JPS59175327A - Electronic circuit - Google Patents
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- JPS59175327A JPS59175327A JP58047150A JP4715083A JPS59175327A JP S59175327 A JPS59175327 A JP S59175327A JP 58047150 A JP58047150 A JP 58047150A JP 4715083 A JP4715083 A JP 4715083A JP S59175327 A JPS59175327 A JP S59175327A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は,各種電子機器に多用されている過電圧検出回
路およびそれを用いた電子回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to an overvoltage detection circuit frequently used in various electronic devices and an electronic circuit using the same.
過電圧検出回路は、電源電圧の変動を検出するものであ
り、それは増幅回路等の池の電子回路の破損,焼損な防
止するために用いられている。従って,電源電圧が定常
状態のときは動作せず、異常に高くなった時に動作し、
異常信号な出す。The overvoltage detection circuit detects fluctuations in the power supply voltage, and is used to prevent damage and burnout of electronic circuits such as amplifier circuits. Therefore, it does not operate when the power supply voltage is in a steady state, but operates when it becomes abnormally high.
Gives an abnormal signal.
本願発明に先立ち、通常考えられる過電圧検出回路を用
いて増幅回路等を保護する場合について本発明者等が検
討したところによると、過電圧検出時において動作,非
動作状態な繰返す、いわゆるブロッキング発振に似た現
象が入られ、またこの現象は電源電圧が過電圧検出レベ
ル近傍でゆるやかに上昇または下降するような場合およ
び上記電源電圧が検出レベルの近傍で上下動する場合に
多く見られることが判明した。Prior to the present invention, the present inventors investigated the case of protecting an amplifier circuit, etc. using a normally considered overvoltage detection circuit, and found that it is similar to so-called blocking oscillation, which repeats activation and non-operation states when overvoltage is detected. It has also been found that this phenomenon is often observed when the power supply voltage rises or falls slowly near the overvoltage detection level, and when the power supply voltage fluctuates up and down near the detection level.
上記現象が発生すると,異常に高い電源電圧、或いは異
常に低い電源電圧が,間欠的に電子回路に供給され、そ
れが原因で電子回路が、破損することも判明した。また
電子回路系に大きな誘導性インダクタンスを含む場合特
に問題が大きい。It has also been found that when the above phenomenon occurs, an abnormally high or abnormally low power supply voltage is intermittently supplied to the electronic circuit, causing damage to the electronic circuit. Further, this problem is especially serious when the electronic circuit system includes a large inductive inductance.
本発明の目的とするところは、電源電圧変動時における
過電圧検出を改良し、もって電子回路な充分に像部せん
とすることにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve overvoltage detection when the power supply voltage fluctuates, thereby sufficiently reducing the image area of electronic circuits.
上記目的な達成するための本願における1つの提案は電
源電圧の変動の内異常状態への上昇時と、定常状態への
復帰時の電圧検出レベルを異ならしめることであり、ま
た他の1つの提案は電源電圧の変動な検出する基準電圧
素子に電源電圧が定常状態から検出レベル近傍に移った
時点で基準電圧素子に所定の電流な供給しておぎ、基準
電圧素子の立上り部の特性以外の、直線性の良好な特性
(内部抵抗の小さい部分の特性)により電源電圧の変動
を検出し、異常検出を正確かつ速やかに行なわしめるも
のであろう
〔実施例〕
以下、第1図及び第2図を参照して、本発明な適用した
過電圧保護回路の第1の実施例な述べる。One proposal in this application to achieve the above purpose is to make the voltage detection level different when the power supply voltage rises to an abnormal state and when it returns to a steady state. To detect fluctuations in the power supply voltage, a predetermined current is supplied to the reference voltage element when the power supply voltage moves from a steady state to near the detection level, and the characteristics other than the rising part of the reference voltage element are It is possible to detect fluctuations in the power supply voltage due to the characteristics of good linearity (characteristics of the portion with small internal resistance), and to accurately and quickly detect abnormalities. [Example] Figures 1 and 2 are shown below. A first embodiment of an overvoltage protection circuit to which the present invention is applied will be described with reference to .
なお、第1図に示す過電圧検出回路1は、半導体集積回
路(以下においてICという)にて構成されているもの
とする。It is assumed that the overvoltage detection circuit 1 shown in FIG. 1 is constituted by a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC).
1番端子は出力端子であり、2番端子には+V。C電源
が供給され、3番端子はアース端子である。The 1st terminal is an output terminal, and the 2nd terminal has +V. C power is supplied, and the No. 3 terminal is the ground terminal.
先ず、十v。ot源が定常状態の電圧レベルVCc。First, ten v. The steady state voltage level VCc of the ot source.
から上昇し、検出レベル■Co工に近ずいた場合の回路
動作から述べる。The following describes the circuit operation when the detection level approaches the detection level ■Co.
+v を源が供給されると、基準電圧VRP、FがC
C
発生する。したがって、■ccが、vcc=v2+■B
F、、1+vREFとなるまでは、トランジスタQ1は
オフ状態にある。(ここにV2はツェナーダイオード2
Dのツェナー電圧、VBEQIはトランジスタQ、のペ
ース・エミッタ間電圧であり通常線0.7Vである。、
)すなわちこの状態ではQ、のコレクタな流れる電流工
はほぼ零である。したがってこの時トランジスタQ3へ
のペース電流はほとんど零であるからトランジスタQ3
はオフ状態にある。このときトランジスタQ2には定電
流回路C8,から抵抗R8を介してベース電流が供給さ
れ、トランジスタQ、がオン状態となっている。+v source, the reference voltage VRP,F becomes C
C occurs. Therefore, ■cc is vcc=v2+■B
The transistor Q1 is in the off state until F, , 1+vREF. (Here, V2 is Zener diode 2
The Zener voltage of D, VBEQI, is the voltage between the pace and emitter of transistor Q, which is normally 0.7V. ,
) In other words, in this state, the current flowing through the collector of Q is almost zero. Therefore, at this time, the pace current to transistor Q3 is almost zero, so transistor Q3
is in the off state. At this time, a base current is supplied to the transistor Q2 from the constant current circuit C8 via the resistor R8, and the transistor Q is in an on state.
また、定電流回路C8,の電流は抵抗R4を介してトラ
ンジスタQ4のペースにも供給され、トランジスタQ、
もオン状態となり、定電流回路cs。Further, the current of the constant current circuit C8 is also supplied to the transistor Q4 via the resistor R4, and the transistor Q,
is also turned on, and the constant current circuit cs is turned on.
の電流をすいとる。したがって出方端子1の電圧はV。absorbs the current of Therefore, the voltage at output terminal 1 is V.
ut’:Oとなっている。ここで電源電圧■。0が”C
C> vZ 十VBEQ1 +VREFの範囲となるよ
つ上昇すると、トランジスタQ、のコレクタに電流■が
流れ、その社が増加すると、ある時点(工=1.)とな
る時点でトランジスタQ、のペース電位が、そのペース
・エミッタしきい値電圧VBEQ3(1般には約0.7
V)Yこえる。そのときトランジスタQ、がオンし、定
電流回路cs、の電流をすいとるうそこでトランジスタ
Q3のコレクタ・エミッタ間のサチレイション電圧oV
oP、sがトランジスタQ、、トランジスタQ4のペー
ス・エミッタ電圧VBE (ご0.7V)より少さくな
るように設定(一般には0.2V程度)しておけばトラ
ンジスタQ、、Q、がオフとなり、定電流回路cs1の
電流は端子1より外部へ流出し、異常状態をしらせる。ut':O. Here, the power supply voltage ■. 0 is “C”
When C> vZ rises to the range of +VREF, a current flows to the collector of transistor Q, and as that current increases, at a certain point (E = 1), the pace potential of transistor Q increases. However, its pace emitter threshold voltage VBEQ3 (generally about 0.7
V)Y can be heard. At that time, the transistor Q turns on and drains the current of the constant current circuit cs, which increases the saturation voltage oV between the collector and emitter of the transistor Q3.
If oP,s is set to be lower than the pace emitter voltage VBE (0.7V) of transistor Q4 (generally about 0.2V), transistors Q and Q will be turned off. , the current of the constant current circuit cs1 flows out from the terminal 1, indicating an abnormal state.
ここでトランジスタQ3がオフからオンに変る点が、す
なわち工がI、になった点が定常状態から異常状態へ電
源電圧が上昇した際の検出レベルVCCIとなるが、説
明を簡単にするため抵抗RAを流れる電流が上記電流■
1より充分小さく、またトランジスタQ、の電流増巾率
が大きく、したかってそのベース電流が11より充分小
さく、またトランジスタQ、のオン時のコレクタ・エミ
ッタ間抵抗’csがR2より充分/J%さく、さらにト
ランジスタQ3をオンするために必要なベース電流も工
、より充分小さいとすると、上記検出レベルVcc1は
次式から導びき出すことができる。Here, the point where the transistor Q3 changes from off to on, that is, the point where the voltage becomes I, is the detection level VCCI when the power supply voltage increases from the steady state to the abnormal state. The current flowing through RA is the above current■
The current amplification rate of transistor Q is sufficiently smaller than 11, and therefore its base current is sufficiently smaller than 11, and the collector-emitter resistance 'cs when transistor Q is turned on is sufficiently smaller than R2/J%. Furthermore, assuming that the base current required to turn on the transistor Q3 is also sufficiently smaller, the detection level Vcc1 can be derived from the following equation.
Vocl”:= V、、、+V2+I、R1+V、、、
1・−・・・−fl)VA’I、R,・・・・旧・・・
・・・・・・・山町・・・・・・・・・旧・・ +21
したがって
VCCI ””REF +VZ +VA !!’ 十V
R,FIEQ1°°゛°゛°(3)
なお、上記(11〜(3)式において、VRE Fは基
準電源の電圧レベル、■ はツェナーダイオードZDの
ツェナー電圧、vAはトランジスタQ、がオフからオン
状態に切換わる電圧”BEQIはトランジスタQ、のペ
ース・エミッタ間電圧である。Vocl”:=V,,,+V2+I,R1+V,,,
1・-・・・-fl)VA'I、R、・・・old...
・・・・・・Yamamachi・・・・・・Old・+21
Therefore, VCCI ””REF +VZ +VA! ! '10V
R, FIEQ1°°゛°゛° (3) In the above equations (11 to (3)), VRE F is the voltage level of the reference power supply, ■ is the Zener voltage of the Zener diode ZD, and vA is the voltage level when the transistor Q is turned off. The on-state voltage "BEQI" is the pace-to-emitter voltage of transistor Q.
上記(31式が成立する時点なt、とすると、前記説明
から明らかなように電圧■4によりトランジスタQ、が
オン状態に切換えられろう定電流回路C8,の出力電流
がトランジスタQsk介してアースラインへ流れる。そ
して、トランジスタQ!。Assuming that t is the time point at which Equation 31 holds true, as is clear from the above explanation, the voltage 4 will turn on the transistor Q, and the output current of the constant current circuit C8 will pass through the transistor Qsk to the ground line. Then, transistor Q!
Q、にベース電流が供給されず、これらがオフ状態にな
ろう従って、トランジスタQ4のコレクタ電圧、言い換
えれば、出力信号■。U、の電圧レベルが、第2図に示
す12時点のように上昇する。No base current is supplied to Q, and they will be in the off state, so the collector voltage of transistor Q4, in other words, the output signal ■. The voltage level of U increases as at time 12 shown in FIG.
一方、+V、。電源電圧カー上記1,3)式に示す電圧
レベルV 以上の電圧から定常状態■。COへとCI
低下する場合は、以下に述べる如き回路動作が行われる
う
まず前提として電源電圧■ccが一度vcc1以上にな
ると、トランジスタQ、はオフとなるからトランジスタ
Q1のコレクタ電流はほとんどすべてトランジスタQ、
のベースに流れ込んでいろことになるつしたがって、ト
ランジスタQ、をオフさせてトランジスタQ、、Q、を
オンさせるための電源電圧な■。。、とし、このときの
上記トランジスタQ1 のコレクタ電流すなわちトラン
ジスタQ。On the other hand, +V. Steady state (■) occurs from a voltage equal to or higher than the voltage level V shown in formulas 1 and 3) above. When CI decreases to CO, the circuit operation as described below is performed.Once the power supply voltage cc exceeds vcc1, transistor Q is turned off, so almost all of the collector current of transistor Q1 is transferred to the transistor Q1. Q,
Therefore, the power supply voltage for turning off transistor Q and turning on transistors Q, , Q, flows into the base of Q. . , and the collector current of the transistor Q1 at this time, that is, the transistor Q.
のベース電流■馨■、とすると、
+Voc、 ’? VR,、十V2+J、 R,+V、
、、1・−・−+41となる。ここで説明を簡単化する
ため、このときL)■、すなわち■+ R+ >> I
t R+と見ることができ、したがって式(4)は式
illとの比較においてI、R,χOとすると、
v =v 十v+v ・・・・・・・・
・・・・・・・ (5)CC2REF z
BEQIと見ることができる。If the base current of is , then +Voc, '? VR,, 10V2+J, R,+V,
, 1・−・−+41. To simplify the explanation here, in this case L)■, that is, ■+ R+ >> I
It can be seen as t R+, therefore, formula (4) is compared with formula ill, assuming I, R, χO, v = v + v + v ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ (5) CC2REF z
It can be seen as BEQI.
したがって+VcotS、電圧が次第に低下して、十■
CC2” ■REF +v2+VBEQI以下の電圧レ
ベルになると、トランジスタQ。Therefore, +VcotS, the voltage gradually decreases, and
CC2” ■REF When the voltage level is lower than +v2+VBEQI, transistor Q.
をオン状態をたもっための電圧■□が得られなくなり、
トランジスタQ3がオフ状態になる。従って、定電流回
路C8!の出力電流が、抵抗R8を介してトランジスタ
Q2のベースに供給され、これと同時に抵抗Ra’l介
してトランジスタQ4のベースに供給される。この結果
、トランジスタQ。The voltage to maintain the on state can no longer be obtained,
Transistor Q3 is turned off. Therefore, constant current circuit C8! The output current is supplied to the base of transistor Q2 via resistor R8, and at the same time, is supplied to the base of transistor Q4 via resistor Ra'l. As a result, transistor Q.
Q4が再びオン状態になる。そして、出力信号vout
の電圧レベルは、第2図の12時点で示す如く再び低下
する。Q4 is turned on again. And the output signal vout
The voltage level drops again as shown at time 12 in FIG.
上述の如くにして、第2図に示す如きヒステリシス特性
が得られるのである。In the manner described above, a hysteresis characteristic as shown in FIG. 2 can be obtained.
この場合のヒステリシスの巾スナわちl”cct −v
CC21は、式(31、(57の差で表わすことができ
るから約V)
このように過電圧検出回路の検出レベルにヒステリシス
をもたせることにより、良好な保獲を行なうことが可能
となる。In this case, the width of hysteresis is l”cct −v
CC21 can be expressed by the equation (31) (approximately V since it can be expressed as a difference of 57) By providing hysteresis to the detection level of the overvoltage detection circuit in this way, it becomes possible to perform good retention.
また、本実施例において、抵抗RAk付加しであるが、
これは上記tll’2時の立上り、立下り特性を改善す
るためのものである。In addition, in this embodiment, although the resistor RAk is added,
This is to improve the rise and fall characteristics at the time of tll'2.
すなわち、抵抗RAを設けることにより、VoC>■2
以上になるとツェナーダイオードZDから抵抗RAを
介し基準電源■RF、Fに常に電流が流れることになる
。従って、トランジスタQ、がオン状態又はオフ状態に
動作して、上記ヒステリシス動作が行われるとき、ツェ
ナーダイオードZDのV−■特性はその立上り部分の内
部抵抗の大きい所で動作が行われず、V−I特性のうち
電圧が微小に変化しても、電流が急激に変化する部分す
なわち内部抵抗の小さい所を利用してh tl +
tt時点の動作が行われることになる。That is, by providing the resistor RA, VoC>■2
If this happens, current will always flow from the Zener diode ZD to the reference power supplies RF and F via the resistor RA. Therefore, when the transistor Q operates in the on state or the off state and the above-mentioned hysteresis operation is performed, the V-■ characteristic of the Zener diode ZD does not operate at the point where the internal resistance is large in the rising part, and the V- Using the part of the I characteristic where the current changes rapidly even if the voltage changes minutely, that is, the part where the internal resistance is small, h tl +
The operation at time tt will be performed.
従って、第2図に示すヒステリシス特性の立上り、立下
り特性が極めて良好になる。Therefore, the rise and fall characteristics of the hysteresis characteristics shown in FIG. 2 become extremely good.
次に、第3図な参照して本発明の第2の実施例を述べる
。なお、第1図に示す過電圧検出回路1は、上記第1の
実施例で述べた回路と同一構成であるので、その説明を
省略する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the overvoltage detection circuit 1 shown in FIG. 1 has the same configuration as the circuit described in the first embodiment, so a description thereof will be omitted.
第3図はIC化されたオーディオ増幅器の一例を示すも
のであり、11番端子にはオーディオ信号VINが供給
される。12番端子には+Vcc電源電圧が供給され、
13番端子から出力信号■。が得られる。14番端子は
アース端子である。なお。FIG. 3 shows an example of an audio amplifier implemented as an IC, and an audio signal VIN is supplied to the 11th terminal. +Vcc power supply voltage is supplied to terminal 12,
Output signal from terminal 13■. is obtained. Terminal 14 is a ground terminal. In addition.
過電圧防止回路1には、特に図示せずとも12番端子か
らの+■cctRが供給されるものとする。It is assumed that the overvoltage prevention circuit 1 is supplied with +cctR from the 12th terminal, although not particularly shown.
11はバイアス回路、12は電圧増幅器、ダイオードD
、、D!はレベルシフト用ダイオードである。ダーリン
トン接続されたトランジスタQ1.。11 is a bias circuit, 12 is a voltage amplifier, and a diode D.
,,D! is a level shift diode. Darlington connected transistor Q1. .
Quは、′#L源側出力トランジスタであり、ト2ンジ
スタQ+sは接地側出方トランジスタである。また、コ
ンデンサC1は直流阻止用コンデンサ、spは負荷とし
て接続されたスピーカである。Qu is a '#L source side output transistor, and transistor Q+s is a ground side output transistor. Further, capacitor C1 is a DC blocking capacitor, and sp is a speaker connected as a load.
そして、過電圧防止回路1の出力信号■。utは、トラ
ンジスタQ +41 Q +5の各ベースに供給されて
いる。いま仮りに、十V。C電源が通常の電圧レベルで
あれば、上述した回路動作により、出方信号vou t
は低レベルである。この場合、トランジスタQ 141
Q +sはオフ状態である。この結果、バイアス回路
11が正常に動作し、所定のバイアス電圧がトランジス
タQBのべ〜スを始め、増幅器12等の他の回路(図示
せず)に供給される。また、トランジスタQ7.がオフ
状態であるから、トランジスタQI!のベースが接地さ
れることもない。And the output signal ■ of the overvoltage prevention circuit 1. ut is supplied to each base of transistor Q +41 Q +5. Let's say it's 10V. If the C power supply is at a normal voltage level, the output signal vout
is at a low level. In this case, transistor Q 141
Q +s is in the off state. As a result, the bias circuit 11 operates normally, and a predetermined bias voltage is supplied to the base of the transistor QB and other circuits (not shown) such as the amplifier 12. Also, transistor Q7. Since the transistor QI! is in the off state, the transistor QI! The base of is never grounded.
この状態で、オーディオ信号■1Nが供給されると、増
幅器12によって増幅される。そして、増幅器12の出
力信号の極性に対応して、出力用トランジスタQu+Q
+を又は出方用トランジスタQ+sが交互に駆動される
。出力用トランジスタQll+Q+tが動作状態のとき
、出方信号■。が交流成分(オーダ4オ信号)によ−て
−“′−よりも上昇すろ。また、出力トランジスタQ+
sがオン状態のとき、出力信号V。が交流成分(オーデ
ィオ信号)によって−礪匹一よりも低下する。そして、
コンデンサC8は、上記交流成分、すなわちオーディオ
信号のみ?スピーカSpに供給し、入力信号■1Nに応
答した音声出力を得ろ。In this state, when the audio signal 1N is supplied, it is amplified by the amplifier 12. Then, corresponding to the polarity of the output signal of the amplifier 12, the output transistor Qu+Q
+ or the output transistor Q+s are driven alternately. When the output transistor Qll+Q+t is in the operating state, the output signal ■. should rise above -“'- due to the alternating current component (order 4 signal).
When s is on, the output signal V. is lower than -1 due to the AC component (audio signal). and,
Is capacitor C8 only for the above AC component, i.e. audio signal? Supply it to the speaker Sp and obtain the audio output in response to the input signal ■1N.
ところで、上述の如き回路動作が行われている間、+■
coが次第に上昇し、上記(31式にて示した電圧レベ
ル以上になると、上述の如き回路動作により過電圧検出
回路1の出力信号■。ulの電圧レベルが上昇する。こ
の結果、トランジスタQ、4゜Q+sにベース電流が供
給され、それぞれがオン状態に動作する。そして、バイ
アス回路11がオフ状態に切換えられ、増幅動作に必要
なバイアス電圧p−得られなくなる。また、出力用トラ
ンジスタQ +2のペースが、接地されたような状態に
なる。By the way, while the above circuit operation is being performed, +■
When co gradually rises and exceeds the voltage level shown in Equation 31 above, the voltage level of the output signal . A base current is supplied to Q+s, and each operates in the on state.Then, the bias circuit 11 is switched to the off state, and the bias voltage p- necessary for the amplification operation cannot be obtained.In addition, the output transistor Q+2 The pace becomes grounded.
トランジスタQ+2は、強制的に動作不可状態になされ
る。Transistor Q+2 is forced into a disabled state.
上述の回路動作が行われる結果、出力用トランジスタQ
+pはもとより、出力用トランジスタ。+3に過大な
電流が流れることがない。そして、上記出力用トランジ
スタQ H+Q 1*の破壊が未然に防止される。また
、過電圧検出回路1の上記動作な、第1の実施例で述べ
た如く急激に行なわせれば上記(3)式にて示I−だ電
圧レベルの近傍で、トランジスタQ 141 Q +g
がオン状態又はオフ状態を不安定に繰返すことがない、
このため、出カ用トランジX/Q+21Q13 の破壊
防止も正確に行い得る。As a result of the above circuit operation, the output transistor Q
+P is of course an output transistor. Excessive current will not flow through +3. This prevents the output transistor Q H+Q 1* from being destroyed. Furthermore, if the above-mentioned operation of the overvoltage detection circuit 1 is performed suddenly as described in the first embodiment, the voltage level of the transistor Q 141 Q +g near the voltage level shown by the above equation (3) is
does not repeat unstable on-state or off-state,
Therefore, destruction of the output transistor X/Q+21Q13 can be accurately prevented.
一方、十v。、を源電圧が、上記t5i式に示す電圧レ
ベル以下に低下すると、上述した回路動作により、出力
信号V。utが再び上昇するうこの結果、入力信号V1
Nに対する増幅動作が再び行われるようになり、スピー
カspがら音声信号な得る、この場合も、上記t5+に
示す電圧レベルの近傍で、トランジスタQ、、、Qゆが
不安定に動作することがない。On the other hand, ten v. , when the source voltage drops below the voltage level shown in the above equation t5i, the output signal V is generated by the circuit operation described above. As a result of ut rising again, the input signal V1
The amplification operation for N is performed again, and an audio signal is obtained from the speaker SP. In this case, too, the transistors Q, , , and Q do not operate unstablely near the voltage level shown at t5+ above. .
次に、第4図を参照して、本発明の第3の実施例を述べ
る。なお1本実施例は、上述した過電圧防止回路1をモ
ータの制御回路に適用したものである。そして、第4図
は単一のモータコイルL1についての制御回路が図示さ
れているが、3相モータの場合は3系統の制飢回路が設
けられる。この際、過電圧検出回路1は、モータの制御
回路毎に設けてもよいが、本実施例の如く1系統につい
て設け、出力信号V。ulを池の2系統に応用1.でも
よい。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the above-mentioned overvoltage prevention circuit 1 is applied to a motor control circuit. Although FIG. 4 shows a control circuit for a single motor coil L1, in the case of a three-phase motor, three systems of limiting circuits are provided. At this time, the overvoltage detection circuit 1 may be provided for each motor control circuit, but it is provided for one system as in this embodiment, and the overvoltage detection circuit 1 is provided for each motor control circuit. Application of UL to two pond systems 1. But that's fine.
H2はホール素子であり、モータな構成するロータによ
り回転位置な検出する。検出信号Hvは。H2 is a Hall element that detects the rotational position of the rotor that constitutes the motor. The detection signal Hv is.
3相モータを例に述べろと12o°毎に得られる交流信
号である。21は増幅器であり、その出力信号AVによ
って差動対になされたトランジスタQ、、、Q□がオン
状態又はオフ状態に切換えられる。Taking a three-phase motor as an example, this is an AC signal obtained every 12 degrees. Reference numeral 21 denotes an amplifier, and transistors Q, .
いま仮りに、トランジスタQ□がオン状態であり、トラ
ンジスタQvtがオフ状態であろどする。Assume now that the transistor Q□ is in the on state and the transistor Qvt is in the off state.
トランジスタQy+から供給されるベース電流と、トラ
ンジスタQt<のエミッタ・ペース間、更に抵抗Rnを
介して供給される電流とによって、トランジスタQ□が
オン状態に動作する。一方、トランジスタQ !6には
ベース電流が供給されず、オフ状態である。従って、+
Vcc1!源から、トランジスタQ24,24番端子、
モータコイルL、、25番端子、トランジスタロ25.
アースラインへと電流II+が流れる。The transistor Q□ is turned on by the base current supplied from the transistor Qy+ and the current supplied between the emitter and the paste of the transistor Qt< and further through the resistor Rn. On the other hand, transistor Q! 6 is not supplied with base current and is in an off state. Therefore, +
Vcc1! From the source, transistor Q24, terminal 24,
Motor coil L, Terminal 25, Transistor 25.
Current II+ flows to the ground line.
一方、増幅器21の出力信号AVによって、トランジス
タQ7.がオン状態に動作した場合は、トランジスタQ
Nがオフ状態、トランジスタQ26がオン状態に動作す
る。すなわち、トランジスタQyaは、トランジスタQ
、2から供給されろベース電流と、トランジスタQ2.
のエミッタ・ベース間、更に抵抗R7,を介して供給さ
れるコレクタ電流によってオン状態に動作する。従って
、十vcc電源から、トランジスタQts、25番端子
、コイルL1゜24番端子、トランジスタQte+アー
スラインへと電流112が流れる。電流■+I+112
は、互いに逆方向に流れる。On the other hand, the output signal AV of the amplifier 21 causes the transistor Q7. operates in the on state, the transistor Q
N operates in an off state and transistor Q26 operates in an on state. That is, the transistor Qya is the transistor Q
, 2 and the base current supplied from transistor Q2.
The transistor is turned on by the collector current supplied between the emitter and base of the transistor and further through the resistor R7. Therefore, a current 112 flows from the 10 VCC power supply to the transistor Qts, the 25th terminal, the coil L1, the 24th terminal, and the transistor Qte+earth line. Current ■+I+112
flow in opposite directions.
そして、3相モータの場合、他の2W4のモータコイル
(図示せずンについても、モータの回転位置に対応して
上記同様の動作が行われる。従って。In the case of a three-phase motor, the same operation as described above is performed for the other 2W4 motor coils (not shown) in accordance with the rotational position of the motor.
モータは所定方向に順次回動付勢され、円滑な回転を継
続する。The motor is sequentially energized to rotate in a predetermined direction and continues to rotate smoothly.
ところで、上述の如き制御動作が行われている間、+V
oc電源電圧が上記(31式で示した電圧レベル以上に
なると、以下に述べる如き回路動作が行われろ。すなわ
ち、過電圧保護回路1の出力信号Voutによって、ト
ランジスタQ、がオン状態に動作する。この場合、定電
流回路CS、、の出力電流は、トランジスタQ、7を介
してアースラインへ流れる。そして、トランジスタQu
+Quの各エミッタ電圧が低下し、増幅器21の出力信
号AVが供給されても動作しなくなる。従って、トラン
ジスタQts〜Qu、更にコイルL1に過大な電流が流
れることがない、そして、トランジスタQys〜Q78
.コイルL、の破損及び焼損等の不測の事故が未然に防
止される。By the way, while the above control operation is being performed, +V
When the OC power supply voltage exceeds the voltage level shown in Equation 31 above, the following circuit operation is performed. That is, the transistor Q is turned on by the output signal Vout of the overvoltage protection circuit 1. In this case, the output current of the constant current circuit CS, , flows to the ground line via the transistors Q and 7.
The emitter voltage of +Qu decreases, and even if the output signal AV of the amplifier 21 is supplied, the amplifier 21 no longer operates. Therefore, an excessive current does not flow through the transistors Qts to Qu and further to the coil L1, and the transistors Qys to Q78
.. Unexpected accidents such as damage and burnout of the coil L are prevented.
また、 十Vc、電源電圧が、上記上昇した電圧レベル
から次第に低下し、上記(51式に示す電圧レベル以下
になると、出力信号V。ul の電圧レベルが再び低下
する。この結果、トランジスタQ、]がオフ状態になり
、以後上述の如き制御動作が行われることになる。In addition, when the power supply voltage 10 Vc gradually decreases from the above-mentioned increased voltage level and becomes below the voltage level shown in equation 51 above, the voltage level of the output signal V.ul decreases again.As a result, the voltage level of the output signal V.ul decreases again. ] is turned off, and the control operation as described above will be performed thereafter.
そして、トランジスタQttのオン状態又はオフ状態へ
の切換えは、過電圧防止回路1の出力信号■ou1によ
って急激に行われる。故に、上記切換え時において、不
安定な制御動作が行われることがない。Then, the transistor Qtt is suddenly switched to the on state or off state by the output signal ou1 of the overvoltage prevention circuit 1. Therefore, during the above switching, unstable control operations are not performed.
(11過電圧検出回路にヒステリシス特性をもたせる構
成にすることにより、電源電圧の変動に対し、安定した
保護作用な行なわしめることができる。(11) By configuring the overvoltage detection circuit to have hysteresis characteristics, a stable protection effect can be achieved against fluctuations in the power supply voltage.
(2)ツェナーダイオードのような定電圧素子に所定電
流を流しておいた状態で過電圧を検出することにより、
良好な検出特性を得ろことができろ。(2) By detecting overvoltage while a predetermined current is flowing through a constant voltage element such as a Zener diode,
It is possible to obtain good detection characteristics.
(3)過電圧検出回路1において、ツェナーダイオード
のような定電圧素子に所定の電流が流れている状態で過
電圧への上昇および下降な検出するように構成すること
により、ヒステリシス特性の立上り、立下り特性が良好
になる、という効果が得られる。(3) The overvoltage detection circuit 1 is configured to detect the rise and fall of overvoltage while a predetermined current is flowing through a constant voltage element such as a Zener diode, thereby improving the rise and fall of hysteresis characteristics. The effect of improving the characteristics can be obtained.
(4)上記第1の実施例によればil+(2)(3)の
効果を得るだめの回路構成が極めて簡単であり、半導体
集積回路化が容易である。(4) According to the first embodiment, the circuit configuration for obtaining the effects of il+(2) and (3) is extremely simple, and it is easy to integrate the circuit into a semiconductor integrated circuit.
(5i 本発明の過1!庄検出回路1を適用した電子
機器においては、電源電圧の変動に対応して、バイアス
電圧、制御信号の遮断が速やかに行われるので、電子機
器の保Hな確実に行い得ろう以上に、本発明者等によっ
てなされた発明な具体的に説明したが、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々の変形が可能である。(5i) In an electronic device to which the overage detection circuit 1 of the present invention is applied, the bias voltage and control signal are quickly cut off in response to fluctuations in the power supply voltage, so the H of the electronic device can be maintained reliably. Although the invention made by the present inventors has been described in more detail than would be possible, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. be.
たとえば、過電圧検出回路1について述べた抵抗RAは
、必らずしもトランジスタQ1のベース・エミッタ間に
接続しなくてもよい。For example, the resistor RA described for the overvoltage detection circuit 1 does not necessarily have to be connected between the base and emitter of the transistor Q1.
すなわち、抵抗RAは、トランジスタQ、のベース・エ
ミッタ間に接続してもよい、この場合、抵抗RAの抵抗
値は電流■1との関係で、抵抗R。That is, the resistor RA may be connected between the base and emitter of the transistor Q. In this case, the resistance value of the resistor RA is equal to the resistor R in relation to the current 1.
の抵抗値よりも充分に大であることが望ましい。It is desirable that the resistance value is sufficiently larger than the resistance value of .
また第1図に述べた回路に限定されるものではなく、少
なくとも検出レベルにヒステリシスをもたせることので
きる回路であれば他の回路ケ用いてもよい。Further, the present invention is not limited to the circuit shown in FIG. 1, and other circuits may be used as long as they can provide at least hysteresis to the detection level.
以上の説明では、主として本発明者等によってなされた
発明をその背景となった利用分野である増幅回路5七−
メの制御回路に適用した場合について説明したが、上記
に限定されろものではない。In the above explanation, the invention made by the present inventors will be mainly described as the field of application of the amplifier circuit 57-
Although the case where the present invention is applied to the main control circuit has been described, the present invention is not limited to the above.
例えば、整流回路の後段に設けられる電源安定化回路に
適用することができろ。For example, it could be applied to a power supply stabilization circuit provided after a rectifier circuit.
更に、カーラジオ等の如く、電源t)Eの変動の激しい
電子機器に好適である。Furthermore, it is suitable for electronic devices such as car radios, where the power source t)E fluctuates rapidly.
本発明は、少なくとも電源電圧の変動から電子機器を保
護したい場合に適用できる。The present invention can be applied at least when it is desired to protect electronic equipment from fluctuations in power supply voltage.
第1図は本発明を適用した過電圧検出回路の第1の実施
例を示す回路図、
第2図は上記過電圧検出回路の回路動作を説明するため
のヒステリシス特性図、
第3図は本発明の第2の実施例を示す増幅回路の回路図
。
第4図は本発明の第3の実施例を示すモータの駆動回路
の回路図であろう
1・・・過電圧検出回路、Q、、Q、、Q3.Q番+Q
+41Q I 5 r Q t?・・・トランジスタ、
R1+Rz+Rs+ R41RA・・・抵抗、■REF
・・・基準電圧、■よ・・・電圧、Vout・・・過電
圧防止回路の出力信号、tl・・・ヒステリシス特性の
立上り時、t2・・・ヒステリシス特性の立下り時、I
I I II +I+2・・・電流。
代理人 弁理士 高 橋 明 夫
第 1 図
り、、。
第 2 図
第 3 図
CFIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the overvoltage detection circuit to which the present invention is applied, FIG. 2 is a hysteresis characteristic diagram for explaining the circuit operation of the overvoltage detection circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram of the overvoltage detection circuit according to the present invention. FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit showing a second embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram of a motor drive circuit showing a third embodiment of the present invention. 1... Overvoltage detection circuit, Q, , Q, , Q3. Q number + Q
+41Q I 5 r Q t? ...transistor,
R1+Rz+Rs+ R41RA...Resistance, ■REF
...Reference voltage, ■Yo...Voltage, Vout...Output signal of the overvoltage prevention circuit, tl...At the rise of the hysteresis characteristic, t2...At the fall of the hysteresis characteristic, I
I I II +I+2...Current. Agent Patent Attorney Akio Takahashi 1st plan... Figure 2 Figure 3 C
Claims (1)
復帰時の電源電圧検出レベルを異ならしめて成ることを
特徴とする過電圧検出回路を含む電子回路。 2、電源電圧変動時において、信号伝達経路な非動作状
態に切換えることな特徴とする上記特許請求の範囲第1
項記載の電子回路。 3、電源電圧変動時において、半導体集積回路の負荷へ
の通電を阻止することを特徴とする特許許請求の範囲第
1項記載の電子回路。[Claims] 1. The power supply voltage rises from a steady state to an abnormal state. An electronic circuit including an overvoltage detection circuit, characterized in that when returning to a steady state after a certain time, the power supply voltage detection level at the time of the increase and at the time of return are made different. 2. Claim 1 above, characterized in that the signal transmission path is not switched to a non-operating state when the power supply voltage fluctuates.
Electronic circuit as described in section. 3. The electronic circuit according to claim 1, wherein the electronic circuit prevents energization to the load of the semiconductor integrated circuit when the power supply voltage fluctuates.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58047150A JPS59175327A (en) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | Electronic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58047150A JPS59175327A (en) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | Electronic circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59175327A true JPS59175327A (en) | 1984-10-04 |
Family
ID=12767062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58047150A Pending JPS59175327A (en) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | Electronic circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59175327A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6225509A (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Fujitsu Ten Ltd | Output circuit |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58047150A patent/JPS59175327A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6225509A (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Fujitsu Ten Ltd | Output circuit |
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