JPS63124506A - 面内配向Ｃｏ薄膜 - Google Patents
面内配向Ｃｏ薄膜Info
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- JPS63124506A JPS63124506A JP26968286A JP26968286A JPS63124506A JP S63124506 A JPS63124506 A JP S63124506A JP 26968286 A JP26968286 A JP 26968286A JP 26968286 A JP26968286 A JP 26968286A JP S63124506 A JPS63124506 A JP S63124506A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蒸発Ｃｏ原子の方向と基板の法線方向のなす
角を４５〜９０度に傾け、ＭＢＥ法によってＣｏ結品の
Ｃ軸を基板面に平行な方向に傾けることにより１面内磁
気異方性を有することを特徴とする面内配向Ｃｏ薄膜に
関する。
角を４５〜９０度に傾け、ＭＢＥ法によってＣｏ結品の
Ｃ軸を基板面に平行な方向に傾けることにより１面内磁
気異方性を有することを特徴とする面内配向Ｃｏ薄膜に
関する。
従来、Ｃｏ基基膜膜垂直磁気異方性をもつため、垂−直
磁気気録媒体への応用が考えられている。この強い垂直
磁気異方性の原因は、Ｃｏ基基膜膜結晶配向性に依存し
、日本応用磁気学会誌ＶｏｌｌＯ。
磁気気録媒体への応用が考えられている。この強い垂直
磁気異方性の原因は、Ｃｏ基基膜膜結晶配向性に依存し
、日本応用磁気学会誌ＶｏｌｌＯ。
Ｎｏ、２ （１９８６）第５５頁から第６０頁において
論じられている。すなわち、膜厚方向に沿って柱状粒子
構造が発達するために垂直異方性が生じいてる。
論じられている。すなわち、膜厚方向に沿って柱状粒子
構造が発達するために垂直異方性が生じいてる。
上記従来技術は、垂直異方性のみを問題としており、面
内異方性については全く配慮されていない。また、Ｃｏ
Ｃｒ１Ｉ！！！の場合、膜厚約０．０３μｎ＋以下では
柱状組識とならず、飽和磁化が低い欠点があった。
内異方性については全く配慮されていない。また、Ｃｏ
Ｃｒ１Ｉ！！！の場合、膜厚約０．０３μｎ＋以下では
柱状組識とならず、飽和磁化が低い欠点があった。
本発明では、膜作製法としてＭＢＥ法を用い、基板の法
線と直角方向に結晶成長させることにより面内に磁気異
方性を有するＧ ｏ ’Ｊａ膜を作製し。
線と直角方向に結晶成長させることにより面内に磁気異
方性を有するＧ ｏ ’Ｊａ膜を作製し。
高飽和磁化面内異方性Ｃｏ １ｌｊｌを得ることが目的
で１］ある。
で１］ある。
・′□〔問題点を解決するための手段〕上記目的は、基
板を蒸着源からの蒸看方向に対して特定の角度に設置す
ることにより達成される。
板を蒸着源からの蒸看方向に対して特定の角度に設置す
ることにより達成される。
Ｃｏ薄膜の作製装置は第１図に示すＭＢＥ （分子線エ
ピタクシ−成長）装置であり真空容器２内の到達真空度
はＩ Ｘ １０””’Ｔｏｒｒ以下である。基板１には
Ｓｉ単結晶あるいはガラスを用い、基板位置は電子ビー
ムガン４に対して基板面の法線が４５度〜９０度になる
ように基板マニプレータ３で支持されている。また、基
板マニプレータは上下に可動し、基板１はゲート弁５を
通して分析室でＸ線により膜の配向性及び結晶構造を評
価することができる０分析室と真空室間の基板移動は、
基板導入搬出室７にある電動モータによって行なう。
ピタクシ−成長）装置であり真空容器２内の到達真空度
はＩ Ｘ １０””’Ｔｏｒｒ以下である。基板１には
Ｓｉ単結晶あるいはガラスを用い、基板位置は電子ビー
ムガン４に対して基板面の法線が４５度〜９０度になる
ように基板マニプレータ３で支持されている。また、基
板マニプレータは上下に可動し、基板１はゲート弁５を
通して分析室でＸ線により膜の配向性及び結晶構造を評
価することができる０分析室と真空室間の基板移動は、
基板導入搬出室７にある電動モータによって行なう。
第１図に示すＭＢＥ！ｆｆ１ｌ！によって電子ビームガ
ンからの蒸発原子は基板にある角度を保ちながら成長し
、特にＣｏ結晶のＣ軸を基板面に平行にすることができ
た。このためＣ軸の向きが磁化容易〔作用〕 通常の蒸着、スパッタリング装置およびめっきによる膜
作製法でＣｏ薄膜を作製すると、ＣｏのＣ軸は基板面に
垂直に優先成長するため、垂直磁気異方性膜となる。し
かし第１図に示すＭＢＥ装置で基板面の法線を原子の蒸
着方向に９０度の位置に設置すれば、蒸着原子は蒸着方
向に成長するために基板面に垂直な柱状晶は成長せず、
Ｃ軸は基板面に平行な方向に成長する０面内磁気異方性
の強さは、Ｃ軸の成長方向に依存するが、基板面の法線
と蒸着方向のなす角（δ）が４５度以上あれば、第４図
に示すように異方性が生じる。
ンからの蒸発原子は基板にある角度を保ちながら成長し
、特にＣｏ結晶のＣ軸を基板面に平行にすることができ
た。このためＣ軸の向きが磁化容易〔作用〕 通常の蒸着、スパッタリング装置およびめっきによる膜
作製法でＣｏ薄膜を作製すると、ＣｏのＣ軸は基板面に
垂直に優先成長するため、垂直磁気異方性膜となる。し
かし第１図に示すＭＢＥ装置で基板面の法線を原子の蒸
着方向に９０度の位置に設置すれば、蒸着原子は蒸着方
向に成長するために基板面に垂直な柱状晶は成長せず、
Ｃ軸は基板面に平行な方向に成長する０面内磁気異方性
の強さは、Ｃ軸の成長方向に依存するが、基板面の法線
と蒸着方向のなす角（δ）が４５度以上あれば、第４図
に示すように異方性が生じる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は１面内配向Ｃｏ薄膜を作製するために用いたＭ
ＢＥ装置であり、電子ビームガン４から蒸発したＣｏ原
子を基板１に成長させる。蒸着方向に対する基板の角度
は、基板マニプレータ３を用いて変えられ、作製したＣ
ｏ薄膜を分析室６でＸ線回折により、結晶構造、配向性
を評価することができる。δ＝９０度の場合には第１表
の蒸着条件でＣｏ膜を作製するとθ＝１度で２０走査で
測定したＣ ｕ −Ｋα線によるＸ線回折パターンは第
２図のようになる。４４度付近のピークは（ＯＯ２）で
ありＣ軸が基板に対して２１度傾いた面があることがわ
かる。またθ−２０走査の回折ピークは第３図に示すよ
うに４４度付近に生じており、（００１）が基板面に平
行に成長していることがわかる。第２図回折ピークはδ
が小さくなるほど大きくなることから、ＣｏのＣ軸を面
内に配向させるためには、δを９０度に近づける必要が
ある。
ＢＥ装置であり、電子ビームガン４から蒸発したＣｏ原
子を基板１に成長させる。蒸着方向に対する基板の角度
は、基板マニプレータ３を用いて変えられ、作製したＣ
ｏ薄膜を分析室６でＸ線回折により、結晶構造、配向性
を評価することができる。δ＝９０度の場合には第１表
の蒸着条件でＣｏ膜を作製するとθ＝１度で２０走査で
測定したＣ ｕ −Ｋα線によるＸ線回折パターンは第
２図のようになる。４４度付近のピークは（ＯＯ２）で
ありＣ軸が基板に対して２１度傾いた面があることがわ
かる。またθ−２０走査の回折ピークは第３図に示すよ
うに４４度付近に生じており、（００１）が基板面に平
行に成長していることがわかる。第２図回折ピークはδ
が小さくなるほど大きくなることから、ＣｏのＣ軸を面
内に配向させるためには、δを９０度に近づける必要が
ある。
第 １ 表
第１表の条件を用いて基板の傾斜角を変化させてＨにを
Ｂ−Ｈルーパによって測定した結果を第４図に示す、δ
く４５度では面内異方性はほとんどみられず、垂直異方
性が観測された。しかし、６２４５度にすると面τ内磁
気異方性が観測され。
Ｂ−Ｈルーパによって測定した結果を第４図に示す、δ
く４５度では面内異方性はほとんどみられず、垂直異方
性が観測された。しかし、６２４５度にすると面τ内磁
気異方性が観測され。
Ｈにはδが大きくなるにつれて増加し、δ＝９０度でＨ
ｘ’＝１００ｅとなった。Ｈにの増加は、第３図の回折
ピークかられかるようにＣ軸が面内に平行に配向してい
るためであり、δが９０度に近いほどＣ軸は面内に平行
に成長する。
ｘ’＝１００ｅとなった。Ｈにの増加は、第３図の回折
ピークかられかるようにＣ軸が面内に平行に配向してい
るためであり、δが９０度に近いほどＣ軸は面内に平行
に成長する。
第４図の配向性Ｃｏ薄膜の飽和硫化４πＭｓは第５図に
示すようにδに依存せず約１７ＫＧである。従って面内
に強い異方性をもつ配向性Ｃｏ薄膜を作製するためには
、δを９０度付近にしてＣ軸を面内に平行に成長させれ
ばよい。
示すようにδに依存せず約１７ＫＧである。従って面内
に強い異方性をもつ配向性Ｃｏ薄膜を作製するためには
、δを９０度付近にしてＣ軸を面内に平行に成長させれ
ばよい。
面内配向Ｃｏ薄膜は、ＨＫ＝１〜１Ｏ０８゜４πＭｓ４
１７ＫＧであり、パーマロイや他の−Ｃｏ基ヘッド材料
よりも飽和磁化が高く、Ｃｏ単単変変動ないことから大
型コンピュータ用磁気ヘッド材料に応用できる。
１７ＫＧであり、パーマロイや他の−Ｃｏ基ヘッド材料
よりも飽和磁化が高く、Ｃｏ単単変変動ないことから大
型コンピュータ用磁気ヘッド材料に応用できる。
第１図は本発明の一実施例におけるＭＢＥ装置の概要説
明図、第２＠、第３図は回折強度の線図、第４＆第５図
は飽和磁化状態を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・真空容器、３・・・基板マニプ
レータ、］′Ｊ４１図 第２図 ２ｏ （Ａ） ２０（崖） 第４図 よ（度）
明図、第２＠、第３図は回折強度の線図、第４＆第５図
は飽和磁化状態を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・真空容器、３・・・基板マニプ
レータ、］′Ｊ４１図 第２図 ２ｏ （Ａ） ２０（崖） 第４図 よ（度）
Claims (1)
- １、蒸発Ｃｏ原子の方向と基板の法線方向のなす角を４
５度〜９０度に傾け、ＭＢＥ法によつてＣｏ結晶のＣ軸
を基板面に平行な方向に傾けることを特徴とする面内配
向Ｃｏ薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26968286A JPS63124506A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 面内配向Ｃｏ薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26968286A JPS63124506A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 面内配向Ｃｏ薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124506A true JPS63124506A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17475723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26968286A Pending JPS63124506A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 面内配向Ｃｏ薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124506A (ja) |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP26968286A patent/JPS63124506A/ja active Pending
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