JPS63135831A - 薄膜ロ−ドセルの製造方法 - Google Patents

薄膜ロ−ドセルの製造方法

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Publication number
JPS63135831A
JPS63135831A JP28345886A JP28345886A JPS63135831A JP S63135831 A JPS63135831 A JP S63135831A JP 28345886 A JP28345886 A JP 28345886A JP 28345886 A JP28345886 A JP 28345886A JP S63135831 A JPS63135831 A JP S63135831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strain
substrate
load cell
thin
generating body
Prior art date
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Pending
Application number
JP28345886A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Suzuki
久夫 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Electric Co Ltd
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Publication of JPS63135831A publication Critical patent/JPS63135831A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、重力センサや圧力センサとして利用される薄
膜ロードセルの製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、この種のロードセルにおいて、ストレンゲージに
よるブリッジ回路を起歪体の一面または両面に薄膜技術
を利用して形成しているものがある。その場合に、予め
単体の起歪体を形成しておき、その起歪体の表面に絶縁
被膜を形成し、その絶縁被膜の表面に抵抗被膜を積層し
てパターニングしているものである。したがって、個々
の起歪体毎にブリッジ回路を形成してロードセルを製作
している。
発明が解決しようとする問題点 抵抗被膜の形成は、スパッタリングや蒸着等により薄膜
形成されるものであるが、抵抗体を形成するための同−
又は複合金属の温度係数(TCR)が、スパッタリング
や蒸着の個々の作業時にバラツキが発生し、そのために
、温度特性補正を個々のロードセル毎に行わなければな
らないものである。
また、ブリッジ回路を形成するために各々のパターニン
グのためのエツチング条件が変わるためにパターン幅が
微妙に異なり、抵抗値のバラツキが発生するものである
問題点を解決するための手段 薄肉変形部を備えた起歪体の幅寸法の複数個分の幅を有
する起歪体基板を形成し、この起歪体基板の一面に絶縁
被膜を形成し、この絶縁被膜の上に抵抗薄膜をパターニ
ングして形成したストレンゲージのブリッジ回路を複数
個分並列に積層形成し、前記起歪体基板を前記起歪体毎
に分離する。
作用 ストレンゲージのための抵抗被膜が同一条件で製造され
るため、温度変化における特性が良好になり、単体の起
歪体に分離した時に、温度補正が不要であるかまたは微
小で良く、また、ブリッジ回路の抵抗値のバラツキが良
くなるものである。
さらに、起歪体自体の寸法精度についても、薄肉変形部
の厚さが複数個で同一になり、その寸法的な安定性が良
好なものである。
実施例 本発明の第一の実施例を第1図乃至第3図に基づいて説
明する。まず、アルミニュウムやステンレススチール等
により起歪体基板1が形成されている。この起歪体基板
1はロードセル2を形成するための起歪体3の幅寸法に
対して複数個分の幅を有する板状のものであり、その幅
方向に沿わせて互いに連結された2個の孔4が貫通して
形成され、これらの孔4により起歪体3となった時には
薄肉変形部5となる薄肉部6が形成されている。
このような起歪体基板1の一面には絶縁被膜7が全体に
わたって塗布され、この絶縁被膜7の上には抵抗薄膜と
導電膜とが積層されるとともにパターニングされて複数
個分のストレンゲージ8とこれらのストレンゲージ8を
接続してブリッジ回路9を形成するリード部10と外部
回路に接続するだめの端子部11とが並列形成されてい
る。この場合、前記ストレンゲージ8は前記薄肉部6の
上に位置している。
しかして、このようにして薄膜技術によりブリッジ回路
9と端子部11とを形成してからその表面に保護被膜1
2が積層されて形成される。
ついで、前記起歪体基板1は切断線13の部分で切断し
て分離することにより前記ロードセル2が形成される。
このようにして分離された後は、起歪体3の一方が図示
しないベースに固定されるための固定部14とされ、他
方が図示しない受皿が連結される荷重受部15とされて
いる。
このような構成において、ブリッジ回路9を形成時に一
度に多数のブリッジ回路9を同時に形成するために抵抗
膜の温度安定性が高く、また、抵抗膜のバラツキが少な
くなるためにブリッジ回路9が安定し、補正抵抗が微小
となる。
また、起歪体基板1は複数個分連設された幅広のもので
あるため、薄肉部6の寸法が安定し、分離後の薄肉変形
部5の寸法的なバラツキがない。
そのため、起歪体3としての寸法精度も高く1機械的な
均一性が得られる。
このようなことから、一つの起歪体基板1から形成され
るロードセル2を一つのロッドとして各部の調整を行う
ことにより、その製作時の調整作業が簡単になるもので
ある。
次に、第4図及び第5図に基づいて本発明の第二の実施
例を説明する。本実施例は起歪体基板1しか図示しない
が、その裏面からスリット16を起歪体3の幅寸法毎に
入れておき、前述のようにその表面にブリッジ回路9等
を形成してから、表面側の連設部17のみを切断して各
起歪体3に分離するようにしたものである。
さらに、特に図示しないが、予め個々の起歪体3に切断
したものを複数個分集合させて板状の起歪体基板1を形
成しても良いものである。この場台には複数個分のブリ
ッジ回路9を並列形成してから各起歪体3に分割するも
のである。
なお、実施に当っては保護被膜12の形成は、個々の起
歪体3に分離してから行っても良いものである。
発明の効果 本発明は、上述のように起歪体基板の表面に薄膜技術で
複数個分のブリッジ回路を形成してから分離するように
したので、ストレンゲージにより形成されるブリッジ回
路の温度安定性が良好になり、ストレンゲージを形成す
る抵抗薄膜のバラツキが少なく、ブリッジ回路が安定し
、補正抵抗が微小となり、起歪体の薄肉変形部の寸法も
安定して機械的にも均一なものを形成することができ、
一つの起歪体基板毎にロッド管理すれば、各部の調整作
業も簡単である等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例の起歪体基板の一例を示
す斜視図、第2図は分離したロードセルの斜視図、第3
図はその一部の断面図、第4図は本発明の第二の実施例
の起歪体基板の斜視図、第5図は分離した起歪体の斜視
図である。 1・・・起歪体基板、3・・・起歪体、5・・・薄肉変
形部、7・・・絶縁被膜、8・・・ストレンゲージ、9
・・・ブリッジ回路 出 願 人   東京電気株式会社 代 理 人    相   木    明、1;−′・
−;ご靭うご11 J、I  図 3Z図 」比  3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 薄肉変形部を備えた起歪体の幅寸法の複数個分の幅を有
    する起歪体基板を形成し、この起歪体基板の一面に絶縁
    被膜を形成し、この絶縁被膜の上に抵抗薄膜をパターニ
    ングして形成したストレンゲージのブリッジ回路を複数
    個分並列に積層形成し、前記起歪体基板を前記起歪体毎
    に分離するようにしたことを特徴とする薄膜ロードセル
    の製造方法。
JP28345886A 1986-11-28 1986-11-28 薄膜ロ−ドセルの製造方法 Pending JPS63135831A (ja)

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JP (1) JPS63135831A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008128864A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nitta Ind Corp センサ及びその製造方法
JP2010230546A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 A & D Co Ltd ロードセル及びロードセル用起歪体の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008128864A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nitta Ind Corp センサ及びその製造方法
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