JPS63143937A - 超微粉製造用プラズマリアクタ - Google Patents
超微粉製造用プラズマリアクタInfo
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- JPS63143937A JPS63143937A JP29161486A JP29161486A JPS63143937A JP S63143937 A JPS63143937 A JP S63143937A JP 29161486 A JP29161486 A JP 29161486A JP 29161486 A JP29161486 A JP 29161486A JP S63143937 A JPS63143937 A JP S63143937A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
-
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- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超微粉生成または粉体処理用のプラズマトー
チに係り、特にプラズマ反応により生成される粉体の粒
径をコントロールするのに好適な超微粉製造用プラズマ
リアクタに関する。
チに係り、特にプラズマ反応により生成される粉体の粒
径をコントロールするのに好適な超微粉製造用プラズマ
リアクタに関する。
金属やその合金、化合物の超微粒子はその表面積比が大
きく、高活性のため触媒用原料、セラミックス焼結用原
料等として有望であり、現在、その合成法に関する研究
が活発に行われている。特に高周波プラズマを用いた合
成法では、電極をト−チ外部に設ける方式であるため電
極の原料汚染の問題がなくかつ高純度な生成物が得られ
るという利点を有している。
きく、高活性のため触媒用原料、セラミックス焼結用原
料等として有望であり、現在、その合成法に関する研究
が活発に行われている。特に高周波プラズマを用いた合
成法では、電極をト−チ外部に設ける方式であるため電
極の原料汚染の問題がなくかつ高純度な生成物が得られ
るという利点を有している。
第１２図は、従来の高周波プラズマ統一の概略的構成図
である。この高周波プラズマトーチでは、ボンベ２１か
らプラズマ用Ａｒガスがトーチ２２の上部より導入され
、高周波型ｔＡ２３および誘導コイル２４によりプラズ
マを発生させ、このプラズマ中にボンベ２５からの原料
ガスが流量計２６によりその流量が制御されつつ導入さ
れると、プラズマの熱または電子により、原料は各々原
子またはイオンに分解され、次の過程でこれらの原子の
うち反応エネルギーの低い結合反応が生じて化合物が生
成する。
である。この高周波プラズマトーチでは、ボンベ２１か
らプラズマ用Ａｒガスがトーチ２２の上部より導入され
、高周波型ｔＡ２３および誘導コイル２４によりプラズ
マを発生させ、このプラズマ中にボンベ２５からの原料
ガスが流量計２６によりその流量が制御されつつ導入さ
れると、プラズマの熱または電子により、原料は各々原
子またはイオンに分解され、次の過程でこれらの原子の
うち反応エネルギーの低い結合反応が生じて化合物が生
成する。
この反応で生じた化合物はプラズマ用ガスの流れに沿っ
て移動するが、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配が大き
いため、反応物が成長することなく急冷され微小な粒子
として回収することができる。
て移動するが、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配が大き
いため、反応物が成長することなく急冷され微小な粒子
として回収することができる。
このように粒子が成長せずに微小なままで取り出せるメ
カニズムは、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配に依存し
ているため、この温度勾配を変化させるためにプラズマ
尾炎部に冷却用ガスを送り込む等の改善がなされている
。（例えば特公昭５９−４１７７２）。
カニズムは、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配に依存し
ているため、この温度勾配を変化させるためにプラズマ
尾炎部に冷却用ガスを送り込む等の改善がなされている
。（例えば特公昭５９−４１７７２）。
上記のようなプラズマリアクタでは、冷却用ガスを多量
に必要とするため減圧下では出力の大きな排気装置が必
要となる。また均一な粒径の微粒子を得ようとする場合
、あるいは目的の粒径を有する超微粒子を得ようとした
場合、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配を高精度に、し
かも任意に制御することが必要となる。
に必要とするため減圧下では出力の大きな排気装置が必
要となる。また均一な粒径の微粒子を得ようとする場合
、あるいは目的の粒径を有する超微粒子を得ようとした
場合、プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配を高精度に、し
かも任意に制御することが必要となる。
しかしながら、従来のプラズマリアクタでは、プラズマ
尾炎部の全体としての温度低下に着目しているのみでプ
ラズマ尾炎部の温度勾配には着目しておらず、高精度の
粒径制御は不可能であった。
尾炎部の全体としての温度低下に着目しているのみでプ
ラズマ尾炎部の温度勾配には着目しておらず、高精度の
粒径制御は不可能であった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解消し、
プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配を制御し、目標とする
粒径の超微粒子を得ることができるプラズマリアクタを
提供することにある。
プラズマ尾炎部の軸方向温度勾配を制御し、目標とする
粒径の超微粒子を得ることができるプラズマリアクタを
提供することにある。
本発明は、プラズマリアクタによって生成される粉末の
粒径は、プラズ→尾炎部の温度勾配に支配されやすいこ
とに着目し、鋭意、実験検討した結果達成されたもので
あって、プラズマ尾炎部を磁場で取り囲み、プラズマの
大きさを小さくすることによってプラズマを小さく閉じ
込め、プラズマ軸方向温度分布を制御して目的とする粒
径の微粒子を得ることができるようにしたものである。
粒径は、プラズ→尾炎部の温度勾配に支配されやすいこ
とに着目し、鋭意、実験検討した結果達成されたもので
あって、プラズマ尾炎部を磁場で取り囲み、プラズマの
大きさを小さくすることによってプラズマを小さく閉じ
込め、プラズマ軸方向温度分布を制御して目的とする粒
径の微粒子を得ることができるようにしたものである。
プラズマ中に導入された原料は、プラズマの熱により溶
融、蒸発、分解、反応を生じ、化合物として生成反応を
生じた後、急冷される。この場合、磁石をトーチの回り
に配置すると、プラズマが中心部に閉じ込められ、プラ
ズマ軸方向の温度勾配がより大きくなって急冷効果が顕
著になり微細な粒径のものを得ることができる。
融、蒸発、分解、反応を生じ、化合物として生成反応を
生じた後、急冷される。この場合、磁石をトーチの回り
に配置すると、プラズマが中心部に閉じ込められ、プラ
ズマ軸方向の温度勾配がより大きくなって急冷効果が顕
著になり微細な粒径のものを得ることができる。
第１図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタの一実
施例を示す概略的構成図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図である。
施例を示す概略的構成図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図である。
このプラズマリアクタは、原料導入部、プラズマトーチ
部、反応部、回収部および制御部より主として構成され
る。
部、反応部、回収部および制御部より主として構成され
る。
第１図において、プラズマトーチ４の中心部に原料導入
管ｌが配設され、この原料導入管ｌの外周部に環状のプ
ラズマ用Ａ「ガス導入管２が設けられ、このプラズマ用
Ａｒガス導入管２の外周面とプラズマトーチ４の内壁面
との間に冷却用、＋１．ｒガス導入管３が構成されてい
る。これらの導入管の下方側に位置するプラズマトーチ
４の外周面には誘導コイル５が設けられ、この誘導コイ
ル５は高周波制御部を介して制御可能となっている。前
記誘導コイル５の下方側には磁石１３がプラズマトーチ
４外周面に沿って配置されている。
管ｌが配設され、この原料導入管ｌの外周部に環状のプ
ラズマ用Ａ「ガス導入管２が設けられ、このプラズマ用
Ａｒガス導入管２の外周面とプラズマトーチ４の内壁面
との間に冷却用、＋１．ｒガス導入管３が構成されてい
る。これらの導入管の下方側に位置するプラズマトーチ
４の外周面には誘導コイル５が設けられ、この誘導コイ
ル５は高周波制御部を介して制御可能となっている。前
記誘導コイル５の下方側には磁石１３がプラズマトーチ
４外周面に沿って配置されている。
これらの磁石は、第２図に示すようにＮ極とＳ極が交互
に配置されている。プラズマトーチ５の下方側には反応
部２Ｓ７が設けられ、この反応容器７内の中心部には水
冷金属筒８が配設されている。
に配置されている。プラズマトーチ５の下方側には反応
部２Ｓ７が設けられ、この反応容器７内の中心部には水
冷金属筒８が配設されている。
この水冷金属筒８は円筒上に形成され、その内部に水導
入管９が配設され、この水冷金属筒８内に導入され、加
熱された水が排出管１０を介して外部に排出される構造
となっている。前記反応容器７下方にはプラズマ反応に
より生成された超微粒子を回収するための回収部１２が
設けられている。
入管９が配設され、この水冷金属筒８内に導入され、加
熱された水が排出管１０を介して外部に排出される構造
となっている。前記反応容器７下方にはプラズマ反応に
より生成された超微粒子を回収するための回収部１２が
設けられている。
また、磁石１３は磁場制ｍ ｆＭＳ １４を介して形成
される磁場が制御されるようになっている。尚、反応容
器７は排ガス吸収系によりその反応容器７内が減圧可能
となっている。
される磁場が制御されるようになっている。尚、反応容
器７は排ガス吸収系によりその反応容器７内が減圧可能
となっている。
次に上記のように構成されたプラズマリアクタの作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
まずＡ「ガスは、プラズマ用Ａｒガス導入管２を介して
プラズマトーチ内に導入され、冷却用Ａ「ガス導入管３
を介して冷却用のＡ「ガスがプラズマトーチ内に導入さ
れる。そして１３．５６ＭＨ，の高周波電源に接続され
ている誘導コイル５を利用したプラズマ炎６がプラズマ
トーチ４内に発生する。
プラズマトーチ内に導入され、冷却用Ａ「ガス導入管３
を介して冷却用のＡ「ガスがプラズマトーチ内に導入さ
れる。そして１３．５６ＭＨ，の高周波電源に接続され
ている誘導コイル５を利用したプラズマ炎６がプラズマ
トーチ４内に発生する。
次に原料導入管ｌからトリクロルメチルシラン（ＣＨ，
５ｉＣ１，）がプラズマ炎６中に供給される。プラズマ
炎６の発生領域中で原料ガスは励起、分解され、次の過
程でプラズマ反応により反応生成物が生じる。
５ｉＣ１，）がプラズマ炎６中に供給される。プラズマ
炎６の発生領域中で原料ガスは励起、分解され、次の過
程でプラズマ反応により反応生成物が生じる。
このとき、プラズマ尾炎部に位置するプラズマトーチ４
の外周部に約ＩＫＧの磁石１３が配置されているために
プラズマ炎６がトーチの中心部に閉じ込められ、軸方向
の温度勾配が大きくなって急冷効果が顕著となる。この
ため粒子はある成長ｊＭ程の途中で急冷され、成長反応
が停止し、超微粒子となって水冷金属筒８の上面に反応
析出物１１が堆積された状態となる。この反応析出物１
１は水導入管９から導入される冷却水により冷却され、
次に水冷金属筒８から回収部１２に落下する。
の外周部に約ＩＫＧの磁石１３が配置されているために
プラズマ炎６がトーチの中心部に閉じ込められ、軸方向
の温度勾配が大きくなって急冷効果が顕著となる。この
ため粒子はある成長ｊＭ程の途中で急冷され、成長反応
が停止し、超微粒子となって水冷金属筒８の上面に反応
析出物１１が堆積された状態となる。この反応析出物１
１は水導入管９から導入される冷却水により冷却され、
次に水冷金属筒８から回収部１２に落下する。
このようにして急冷効果を増加させた場合には、平均粒
径が１００〜１５０人であり、粒径分布の鋭い超微粉末
を得ることができる。また、この場合に磁場制御部１４
を介して磁場の大きさを調整することにより、反応析出
物１１の粒径を制御することが可能である。
径が１００〜１５０人であり、粒径分布の鋭い超微粉末
を得ることができる。また、この場合に磁場制御部１４
を介して磁場の大きさを調整することにより、反応析出
物１１の粒径を制御することが可能である。
因に、磁石１３を有しない従来のプラズマリアクタによ
る反応析出物の場合には、平均粒径が１０００〜２００
０人で粒径分布の穏やかなものしか得られない。この理
由を第７図〜第１１図を基に説明する。
る反応析出物の場合には、平均粒径が１０００〜２００
０人で粒径分布の穏やかなものしか得られない。この理
由を第７図〜第１１図を基に説明する。
第７図は磁石１３を有しない従来のプラズマリアクタの
状態説明図であり、プラズマ炎６内では、原料ガスは溶
融、蒸発、分解、反応が進行する。
状態説明図であり、プラズマ炎６内では、原料ガスは溶
融、蒸発、分解、反応が進行する。
′ この場合、このプラズマ炎６の軸方向温度分布は
第１Ｏ図に示すように温度分布が穏やかなために、その
粒径も比較的大きなものとなる。
第１Ｏ図に示すように温度分布が穏やかなために、その
粒径も比較的大きなものとなる。
第８図は磁石１３を有する本実施例におけるプラズマリ
アクタの状態を示す説明図である。この場合、第９図に
示すように磁石１３はプラズマトーチ４の外円周上にＮ
極、Ｓ極を交互に配置しており、円周上にもれなくＮ極
からＳ極へ向かう磁力線が覆われている。プラズマを構
成する荷電粒子（電子やイオン）が磁力線の回りに旋回
運動し、この磁力線から外へ出ようとする中性粒子を弾
き飛ばすため、プラズマはその中心部に閉じ込められ、
第１１図に示すようにプラズマ炎６の軸方向温度分布が
大きくなり、反応生成物の急冷効果により微細な粒子を
得ることができることになる。
アクタの状態を示す説明図である。この場合、第９図に
示すように磁石１３はプラズマトーチ４の外円周上にＮ
極、Ｓ極を交互に配置しており、円周上にもれなくＮ極
からＳ極へ向かう磁力線が覆われている。プラズマを構
成する荷電粒子（電子やイオン）が磁力線の回りに旋回
運動し、この磁力線から外へ出ようとする中性粒子を弾
き飛ばすため、プラズマはその中心部に閉じ込められ、
第１１図に示すようにプラズマ炎６の軸方向温度分布が
大きくなり、反応生成物の急冷効果により微細な粒子を
得ることができることになる。
第３図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタの他の
実施例を示す概略的構成図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線
断面図、第５図は第３図のＣ−Ｃ線断面図である。
実施例を示す概略的構成図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線
断面図、第５図は第３図のＣ−Ｃ線断面図である。
このプラズマリアクタは、第４図および第５図に示すよ
うにプラズマトーチ４の外周面上に配置され、Ｎ極とＳ
極を互いに交互に配置した磁石とその下方側の磁石１３
はプラズマトーチ４の軸中心部に対して対応した棒状の
電磁石がらなリプラズマトーチ４の中心部に対してＮ極
とＳ極はそれぞれ対応した配置構成となっている。そし
て第４図に示す配置構成の磁石および第５図に示す配置
構成の磁石はそれぞれ磁場制御部１４を介して独立に制
御可能となっている。
うにプラズマトーチ４の外周面上に配置され、Ｎ極とＳ
極を互いに交互に配置した磁石とその下方側の磁石１３
はプラズマトーチ４の軸中心部に対して対応した棒状の
電磁石がらなリプラズマトーチ４の中心部に対してＮ極
とＳ極はそれぞれ対応した配置構成となっている。そし
て第４図に示す配置構成の磁石および第５図に示す配置
構成の磁石はそれぞれ磁場制御部１４を介して独立に制
御可能となっている。
このプラズマリアクタでは互いに分割された電磁石１３
をそれぞれ独立に制御することができるので、プラズマ
炎６の軸方向温度分布をより高精度に制御で゛き、得ら
れる超微粒子の粒径制御も高度なものとすることができ
る。
をそれぞれ独立に制御することができるので、プラズマ
炎６の軸方向温度分布をより高精度に制御で゛き、得ら
れる超微粒子の粒径制御も高度なものとすることができ
る。
第６図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタのさら
の他の実施例を示す概略的構成図である。
の他の実施例を示す概略的構成図である。
このプラズマリアクタにはプラズマ炎６の状況をスペク
トルアナライザー１５のモニタリング機器で計測し、そ
の計測信号を磁場制御部１４ヘフイードバツクするよう
になっている。第６図において、第３図と同一部分は同
一符号で示し構成上の説明は省略する。
トルアナライザー１５のモニタリング機器で計測し、そ
の計測信号を磁場制御部１４ヘフイードバツクするよう
になっている。第６図において、第３図と同一部分は同
一符号で示し構成上の説明は省略する。
このようなプラズマリアクタによれば、プラズマ炎６の
状況に応じて磁場の大きさを制ｊｎシ、もってプラズマ
尾炎部の温度分布を安定に制御することが可能となる。
状況に応じて磁場の大きさを制ｊｎシ、もってプラズマ
尾炎部の温度分布を安定に制御することが可能となる。
本発明では、プラズマ発生手段として高周波により手段
を例示したが、プラズマ発生手段としてはマイクロ波を
通用することも可能であることはいうまでもない、また
プラズマトーチ内のプラズマ発生領域に固体原料を導入
し、この固体原料の分解等により粒状化する目的で使用
する場合にも本発明を適用することができる。
を例示したが、プラズマ発生手段としてはマイクロ波を
通用することも可能であることはいうまでもない、また
プラズマトーチ内のプラズマ発生領域に固体原料を導入
し、この固体原料の分解等により粒状化する目的で使用
する場合にも本発明を適用することができる。
本発明によれば、生成される粒子の大きさを支配するプ
ラズマ尾炎部の軸方向温度分布を制御することができ、
その結果生成される粒子の大きさを１００人〜７００人
程度までの任意の大きさに制御することができる。
ラズマ尾炎部の軸方向温度分布を制御することができ、
その結果生成される粒子の大きさを１００人〜７００人
程度までの任意の大きさに制御することができる。
またプラズマをトーチ内壁から離して封じこめることが
できるのでトーチ内壁の温度上昇を抑制でき、トーチ過
熱防止用に流す冷却用Ａｒガス等の冷却用ガスの量を凍
らすことができる。
できるのでトーチ内壁の温度上昇を抑制でき、トーチ過
熱防止用に流す冷却用Ａｒガス等の冷却用ガスの量を凍
らすことができる。
さらにプラズマの封じ込めによりプラズマ温度が上昇す
るためプラズマの封じ込め作用を期待し得ない場合と同
等温度のプラズマを得るのに必要な高周波電源出力を低
下させることができ、プラズマリアクタの大型化、工業
化に極めてを効である。
るためプラズマの封じ込め作用を期待し得ない場合と同
等温度のプラズマを得るのに必要な高周波電源出力を低
下させることができ、プラズマリアクタの大型化、工業
化に極めてを効である。
第１図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタの一実
施例を示す概略的構成図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタ
の他の実施例を示す概略的構成図、第４図は第３図のＢ
−Ｂ線断面図、第５図は第３図のｃ−ｃ＆ＩＩ断面図、
第６図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタのさら
の他の実施例を示す概略的構成図、第７図は従来のプラ
ズマリアクタにおけるプラズマの発生の状態を示す説明
図、第８図は本発明のプラズマリアクタにおけるプラズ
マの発生の状態を示す説明図、第９図は第８図における
磁石の配置状態および磁力線の状態を示す説明図、第１
０図は第７図のプラズマリアクタにおけるプラズマ炎の
軸方向温度分布を示すグラフ、第１１図は第８図におけ
るプラズマ炎の軸方向温度分布を示すグラフ、第１２図
は従来のプラズマリアクタの概略的構成図である。 ｌ・・・・・・原料導入管、２・・・・・・プラズマ用
Ａｒガス導入管、３・・・・・・冷却用Ａｒガス導入管
、４・・・・・・プラズマトーチ、５・・・・・・誘導
コイル、６・・・・・・プラズマ炎、７・・・・・・反
応容器、８・・・・・・水冷金属筒、９・・・・・・水
導入管、ｌＯ・・・・・・排出管、１１・・・・・・反
応析出物、１２・・・・・・回収部、１３・・・・・・
磁石、１４・・・・・・磁場制御部、１５・・・・・・
スペクトルアナライザー。 第１図 Ｉ 第２図 ４３図 第４図 １５図 第６図 第７図 第８図 第９図 ９１０図 第１１図
施例を示す概略的構成図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断
面図、第３図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタ
の他の実施例を示す概略的構成図、第４図は第３図のＢ
−Ｂ線断面図、第５図は第３図のｃ−ｃ＆ＩＩ断面図、
第６図は本発明の超微粉製造用プラズマリアクタのさら
の他の実施例を示す概略的構成図、第７図は従来のプラ
ズマリアクタにおけるプラズマの発生の状態を示す説明
図、第８図は本発明のプラズマリアクタにおけるプラズ
マの発生の状態を示す説明図、第９図は第８図における
磁石の配置状態および磁力線の状態を示す説明図、第１
０図は第７図のプラズマリアクタにおけるプラズマ炎の
軸方向温度分布を示すグラフ、第１１図は第８図におけ
るプラズマ炎の軸方向温度分布を示すグラフ、第１２図
は従来のプラズマリアクタの概略的構成図である。 ｌ・・・・・・原料導入管、２・・・・・・プラズマ用
Ａｒガス導入管、３・・・・・・冷却用Ａｒガス導入管
、４・・・・・・プラズマトーチ、５・・・・・・誘導
コイル、６・・・・・・プラズマ炎、７・・・・・・反
応容器、８・・・・・・水冷金属筒、９・・・・・・水
導入管、ｌＯ・・・・・・排出管、１１・・・・・・反
応析出物、１２・・・・・・回収部、１３・・・・・・
磁石、１４・・・・・・磁場制御部、１５・・・・・・
スペクトルアナライザー。 第１図 Ｉ 第２図 ４３図 第４図 １５図 第６図 第７図 第８図 第９図 ９１０図 第１１図
Claims (4)
- （１）高周波またはマイクロ波を用いたプラズマ発生源
と、該プラズマ発生源により発生するプラズマを外部雰
囲気から遮断するトーチ部と、該トーチ部にプラズマ発
生用のガスを供給するノズルと、原料ガスまたは粉末を
供給するノズルと、反応ガスの化学反応によつて生じた
無機粉末を回収する容器とを備えた超微粉製造用プラズ
マリアクタにおいて、前記プラズマの尾炎部付近に相当
する位置に前記プラズマを閉じ込めるための磁石を、前
記トーチ外周面に配置したことを特徴とする超微粉製造
用プラズマリアクタ。 - （２）前記トーチ部に配置される磁場の大きさを制御す
る磁場制御部を備えたことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の超微粉製造用プラズマリアクタ。 - （３）前記トーチ部に配置される磁石を２つ以上の系統
に分割し、各系統毎に磁場制御部を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の超微粉製造用プラ
ズマリアクタ。 - （４）前記トーチ内に形成されるプラズマ炎の状況を計
測し、その計測信号に基づいて磁場の大きさを制御する
ように構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載乃至第（３）項のいずれかの記載の超微
粉製造用プラズマリアクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29161486A JPS63143937A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 超微粉製造用プラズマリアクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29161486A JPS63143937A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 超微粉製造用プラズマリアクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143937A true JPS63143937A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17771230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29161486A Pending JPS63143937A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 超微粉製造用プラズマリアクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143937A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227778A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電素子の製造方法 |
| JPH02205603A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-15 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 超微粒子の製造方法、磁性超微粒子及び磁性材料 |
| JPH03211284A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Nippon Koshuha Kk | 多段熱プラズマ反応装置 |
| JP2012040520A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
| JP2013185172A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Sugiyama Juko Kk | 金属微粉末製造装置 |
| CN107983965A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-04 | 宝鸡市博信金属材料有限公司 | 高温等离子气雾化超细球形金属粉末制备方法及装备 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29161486A patent/JPS63143937A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227778A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電素子の製造方法 |
| JPH02205603A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-15 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 超微粒子の製造方法、磁性超微粒子及び磁性材料 |
| JPH03211284A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Nippon Koshuha Kk | 多段熱プラズマ反応装置 |
| JP2012040520A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
| JP2013185172A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Sugiyama Juko Kk | 金属微粉末製造装置 |
| CN107983965A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-04 | 宝鸡市博信金属材料有限公司 | 高温等离子气雾化超细球形金属粉末制备方法及装备 |
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