JPS63137431A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS63137431A JPS63137431A JP28452386A JP28452386A JPS63137431A JP S63137431 A JPS63137431 A JP S63137431A JP 28452386 A JP28452386 A JP 28452386A JP 28452386 A JP28452386 A JP 28452386A JP S63137431 A JPS63137431 A JP S63137431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- magnetic field
- generation chamber
- plasma generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、基板上に薄膜を形成する膜形成装置に係わり
、特に電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを利用し
た膜形成装置に関する。
、特に電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを利用し
た膜形成装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体製造プロセスにおける薄膜形成方法の一つ
として、プラズマ気相成長法(プラズマCVD法)が広
く用いられている。さらに、成長速度を大きくするため
に、ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマを使っ
たCVD法も開発されている。
として、プラズマ気相成長法(プラズマCVD法)が広
く用いられている。さらに、成長速度を大きくするため
に、ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマを使っ
たCVD法も開発されている。
第4図は、ECRプラズマを用いた従来の膜形成装置を
示す概略構成図である。この装置では、マイクロ波電源
44によるマイクロ波励起によりプラズマ生成室41に
プラズマを発生させるが、同時にマグネットコイル50
による磁界の印加によって、プラズマ生成室41内の電
子サイクロトロン共鳴条件を満足する領域で高密度プラ
ズマを発生させる。例えば、2.45G Hzのマイク
ロ波に対して、この電子サイクロトロン共鳴条件を満足
する磁束密度は875ガウスである。マグネットコイル
50による磁界は、基板46の方向にその強度が減少す
る、所謂発散磁界となっており、このためプラズマ生成
室41に生じた高密度プラズマ中の電子が基板方向に流
れ出してくる。さらに、この電子に引張られてプラズマ
中のイオンも基板に向かって進行する。そして、膜堆積
室42に導入された反応ガスと上記電子及びイオンとが
反応して基板46上に膜が形成されるものとなっている
。
示す概略構成図である。この装置では、マイクロ波電源
44によるマイクロ波励起によりプラズマ生成室41に
プラズマを発生させるが、同時にマグネットコイル50
による磁界の印加によって、プラズマ生成室41内の電
子サイクロトロン共鳴条件を満足する領域で高密度プラ
ズマを発生させる。例えば、2.45G Hzのマイク
ロ波に対して、この電子サイクロトロン共鳴条件を満足
する磁束密度は875ガウスである。マグネットコイル
50による磁界は、基板46の方向にその強度が減少す
る、所謂発散磁界となっており、このためプラズマ生成
室41に生じた高密度プラズマ中の電子が基板方向に流
れ出してくる。さらに、この電子に引張られてプラズマ
中のイオンも基板に向かって進行する。そして、膜堆積
室42に導入された反応ガスと上記電子及びイオンとが
反応して基板46上に膜が形成されるものとなっている
。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、従来のECRプラズマを使った装置に
おいては、第4図にも示したように、プラズマ生成室4
1から流れ出してくる電子及びイオンの流束51に対し
て装置構成は対称となっているため、プラズマ生成室4
1から出てくる紫外線やX線等の放射線も基板46上に
照射される。このため、基板46上に形成された素子は
照射損傷を受け、その特性が劣化すると云う問題があっ
た。
があった。即ち、従来のECRプラズマを使った装置に
おいては、第4図にも示したように、プラズマ生成室4
1から流れ出してくる電子及びイオンの流束51に対し
て装置構成は対称となっているため、プラズマ生成室4
1から出てくる紫外線やX線等の放射線も基板46上に
照射される。このため、基板46上に形成された素子は
照射損傷を受け、その特性が劣化すると云う問題があっ
た。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来、ECRプラズマを使った膜形成装置に
おいては、基板にプラズマ中からの放射線が照射される
ため、基板上に形成された素子の特性が劣化すると云う
問題があった。
おいては、基板にプラズマ中からの放射線が照射される
ため、基板上に形成された素子の特性が劣化すると云う
問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、紫外線やX線等の照射損傷を与えるこ
となく、ECRプラズマを利用して基板上に膜を形成す
ることができ、素子特性の劣化を防止し得る膜形成装置
を提供することにある。
とするところは、紫外線やX線等の照射損傷を与えるこ
となく、ECRプラズマを利用して基板上に膜を形成す
ることができ、素子特性の劣化を防止し得る膜形成装置
を提供することにある。
[発明の構成]
(間層点を解決するための手段)
本発明の骨子は、プラズマ生成室内に印加する磁界の強
度分布を変えることにより、プラズマ中の電子やイオン
は基板に照射されるが、プラズマ中からの紫外線やX線
は基板に照射されないようにしたことにある。
度分布を変えることにより、プラズマ中の電子やイオン
は基板に照射されるが、プラズマ中からの紫外線やX線
は基板に照射されないようにしたことにある。
即ち本発明は、マイクロ波励起によりプラズマが形成さ
れるプラズマ生成室を備え、該プラズマ生成室に磁界を
印加し、電子サイクロトロン共鳴による高密度プラズマ
を利用して基板上に薄膜を形成する膜形成装置において
、前記プラズマ生成室に印加する磁界の強度分布が、前
記プラズマ生成室の中心軸に対して非対称になるように
したものである。
れるプラズマ生成室を備え、該プラズマ生成室に磁界を
印加し、電子サイクロトロン共鳴による高密度プラズマ
を利用して基板上に薄膜を形成する膜形成装置において
、前記プラズマ生成室に印加する磁界の強度分布が、前
記プラズマ生成室の中心軸に対して非対称になるように
したものである。
(作用)
プラズマ生成室から流れ出してくる電子及びイオンの流
束はプラズマ生成室に印加される磁界の強度分布で決定
される。それゆえ、この磁界の強度分布をプラズマ生成
室の中心軸に対して非対称にしておけば、電子さらにイ
オンの流束はプラズマ生成室から湾曲して出てくること
になる。そこで、この流束が来る場所に基板を設置すれ
ば、基板上に膜は形成されるが、プラズマ生成室から漏
れる放射線は基板上に照射されなくなる。その結果、基
板上に形成された素子の特性の劣化が抑制される。
束はプラズマ生成室に印加される磁界の強度分布で決定
される。それゆえ、この磁界の強度分布をプラズマ生成
室の中心軸に対して非対称にしておけば、電子さらにイ
オンの流束はプラズマ生成室から湾曲して出てくること
になる。そこで、この流束が来る場所に基板を設置すれ
ば、基板上に膜は形成されるが、プラズマ生成室から漏
れる放射線は基板上に照射されなくなる。その結果、基
板上に形成された素子の特性の劣化が抑制される。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる膜形成装置を示す概
略構成図である。図中10は真空室であり、この真空室
10はプラズマ生成室11と膜堆積室12とからなって
いる。プラズマ生成室11には、プラズマ生成用ガスを
導入するためのガス導入口13及びマイクロ波電源14
からのマイクロ波電力を印加するためのマイクロ波導波
管15が接続されている。膜堆積室12内には、基板1
6を載置するための基板ホルダー17が設置されており
、また反応ガスを導入するためのガス導入口18及び真
空排気するためのガス排気口19が接続されている。こ
こでご基板ホルダー17は、プラズマ生成室11の中心
軸に対して対称ではなく、中心軸上よりも下方に設けら
れている。
略構成図である。図中10は真空室であり、この真空室
10はプラズマ生成室11と膜堆積室12とからなって
いる。プラズマ生成室11には、プラズマ生成用ガスを
導入するためのガス導入口13及びマイクロ波電源14
からのマイクロ波電力を印加するためのマイクロ波導波
管15が接続されている。膜堆積室12内には、基板1
6を載置するための基板ホルダー17が設置されており
、また反応ガスを導入するためのガス導入口18及び真
空排気するためのガス排気口19が接続されている。こ
こでご基板ホルダー17は、プラズマ生成室11の中心
軸に対して対称ではなく、中心軸上よりも下方に設けら
れている。
プラズマ生成室11の周囲には、磁界を印加するための
マグネットコイル20が設けられており、第1図に示す
ように図の下方向側、即ち基板ホルダー17側において
コイルは密に巻かれている。
マグネットコイル20が設けられており、第1図に示す
ように図の下方向側、即ち基板ホルダー17側において
コイルは密に巻かれている。
また、既に述べた発散磁界を形成するために、コイルは
右の端近くでやや粗に巻かれている。本実施例において
は、マイクロ波電源14の周波数を2.45G Hzと
し、磁界強度はプラズマ生成室の中心部付近で電子サイ
クロトロン共鳴条件を満足する875ガウスとなるよう
にした。
右の端近くでやや粗に巻かれている。本実施例において
は、マイクロ波電源14の周波数を2.45G Hzと
し、磁界強度はプラズマ生成室の中心部付近で電子サイ
クロトロン共鳴条件を満足する875ガウスとなるよう
にした。
うにした。
次に、上記実施例装置を用いて酸化シリコン膜を形成す
る方法及び素子特性の劣化の抑制効果について説明する
。
る方法及び素子特性の劣化の抑制効果について説明する
。
まず、プラズマ生成室11と膜堆積室12内を2 X
1043[torrlまで排気した後、ガス導入口13
からプラズマ生成用ガスとして例えば02ガスを10
cc/ m1IOの流量で導入する。そして、プラズマ
生成室11内に磁界を印加すると共に、例えば200W
のマイクロ波電力を印加して酸素の高密度プラズマを発
生させる。高密度プラズマ中から電子及びイオンが発散
磁界により引出され、さらに磁界強度の分布の非対称性
のため、電子及びイオンの流束21は下方に曲げられ、
第2図に示す如く基板16上に到達する。一方、プラズ
マ中からの放射線22は磁界の分布に関係なく直進する
ので、基板16には照射されないことになる。
1043[torrlまで排気した後、ガス導入口13
からプラズマ生成用ガスとして例えば02ガスを10
cc/ m1IOの流量で導入する。そして、プラズマ
生成室11内に磁界を印加すると共に、例えば200W
のマイクロ波電力を印加して酸素の高密度プラズマを発
生させる。高密度プラズマ中から電子及びイオンが発散
磁界により引出され、さらに磁界強度の分布の非対称性
のため、電子及びイオンの流束21は下方に曲げられ、
第2図に示す如く基板16上に到達する。一方、プラズ
マ中からの放射線22は磁界の分布に関係なく直進する
ので、基板16には照射されないことになる。
膜堆積室12内には、ガス導入口18から反応ガスとし
て、例えばSiH4ガスを10 cc/ minの流量
で導入する。この時、膜堆積室12内の圧力は5×10
″’ [torrlとなっていた。プラズマ生成室1
1内のプラズマから導入された酸素イオンと上記SiH
4ガスとが反応して、基板16」二には900人/1n
の堆積速度で酸化シリコン膜が堆積した。
て、例えばSiH4ガスを10 cc/ minの流量
で導入する。この時、膜堆積室12内の圧力は5×10
″’ [torrlとなっていた。プラズマ生成室1
1内のプラズマから導入された酸素イオンと上記SiH
4ガスとが反応して、基板16」二には900人/1n
の堆積速度で酸化シリコン膜が堆積した。
膜堆積中においては、高密度プラズマ中から出る紫外線
やX線等の放射線は基板16上には殆ど照射されないた
め、基板16に形成された素子の照射損傷はなくなる。
やX線等の放射線は基板16上には殆ど照射されないた
め、基板16に形成された素子の照射損傷はなくなる。
実際、第3図に示す如きSt基板31上にゲート酸化膜
32を介してゲート電極33を形成したMOSキャパシ
タに、実施例装置で酸化シリコン膜34を堆積したとこ
ろ、照射損傷により生じる中性トラップの密度は5×1
01Oc11−2以下となり、第4図に示した従来装置
による場合の10分の1以下に抑えられた。
32を介してゲート電極33を形成したMOSキャパシ
タに、実施例装置で酸化シリコン膜34を堆積したとこ
ろ、照射損傷により生じる中性トラップの密度は5×1
01Oc11−2以下となり、第4図に示した従来装置
による場合の10分の1以下に抑えられた。
かくして本実施例によれば、プラズマ生成室11内に印
加する磁界の強度分布を非対称にすると共に、基板16
の配置位置を磁界の強度分布を曲げた方に設定すること
により、基板16にプラズマ中からの紫外線やX線等の
放射線を照射することなく、基板16にプラズマ中の電
子やイオンを導くことができる。このため、放射線によ
る照射損傷を受けることなく、基板16上に膜形成する
ことができ、基板16に形成された素子の特性劣化を大
幅に抑制することができる。また、従来装置に比して、
マグネットコイル20の巻き方及び基板ホルダー17の
設置位置を変えるのみで、簡易に実現し得る等の利点も
ある。
加する磁界の強度分布を非対称にすると共に、基板16
の配置位置を磁界の強度分布を曲げた方に設定すること
により、基板16にプラズマ中からの紫外線やX線等の
放射線を照射することなく、基板16にプラズマ中の電
子やイオンを導くことができる。このため、放射線によ
る照射損傷を受けることなく、基板16上に膜形成する
ことができ、基板16に形成された素子の特性劣化を大
幅に抑制することができる。また、従来装置に比して、
マグネットコイル20の巻き方及び基板ホルダー17の
設置位置を変えるのみで、簡易に実現し得る等の利点も
ある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記磁界を印加するためのマグネットコイ
ルの巻き方は一定したものではなく、基板の位置等に合
わせて適宜変更可能である。
い。例えば、前記磁界を印加するためのマグネットコイ
ルの巻き方は一定したものではなく、基板の位置等に合
わせて適宜変更可能である。
即ち、プラズマ中からの放射線が極力来ない所に設置さ
れた基板に電子及びイオンが到達するようにすればよい
。また、堆積させる膜は酸化シリコンに限らず、窒化シ
リコンやその他の絶縁膜、或いは金属膜の堆積に対して
も本発明は有効であることは云うまでもない。さらに、
基板にバイアス電圧を印加する方法に対しても本発明は
有効である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
れた基板に電子及びイオンが到達するようにすればよい
。また、堆積させる膜は酸化シリコンに限らず、窒化シ
リコンやその他の絶縁膜、或いは金属膜の堆積に対して
も本発明は有効であることは云うまでもない。さらに、
基板にバイアス電圧を印加する方法に対しても本発明は
有効である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、ECRプラズマを
使った膜形成中において、基板は放射線の照射損傷を受
けなくなるので、基板に形成した素子の特性劣化を大幅
に抑制することができる。
使った膜形成中において、基板は放射線の照射損傷を受
けなくなるので、基板に形成した素子の特性劣化を大幅
に抑制することができる。
第1図は本発明の一実施例に係わる膜形成装置を示す概
略構成図、第2図は上記装置の作用を説明するための模
式図、第3図は膜形成された基板を示す断面図、第4図
は従来装置を示す概略構成図である。 11・・・プラズマ生成室、12・・・膜堆積室、13
・・・ガス導入口、14・・・マイクロ波電源、15・
・・導波管、16・・・基板、17・・・基板ホルダー
、18・・・ガス導入口、19・・・ガス排気口、20
・・・マグネットコイル、21・・・電子及びイオンの
流束、22・・・放射線束。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
略構成図、第2図は上記装置の作用を説明するための模
式図、第3図は膜形成された基板を示す断面図、第4図
は従来装置を示す概略構成図である。 11・・・プラズマ生成室、12・・・膜堆積室、13
・・・ガス導入口、14・・・マイクロ波電源、15・
・・導波管、16・・・基板、17・・・基板ホルダー
、18・・・ガス導入口、19・・・ガス排気口、20
・・・マグネットコイル、21・・・電子及びイオンの
流束、22・・・放射線束。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (3)
- (1)マイクロ波励起によりプラズマが形成されるプラ
ズマ生成室を備え、該プラズマ生成室に磁界を印加し、
電子サイクロトロン共鳴による高密度プラズマを利用し
て基板上に薄膜を形成する膜形成装置において、前記プ
ラズマ生成室に印加する磁界の強度分布を、前記プラズ
マ生成室の中心軸に対し非対称にしてなることを特徴と
する膜形成装置。 - (2)前記磁界を印加する手段として、前記プラズマ生
成室の中心軸と同軸的にソレノイドコイルを配置し、且
つこのコイルを前記磁界の強度分布を曲げる方向では密
に、これと反対方向では粗に巻回したことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の膜形成装置。 - (3)前記基板は、前記プラズマ生成室の中心軸上から
ずれた位置に配置され、且つ該中心軸よりも前記磁界の
強度分布を曲げた方向に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28452386A JPS63137431A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28452386A JPS63137431A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137431A true JPS63137431A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17679583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28452386A Pending JPS63137431A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63137431A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396204A (en) * | 1991-04-09 | 1995-03-07 | Omron Corporation | Electromagnetic relay |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP28452386A patent/JPS63137431A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396204A (en) * | 1991-04-09 | 1995-03-07 | Omron Corporation | Electromagnetic relay |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6870123B2 (en) | Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method | |
EP0764969A2 (en) | Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method | |
EP1895565A1 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
US5565247A (en) | Process for forming a functional deposited film | |
US5707692A (en) | Apparatus and method for processing a base substance using plasma and a magnetic field | |
JPS6367332B2 (ja) | ||
US5433788A (en) | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance | |
JPH03204925A (ja) | プラズマプロセス用装置および方法 | |
JPS63137431A (ja) | 膜形成装置 | |
JPH0950984A (ja) | 表面処理方法 | |
JPH04343420A (ja) | プラズマ反応装置とそれを用いた基板の処理方法 | |
JPS61135126A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0722195A (ja) | 高密度プラズマ処理装置 | |
JPH01246367A (ja) | 膜形成装置および膜形成方法 | |
EP0290036B1 (en) | Plasma treatment apparatus | |
JPH07130494A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
EP0997927A2 (en) | Microwave applicator with annular waveguide, plasma processing apparatus having the same, and plasma processing method | |
JPH0340422A (ja) | 膜形成装置 | |
JPH07153595A (ja) | 有磁場誘導結合プラズマ処理装置 | |
JPH0717147Y2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH05295533A (ja) | 電子サイクロトロン共鳴を用いた成膜方法及び成膜装置 | |
JPH0896990A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2006012962A (ja) | 斜め貫通孔付真空紫外光遮光板を用いたマイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法 | |
JP3088446B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP3432720B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |