JPS63136501A - 高温度センサ - Google Patents
高温度センサInfo
- Publication number
- JPS63136501A JPS63136501A JP28064986A JP28064986A JPS63136501A JP S63136501 A JPS63136501 A JP S63136501A JP 28064986 A JP28064986 A JP 28064986A JP 28064986 A JP28064986 A JP 28064986A JP S63136501 A JPS63136501 A JP S63136501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature sensor
- temperature
- high temperature
- bapbo
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N Al2O Inorganic materials [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温度センサに関する。本発明は、さらに詳し
く述べると、例えば自動車用排気ガス浄化装置く触媒）
の温度異常警報システム等において有利に使用すること
のできる高温度センサ、すなわち、測温範囲が７００〜
１０００℃の高温域にある温度センサに関する。
く述べると、例えば自動車用排気ガス浄化装置く触媒）
の温度異常警報システム等において有利に使用すること
のできる高温度センサ、すなわち、測温範囲が７００〜
１０００℃の高温域にある温度センサに関する。
自動車用排気ガス浄化用装置の過熱！ｇ報等では７００
℃以上の高温度を測温可能な高温度センサが必要である
。従来、かかる高温度センサとしては、Ｃｒ２Ｏ，−＾
１２０．系セラミックに代表されるＮＴＣサーミスタが
広く用いられてきた。ＮＴＣとは、Ｎｅｇａｔｉｖｅ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔのこ
とで、負の温度係数をもった負特性サーミスタ（感温素
子）を指している。このようなＮＴＣサーミスタの長所
としては、基準抵抗を選択することにより、１つのセン
サにて任意に検出温度を変えられることがあるが、反面
、温度に対する抵抗変化（傾き）がなだらかであるため
に、組成変動やロット変動により抵抗のバラツキが生じ
ると検出温度誤差が大きくなるという欠点がある。また
、抵抗変化がなだらかであるために、検出回路が複雑に
なるという問題もある。
℃以上の高温度を測温可能な高温度センサが必要である
。従来、かかる高温度センサとしては、Ｃｒ２Ｏ，−＾
１２０．系セラミックに代表されるＮＴＣサーミスタが
広く用いられてきた。ＮＴＣとは、Ｎｅｇａｔｉｖｅ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔのこ
とで、負の温度係数をもった負特性サーミスタ（感温素
子）を指している。このようなＮＴＣサーミスタの長所
としては、基準抵抗を選択することにより、１つのセン
サにて任意に検出温度を変えられることがあるが、反面
、温度に対する抵抗変化（傾き）がなだらかであるため
に、組成変動やロット変動により抵抗のバラツキが生じ
ると検出温度誤差が大きくなるという欠点がある。また
、抵抗変化がなだらかであるために、検出回路が複雑に
なるという問題もある。
ＮＴＣサーミスタの他に、Ｐ Ｔ Ｃ（Ｐｏｓｉｔｉｖ
ｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）
サーミスタ、すなわち、正特性サーミスタもまた公知で
ある。このタイプのサーミスタは、通常、チタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯｓ）を主成分とする組成物からなる正
特性半導体磁器から構成されており、ある温度にて急激
に抵抗が立ち上がる特性を有している（例えば、本件出
願人の特開昭５９−６３５３５号公報を参照されたい）
、シかし、この［）ａＴｉＯコ系半導体磁器のキュリ一
温度は、工業的には３８０℃が上限であり、学理的にも
ＰｂＴｉＯｓのＴｃ（４９０℃）を越えることは不可能
である。すなわち、特開昭５９−６３５３５号公報に記
載の温度センサは、ＢａＴｉ０＊系半導体磁器のキュリ
一温度の上限、３８０℃までしか測定することが出来ず
、−歩譲っても最高４９０℃が上限となる。
ｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）
サーミスタ、すなわち、正特性サーミスタもまた公知で
ある。このタイプのサーミスタは、通常、チタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯｓ）を主成分とする組成物からなる正
特性半導体磁器から構成されており、ある温度にて急激
に抵抗が立ち上がる特性を有している（例えば、本件出
願人の特開昭５９−６３５３５号公報を参照されたい）
、シかし、この［）ａＴｉＯコ系半導体磁器のキュリ一
温度は、工業的には３８０℃が上限であり、学理的にも
ＰｂＴｉＯｓのＴｃ（４９０℃）を越えることは不可能
である。すなわち、特開昭５９−６３５３５号公報に記
載の温度センサは、ＢａＴｉ０＊系半導体磁器のキュリ
一温度の上限、３８０℃までしか測定することが出来ず
、−歩譲っても最高４９０℃が上限となる。
ＰＴＣサーミスタは、上記から理解されるように、温度
センサに用いた場合に有用なＰＴＣ特性を有しているや
したがって、このＰＴＣ特性を維持したま一１ＮＴＣサ
ーミスタを用いた場合のように７００℃以上の高温度を
測温可能な高温度センサを提供することが金型まれてい
る。これが、本発明が解決しようとする問題点である。
センサに用いた場合に有用なＰＴＣ特性を有しているや
したがって、このＰＴＣ特性を維持したま一１ＮＴＣサ
ーミスタを用いた場合のように７００℃以上の高温度を
測温可能な高温度センサを提供することが金型まれてい
る。これが、本発明が解決しようとする問題点である。
上記した問題点は、本発明によれば、ＢａＰｂＯ５を主
成分とする組成物（以下、ＢａＰｂＯ５系組成物と記す
）からなる正特性半導体磁器を感温素子として有するこ
とを特徴とする高温度センサによって解決することがで
きる。
成分とする組成物（以下、ＢａＰｂＯ５系組成物と記す
）からなる正特性半導体磁器を感温素子として有するこ
とを特徴とする高温度センサによって解決することがで
きる。
本発明では、感温素子（サーミスタ）として用いるＢａ
ＰｂＯ，系組成物の組成を選択することにより、７００
〜１ｏｏｏ’ｃの温度範囲において任意の温度を高精度
に検出することが可能である。
ＰｂＯ，系組成物の組成を選択することにより、７００
〜１ｏｏｏ’ｃの温度範囲において任意の温度を高精度
に検出することが可能である。
本発明において使用するＢａＰｂＯ＊系組成物は、Ｂａ
／Ｐｂ比が５５／４５〜４０／６０であるＢａＰｂＯ３
の単独からなるかもしくはかかるＢａＰｂ０ａにチタン
化合物、ジルコニウム化合物又はその混合物を添加した
ものからなることができる。後者の場合には、チタン化
合物及びジルコニウム化合物はそれぞれ酸化物の形をと
ることができかつそれらの添加量が合計して外モル比で
０〜０．３モル（Ｔｉ及びＺｒの原子に換算）であるこ
とが好ましい。添加量が０．３モルを越えると、抵抗が
著しく増大し、またＰＴＣ特性も悪くなるであろう。さ
らに、上記した通り、Ｉ］ａＰｂＯａは、そのＢａ／Ｐ
ｂ比が５５ ／ ４５〜４０ ／ ８０であるのが有効
である。これは、Ｂａリッチになると、ＢａＰｂＯ，の
抵抗変化率が著しく小さくなり、ＰＴＣ特性が殆んど見
られなくなり、又、反対に過剰にｐｂを添加すると、ｐ
ｂの酸化物が多量に形成され、抵抗が著しく上昇するた
めである。
／Ｐｂ比が５５／４５〜４０／６０であるＢａＰｂＯ３
の単独からなるかもしくはかかるＢａＰｂ０ａにチタン
化合物、ジルコニウム化合物又はその混合物を添加した
ものからなることができる。後者の場合には、チタン化
合物及びジルコニウム化合物はそれぞれ酸化物の形をと
ることができかつそれらの添加量が合計して外モル比で
０〜０．３モル（Ｔｉ及びＺｒの原子に換算）であるこ
とが好ましい。添加量が０．３モルを越えると、抵抗が
著しく増大し、またＰＴＣ特性も悪くなるであろう。さ
らに、上記した通り、Ｉ］ａＰｂＯａは、そのＢａ／Ｐ
ｂ比が５５ ／ ４５〜４０ ／ ８０であるのが有効
である。これは、Ｂａリッチになると、ＢａＰｂＯ，の
抵抗変化率が著しく小さくなり、ＰＴＣ特性が殆んど見
られなくなり、又、反対に過剰にｐｂを添加すると、ｐ
ｂの酸化物が多量に形成され、抵抗が著しく上昇するた
めである。
本発明による高温度センサは、Ｂｉｔ”ｂＯ，系組成物
からなる正特性半導体磁器と電極とから構成することが
でき、また、電極間の抵抗、すなわち、ＢａＰｂ０ａ系
組成物の抵抗を測定することにより、温度を検知するこ
とが可能である。ここで、ＢａＰｂＯ５系半導体磁器は
、以下の実施例においても説明するけれども、厚膜タイ
プ、焼結体ベレットタイプ等、いろいろな形状をとるこ
とができる。さらに、電極は、白金（ＰＬ）のほか、こ
の技術分野において通常用いられているいろいろな材料
、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ｐｄ等から形成することができる
。
からなる正特性半導体磁器と電極とから構成することが
でき、また、電極間の抵抗、すなわち、ＢａＰｂ０ａ系
組成物の抵抗を測定することにより、温度を検知するこ
とが可能である。ここで、ＢａＰｂＯ５系半導体磁器は
、以下の実施例においても説明するけれども、厚膜タイ
プ、焼結体ベレットタイプ等、いろいろな形状をとるこ
とができる。さらに、電極は、白金（ＰＬ）のほか、こ
の技術分野において通常用いられているいろいろな材料
、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ｐｄ等から形成することができる
。
第４図は、本発明によるＰＴＣ半導体磁器（ＢａＰｂＯ
コ）の抵抗一温度特性を示したグラフである。
コ）の抵抗一温度特性を示したグラフである。
本発明の特徴は、この図に示す如く、ある温度にて急激
に抵抗が立ち上がる特性（ＰＴＣ特性）を有しているた
め、感温素子の抵抗バラツキに対して、検出温度誤差が
小さくなり、ＮＴＣサーミスタを用いた場合に比べ高精
度に温度を検知することが可能となるものである。また
、抵抗が急変するなめ、回路の簡素化が可能であり、さ
らに、この特性を利用して、スイッチング素子としても
用いることが出来る。
に抵抗が立ち上がる特性（ＰＴＣ特性）を有しているた
め、感温素子の抵抗バラツキに対して、検出温度誤差が
小さくなり、ＮＴＣサーミスタを用いた場合に比べ高精
度に温度を検知することが可能となるものである。また
、抵抗が急変するなめ、回路の簡素化が可能であり、さ
らに、この特性を利用して、スイッチング素子としても
用いることが出来る。
参考のために示すと、ＮＴＣサーミスタ（ここではＣｒ
２０＝ −Ａｌ２Ｏ□系材料を使用）は、第５図に示す
ような抵抗一温度特性を呈示する。すなわち、このサー
ミスタの場合、本発明のＰＴＣサーミスタとは異なって
、温度に対する抵抗変化がなだらかである。
２０＝ −Ａｌ２Ｏ□系材料を使用）は、第５図に示す
ような抵抗一温度特性を呈示する。すなわち、このサー
ミスタの場合、本発明のＰＴＣサーミスタとは異なって
、温度に対する抵抗変化がなだらかである。
本発明による高温度センサは、例えば、第１図及び第２
図に示されるような厚膜タイプの構造をとることができ
る９感温部は、第２図に拡大して示されるように、２枚
の＾１２０３シート３及び３′の間にｐｔ電極２及び２
′がサンドイッチされた構造を有している。１は焼成さ
れたＢａＰｂＯ３＋光半導体磁器のペーストであり、そ
して４及び４′はｐｔ線である。
図に示されるような厚膜タイプの構造をとることができ
る９感温部は、第２図に拡大して示されるように、２枚
の＾１２０３シート３及び３′の間にｐｔ電極２及び２
′がサンドイッチされた構造を有している。１は焼成さ
れたＢａＰｂＯ３＋光半導体磁器のペーストであり、そ
して４及び４′はｐｔ線である。
図示の高温度センサを製造するに当って、先ず最初に基
板を製造する。へβ２０．シート３にＰｔ電極２及び２
′を印刷し、ｐｉ電極２及び２′と導通するように直径
０．３＋ｎ＋ｎのｐｔ線４及び４′を埋め込み、これに
＾ｔ２２０ｓシート３′を重ねて一体焼成した。ＢａＣ
０ｚ及びｐｂ、ｏ、をＢ ａ／ Ｐ ｂ＝ ５０／ ５
０となるように調合し、さらにフラックスとしてＳｉ３
Ｎ、を０．８重旦％添加した後、ボールミルにて２０時
時間式混合を行った。スラリー（混合溶液）をとり出し
て乾燥した後、酸素フロー中９００℃で３時間の仮焼を
行い、ＢａＰｂ０ｚ粉末を得な。
板を製造する。へβ２０．シート３にＰｔ電極２及び２
′を印刷し、ｐｉ電極２及び２′と導通するように直径
０．３＋ｎ＋ｎのｐｔ線４及び４′を埋め込み、これに
＾ｔ２２０ｓシート３′を重ねて一体焼成した。ＢａＣ
０ｚ及びｐｂ、ｏ、をＢ ａ／ Ｐ ｂ＝ ５０／ ５
０となるように調合し、さらにフラックスとしてＳｉ３
Ｎ、を０．８重旦％添加した後、ボールミルにて２０時
時間式混合を行った。スラリー（混合溶液）をとり出し
て乾燥した後、酸素フロー中９００℃で３時間の仮焼を
行い、ＢａＰｂ０ｚ粉末を得な。
このＤａＰｂＯｚにＴｉＯ□を外モル比で１．５モルの
量で添加し、酸素フロー中にて９００°Ｃ１３時間の２
回目の仮焼を行なった。次いで、アルコールを用いて、
ボールミルにて２０時間にわたって湿式粉砕した。この
ようにしてＢａＰｂＯ＊組成物の粉末が得られた。この
ＢａＰｂＯ，組成物の粉末にガラスフリットを５重量％
添加し、エチルセルロース、テレピネーオール等を用い
通常の方法を用いてペーストを作成した。得られたペー
ストを先のΔ１２０．基板上に塗布し、酸素フロー中、
１１００℃で２時間にわたって焼成することにより、厚
さ約１５０μｍの厚膜を得た。
量で添加し、酸素フロー中にて９００°Ｃ１３時間の２
回目の仮焼を行なった。次いで、アルコールを用いて、
ボールミルにて２０時間にわたって湿式粉砕した。この
ようにしてＢａＰｂＯ＊組成物の粉末が得られた。この
ＢａＰｂＯ，組成物の粉末にガラスフリットを５重量％
添加し、エチルセルロース、テレピネーオール等を用い
通常の方法を用いてペーストを作成した。得られたペー
ストを先のΔ１２０．基板上に塗布し、酸素フロー中、
１１００℃で２時間にわたって焼成することにより、厚
さ約１５０μｍの厚膜を得た。
この怒温部をフランジ９を有する鉄製のケース８に挿入
し、ｐｔ線４及び４′を＾１２０．の碍管７及び７′に
被覆されたＮｉ線５及び５′とロウ付あるいは溶接６す
ることにより、外部へリードを取り出す。このセンサの
特性は、第４図に示す如く９００℃付近にて急激に抵抗
が上昇するものであり、基準抵抗Ｒ０と比軸することに
より温度を検知することが可能である。
し、ｐｔ線４及び４′を＾１２０．の碍管７及び７′に
被覆されたＮｉ線５及び５′とロウ付あるいは溶接６す
ることにより、外部へリードを取り出す。このセンサの
特性は、第４図に示す如く９００℃付近にて急激に抵抗
が上昇するものであり、基準抵抗Ｒ０と比軸することに
より温度を検知することが可能である。
本発明のＢａＰｂＯ３半導体磁器は、第１図及び第２図
に示される厚膜の形状のほか、必要に応じて、例えば第
３図に示されるようなペレットの形状を有することがで
きる。図示の素子は、ＢａＰｂＯ３のベレット１１にＰ
Ｌ線４及び４′を埋め込み、酸素フロー中、１０５０℃
×２時間の一体焼成によって製造することができる。
に示される厚膜の形状のほか、必要に応じて、例えば第
３図に示されるようなペレットの形状を有することがで
きる。図示の素子は、ＢａＰｂＯ３のベレット１１にＰ
Ｌ線４及び４′を埋め込み、酸素フロー中、１０５０℃
×２時間の一体焼成によって製造することができる。
本発明によれば、ＰＴＣ特性を有するＢａＰｂＯ＊系半
導体磁器を高温度センサの感温素子として用いることに
より、７００〜１０００℃の高温度域において任意の温
度を高精度に検出することが可能であり、したがって、
その応用として、自動車の排気ガス浄化触媒の過熱警報
の他、Ｅ／Ｇ制ｆｉｌあるいはディーゼルパティキュレ
ートトラッパ（ＤＰＴ）の過熱警報用の温度センサとし
て用いることが可能である。
導体磁器を高温度センサの感温素子として用いることに
より、７００〜１０００℃の高温度域において任意の温
度を高精度に検出することが可能であり、したがって、
その応用として、自動車の排気ガス浄化触媒の過熱警報
の他、Ｅ／Ｇ制ｆｉｌあるいはディーゼルパティキュレ
ートトラッパ（ＤＰＴ）の過熱警報用の温度センサとし
て用いることが可能である。
第１図は本発明による高温度センサの一例を示した構造
図、 第２図は第１図に示した高温度センサの怒温部の拡大図
、 第３図は本発明による高温度センサのもう１つの例を示
した構造図、 第４図は、本発明例の抵抗一温度特性な示したグラフ、
そして 第５図は従来例の抵抗一温度特性を示したグラフである
。 図中、１はＢａＰｂ０ｔ焼成体、２及び２′はｐｉ主電
極３及び３′は＾１２０３シート、そして４及びｌｌ′
はｐｔ線である。
図、 第２図は第１図に示した高温度センサの怒温部の拡大図
、 第３図は本発明による高温度センサのもう１つの例を示
した構造図、 第４図は、本発明例の抵抗一温度特性な示したグラフ、
そして 第５図は従来例の抵抗一温度特性を示したグラフである
。 図中、１はＢａＰｂ０ｔ焼成体、２及び２′はｐｉ主電
極３及び３′は＾１２０３シート、そして４及びｌｌ′
はｐｔ線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＢａＰｂＯ＿３を主成分とする組成物からなる正特
性半導体磁器を感温素子として有することを特徴とする
高温度センサ。 ２、前記ＢａＰｂＯ＿３系組成物がＢａ／Ｐｂ比が５５
／４５〜４０／６０であるＢａＰｂＯ＿３の単独からな
るかもしくはかかるＢａＰｂＯ＿３にチタン化合物、ジ
ルコニウム化合物又はその混合物を添加したものからな
る、特許請求の範囲第１項に記載の高温度センサ。 ３、前記チタン化合物及びジルコニウム化合物が酸化物
の形をしておりかつそれらの添加量が合計して外モル比
で０〜０．３モル（Ｔｉ及びＺｒの原子に換算）である
、特許請求の範囲第２項に記載の高温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28064986A JPS63136501A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28064986A JPS63136501A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136501A true JPS63136501A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17627997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28064986A Pending JPS63136501A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136501A (ja) |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP28064986A patent/JPS63136501A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1117789A (en) | Temperature compensated resistive exhaust gas sensor construction | |
| US4453397A (en) | Gas detecting sensor | |
| JPS61260605A (ja) | セラミツク湿度センサ | |
| EP0149681A1 (en) | Oxide semiconductor for thermistor | |
| JP2008306086A (ja) | サーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法 | |
| JPS63136501A (ja) | 高温度センサ | |
| JP2971200B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP2006054258A (ja) | 高温耐熱型サーミスタ | |
| JP4548431B2 (ja) | サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 | |
| JPH0729706A (ja) | 高温用温度センサ及びその製造方法 | |
| KR101782382B1 (ko) | Ntc 써미스터 온도 센서용 세라믹 조성물, 이를 이용한 ntc 써미스터 온도 센서용 세라믹 소결체의 제조 방법 및 이를 포함하는 ntc 써미스터 소자 | |
| JP3757794B2 (ja) | サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ | |
| JPH08162302A (ja) | サーミスタとその製造方法 | |
| JPS62115608A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6037101A (ja) | 高温サ−ミスタ | |
| JPS5826641B2 (ja) | 温度・湿度検出素子 | |
| JP2006108221A (ja) | 高温耐熱型サーミスタ | |
| JPS62211525A (ja) | 温度センサ | |
| JP2808758B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 | |
| JP2002190402A (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
| JP2904002B2 (ja) | 温度センサ | |
| JPH0248465A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| CN117819968A (zh) | 一种高温区负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 | |
| JPS588122B2 (ja) | 高温感熱素子 | |
| JPS6116933B2 (ja) |