JPS63114184A - 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− - Google Patents

反射膜を施したスラブ型レ−ザ−

Info

Publication number
JPS63114184A
JPS63114184A JP25849086A JP25849086A JPS63114184A JP S63114184 A JPS63114184 A JP S63114184A JP 25849086 A JP25849086 A JP 25849086A JP 25849086 A JP25849086 A JP 25849086A JP S63114184 A JPS63114184 A JP S63114184A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser medium
slab
glass
reflecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25849086A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Inazumi
稻積 孝
Koichi Hara
光一 原
Chiemi Hata
畑 智恵美
Tetsuo Izumitani
泉谷 徹郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP25849086A priority Critical patent/JPS63114184A/ja
Publication of JPS63114184A publication Critical patent/JPS63114184A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0606Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0625Coatings on surfaces other than the end-faces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08095Zig-zag travelling beam through the active medium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/0915Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
    • H01S3/092Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレーザー媒質、特にスラブ型レーザー発振器お
よびスラブ型レーザー増幅器に使用する高効率のスラブ
型し−ザー媒τ1に関する。
[従来の技術] 従来のスラブ型レーザーは、第4図に示す如く、ガラス
または結晶からなるスラブ型レーザー媒質20の対向す
る励起面21.21′を、キセノンランプ22.22′
の励起光26.26゛で励起し、反o4鏡23と全反射
鏡24の間を光25が往復しレーザー媒質20内で、ジ
グザグ状に全反射を繰り返し数百回往復した後、レーザ
ー光として反射vL23より発娠するように構成されて
いる。ここで、反射1!23はレーザー光に対して全反
射をさせず、一部分の光を透過するように作用する。ま
た、レーザー増幅器では第4図の全反射鏡24に代って
レーザー光が入射され、レーザー媒質20の中を全反射
を繰返しながら進み、この間にキセノンランプ21.2
1′からの励起光2G、26′のエネルギーを受けて増
幅され、し−ザー媒質の他端より増幅され発振される。
この場合反射8123を取付ける必要はない。
レーザー媒質は、通常ガラスまたは結晶であり、キセノ
ンランプ22.22′の励起光26.26′を吸収して
、レーザー発成またはレーザー増幅を行うようNdを含
有している。レーザー媒質20の面21.21′は光学
的研磨が施され、励起光26.26′の受光面とともに
光25の全反射面を形成している。レーザー媒質20は
、キセノンランプの励起光以外の照射光によるレーザー
媒質20内での発熱を取除くため、図示してないが気体
または液体によりレーザー媒質20の表面を冷却しつる
構造となっており、ざらに;励起面21.21′には反
射膜は施されていない。
[R明が解決しようとする問題点] 従来のスラブ型レーザーでは、特にレーザー媒質である
レーザーガラスは、主として燐酸塩ガラスが使用されて
いるため、耐久性が悪く、冷部媒質として液体(通常は
H2O)を使用した場合〜著しく侵喰を受け、長時間の
安定した使用を維持することは不可能であった。さらに
、結晶も含めキセノンランプからの励起光がレーザー媒
質の励起面で表面反射され、励起光の1Q失がある。さ
らに、レーザー媒質内での光が全反射を繰返しジグザグ
進行する際の反射面での散乱損失がある。
本発明はこのような従来技術の欠点乃至問題点を除去す
るためになされたものであり、第2の目的は散乱損失を
防ぐことであり、さらに第3の目的は発振および増幅効
率の高さをレーザー媒質を得ることである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記目的を達成するためになされたものであ
り、レーザー媒質表面に反射防止膜を付けることにより
解決したものであり、特にメチル基含有の51m2膜を
ゾルゲル法により付けることを特徴としたものである。
[作  用コ レーザー媒質表面にメチル基を含むSiO2膜をゾルゲ
ル法により付けることにより、光屈折率が低くピンホー
ルの全くなく、さらに耐久性の優れた膜とし得ることか
ら、励起光の反射損失を低減し、反射面での散乱損失を
減少し、発振および増幅効率の高い長時間安定して使用
し得るレーザー媒質を得ることが可能となる。
[実施例コ 以下、本発明の実施例1.2について詳細に説明する。
第1図は実施例1を示す構成図である。本実施例の反)
1膜1.1′を付したスラブ型レーザーガラス2はリン
酸塩系レーザーガラスしIIG 5 (ホーヤ株式会社
商品名)で、光屈折率yLd(NaのD線に対する)は
1.53であり、キセノンランプ3.3′、反0A81
4 、全反射$15、図示してないが気体による冷却部
から構成されている。スラブ型レーザーガラス2は、台
形でキセノンランプ3.3′からの励起光6.6′に対
向する面に反射膜1.1′がゾルゲル法によ・って付け
られてJ3す、反射!14、全反射鏡5に対向する面は
各々傾斜を付してブリュスター角となるように作られて
いる。
反射膜1.1゛は、スラブ型レーザーガラス2を面積度
がラムダ−(λ/4)程度(λ−632μTrL)なる
よう光学研磨を行った後、テトラエトキシシラン1モル
、メチルトリエトキシシラン0.3モル、エタノール8
モル、水2.7モルおよび塩酸0.01モルを混合1部
分加水分解を行った後、充分撹拌した溶液にスラブ型レ
ーザーガラス2を浸漬し、1分間に約3糎速さで引き上
げた。これを120℃の空気中で乾燥した侵、320℃
の酸素中で20時間保持し、その後窒素ガス中で430
℃で20時、間加熱した。この操作をさらに1回繰返し
、膜厚0.2膜1m、光屈折率1.376 (W d線
に対し)の反射III 1.1′を付着させた。
次に、上述のレーザー発掘器を構成し発成実験を行ない
、従来技術による反射膜を付けないスラブ型レーザーガ
ラスの場合と比較した。第3図は、その結果を示したも
ので、本発明の効果として同一人力で、レーザー出力で
1.9倍、スロープ効率で1.3倍となることを示して
いる。
第2図は、実施例2を示す構成図であり、実施例1の気
体冷fJIを液体冷却に変えたものである。
図中第1図と同様の機能の部分には同一の番号が付しで
ある。スラブ型レーザーガラス2、反射膜1.1′、励
起用キセノンランプ3.3′、反射鏡4、全反OA鏡5
、冷却液8、透明窓9.9′、Oリング10.10’ 
、Oリング押え11.11′から構成されている。透明
窓9.9′、0リング10.10′リング押え11.1
1′とスラブ型レーザーガラス2により液体冷却部が構
成され冷IJl液体として、水;エチレングリエール1
:1の溶液を使用し、図示してないが液体冷却部の一端
から入り、他端より排出されるスラブ型レーザーガラス
2は実施例1と同一の材質で同一の形状のものを用い、
実施例1と同様の方法で反射rlA1.1′をつけた。
上述のレーザー発振器を用い、従来技術による反l1)
1膜のないものとの比較実験を行ない、レーザー出力、
スロープ効率に対しては実施例1と同様の結果を得た。
さらに、従来技術の場合1週間で発振特性に変化を生じ
出力の低下をきたしたのに対し、本発明による場合1ケ
月を経過しても変化を観察し得なかった。
上述の実施例1.2ではレーザー発振器について述べた
がレーザー増幅器として使用しても同様の効果を行える
ことは明白である。また、反射膜を励起面の2面のみに
付したか、その直角側面にも付けることにより直角側面
の耐久性を向上し1qる。さらに結晶レーザー媒質であ
るスラブ型ヤグレーザ−(YAGレーザ−)に木灰tJ
JFJを付けることも可能であり、同様の効果を期待し
得る。
[発明の効果] 以上の通り、本発明の反射膜付スラブ型レーザー媒質を
使用することにより、同一人力に対し、従来技術と比較
してレーザー出力を1.9倍、スロープ効率を1.3倍
と増大でき、さらに長期間安定した出力を維持し得るレ
ーザー発振器およびレーザー増幅器を得ることが出来る
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1を示すレーザー発振器の構成
図、第2図は本発明の実施例2を示すレーザー発振器の
構成図、第3図は従来技術と本発明実施例1とのレーザ
ー発振特性の比較図、第4図は従来技術の構成を示す図
である。 1.1′・・・薄膜、2・・・レーザー媒質、3.3′
・・・キセノンランプ、8・・・冷却液、9.9″・・
・透明窓、10110’・・・Oリング、11.11゛
・・・Oリング押さえ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 レーザー媒質の表面に反射膜を施したことを特徴と
    するスラブ型レーザー。 2 反射膜がメチル基を含むSiO_2膜であることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスラブ型レーザ
    ー。 3 反射膜がゾルゲル法によつて作成されたことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項または第2項記載のスラブ
    型レーザー。 4 レーザー媒質がガラスであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項ないし第3項の何れかの項に記載のス
    ラブ型レーザー。 5 レーザー媒質が結晶であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項ないし第3項の何れかの項に記載のスラ
    ブ型レーザー。
JP25849086A 1986-10-31 1986-10-31 反射膜を施したスラブ型レ−ザ− Pending JPS63114184A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25849086A JPS63114184A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 反射膜を施したスラブ型レ−ザ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25849086A JPS63114184A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 反射膜を施したスラブ型レ−ザ−

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63114184A true JPS63114184A (ja) 1988-05-19

Family

ID=17320931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25849086A Pending JPS63114184A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 反射膜を施したスラブ型レ−ザ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63114184A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0198281A (ja) * 1987-06-22 1989-04-17 Lasag Ag 改良された冷却システムを有するレーザー
JPH0372687A (ja) * 1988-06-22 1991-03-27 Fuji Electric Co Ltd 固体レーザ装置
WO1999014618A1 (fr) * 1997-09-18 1999-03-25 Commissariat A L'energie Atomique Detecteur a scintillation, revetement refracteur pour scintillateur et procede de fabrication d'un tel revetement
CN102013634A (zh) * 2010-11-22 2011-04-13 福州高意通讯有限公司 一种高功率被动调q激光器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247983A (ja) * 1984-05-24 1985-12-07 Hoya Corp エルビウムレ−ザ発振装置
JPS62219584A (ja) * 1986-03-19 1987-09-26 Mitsubishi Electric Corp 内部全反射型固体レ−ザ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247983A (ja) * 1984-05-24 1985-12-07 Hoya Corp エルビウムレ−ザ発振装置
JPS62219584A (ja) * 1986-03-19 1987-09-26 Mitsubishi Electric Corp 内部全反射型固体レ−ザ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0198281A (ja) * 1987-06-22 1989-04-17 Lasag Ag 改良された冷却システムを有するレーザー
JP2690324B2 (ja) * 1987-06-22 1997-12-10 ラザグ アクチェンゲゼルシャフト 改良された冷却システムを有するレーザー
JPH0372687A (ja) * 1988-06-22 1991-03-27 Fuji Electric Co Ltd 固体レーザ装置
WO1999014618A1 (fr) * 1997-09-18 1999-03-25 Commissariat A L'energie Atomique Detecteur a scintillation, revetement refracteur pour scintillateur et procede de fabrication d'un tel revetement
CN102013634A (zh) * 2010-11-22 2011-04-13 福州高意通讯有限公司 一种高功率被动调q激光器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3178729B2 (ja) リングレーザ
JP2713745B2 (ja) 光励起固体レーザー
JPS62262480A (ja) レ−ザ装置
CN112260051B (zh) 一种1342nm红外固体激光器
US5148441A (en) Solid state laser
JPS6182488A (ja) 固体レ−ザ装置
JPS63114184A (ja) 反射膜を施したスラブ型レ−ザ−
JP3060493B2 (ja) 固体レーザー発振器
JPH0537049A (ja) 固体レーザ装置
JPH05267753A (ja) 固体レーザ装置
JPH06350171A (ja) 固体レーザ装置および積分球
US5692005A (en) Solid-state laser
JPH028160U (ja)
JPH0475393A (ja) レーザー装置
JPS60247983A (ja) エルビウムレ−ザ発振装置
JPH06120586A (ja) 固体レーザ装置
JPH02146784A (ja) レーザダイオード励起固体レーザ
JPS6273685A (ja) 固体レ−ザ装置
JP2516698B2 (ja) スラブ形固体レ―ザ発振装置
JPH0214587A (ja) 固体レーザ装置
WO1987006774A1 (en) Continuous wave, frequency-doubled solid state laser systems with stabilized output
JPH04158588A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2541090B2 (ja) レ―ザ発振装置
JP3043645U (ja) ファイバ結合ダイオードを有するバットカップリング・ポンピング形単一モード固体レーザ
JPH071807Y2 (ja) ダイオードレーザ励起固体レーザ装置