は基板ホルダ２７により保持され、その表面（
結晶を成長させるべき表面）を下側にして溶液１７内に
出し入れされる。基板ホルダ２５は結晶育成中に反転回
転せしめられる。
結晶を成長させるべき表面）を下側にして溶液１７内に
出し入れされる。基板ホルダ２５は結晶育成中に反転回
転せしめられる。
基板ホルダ２７は第３図に示す如く、アルミナ製の棒２
９の下端に同心円周上に位置する例えば４木のアーム２
９を有し、各アーム２９の下端に基板２５を保持する保
持爪３１が固着される。４本のアーム２９が形成する円
の径は基板２５の径に略等しく、従って基板２５をアー
ム２９内に位置させた後に保持爪３１を径方向内側に折
り曲げることにより基板２５は保持爪３１により４点で
安定支持される。育成後、基板ホルダ２７を溶液中から
引き上げて残留溶液を基板から流し落とすが、このため
に基板は水平よりθ（例えばθ嬌５°）のｆ頃きをつけ
である。即ち、アーム２９の長さを僅かに異ならせるこ
とにより第５図に示す如く基板２５が水平に対して一方
向にθだけ傾斜せしめられる。
９の下端に同心円周上に位置する例えば４木のアーム２
９を有し、各アーム２９の下端に基板２５を保持する保
持爪３１が固着される。４本のアーム２９が形成する円
の径は基板２５の径に略等しく、従って基板２５をアー
ム２９内に位置させた後に保持爪３１を径方向内側に折
り曲げることにより基板２５は保持爪３１により４点で
安定支持される。育成後、基板ホルダ２７を溶液中から
引き上げて残留溶液を基板から流し落とすが、このため
に基板は水平よりθ（例えばθ嬌５°）のｆ頃きをつけ
である。即ち、アーム２９の長さを僅かに異ならせるこ
とにより第５図に示す如く基板２５が水平に対して一方
向にθだけ傾斜せしめられる。
従来の液相エピタキシャル成長装置では基板ホルダの基
板を保持する爪と基板との間にたまった溶液が育成後基
板を溶液から引き上げる際に少し遅れて流れ落ち、その
結果基板表面上に溶液流れの跡が発生することが明らか
になった。そしてこの溶液流れ跡が発生すると要求され
る膜厚均一性を満足することができなくなる。
板を保持する爪と基板との間にたまった溶液が育成後基
板を溶液から引き上げる際に少し遅れて流れ落ち、その
結果基板表面上に溶液流れの跡が発生することが明らか
になった。そしてこの溶液流れ跡が発生すると要求され
る膜厚均一性を満足することができなくなる。
本発明が解決すべき課題はこの溶液流れ跡の発生を防止
することにある。
することにある。
上記課題を実現するために本願発明は保持爪と基板との
間にたまる溶液（表面張力による）は保持爪の長さによ
ることに着眼し、保持爪の長さを種々変えて溶液の流れ
跡の発生状況がどのように変化するかを実験した。その
結果、保持爪の長さを所定の値（約４ｔｍ）以下にする
と溶液流れ跡が全く発生しないことが判明した。尚、保
持爪の長さは基板を落下させることなく確実に保持する
ための物理的下限値があり、その下限値は１．５層程度
と考えられる。
間にたまる溶液（表面張力による）は保持爪の長さによ
ることに着眼し、保持爪の長さを種々変えて溶液の流れ
跡の発生状況がどのように変化するかを実験した。その
結果、保持爪の長さを所定の値（約４ｔｍ）以下にする
と溶液流れ跡が全く発生しないことが判明した。尚、保
持爪の長さは基板を落下させることなく確実に保持する
ための物理的下限値があり、その下限値は１．５層程度
と考えられる。
従って本発明によれば基板ホルダの冬瓜の径方向突出長
さを約１．５〜４ｆｌの範囲に設定することを特徴とす
る。
さを約１．５〜４ｆｌの範囲に設定することを特徴とす
る。
保持爪の長さを上記の範囲に設定することにより基板を
確実に保持することができると共に、基板を溶液から引
き上げる際に基板の傾斜面（表面）に沿って溶液の流れ
跡は全く発生しなくなる。
確実に保持することができると共に、基板を溶液から引
き上げる際に基板の傾斜面（表面）に沿って溶液の流れ
跡は全く発生しなくなる。
第１〜３図に示す如く本発明によれば、基板ホルダ２７
のアームの下端に固着される折り曲げ可能な保持爪３１
の径方向突出長さ！！（第２図）はＩ２＃１．５〜４
（１層）に設定される。
のアームの下端に固着される折り曲げ可能な保持爪３１
の径方向突出長さ！！（第２図）はＩ２＃１．５〜４
（１層）に設定される。
第４図は本発明の実験結果を示す。
第４図は保持爪の長さｉに対する膜厚均一性を示すもの
でこの評価は５２φのウェハ（基板）２５内の多数の点
の膜厚を測定しこの分布の標準偏差σを求めた。この図
には同時に溶液流れ跡Ｔのスケッチも示す。このように
して行った実験結果から第４図に示す如く爪の長さｌを
約４ｆｉ以下にすることにより溶液流れ跡が全く発生せ
ず、σが高密度デバイスに耐えうる膜厚均一性（〜０．
０１μｍ）であることがわかった。
でこの評価は５２φのウェハ（基板）２５内の多数の点
の膜厚を測定しこの分布の標準偏差σを求めた。この図
には同時に溶液流れ跡Ｔのスケッチも示す。このように
して行った実験結果から第４図に示す如く爪の長さｌを
約４ｆｉ以下にすることにより溶液流れ跡が全く発生せ
ず、σが高密度デバイスに耐えうる膜厚均一性（〜０．
０１μｍ）であることがわかった。
ｌ≧６鶴のときには僅かに流れ跡が発生し、それより大
きくなると流れ跡の発生が顕著になることがわかる。こ
れは爪の長さが大きくなるにつれ爪と基板との間に保持
される溶液の量が増えるためと思われる。尚、第４図に
示すウェハ２５上の流れ跡はウェハを溶液から引き上げ
るときにウェハが第５図に示す如く左下りに約５°だけ
傾斜しているために溶液流れ跡は右から左に向って延び
ている。（第５図）また、各保持爪３１ （第２図）に
相当する部分にも溶液跡が生じる゛（本発明においても
）が、これは実質上ウェハの機能部分には影響しないと
ころであるので支障はない。
きくなると流れ跡の発生が顕著になることがわかる。こ
れは爪の長さが大きくなるにつれ爪と基板との間に保持
される溶液の量が増えるためと思われる。尚、第４図に
示すウェハ２５上の流れ跡はウェハを溶液から引き上げ
るときにウェハが第５図に示す如く左下りに約５°だけ
傾斜しているために溶液流れ跡は右から左に向って延び
ている。（第５図）また、各保持爪３１ （第２図）に
相当する部分にも溶液跡が生じる゛（本発明においても
）が、これは実質上ウェハの機能部分には影響しないと
ころであるので支障はない。
以上のように液相エピタキシャル成長装置の基板ホルダ
の爪の長さを４ ｍｓ以下にすることにより膜厚分布の
均一な高品質の結晶（例えば微小バブルガーネット膜）
を育成することができる。
の爪の長さを４ ｍｓ以下にすることにより膜厚分布の
均一な高品質の結晶（例えば微小バブルガーネット膜）
を育成することができる。
第１図は本発明に係る基板ホルダを逆さまにした状態で
示す要部の斜視図、第２図は本発明に係る基板ホルダの
平面図、第３図は本発明に係る基板ホルダの斜視図、第
４図は本発明による実験結果を示す膜厚分布特性線図、
第５図は基板の傾斜を説明する図、第６図は液相エピタ
キシャル育成装置の図解的断面図。 １７・・・溶液、 ２５・・・基板、２７・・
・基板ホルダ、 ３１・・・保持爪。
示す要部の斜視図、第２図は本発明に係る基板ホルダの
平面図、第３図は本発明に係る基板ホルダの斜視図、第
４図は本発明による実験結果を示す膜厚分布特性線図、
第５図は基板の傾斜を説明する図、第６図は液相エピタ
キシャル育成装置の図解的断面図。 １７・・・溶液、 ２５・・・基板、２７・・
・基板ホルダ、 ３１・・・保持爪。
Claims (1)
- 液相エピタキシャル成長装置の溶液（１７）中に挿入す
べき基板（２５）の外周縁の少くとも３点を保持する基
板の径方向に延びる少くとも３個の爪（３１）を有する
基板ホルダであって、上記各爪の径方向突出長さ（ｌ）
を約１．５〜４ｍｍの範囲に設定することを特徴とする
液相エピタキシャル成長装置の基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28683886A JPS63144188A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 液相エピタキシヤル成長装置の基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28683886A JPS63144188A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 液相エピタキシヤル成長装置の基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144188A true JPS63144188A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17709687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28683886A Pending JPS63144188A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 液相エピタキシヤル成長装置の基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144188A (ja) |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28683886A patent/JPS63144188A/ja active Pending
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