JPS63124721A - Overvoltage protecting circuit - Google Patents

Overvoltage protecting circuit

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JPS63124721A
JPS63124721A JP26977186A JP26977186A JPS63124721A JP S63124721 A JPS63124721 A JP S63124721A JP 26977186 A JP26977186 A JP 26977186A JP 26977186 A JP26977186 A JP 26977186A JP S63124721 A JPS63124721 A JP S63124721A
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JP
Japan
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diode
overvoltage
circuit
voltage
input terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP26977186A
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Japanese (ja)
Inventor
裕之 三須
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSI等の素子の信号入力端子に加えられた過
電圧から素子を保護するための過電圧保護回路に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an overvoltage protection circuit for protecting an element such as an LSI from an overvoltage applied to a signal input terminal of the element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、入力端子に加えられた過電圧による素子の破壊を
防止するために、過電圧を抑制する過電圧保護回路が設
けられる。例えば第2図はその一例であり、保護したい
素子3の信号入力端子2と入力端子1との間に過電圧保
護回路を設けている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an overvoltage protection circuit is provided to suppress overvoltage in order to prevent elements from being destroyed due to overvoltage applied to an input terminal. For example, FIG. 2 is an example of this, in which an overvoltage protection circuit is provided between the signal input terminal 2 and the input terminal 1 of the element 3 to be protected.

この保護回路は、信号入力端子2に保護抵抗R1とダイ
オードD、を接続し、このダイオードD。
This protection circuit connects a protection resistor R1 and a diode D to a signal input terminal 2.

の他端にはトランジスタQ、オペアンプTCI。At the other end is a transistor Q and an operational amplifier TCI.

抵抗R2,R,及び基準電圧V r a fから構成さ
れた過電圧を吸収する回路4を接続した回路構成となっ
ている。
It has a circuit configuration in which an overvoltage absorbing circuit 4 made up of resistors R2, R and a reference voltage V r a f is connected.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来の過電圧保護回路は、入力端子1に加わる
電圧の大きさにより、ダイオードD、を流れる電流が変
化するため、ダイオードD、の電圧降下が変化する。ま
た、ダイオードD1の電圧降下は温度によっても変動す
るため、ダイオードのカソード側に接続された過電圧吸
収回路40安定度がいくら良(でも保護したい素子3の
入力瑞予電圧は変化することになる。
In the conventional overvoltage protection circuit described above, the current flowing through the diode D changes depending on the magnitude of the voltage applied to the input terminal 1, so the voltage drop across the diode D changes. Furthermore, since the voltage drop across the diode D1 varies depending on the temperature, no matter how stable the overvoltage absorption circuit 40 connected to the cathode side of the diode is, the input voltage of the element 3 to be protected will change.

このため、保護したい素子がLSr等のように過電圧に
対するマージンがあまりない場合には、このダイオード
の電圧降下の変動は無視することができなくなる。
For this reason, if the element to be protected does not have much margin against overvoltage, such as an LSr, fluctuations in the voltage drop of this diode cannot be ignored.

本発明は、ダイオードの電圧降下の変動による影響を無
くし、保護したい素子の過電圧に対するマージンが小さ
い場合にも過電圧に対する保護を有効に行うことができ
る過電圧保護回路を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit that can effectively protect against overvoltage even when the margin for overvoltage of an element to be protected is small by eliminating the influence of fluctuations in voltage drop of a diode.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の過電圧保護回路は、信号入力端子に接続するダ
イオードと同じ特性を持つ第2のダイオードを、ダイオ
ードと過電圧吸収回路の間に直列に挿入し、この第2の
ダイオードの両端の電圧を過電圧吸収回路の基準電圧か
ら減算する構成としている。
In the overvoltage protection circuit of the present invention, a second diode having the same characteristics as the diode connected to the signal input terminal is inserted in series between the diode and the overvoltage absorption circuit, and the voltage across the second diode is reduced to the overvoltage. The configuration is such that it is subtracted from the reference voltage of the absorption circuit.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の回路図である。保護したい
素子としてのLSI3の信号入力端子2と入力端子lと
の間には保護抵抗R5を接続し、また信号入力端子2に
はダイオードD1を接続している。そして、このダイオ
ードD、には第2のダイオードD2を接続し、更に減算
回路5及び過電圧吸収回路4を接続している。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. A protection resistor R5 is connected between the signal input terminal 2 and the input terminal l of the LSI 3, which is an element to be protected, and a diode D1 is connected to the signal input terminal 2. A second diode D2 is connected to this diode D, and further a subtraction circuit 5 and an overvoltage absorption circuit 4 are connected.

即ち、前記ダイオードD1はアノードを前記信号入力端
子2に接続し、かつそのカソードをこれと同じ特性を有
する第2のダイオードD2のアノードに接続している。
That is, the diode D1 has its anode connected to the signal input terminal 2 and its cathode connected to the anode of a second diode D2 having the same characteristics.

また、この第2のダイオードD2のカソードにはトラン
ジスタQのコレクタを接続し、このトランジスタQのエ
ミツタはグランドに接続している。
Further, the collector of a transistor Q is connected to the cathode of this second diode D2, and the emitter of this transistor Q is connected to ground.

前記トランジスタQはバイアス用抵抗R3を接続すると
ともに抵抗R2を通してオペアンプIC1に接続し、こ
れによりそのベース電流が制御される。また、第2のダ
イオードD2の両端はオペアンプIC2に接続し、更に
オペアンプIC2の出力は基準電圧■、1を通してオペ
アンプICIの一端子に接続している。他方、オペアン
プIC1の子端子は前記ダイオードD、のカソードに接
続されている。
The transistor Q is connected to a bias resistor R3 and to an operational amplifier IC1 through a resistor R2, thereby controlling its base current. Further, both ends of the second diode D2 are connected to the operational amplifier IC2, and furthermore, the output of the operational amplifier IC2 is connected to one terminal of the operational amplifier ICI through the reference voltage 1,1. On the other hand, the child terminal of the operational amplifier IC1 is connected to the cathode of the diode D.

次に、以上の構成の過電圧保護回路の動作を説明する。Next, the operation of the overvoltage protection circuit having the above configuration will be explained.

入力端子1に過大電圧が加わると、その過大電圧が基準
電圧V、。、よりも大きいと、トランジスタQがオンと
なり、抵抗R1,ダイオードD1゜第2のダイオードD
2.トランジスタQを通って電流がグランドに流れる。
When an excessive voltage is applied to input terminal 1, the excessive voltage becomes the reference voltage V,. , the transistor Q turns on and the resistor R1, diode D1゜second diode D
2. Current flows through transistor Q to ground.

このとき、ダイオードD+ の電圧降下と第2のダイオ
ードD2の両端の電圧は略等しいので、オペアンプIC
Iは信号入力端子2と基準電圧V r a fを比較し
て、トランジスタQの電流を制御するので、信号入力端
子2の電圧は基準電圧V、、、tと略等しい電圧に保た
れる。
At this time, the voltage drop across the diode D+ and the voltage across the second diode D2 are approximately equal, so the operational amplifier IC
Since I compares the signal input terminal 2 with the reference voltage V r a f and controls the current of the transistor Q, the voltage of the signal input terminal 2 is maintained at a voltage substantially equal to the reference voltage V, . . . , t.

このとき、ダイオードD1の電圧降下が温度や流れる電
流によって変化しても、第2のダイオードD2の両端の
電圧もダイオードD、の電圧降下と同じように変化する
ため、43号入力端子2の電圧は温度や入力端子に加わ
る電圧の大きさに関係なく基準電圧V r a rより
高くならない。
At this time, even if the voltage drop of the diode D1 changes depending on the temperature or flowing current, the voltage across the second diode D2 also changes in the same way as the voltage drop of the diode D, so the voltage at the No. 43 input terminal 2 does not become higher than the reference voltage V r a r regardless of the temperature or the magnitude of the voltage applied to the input terminal.

したがって、ダイオードD、における電圧降下は、減算
回路5によってキャンセルされることになり、過電圧の
大きさや温度によっても過電圧保護回路における過電圧
検出のための設定電圧値を安定に保持することができ、
過電圧に対するマージンの少ない素子をも有効に保護で
きる。
Therefore, the voltage drop in the diode D is canceled by the subtraction circuit 5, and the set voltage value for overvoltage detection in the overvoltage protection circuit can be stably maintained regardless of the magnitude or temperature of the overvoltage.
Even elements with a small margin against overvoltage can be effectively protected.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、信号入力端子に接続する
ダイオードと同じ特性を持つ第2のダイオードを、ダイ
オードと過電圧吸収回路の間に直列に挿入し、この第2
のダイオードの両端の電圧を過電圧吸収回路の基準電圧
から減算する構成としているので、過電圧保護回路を構
成するダイオードの電圧降下をキャンセルでき、過電圧
の大きさや温度によって過電圧保護回路における設定電
圧値の変化を抑止することができる。
As explained above, the present invention inserts a second diode having the same characteristics as the diode connected to the signal input terminal in series between the diode and the overvoltage absorption circuit.
Since the voltage across the diode is subtracted from the reference voltage of the overvoltage absorption circuit, the voltage drop across the diodes that make up the overvoltage protection circuit can be canceled, and the set voltage value in the overvoltage protection circuit can be changed depending on the magnitude of the overvoltage and temperature. can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の回
路図である。 1・・・入力端子、2・・・信号入力端子、3・・・保
護したい素子(LSI)、4・・・過電圧吸収回路、5
・・・減算回路、D、・・・ダイオード、D2・・・第
2のダイオード、IC1,IC2・・・オペアンプ、Q
・・・トランジスタ、R+ 、Rz 、R3・・・抵抗
、■、、、・・・基準電圧。 第1図
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a conventional circuit diagram. 1... Input terminal, 2... Signal input terminal, 3... Element to be protected (LSI), 4... Overvoltage absorption circuit, 5
... Subtraction circuit, D, ... Diode, D2 ... Second diode, IC1, IC2 ... Operational amplifier, Q
...Transistor, R+, Rz, R3...Resistance, ■,...Reference voltage. Figure 1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)信号入力端子に接続したダイオードと過電圧吸収
回路とを備える過電圧保護回路において、前記ダイオー
ドと同じ特性を持つ第2のダイオードを前記ダイオード
と過電圧吸収回路の間に直列に挿入するとともに、この
第2のダイオードの両端の電圧を過電圧吸収回路の基準
電圧から減算する回路を設けたことを特徴とする過電圧
保護回路。
(1) In an overvoltage protection circuit comprising a diode connected to a signal input terminal and an overvoltage absorption circuit, a second diode having the same characteristics as the diode is inserted in series between the diode and the overvoltage absorption circuit; An overvoltage protection circuit comprising a circuit that subtracts the voltage across the second diode from the reference voltage of the overvoltage absorption circuit.
(2)減算回路は、第2のダイオードの両端の電圧を比
較し、この比較値に基づいて過電圧吸収回路の基準電圧
を減算させ得る構成としてなる特許請求の範囲第1項記
載の過電圧保護回路。
(2) The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein the subtraction circuit is configured to compare the voltages across the second diode and subtract the reference voltage of the overvoltage absorption circuit based on this comparison value. .
JP26977186A 1986-11-14 1986-11-14 Overvoltage protecting circuit Pending JPS63124721A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179667U (en) * 1988-06-08 1989-12-22
EP4145700A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-08 MegaChips Corporation Protection circuit

Cited By (3)

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