JPS63128318A - フオトクロミツク光変調素子 - Google Patents
フオトクロミツク光変調素子Info
- Publication number
- JPS63128318A JPS63128318A JP27565886A JP27565886A JPS63128318A JP S63128318 A JPS63128318 A JP S63128318A JP 27565886 A JP27565886 A JP 27565886A JP 27565886 A JP27565886 A JP 27565886A JP S63128318 A JPS63128318 A JP S63128318A
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- Japan
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- layer
- spiropyrane
- molecules
- photochromic
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
光信号により情報の変換、蓄積、記憶、表示を行う、オ
プト、エレクトロニクスデバイスに■１するものである
。
プト、エレクトロニクスデバイスに■１するものである
。
近年フォトクロ材料を利用した光度Ｊ１１、例えば光照
ｑ＝ｔによる色素の吸収波長シフト等を利用したメモリ
ーや表示の研究が盛んになってきている。
ｑ＝ｔによる色素の吸収波長シフト等を利用したメモリ
ーや表示の研究が盛んになってきている。
特にメモリー、デバイス用としては、フルギド化合物や
、スピロピラン系色素のフォトクロミック現象を利用し
た、古き替え型光メモリーへの応用が報告されている。
、スピロピラン系色素のフォトクロミック現象を利用し
た、古き替え型光メモリーへの応用が報告されている。
これらのうち例えば、スピロピランを例に取ると、ポリ
ベンジルグルタメートバインダー中に、スピロピランを
トルエン等の溶媒と御粘に混ぜ、ガラス基板上に塗布又
はスピンコートレ、フォトクロ材料であるスピロピラン
分子を、バインダー中に均一に分散せしめた、媒体に光
をあて、スピロピランのｔＭ造変化に伴う、光吸収特性
の変化を生せしめ、発消色を制御している。本反応は基
本的には、熱を必要としないフォトンモードのため、書
き込み、消去に必要とするエネルギーは、赤外レーザー
等を用いた、磁気光学メモリー等に比べ小さい事が期待
されている。
ベンジルグルタメートバインダー中に、スピロピランを
トルエン等の溶媒と御粘に混ぜ、ガラス基板上に塗布又
はスピンコートレ、フォトクロ材料であるスピロピラン
分子を、バインダー中に均一に分散せしめた、媒体に光
をあて、スピロピランのｔＭ造変化に伴う、光吸収特性
の変化を生せしめ、発消色を制御している。本反応は基
本的には、熱を必要としないフォトンモードのため、書
き込み、消去に必要とするエネルギーは、赤外レーザー
等を用いた、磁気光学メモリー等に比べ小さい事が期待
されている。
しかし現在の所、この書き込み消去に必要なエネルギー
は、数百ｍＷ以上を要しており、半導体レーザーを用い
るための低エネルギー化が実用のカギを握っている。
は、数百ｍＷ以上を要しており、半導体レーザーを用い
るための低エネルギー化が実用のカギを握っている。
一方、フォトクロミック染料を用いた光メモリーは、染
料の波長吸収特性を考慮に入れた場合には波長多重化が
可能であり、メモリー密度の大幅な向上も期待される。
料の波長吸収特性を考慮に入れた場合には波長多重化が
可能であり、メモリー密度の大幅な向上も期待される。
しかし現状の上記媒体に於いては、吸収波長がブロード
に広がっており、多重化は不可能である。
に広がっており、多重化は不可能である。
本発明の目的は、書き込み消却のための光エネルギーの
低減と、吸収波長の半値幅減少によるメモリー密度向上
を目指ずものである。
低減と、吸収波長の半値幅減少によるメモリー密度向上
を目指ずものである。
本発明の７１トクロミツク光変調素子は特許請求の範囲
に記刺したとおりである。
に記刺したとおりである。
従来のメモリー素子が高エネルギーを必要としかつ、吸
収波長がブロードな理由の一つは、バインダー中で、フ
］トクロ分子がランダムな状態にある事に帰因している
。スピロピランや、フルギドは光の吸収に対し分子の異
方性があり、ランダムな状態ではエネルギー利用効率は
悪くなる。
収波長がブロードな理由の一つは、バインダー中で、フ
］トクロ分子がランダムな状態にある事に帰因している
。スピロピランや、フルギドは光の吸収に対し分子の異
方性があり、ランダムな状態ではエネルギー利用効率は
悪くなる。
我々は、この技術的課題を克服する手段としてフォトク
ロミック分子の配向制御膜を用いる事に気づいた。又分
子配向を制御する事により、吸収波長の半値幅も改善で
き波長多重化にも仔利である事に気づいた。分子配向の
手段として電場や磁Ｉａを用いる事がを効である事が判
った。
ロミック分子の配向制御膜を用いる事に気づいた。又分
子配向を制御する事により、吸収波長の半値幅も改善で
き波長多重化にも仔利である事に気づいた。分子配向の
手段として電場や磁Ｉａを用いる事がを効である事が判
った。
実施例１
フォトクロミック分子として、フルギド誘導体バインダ
ーとして、ポリベンシル・グルタメートをトルエン溶媒
中に溶解した混合溶液を、基板面が電場と平行になる様
にセットされた、ガラス基板表面に塗布する。そのまま
溶媒のトルエンを蒸発させた後、キセノンＵＶランプで
光を照射した所、無色のフィルムのＵＶ照射部か紫色に
着色した。同じ容色濃度を得るための照射時間は Ｗ
−１−千／ンランプで従来の場合の約１／２程度まで減
少した。
ーとして、ポリベンシル・グルタメートをトルエン溶媒
中に溶解した混合溶液を、基板面が電場と平行になる様
にセットされた、ガラス基板表面に塗布する。そのまま
溶媒のトルエンを蒸発させた後、キセノンＵＶランプで
光を照射した所、無色のフィルムのＵＶ照射部か紫色に
着色した。同じ容色濃度を得るための照射時間は Ｗ
−１−千／ンランプで従来の場合の約１／２程度まで減
少した。
実施例２
フォトクロミック分子として、スピロピラン誘導体を用
い、バインダー、溶媒は実施例と同様の構成で、記録層
を形成した。レーザーを用いるため２ｉ￥１図の様に示
す構造にした。ガラス基板１−１上に約７００ｍｍ程度
の厚みのスピロピラン層をスピンコートし、その上に反
射層としてＡｇを２０００人程度蒸着した。スピロピラ
ンの溶媒除去過程中は、強磁場（１０ｋｇ）をガラス面
に平行に印加しつづけた。このスピロピラン層に、始め
、キャノンランプを全面照射し発色層を形成する。その
後、７８０ｎｍｔ １０ｍＷの書き込み用半導体レー
ザーを、スポット径２μに絞り、照射して、記録を行っ
た。第２図は電場や磁場を作用させなかった場合と、本
実施例の結集を比較したものである。２０％反射率が増
加する時のエネルギー密度が、１５０ｍｇ／ｃｒｒ＋’
から１００ｍｇ／ｃｍ２と約３５％も減少させる事が可
能になった。
い、バインダー、溶媒は実施例と同様の構成で、記録層
を形成した。レーザーを用いるため２ｉ￥１図の様に示
す構造にした。ガラス基板１−１上に約７００ｍｍ程度
の厚みのスピロピラン層をスピンコートし、その上に反
射層としてＡｇを２０００人程度蒸着した。スピロピラ
ンの溶媒除去過程中は、強磁場（１０ｋｇ）をガラス面
に平行に印加しつづけた。このスピロピラン層に、始め
、キャノンランプを全面照射し発色層を形成する。その
後、７８０ｎｍｔ １０ｍＷの書き込み用半導体レー
ザーを、スポット径２μに絞り、照射して、記録を行っ
た。第２図は電場や磁場を作用させなかった場合と、本
実施例の結集を比較したものである。２０％反射率が増
加する時のエネルギー密度が、１５０ｍｇ／ｃｒｒ＋’
から１００ｍｇ／ｃｍ２と約３５％も減少させる事が可
能になった。
以上、電場及び磁場により分子をバインダー中で配向せ
しめ、光の吸収効率向上がはかれた。
しめ、光の吸収効率向上がはかれた。
又、分子の配向状態を作る方法として、液晶高分子中に
分子を分散せしめたりする方法でも良い。
分子を分散せしめたりする方法でも良い。
第１図は、実施例２に用いたフォトクロミック、メモリ
ーセルの構成図 １０１・・・ガラス基板 １０２・・・フォトクロ層１
０３・・・Ａｇ層 １０４・・・レーザー第２図は磁場
配向処理をほどこしたフォトクロミック届の感度と従来
特性を示す図。 ２０１・・・実施例２に用いたフォトクロミック２０２
・・・従来特性 以 上
ーセルの構成図 １０１・・・ガラス基板 １０２・・・フォトクロ層１
０３・・・Ａｇ層 １０４・・・レーザー第２図は磁場
配向処理をほどこしたフォトクロミック届の感度と従来
特性を示す図。 ２０１・・・実施例２に用いたフォトクロミック２０２
・・・従来特性 以 上
Claims (1)
- フォトクロミック材料と、それを支持する基体もしくは
、支持母材よりなる光変調素子に於いて、光照射手段と
、支持体上もしくは、支持母材中の特定方向に分子が配
向した、フォトクロミック層からなることを特徴とする
フォトクロミック光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27565886A JPS63128318A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトクロミツク光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27565886A JPS63128318A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトクロミツク光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128318A true JPS63128318A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17558534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27565886A Pending JPS63128318A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | フオトクロミツク光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166386A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Sharp Corp | 光連想メモリ装置及びその光論理記憶方式 |
| CN110196465A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-03 | 安徽大河镜业有限公司 | 一种镀银镜子及其制备方法 |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27565886A patent/JPS63128318A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166386A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Sharp Corp | 光連想メモリ装置及びその光論理記憶方式 |
| CN110196465A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-03 | 安徽大河镜业有限公司 | 一种镀银镜子及其制备方法 |
| CN110196465B (zh) * | 2019-06-14 | 2021-03-16 | 安徽大河镜业有限公司 | 一种镀银镜子及其制备方法 |
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