JPS63114184A - 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− - Google Patents
反射膜を施したスラブ型レ−ザ−Info
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- JPS63114184A JPS63114184A JP25849086A JP25849086A JPS63114184A JP S63114184 A JPS63114184 A JP S63114184A JP 25849086 A JP25849086 A JP 25849086A JP 25849086 A JP25849086 A JP 25849086A JP S63114184 A JPS63114184 A JP S63114184A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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-
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-
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- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/0915—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
- H01S3/092—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はレーザー媒質、特にスラブ型レーザー発振器お
よびスラブ型レーザー増幅器に使用する高効率のスラブ
型し−ザー媒τ1に関する。
よびスラブ型レーザー増幅器に使用する高効率のスラブ
型し−ザー媒τ1に関する。
[従来の技術]
従来のスラブ型レーザーは、第4図に示す如く、ガラス
または結晶からなるスラブ型レーザー媒質20の対向す
る励起面21.21′を、キセノンランプ22.22′
の励起光26.26゛で励起し、反o4鏡23と全反射
鏡24の間を光25が往復しレーザー媒質20内で、ジ
グザグ状に全反射を繰り返し数百回往復した後、レーザ
ー光として反射vL23より発娠するように構成されて
いる。ここで、反射1!23はレーザー光に対して全反
射をさせず、一部分の光を透過するように作用する。ま
た、レーザー増幅器では第4図の全反射鏡24に代って
レーザー光が入射され、レーザー媒質20の中を全反射
を繰返しながら進み、この間にキセノンランプ21.2
1′からの励起光2G、26′のエネルギーを受けて増
幅され、し−ザー媒質の他端より増幅され発振される。
または結晶からなるスラブ型レーザー媒質20の対向す
る励起面21.21′を、キセノンランプ22.22′
の励起光26.26゛で励起し、反o4鏡23と全反射
鏡24の間を光25が往復しレーザー媒質20内で、ジ
グザグ状に全反射を繰り返し数百回往復した後、レーザ
ー光として反射vL23より発娠するように構成されて
いる。ここで、反射1!23はレーザー光に対して全反
射をさせず、一部分の光を透過するように作用する。ま
た、レーザー増幅器では第4図の全反射鏡24に代って
レーザー光が入射され、レーザー媒質20の中を全反射
を繰返しながら進み、この間にキセノンランプ21.2
1′からの励起光2G、26′のエネルギーを受けて増
幅され、し−ザー媒質の他端より増幅され発振される。
この場合反射8123を取付ける必要はない。
レーザー媒質は、通常ガラスまたは結晶であり、キセノ
ンランプ22.22′の励起光26.26′を吸収して
、レーザー発成またはレーザー増幅を行うようNdを含
有している。レーザー媒質20の面21.21′は光学
的研磨が施され、励起光26.26′の受光面とともに
光25の全反射面を形成している。レーザー媒質20は
、キセノンランプの励起光以外の照射光によるレーザー
媒質20内での発熱を取除くため、図示してないが気体
または液体によりレーザー媒質20の表面を冷却しつる
構造となっており、ざらに;励起面21.21′には反
射膜は施されていない。
ンランプ22.22′の励起光26.26′を吸収して
、レーザー発成またはレーザー増幅を行うようNdを含
有している。レーザー媒質20の面21.21′は光学
的研磨が施され、励起光26.26′の受光面とともに
光25の全反射面を形成している。レーザー媒質20は
、キセノンランプの励起光以外の照射光によるレーザー
媒質20内での発熱を取除くため、図示してないが気体
または液体によりレーザー媒質20の表面を冷却しつる
構造となっており、ざらに;励起面21.21′には反
射膜は施されていない。
[R明が解決しようとする問題点]
従来のスラブ型レーザーでは、特にレーザー媒質である
レーザーガラスは、主として燐酸塩ガラスが使用されて
いるため、耐久性が悪く、冷部媒質として液体(通常は
H2O)を使用した場合〜著しく侵喰を受け、長時間の
安定した使用を維持することは不可能であった。さらに
、結晶も含めキセノンランプからの励起光がレーザー媒
質の励起面で表面反射され、励起光の1Q失がある。さ
らに、レーザー媒質内での光が全反射を繰返しジグザグ
進行する際の反射面での散乱損失がある。
レーザーガラスは、主として燐酸塩ガラスが使用されて
いるため、耐久性が悪く、冷部媒質として液体(通常は
H2O)を使用した場合〜著しく侵喰を受け、長時間の
安定した使用を維持することは不可能であった。さらに
、結晶も含めキセノンランプからの励起光がレーザー媒
質の励起面で表面反射され、励起光の1Q失がある。さ
らに、レーザー媒質内での光が全反射を繰返しジグザグ
進行する際の反射面での散乱損失がある。
本発明はこのような従来技術の欠点乃至問題点を除去す
るためになされたものであり、第2の目的は散乱損失を
防ぐことであり、さらに第3の目的は発振および増幅効
率の高さをレーザー媒質を得ることである。
るためになされたものであり、第2の目的は散乱損失を
防ぐことであり、さらに第3の目的は発振および増幅効
率の高さをレーザー媒質を得ることである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであ
り、レーザー媒質表面に反射防止膜を付けることにより
解決したものであり、特にメチル基含有の51m2膜を
ゾルゲル法により付けることを特徴としたものである。
り、レーザー媒質表面に反射防止膜を付けることにより
解決したものであり、特にメチル基含有の51m2膜を
ゾルゲル法により付けることを特徴としたものである。
[作 用コ
レーザー媒質表面にメチル基を含むSiO2膜をゾルゲ
ル法により付けることにより、光屈折率が低くピンホー
ルの全くなく、さらに耐久性の優れた膜とし得ることか
ら、励起光の反射損失を低減し、反射面での散乱損失を
減少し、発振および増幅効率の高い長時間安定して使用
し得るレーザー媒質を得ることが可能となる。
ル法により付けることにより、光屈折率が低くピンホー
ルの全くなく、さらに耐久性の優れた膜とし得ることか
ら、励起光の反射損失を低減し、反射面での散乱損失を
減少し、発振および増幅効率の高い長時間安定して使用
し得るレーザー媒質を得ることが可能となる。
[実施例コ
以下、本発明の実施例1.2について詳細に説明する。
第1図は実施例1を示す構成図である。本実施例の反)
1膜1.1′を付したスラブ型レーザーガラス2はリン
酸塩系レーザーガラスしIIG 5 (ホーヤ株式会社
商品名)で、光屈折率yLd(NaのD線に対する)は
1.53であり、キセノンランプ3.3′、反0A81
4 、全反射$15、図示してないが気体による冷却部
から構成されている。スラブ型レーザーガラス2は、台
形でキセノンランプ3.3′からの励起光6.6′に対
向する面に反射膜1.1′がゾルゲル法によ・って付け
られてJ3す、反射!14、全反射鏡5に対向する面は
各々傾斜を付してブリュスター角となるように作られて
いる。
1膜1.1′を付したスラブ型レーザーガラス2はリン
酸塩系レーザーガラスしIIG 5 (ホーヤ株式会社
商品名)で、光屈折率yLd(NaのD線に対する)は
1.53であり、キセノンランプ3.3′、反0A81
4 、全反射$15、図示してないが気体による冷却部
から構成されている。スラブ型レーザーガラス2は、台
形でキセノンランプ3.3′からの励起光6.6′に対
向する面に反射膜1.1′がゾルゲル法によ・って付け
られてJ3す、反射!14、全反射鏡5に対向する面は
各々傾斜を付してブリュスター角となるように作られて
いる。
反射膜1.1゛は、スラブ型レーザーガラス2を面積度
がラムダ−(λ/4)程度(λ−632μTrL)なる
よう光学研磨を行った後、テトラエトキシシラン1モル
、メチルトリエトキシシラン0.3モル、エタノール8
モル、水2.7モルおよび塩酸0.01モルを混合1部
分加水分解を行った後、充分撹拌した溶液にスラブ型レ
ーザーガラス2を浸漬し、1分間に約3糎速さで引き上
げた。これを120℃の空気中で乾燥した侵、320℃
の酸素中で20時間保持し、その後窒素ガス中で430
℃で20時、間加熱した。この操作をさらに1回繰返し
、膜厚0.2膜1m、光屈折率1.376 (W d線
に対し)の反射III 1.1′を付着させた。
がラムダ−(λ/4)程度(λ−632μTrL)なる
よう光学研磨を行った後、テトラエトキシシラン1モル
、メチルトリエトキシシラン0.3モル、エタノール8
モル、水2.7モルおよび塩酸0.01モルを混合1部
分加水分解を行った後、充分撹拌した溶液にスラブ型レ
ーザーガラス2を浸漬し、1分間に約3糎速さで引き上
げた。これを120℃の空気中で乾燥した侵、320℃
の酸素中で20時間保持し、その後窒素ガス中で430
℃で20時、間加熱した。この操作をさらに1回繰返し
、膜厚0.2膜1m、光屈折率1.376 (W d線
に対し)の反射III 1.1′を付着させた。
次に、上述のレーザー発掘器を構成し発成実験を行ない
、従来技術による反射膜を付けないスラブ型レーザーガ
ラスの場合と比較した。第3図は、その結果を示したも
ので、本発明の効果として同一人力で、レーザー出力で
1.9倍、スロープ効率で1.3倍となることを示して
いる。
、従来技術による反射膜を付けないスラブ型レーザーガ
ラスの場合と比較した。第3図は、その結果を示したも
ので、本発明の効果として同一人力で、レーザー出力で
1.9倍、スロープ効率で1.3倍となることを示して
いる。
第2図は、実施例2を示す構成図であり、実施例1の気
体冷fJIを液体冷却に変えたものである。
体冷fJIを液体冷却に変えたものである。
図中第1図と同様の機能の部分には同一の番号が付しで
ある。スラブ型レーザーガラス2、反射膜1.1′、励
起用キセノンランプ3.3′、反射鏡4、全反OA鏡5
、冷却液8、透明窓9.9′、Oリング10.10’
、Oリング押え11.11′から構成されている。透明
窓9.9′、0リング10.10′リング押え11.1
1′とスラブ型レーザーガラス2により液体冷却部が構
成され冷IJl液体として、水;エチレングリエール1
:1の溶液を使用し、図示してないが液体冷却部の一端
から入り、他端より排出されるスラブ型レーザーガラス
2は実施例1と同一の材質で同一の形状のものを用い、
実施例1と同様の方法で反射rlA1.1′をつけた。
ある。スラブ型レーザーガラス2、反射膜1.1′、励
起用キセノンランプ3.3′、反射鏡4、全反OA鏡5
、冷却液8、透明窓9.9′、Oリング10.10’
、Oリング押え11.11′から構成されている。透明
窓9.9′、0リング10.10′リング押え11.1
1′とスラブ型レーザーガラス2により液体冷却部が構
成され冷IJl液体として、水;エチレングリエール1
:1の溶液を使用し、図示してないが液体冷却部の一端
から入り、他端より排出されるスラブ型レーザーガラス
2は実施例1と同一の材質で同一の形状のものを用い、
実施例1と同様の方法で反射rlA1.1′をつけた。
上述のレーザー発振器を用い、従来技術による反l1)
1膜のないものとの比較実験を行ない、レーザー出力、
スロープ効率に対しては実施例1と同様の結果を得た。
1膜のないものとの比較実験を行ない、レーザー出力、
スロープ効率に対しては実施例1と同様の結果を得た。
さらに、従来技術の場合1週間で発振特性に変化を生じ
出力の低下をきたしたのに対し、本発明による場合1ケ
月を経過しても変化を観察し得なかった。
出力の低下をきたしたのに対し、本発明による場合1ケ
月を経過しても変化を観察し得なかった。
上述の実施例1.2ではレーザー発振器について述べた
がレーザー増幅器として使用しても同様の効果を行える
ことは明白である。また、反射膜を励起面の2面のみに
付したか、その直角側面にも付けることにより直角側面
の耐久性を向上し1qる。さらに結晶レーザー媒質であ
るスラブ型ヤグレーザ−(YAGレーザ−)に木灰tJ
JFJを付けることも可能であり、同様の効果を期待し
得る。
がレーザー増幅器として使用しても同様の効果を行える
ことは明白である。また、反射膜を励起面の2面のみに
付したか、その直角側面にも付けることにより直角側面
の耐久性を向上し1qる。さらに結晶レーザー媒質であ
るスラブ型ヤグレーザ−(YAGレーザ−)に木灰tJ
JFJを付けることも可能であり、同様の効果を期待し
得る。
[発明の効果]
以上の通り、本発明の反射膜付スラブ型レーザー媒質を
使用することにより、同一人力に対し、従来技術と比較
してレーザー出力を1.9倍、スロープ効率を1.3倍
と増大でき、さらに長期間安定した出力を維持し得るレ
ーザー発振器およびレーザー増幅器を得ることが出来る
。
使用することにより、同一人力に対し、従来技術と比較
してレーザー出力を1.9倍、スロープ効率を1.3倍
と増大でき、さらに長期間安定した出力を維持し得るレ
ーザー発振器およびレーザー増幅器を得ることが出来る
。
第1図は本発明の実施例1を示すレーザー発振器の構成
図、第2図は本発明の実施例2を示すレーザー発振器の
構成図、第3図は従来技術と本発明実施例1とのレーザ
ー発振特性の比較図、第4図は従来技術の構成を示す図
である。 1.1′・・・薄膜、2・・・レーザー媒質、3.3′
・・・キセノンランプ、8・・・冷却液、9.9″・・
・透明窓、10110’・・・Oリング、11.11゛
・・・Oリング押さえ。
図、第2図は本発明の実施例2を示すレーザー発振器の
構成図、第3図は従来技術と本発明実施例1とのレーザ
ー発振特性の比較図、第4図は従来技術の構成を示す図
である。 1.1′・・・薄膜、2・・・レーザー媒質、3.3′
・・・キセノンランプ、8・・・冷却液、9.9″・・
・透明窓、10110’・・・Oリング、11.11゛
・・・Oリング押さえ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 レーザー媒質の表面に反射膜を施したことを特徴と
するスラブ型レーザー。 2 反射膜がメチル基を含むSiO_2膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスラブ型レーザ
ー。 3 反射膜がゾルゲル法によつて作成されたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項記載のスラブ
型レーザー。 4 レーザー媒質がガラスであることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第3項の何れかの項に記載のス
ラブ型レーザー。 5 レーザー媒質が結晶であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項ないし第3項の何れかの項に記載のスラ
ブ型レーザー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25849086A JPS63114184A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25849086A JPS63114184A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114184A true JPS63114184A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17320931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25849086A Pending JPS63114184A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63114184A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0198281A (ja) * | 1987-06-22 | 1989-04-17 | Lasag Ag | 改良された冷却システムを有するレーザー |
JPH0372687A (ja) * | 1988-06-22 | 1991-03-27 | Fuji Electric Co Ltd | 固体レーザ装置 |
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