JPS63113461A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真感光体に関し、特に良好な画像特性を
持ちつつモアレ模様を防止できるレーザー露光用電子写
真感光体に関するものである。
持ちつつモアレ模様を防止できるレーザー露光用電子写
真感光体に関するものである。
[発明の背景]
近年、電子写真プロセスを利用し、光源としてレーザー
光を用いて画像を形成するレーザービームプリンターの
開発が盛んになって来ている。レーザー光としてはHe
−MeやAtなどの気体レーザや半導体レーザーが使用
されている。
光を用いて画像を形成するレーザービームプリンターの
開発が盛んになって来ている。レーザー光としてはHe
−MeやAtなどの気体レーザや半導体レーザーが使用
されている。
しかるにレーザー光は可干渉性であることから新たな問
題が発生してきた。即ち、例えば電荷発生層上に電荷輸
送層が積層された有a感光体の場合にレーザー光が照射
されると、該照射光が電荷輸送層と電荷発生F)(電荷
発生層を通過した光は導電性支持体)の両層で各々反射
し、その各々の反射光が干渉を起こし、プリント画像に
モアレと呼ばれる紋様が生じ画質が大幅に低下してしま
う、このモアレ現象は可干渉光を光源とする場合、そし
て中間調画像の場合に特に著しい欠点となる。
題が発生してきた。即ち、例えば電荷発生層上に電荷輸
送層が積層された有a感光体の場合にレーザー光が照射
されると、該照射光が電荷輸送層と電荷発生F)(電荷
発生層を通過した光は導電性支持体)の両層で各々反射
し、その各々の反射光が干渉を起こし、プリント画像に
モアレと呼ばれる紋様が生じ画質が大幅に低下してしま
う、このモアレ現象は可干渉光を光源とする場合、そし
て中間調画像の場合に特に著しい欠点となる。
従来かかる欠点を解消する技術としては、導電性支持体
と感光層の間に光拡散反射面を有する下引層を設ける方
法(特開昭80−186850号参照)、導電性支持体
と感光層の間の下引層にチタンブラックを用いる方法(
同60−184258号参照)、電荷発生層で使用光源
の光の大部分を吸収してしまう方法(同58−8224
9号参照)、電荷輸送層を構成するバインダー樹脂にミ
クロ相分離構造をとらせる方法(同81−18963号
参照)、屈折率nの感光層に波長入の露光を行う場合、
感光層の下部に入/4n以上の粗さの凹凸を設ける方法
(同Go−247Ei47号参照)、光導電体層中に可
干渉光を吸収又は散乱する物質を混入する方法(同80
−88550号参照)、光導電層もしくは光導電層の上
に光散乱機能を有する光散乱手段を設ける方法(同59
−57247号参照)などがある。
と感光層の間に光拡散反射面を有する下引層を設ける方
法(特開昭80−186850号参照)、導電性支持体
と感光層の間の下引層にチタンブラックを用いる方法(
同60−184258号参照)、電荷発生層で使用光源
の光の大部分を吸収してしまう方法(同58−8224
9号参照)、電荷輸送層を構成するバインダー樹脂にミ
クロ相分離構造をとらせる方法(同81−18963号
参照)、屈折率nの感光層に波長入の露光を行う場合、
感光層の下部に入/4n以上の粗さの凹凸を設ける方法
(同Go−247Ei47号参照)、光導電体層中に可
干渉光を吸収又は散乱する物質を混入する方法(同80
−88550号参照)、光導電層もしくは光導電層の上
に光散乱機能を有する光散乱手段を設ける方法(同59
−57247号参照)などがある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしこれらの従来技術には次のような欠点がある。即
ち、導電性基体と感光層の間に光拡散反射面を有する下
引層を設ける方法は、下引層の粗面の凹凸をコントロー
ルすることが難しく、同一の粗面を再現よく得がたいも
のである。また、下引面上が干渉縞に対して有効なほど
、粗面化されるためには膜厚がかなり必要であり、これ
は感光体の感度等の電子写真特性や接着性に影響を与え
るものである。また、このような複雑な下引層を用いる
ことはコストアップにもつながる。
ち、導電性基体と感光層の間に光拡散反射面を有する下
引層を設ける方法は、下引層の粗面の凹凸をコントロー
ルすることが難しく、同一の粗面を再現よく得がたいも
のである。また、下引面上が干渉縞に対して有効なほど
、粗面化されるためには膜厚がかなり必要であり、これ
は感光体の感度等の電子写真特性や接着性に影響を与え
るものである。また、このような複雑な下引層を用いる
ことはコストアップにもつながる。
導電性基体と感光層の間の下引層にチタンブラックを用
いる方法は、チタンブラック含有層と電荷発生物質、電
荷輸送物質のエネルギーレベルのマツチングが悪いため
、感光体の感度、暗減衰などの電子写真特性に悪影響を
与えてしまうという欠点を有する。
いる方法は、チタンブラック含有層と電荷発生物質、電
荷輸送物質のエネルギーレベルのマツチングが悪いため
、感光体の感度、暗減衰などの電子写真特性に悪影響を
与えてしまうという欠点を有する。
電荷発生層で使用光源の光の大部分を吸収してしまう方
法としては、■電荷発生層を厚くする、■電荷発生層の
分光吸収のピークを使用光源の波長に近づける、■使用
光源の光を吸収する色素を混合する。などがある、この
うち■は熱励起キャリアの増大をまねき、暗減衰、受容
電位に悪影響を与える。■はこのような材料が得がたく
、もし得られても十分な性能を有するものが少なく、使
いこなすのが困難である。また、吸収のピークと使用光
源が重なったとしても、その吸収強度にはやはり限度が
ある。■は、この混合によって電子写真特性への影πが
考えられ、また影響の少ない色素をさがすことは難しい
。
法としては、■電荷発生層を厚くする、■電荷発生層の
分光吸収のピークを使用光源の波長に近づける、■使用
光源の光を吸収する色素を混合する。などがある、この
うち■は熱励起キャリアの増大をまねき、暗減衰、受容
電位に悪影響を与える。■はこのような材料が得がたく
、もし得られても十分な性能を有するものが少なく、使
いこなすのが困難である。また、吸収のピークと使用光
源が重なったとしても、その吸収強度にはやはり限度が
ある。■は、この混合によって電子写真特性への影πが
考えられ、また影響の少ない色素をさがすことは難しい
。
電荷輸送層を構成するバインダー樹脂に、ミクロ和分#
構造をとらせる方法では、使用するバインダー樹脂がブ
ロック共重合体又はグラフト共重合体等を用いなくては
ならず、電子写真特性を満足させ、かつ望ましいミクロ
相分離構造を得るのが困難である。
構造をとらせる方法では、使用するバインダー樹脂がブ
ロック共重合体又はグラフト共重合体等を用いなくては
ならず、電子写真特性を満足させ、かつ望ましいミクロ
相分離構造を得るのが困難である。
感光層下部に凹凸を設ける方法は数多く提案されている
が、干渉縞状のムラを防止するのに充分な凹凸は、感光
層の均一なI&膜を妨げ、特に凹凸の上に電荷発生層を
形成する場合には、電荷発生層が一般に薄い層であるた
め、電荷発生層の厚さが不均一になり、画像特性に悪影
響を及ぼす場合が多い。
が、干渉縞状のムラを防止するのに充分な凹凸は、感光
層の均一なI&膜を妨げ、特に凹凸の上に電荷発生層を
形成する場合には、電荷発生層が一般に薄い層であるた
め、電荷発生層の厚さが不均一になり、画像特性に悪影
響を及ぼす場合が多い。
光導電体層中に可干渉光を吸収する物質を混入する方法
又は散乱する物質を混入する方法あるいは散乱する手段
を設けた方法では、吸収する物質を加えた場合には、感
度の低下を招き、散乱する物質を混入した場合あるいは
散乱する手段を設けた場合には、画像ボケ等2画像特性
の低下を招く。
又は散乱する物質を混入する方法あるいは散乱する手段
を設けた方法では、吸収する物質を加えた場合には、感
度の低下を招き、散乱する物質を混入した場合あるいは
散乱する手段を設けた場合には、画像ボケ等2画像特性
の低下を招く。
そこで本発明の目的は、上記欠点を解消し、良好な画像
特性を保持しつつ、かつ電子写真特性への影響を与える
ことなく干渉縞状のムラの発生を防止したレーザー露光
用電子写真感光体を提供することにある。
特性を保持しつつ、かつ電子写真特性への影響を与える
ことなく干渉縞状のムラの発生を防止したレーザー露光
用電子写真感光体を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明者は上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた
結果、本発明に至った。
結果、本発明に至った。
即ち、本発明に係る電子写真感光体は、導電性基体上に
電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷輸送層が像様露光に使用する光の波長下で屈
折率が0.03〜0.3の範囲内で異なる二種の層から
成り、二種の層の界面が0.5 JLm以上の凹凸を有
し、像様露光が該界面を透過することにより、凹凸に応
じて位相是を生じることを特徴とする。
電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷輸送層が像様露光に使用する光の波長下で屈
折率が0.03〜0.3の範囲内で異なる二種の層から
成り、二種の層の界面が0.5 JLm以上の凹凸を有
し、像様露光が該界面を透過することにより、凹凸に応
じて位相是を生じることを特徴とする。
本発明によれば、界面の凹凸の高さをd、二層の上層、
下層の屈折率を旧、nzとした場合、照射された波長入
の光は界面が凹の部分と凸の部分でd(nrn2)また
はd(nz−n+)だけ異なった光学距離を透過するこ
とになるやここでd(y++−ni)またはd(n2−
n+)が少なくとも入14以上あれば界面の四部と凸部
を往復した光で位相がπ以上ずれ、電荷輸送層内での光
の干渉を防止できる。また本発明によれば、光の散乱を
利用する必要がないため、画像ボケ等の心配がなく、又
電荷発生に寄与しない光の吸収もないため、感度の低下
もなく、さらに本発明によれば、電荷輸送層に特殊なバ
インダー樹脂を用いる必要もなく、電子写真特性の低下
も招かない。
下層の屈折率を旧、nzとした場合、照射された波長入
の光は界面が凹の部分と凸の部分でd(nrn2)また
はd(nz−n+)だけ異なった光学距離を透過するこ
とになるやここでd(y++−ni)またはd(n2−
n+)が少なくとも入14以上あれば界面の四部と凸部
を往復した光で位相がπ以上ずれ、電荷輸送層内での光
の干渉を防止できる。また本発明によれば、光の散乱を
利用する必要がないため、画像ボケ等の心配がなく、又
電荷発生に寄与しない光の吸収もないため、感度の低下
もなく、さらに本発明によれば、電荷輸送層に特殊なバ
インダー樹脂を用いる必要もなく、電子写真特性の低下
も招かない。
以下、本発明について詳説する。
未発明の電子写真感光体の好ましい層構成の実施態様と
しては、下記(1)〜(6)の層構成を挙げることがで
きる。
しては、下記(1)〜(6)の層構成を挙げることがで
きる。
(1)第1図に示すように、上層より、電荷輸送層?、
電荷発生層3.導電性基体1の順に構成されており、前
記電荷輸送層が上層2Aと下層2Bに分れるもの。
電荷発生層3.導電性基体1の順に構成されており、前
記電荷輸送層が上層2Aと下層2Bに分れるもの。
(2)第2図に示すように、上記(1)に示す層構成に
おいて、電荷発生層3と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有するF!りを有するもの。
おいて、電荷発生層3と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有するF!りを有するもの。
(3)第3図に示すように、上層より、電荷発生層3、
電荷輸送層2.導電性基体1の順に構成されており、前
記電荷輸送層が上層2Aと下層2Bに分れるもの。
電荷輸送層2.導電性基体1の順に構成されており、前
記電荷輸送層が上層2Aと下層2Bに分れるもの。
(4)第4図に示すように、上記〔3)に示す層構成に
おいて、電荷輸送層2と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
おいて、電荷輸送層2と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
(5)第5図に示すように、上層より、電荷発生物質と
電荷輸送物質を含む電荷発生層3、電荷輸送層2、導電
性基体lの順に構成されおり、前記電荷輸送層が上fi
2Aと下層2Bに分れるもの。
電荷輸送物質を含む電荷発生層3、電荷輸送層2、導電
性基体lの順に構成されおり、前記電荷輸送層が上fi
2Aと下層2Bに分れるもの。
(6)第6図に示すように、上記(5)に示す層構成に
おいて、電荷輸送層2と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
おいて、電荷輸送層2と導電性基体1の間に下引層4(
中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
また上記層構成において、各層の間に中間層を設けても
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
本発明に用いられる導電性基体としては、アルミニウム
、ニッケル、黄銅、ステンレス等の全屈をドラム状に成
型するか、シート状のフィルムや箔にして用いられ、さ
らにポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリアリ
−レート、ポリイミド、ポリカーボネート等の高分子材
料、硬質紙等のflal性縁料をドラム状に成型したも
のやシート状のフィルムに導電処理して用いられる。導
電処理をする方法としては、導電性物質の含浸、金属箔
(例えばアルミ箔)のラミネート、金US(例えばアル
ミニウム、インジウム、酸化スズ、イツトリウム等)の
蒸着、導電加工等の方法がある。
、ニッケル、黄銅、ステンレス等の全屈をドラム状に成
型するか、シート状のフィルムや箔にして用いられ、さ
らにポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリアリ
−レート、ポリイミド、ポリカーボネート等の高分子材
料、硬質紙等のflal性縁料をドラム状に成型したも
のやシート状のフィルムに導電処理して用いられる。導
電処理をする方法としては、導電性物質の含浸、金属箔
(例えばアルミ箔)のラミネート、金US(例えばアル
ミニウム、インジウム、酸化スズ、イツトリウム等)の
蒸着、導電加工等の方法がある。
本発明においては、接着性あるいは電気的特性を向上す
るため導電性基体上に下引層を設けることができ、該下
引層に用いられる材料としては。
るため導電性基体上に下引層を設けることができ、該下
引層に用いられる材料としては。
酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化チタン等の金
属酸化物やアクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポ
リビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリビニルアルコール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体等の高分子材料、エチルセ
ルロース、カルボキシメチルセルロース等のセルロース
類等が挙げられ、そ ”れぞれ単独あるいは二種以上組
合わせて用いることができる。なお、下引層は、上記の
材料を適当な溶媒に溶解し、導電性基体上に塗布するこ
とにより所定の膜厚に形成される。塗布法としては、導
電性基体がドラム状である場合には、浸漬法。
属酸化物やアクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポ
リビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリビニルアルコール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ス
チレン−ブタジェン共重合体等の高分子材料、エチルセ
ルロース、カルボキシメチルセルロース等のセルロース
類等が挙げられ、そ ”れぞれ単独あるいは二種以上組
合わせて用いることができる。なお、下引層は、上記の
材料を適当な溶媒に溶解し、導電性基体上に塗布するこ
とにより所定の膜厚に形成される。塗布法としては、導
電性基体がドラム状である場合には、浸漬法。
スプレー法、押出又はスライドホッパー法等が好ましく
、また導電性基体がシート状である場合には、ロール法
、押出又はスライドホッパー法等が好ましく採用される
。このようにして形成された下引層の膜厚は、 0.0
1〜10gmの範囲が好ましく、0.05〜5g+eの
範囲がより好ましい。
、また導電性基体がシート状である場合には、ロール法
、押出又はスライドホッパー法等が好ましく採用される
。このようにして形成された下引層の膜厚は、 0.0
1〜10gmの範囲が好ましく、0.05〜5g+eの
範囲がより好ましい。
本発明の電荷発生層は、少なくとも電荷発生物質を含有
する層であり、該物質のみで、あるいはバインダーに分
散せしめ、上記導電性基体または上記下引層上に塗布形
成されることが好ましい。
する層であり、該物質のみで、あるいはバインダーに分
散せしめ、上記導電性基体または上記下引層上に塗布形
成されることが好ましい。
本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸収し
て電荷を発生する次の代表例で示されるような有機顔料
がある。
て電荷を発生する次の代表例で示されるような有機顔料
がある。
(1) 千ノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金fX12a
塩アゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔料
及びチアゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アンドアントロンM導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環午ノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
ネ4.キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノリン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (lO)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 しかし好ましくは電子吸引性基を有するアゾ系、フタロ
シアニン系又は多環キノン系顔料て、平均粒径が2終■
以下、特にlpm以下の粒状体として感光層中に分散含
有させたものがよい。
塩アゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔料
及びチアゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アンドアントロンM導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環午ノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
ネ4.キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノリン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (lO)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 しかし好ましくは電子吸引性基を有するアゾ系、フタロ
シアニン系又は多環キノン系顔料て、平均粒径が2終■
以下、特にlpm以下の粒状体として感光層中に分散含
有させたものがよい。
この場合感光体の光感度、メモリー現象、残留電位等の
電子写真特性がよりすぐれたものとなる。又前記アゾ系
顔料は、それ単独の感光層表面に負帯電したときの該層
中の電子移動速度が正帯電時より大きい(つまり負帯電
時の光感度が大きい)ものであるから、光照射発生電子
が感光層表面の正帯電を打ち消して高い光感度特性を発
揮することができる。
電子写真特性がよりすぐれたものとなる。又前記アゾ系
顔料は、それ単独の感光層表面に負帯電したときの該層
中の電子移動速度が正帯電時より大きい(つまり負帯電
時の光感度が大きい)ものであるから、光照射発生電子
が感光層表面の正帯電を打ち消して高い光感度特性を発
揮することができる。
特に正帯電型感光体の表面層中に用いられると光感度の
点から極めて有利なものとなる。
点から極めて有利なものとなる。
前記本発明に適するアゾ系顔料としては1例えば次の例
示化合物群[I]〜[TV]で示されるものがある。
示化合物群[I]〜[TV]で示されるものがある。
(1) Cp−N=N−A−N=N−Cpここでc
pはカプラー成分を示し、一般に知られているカプラー
成分はすべて用いることができる。
pはカプラー成分を示し、一般に知られているカプラー
成分はすべて用いることができる。
また、Aは、二価の結合基を示す。
cp及びAの具体例としては、下記のものが挙げられる
。
。
(Aの例)
などがある。
(n) Cp−N=N−AI−N=N−AI−N=N
−CpここでA r 、 A xは、芳香族あるいは、
ヘチロ環基を表す。具体的には、 などがある。
−CpここでA r 、 A xは、芳香族あるいは、
ヘチロ環基を表す。具体的には、 などがある。
リ
R2−R4は水素あるいは、塩素または臭素原子を示す
。またxlはヨウ素原子、N Ot、CNまたは−CC
H,等を示す。nは0,2.3または4の整数である。
。またxlはヨウ素原子、N Ot、CNまたは−CC
H,等を示す。nは0,2.3または4の整数である。
υ
X、は塩素、臭素またはヨウ素原子あるいはニトロ基、
シアノ基、アセチル基等を示す。nは0゜2.3または
4の整数である。
シアノ基、アセチル基等を示す。nは0゜2.3または
4の整数である。
より具体的には次の化合物が挙げられる。
(G−1)
(G−2)
(G−3)
(G−4)
(G−5)
(G−10)
(G−11)
ロ −^
Q=
υ(G−23) υ (G−24) 口 (G−25) (G−26) (G−27) (G−28) (G−29) (G−30) υ (G−31) (G−32) (G−33) (G−34) 電荷発生物質の分散手段としては適当な溶媒あるいはバ
インダーの溶液に前記電荷発生物質を加え、サンドミル
、ボールミル、超音波分散等の分散手段を用いることが
できる。
Q=
υ(G−23) υ (G−24) 口 (G−25) (G−26) (G−27) (G−28) (G−29) (G−30) υ (G−31) (G−32) (G−33) (G−34) 電荷発生物質の分散手段としては適当な溶媒あるいはバ
インダーの溶液に前記電荷発生物質を加え、サンドミル
、ボールミル、超音波分散等の分散手段を用いることが
できる。
適当な溶媒としては、1.2−ジクロロエタン、クロロ
フォルム、 1,1.1−)リクロロエタン、ジクロロ
メタン、アセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
フォルム、 1,1.1−)リクロロエタン、ジクロロ
メタン、アセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
電荷発生物質とバインダーとの混合比率は、電荷発生物
質100部に対しバインダーが10〜500部、好まし
くは30〜200部である。
質100部に対しバインダーが10〜500部、好まし
くは30〜200部である。
電荷発生層の膜厚は0.01〜1107zが好ましく、
より好ましくは0.05〜2JLIlである。
より好ましくは0.05〜2JLIlである。
本発明の電荷輸送層に用いられる電荷輸送物質としては
、トリアゾール誘導体(例えば特公昭34−5467号
)、オキサゾール誘導体(例えば同35−1125号)
、オキサジアゾール誘導体(例えば同34−5466号
)、ピラゾリン誘導体(例えば同34−to3si3号
)、イミダゾール誘導体(例えば同35−11215号
、同37−16096号)、フルオレノン誘導体(特開
昭52−128373号、同54−110837号)、
カルバゾール誘導体(例えば同54−59142号)更
に同58−134642号、同58−65440号等に
記載の物質が挙げられる。
、トリアゾール誘導体(例えば特公昭34−5467号
)、オキサゾール誘導体(例えば同35−1125号)
、オキサジアゾール誘導体(例えば同34−5466号
)、ピラゾリン誘導体(例えば同34−to3si3号
)、イミダゾール誘導体(例えば同35−11215号
、同37−16096号)、フルオレノン誘導体(特開
昭52−128373号、同54−110837号)、
カルバゾール誘導体(例えば同54−59142号)更
に同58−134642号、同58−65440号等に
記載の物質が挙げられる。
本発明において好ましい電荷輸送物質としては、下記一
般式(1)〜(7)に示されるような化合物が挙げられ
る。
般式(1)〜(7)に示されるような化合物が挙げられ
る。
一般式(1)
一般式(3)
R1?
一般式(5)
一般式(6)
上式中、R1−R4、R1−R2いR1,〜Rffi4
、]?ts〜R31S[lss〜R3,は、水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、ジアラルキルアミノ基、ニトロ基、またはメトキシ
基を表わし、R6はアルキル基、置換基を有してもよい
フェニル基、または置換基を宵してもよいナフチル基を
表わし、Rsは水素原子、アルキル基、シアノ基、また
は置換基を有してもよいフェニル基を表わし、R+sは
水素原子、置換基を有してもよいフェニル基、シアノ基
、またはアルキル基を表わし、 八rlは を表わしく式中R3,、R4゜、R41はアルキル基、
ベンジル基、フェニル基またはナフチル基(これらは各
々置換基を有してもよい)を表わし、Rawは水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ノ10ゲン原子、ヒドロ
キシ基、ジアラルキルアミノ基またはニトロ基を表わす
。)、Rms、R3tは水素原子またはフェニル基を表
わす。nは0又は正の整数を表わす。
、]?ts〜R31S[lss〜R3,は、水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、ジアラルキルアミノ基、ニトロ基、またはメトキシ
基を表わし、R6はアルキル基、置換基を有してもよい
フェニル基、または置換基を宵してもよいナフチル基を
表わし、Rsは水素原子、アルキル基、シアノ基、また
は置換基を有してもよいフェニル基を表わし、R+sは
水素原子、置換基を有してもよいフェニル基、シアノ基
、またはアルキル基を表わし、 八rlは を表わしく式中R3,、R4゜、R41はアルキル基、
ベンジル基、フェニル基またはナフチル基(これらは各
々置換基を有してもよい)を表わし、Rawは水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ノ10ゲン原子、ヒドロ
キシ基、ジアラルキルアミノ基またはニトロ基を表わす
。)、Rms、R3tは水素原子またはフェニル基を表
わす。nは0又は正の整数を表わす。
以下余白
具体例には、次の化合物が挙げられる。
本発明の電荷輸送層内の組成は上層及び下層ともバイン
ダー100重量部に対し、電荷輸送物質が25〜200
fi量部が好ましく、より好ましくは50〜100重量
部である。
ダー100重量部に対し、電荷輸送物質が25〜200
fi量部が好ましく、より好ましくは50〜100重量
部である。
バインダーとしては、上層及び下層とも電荷輸送物質と
の相溶性が高く、さらに透明性及び絶縁性の高いものが
よく、一般に電子写真感光体に用いられているものはす
べて用いることができ、例えばポリエステル樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、メチルメタ
クリレートスチレン共重合体樹脂、ポリ塩化ビニリデン
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。
の相溶性が高く、さらに透明性及び絶縁性の高いものが
よく、一般に電子写真感光体に用いられているものはす
べて用いることができ、例えばポリエステル樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂
、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、メチルメタ
クリレートスチレン共重合体樹脂、ポリ塩化ビニリデン
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。
電荷輸送層の塗布方法は前記下引層と同様に塗布する方
法が採用でき、これを下層と上層で2回行う方法、ある
いはスライド・ホッパー法等により、上下同時に塗布す
る方法を採ることができる。
法が採用でき、これを下層と上層で2回行う方法、ある
いはスライド・ホッパー法等により、上下同時に塗布す
る方法を採ることができる。
界面に凹凸を設ける手段としては上記塗布方法を採れば
一般に下層の表面が0.5 gm以上の凹凸を生じるた
め、この上に上層を塗布すれば特に問題なく、0.5μ
m以上の界面の凹凸を生ぜしめられるが、さらに大きな
凹凸(好ましくは2ルm以上の凹凸)を生ぜしめるため
には以下のような方法を採ることができる。
一般に下層の表面が0.5 gm以上の凹凸を生じるた
め、この上に上層を塗布すれば特に問題なく、0.5μ
m以上の界面の凹凸を生ぜしめられるが、さらに大きな
凹凸(好ましくは2ルm以上の凹凸)を生ぜしめるため
には以下のような方法を採ることができる。
■下層の塗布の際100cp以上の高粘度塗布腋を用い
、グラビア塗布を行う方法、 ■下層の塗布時にレチキュレーション、ブラッシング等
の塗布ムラを生じやすい条件を選び表面に凹凸をつける
方法。
、グラビア塗布を行う方法、 ■下層の塗布時にレチキュレーション、ブラッシング等
の塗布ムラを生じやすい条件を選び表面に凹凸をつける
方法。
■下層の塗布後、全屈ワイヤ、ファーブラシ等で該下層
に傷を付け、凹凸を生ぜしめた後、その上に上層を塗布
する。
に傷を付け、凹凸を生ぜしめた後、その上に上層を塗布
する。
■あるいはスライドホッパー法等による二層同時塗布に
おいて二層界面を乱す措置(例えば粘度差を設ける)を
採って塗布する等が挙げられる。
おいて二層界面を乱す措置(例えば粘度差を設ける)を
採って塗布する等が挙げられる。
上層下層の界面の凹凸のピッチは感光体最表面の凹凸の
ピッチに対し、11500〜l/2.好ましくは1/2
00〜1/10のピッチで凹凸があることが好ましく、
ピッチがこれ以上大きくても小さくても干渉縞を減少さ
せる効果が少ない。
ピッチに対し、11500〜l/2.好ましくは1/2
00〜1/10のピッチで凹凸があることが好ましく、
ピッチがこれ以上大きくても小さくても干渉縞を減少さ
せる効果が少ない。
電荷輸送層上層(下層)と下層(上y!:)のパイグー
の好ましい組合せとしては、ポリカーボネート樹脂とポ
リメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂とポリ
メチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂とポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂とポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂とポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリエステル樹脂とメチルメタクリレー
トスチレン共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂とメチ
ルメタクリレートスチレン共重合体樹脂が挙げられる。
の好ましい組合せとしては、ポリカーボネート樹脂とポ
リメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂とポリ
メチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂とポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂とポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂とポリ塩化ビ
ニリデン樹脂、ポリエステル樹脂とメチルメタクリレー
トスチレン共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂とメチ
ルメタクリレートスチレン共重合体樹脂が挙げられる。
上層、下層に用いる電荷輸送物質は同一であっても、ま
た異なったものでもよく、各々二種以上を併用してもよ
い、また上層、下層に用いるバインダーと電荷輸送物質
の比率も同一であっても又異なってもよい。
た異なったものでもよく、各々二種以上を併用してもよ
い、また上層、下層に用いるバインダーと電荷輸送物質
の比率も同一であっても又異なってもよい。
本発明において上記電荷輸送層の上層と下層は像様露光
に使用する光の波長下で屈折率が0.03〜0.3.好
ましくは0.05〜0.2の範囲内で異なる二腫の居で
ある。この範囲が0.03より小さいと干渉縞状の濃度
ムラを防ぐ効果が少なく、0.3より大きいと光散乱が
大きくなり、画像ボケ等が生じてしまう。
に使用する光の波長下で屈折率が0.03〜0.3.好
ましくは0.05〜0.2の範囲内で異なる二腫の居で
ある。この範囲が0.03より小さいと干渉縞状の濃度
ムラを防ぐ効果が少なく、0.3より大きいと光散乱が
大きくなり、画像ボケ等が生じてしまう。
本明細書において屈折率とは像様露光に使用する光の波
長下での値をいい、像様露光に使用する光としては、例
えばアルゴンレーザー、 He−Neレーザー光、半導
体レーザー光、LED等がある。
長下での値をいい、像様露光に使用する光としては、例
えばアルゴンレーザー、 He−Neレーザー光、半導
体レーザー光、LED等がある。
本発明において電荷輸送層の膜厚は全層で5〜50終履
が好ましく、より好ましくはlO〜304t+aである
。
が好ましく、より好ましくはlO〜304t+aである
。
なお本発明の応用として電荷輸送層を3層以上にするこ
とも考えられる。
とも考えられる。
[発明の効果]
本発明によれば良好な画像特性を保持しつつ。
かつ電子写真特性への影響を与えることなく干渉縞状の
ムラの発生を防止したレーザー露光用電子写真感光体を
提供することができる。
ムラの発生を防止したレーザー露光用電子写真感光体を
提供することができる。
[実施例]
以下に本発明の好ましい実施例を示すが、本発明はこれ
によって限定されるものではない。
によって限定されるものではない。
実施例!
ポリビニルホルマール樹脂(商品名:ビニレックし、チ
ッソ社製)10gを1.2−ジクロロエタン1.000
m1に溶解し、アルミニウムシリンダにディップ(浸漬
)塗布法により塗布して約0.1むlの膜厚の下引層を
形成した。
ッソ社製)10gを1.2−ジクロロエタン1.000
m1に溶解し、アルミニウムシリンダにディップ(浸漬
)塗布法により塗布して約0.1むlの膜厚の下引層を
形成した。
次に、ポリビニルホルマール樹脂(商品名:デンカホル
マール鮫0.’+7i気化学社製)5g、電荷発生物質
としてCG−7)10g、 1.2〜ジクロロエタン1
.000+o4をボールミル中で粉砕分散し、分散液を
得た。
マール鮫0.’+7i気化学社製)5g、電荷発生物質
としてCG−7)10g、 1.2〜ジクロロエタン1
.000+o4をボールミル中で粉砕分散し、分散液を
得た。
得られた分散液を前記下引層上にディップ法により塗布
し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0.2gmの
電荷発生層を形成した。
し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0.2gmの
電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂(パンライトに一1300帝
人化成社製) 120g、電荷輸送物質(c) 75g
を1゜2−ジクロロエタンL、Goo mlに溶解し、
ディップ塗布法により前記電荷発生層上に塗布する際し
。
人化成社製) 120g、電荷輸送物質(c) 75g
を1゜2−ジクロロエタンL、Goo mlに溶解し、
ディップ塗布法により前記電荷発生層上に塗布する際し
。
塗布液からドラムを引き上げた後、該ドラムを10rp
11の回転数で、1分間回転してレチキュレーシジンを
発生させた後、110″Cで10分間乾燥し、膜厚的1
107t、凹凸の大きさ約5ルI、平均ピッチ約500
1Lmの電荷輸送層第1層を形成した。
11の回転数で、1分間回転してレチキュレーシジンを
発生させた後、110″Cで10分間乾燥し、膜厚的1
107t、凹凸の大きさ約5ルI、平均ピッチ約500
1Lmの電荷輸送層第1層を形成した。
さらにポリメチルメタクリレート樹脂(アクリペラ)
VH,三菱レイヨン社製) 150g、電荷輸送物質(
c) 75g 、テトラヒドロフラン1,000 ra
nに溶解した塗布液をディップ塗布法により、前記電荷
輸送層第1層上に第2層を塗布し、110℃で10分間
乾燥して全膜厚21JL11の電荷輸送層を形成した。
VH,三菱レイヨン社製) 150g、電荷輸送物質(
c) 75g 、テトラヒドロフラン1,000 ra
nに溶解した塗布液をディップ塗布法により、前記電荷
輸送層第1層上に第2層を塗布し、110℃で10分間
乾燥して全膜厚21JL11の電荷輸送層を形成した。
尚、 630nmのモノクロ光子、7−2べ屈折計を用
いて別々に電荷輸送層の第1層とm2層の屈折率を測定
したところ、それぞれ1.57.1.49であった。ま
た感光体表面の凹凸の大きさは約1.8gm、平均ピッ
チは約lCwであった。
いて別々に電荷輸送層の第1層とm2層の屈折率を測定
したところ、それぞれ1.57.1.49であった。ま
た感光体表面の凹凸の大きさは約1.8gm、平均ピッ
チは約lCwであった。
このようにして得られた感光体を発振波長633■のヘ
リウム−ネオンレーザ−を有するレーf−プリンター実
験機に取付けて各種ドツトパターンによる中間調の画像
出しを行ったところ、干渉縞状のムラは見られなかった
。また、文字パターンなどのライン画像についてもシャ
ープな画像が得られた。
リウム−ネオンレーザ−を有するレーf−プリンター実
験機に取付けて各種ドツトパターンによる中間調の画像
出しを行ったところ、干渉縞状のムラは見られなかった
。また、文字パターンなどのライン画像についてもシャ
ープな画像が得られた。
比較例1
実施例1と同様にして電荷発生層まで形成した後、実施
例1の電荷輸送層第1層は形成せず、第2層の塗布液の
みを用いディップ塗布して約 20ルmの電荷輸送層を
形成して感光体を得た。この感光体の表面の凹凸の大き
さは約2.0 、LLll 、平均ピッチは約1.2
cmであった。
例1の電荷輸送層第1層は形成せず、第2層の塗布液の
みを用いディップ塗布して約 20ルmの電荷輸送層を
形成して感光体を得た。この感光体の表面の凹凸の大き
さは約2.0 、LLll 、平均ピッチは約1.2
cmであった。
上記感光体を実施例1と同じ実験機に取付けて画像出し
を行ったところ、文字パターンなどのライン画像につい
てはシャープな画像が得られたが、各種ドツトパターン
による中間調の画像には干渉縞状ムラが見られた。
を行ったところ、文字パターンなどのライン画像につい
てはシャープな画像が得られたが、各種ドツトパターン
による中間調の画像には干渉縞状ムラが見られた。
実施例2
アルミ蒸5 PETベース(メタルミー#75.東洋メ
タライジング社製)に下記のようにして感光層を形成し
た。
タライジング社製)に下記のようにして感光層を形成し
た。
先ず、ポリビニルホルマール樹脂(商品名:ビニレック
に、チッソ社製)10gを1.2−ジクロロエタン1,
000腸文に溶解し、上記アルミ蒸着PETベース上に
ロールコータ−塗布し、膜厚0.18 #Lmの下引層
を形成した。
に、チッソ社製)10gを1.2−ジクロロエタン1,
000腸文に溶解し、上記アルミ蒸着PETベース上に
ロールコータ−塗布し、膜厚0.18 #Lmの下引層
を形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(商品名:パンライ)
L−1250,奇人化成社製) 5g、電荷発生物質と
して(G−12) 10 g、 1.2−ジクロロエタ
ン1.000膳文をサンドグラインダー中で4時間粉砕
分散し、分散液を得た。得られた分散液を上記下引層上
にロールコータ−塗布法により、膜厚的0.217Lm
の電荷発生層を形成した。
L−1250,奇人化成社製) 5g、電荷発生物質と
して(G−12) 10 g、 1.2−ジクロロエタ
ン1.000膳文をサンドグラインダー中で4時間粉砕
分散し、分散液を得た。得られた分散液を上記下引層上
にロールコータ−塗布法により、膜厚的0.217Lm
の電荷発生層を形成した。
次にスチレン−メチルメタクリレート(重量組成比2:
8)の共重合樹脂100g、電荷輸送物質(a) 75
gを1.2−ジクロロエタン1’、000 anに溶解
し、電荷輸送層gSIFm布液とし、さらにポリカーボ
ネート樹脂(商品名:パンライトに−1300)120
g、電荷輸送物質(a) 80gを1.2−ジクロロエ
タン1,0001文に溶解し、電荷輸送層第2層液とし
た。
8)の共重合樹脂100g、電荷輸送物質(a) 75
gを1.2−ジクロロエタン1’、000 anに溶解
し、電荷輸送層gSIFm布液とし、さらにポリカーボ
ネート樹脂(商品名:パンライトに−1300)120
g、電荷輸送物質(a) 80gを1.2−ジクロロエ
タン1,0001文に溶解し、電荷輸送層第2層液とし
た。
そしてこれら二種の塗布液を二つのスリットを有するス
ライドホッパーにて、上、下層を同時塗布を行った。こ
の際塗布液の粘度はそれぞれ42cp、 84cpであ
り、二層界面は4塗布時に凹凸を生じた。
ライドホッパーにて、上、下層を同時塗布を行った。こ
の際塗布液の粘度はそれぞれ42cp、 84cpであ
り、二層界面は4塗布時に凹凸を生じた。
電子写真顕微鏡による断層写真により二層の界面の凹凸
の大きさは約3.5 grsであることが確認され、感
光層全膜厚は約 18ル膿であった。
の大きさは約3.5 grsであることが確認され、感
光層全膜厚は約 18ル膿であった。
又実施例1と同様にして各層の屈折率をそれぞれ測足し
たところ790nmのモノクロ光子で、下層のB折率は
1.51及び上層の屈折率は1.57であった。
たところ790nmのモノクロ光子で、下層のB折率は
1.51及び上層の屈折率は1.57であった。
このようにして得られた感光体を適当な大きさに裁断後
、超音波融着を行ってエンドレスベルト状とした。
、超音波融着を行ってエンドレスベルト状とした。
この感光体ベルトを発振波長7901層の半導体レーザ
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、干
渉縞状のムラはまったく見られなかった。また文字パタ
ーンなどのライン画像についてもシャープな画像が得ら
れた。
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、干
渉縞状のムラはまったく見られなかった。また文字パタ
ーンなどのライン画像についてもシャープな画像が得ら
れた。
比較例2
実施例2と同様にして電荷発生層まで形成し。
実施例2の電荷輸送層ml居は形成せず、第2居の塗布
液のみをスライドホッパーにて塗布し、感光層の膜厚約
19井璽を得た。
液のみをスライドホッパーにて塗布し、感光層の膜厚約
19井璽を得た。
こうして得られた感光体の表面の凹凸の大きさは約2.
2 p−mであった。この感光体をエンドレスベルト状
とした。
2 p−mであった。この感光体をエンドレスベルト状
とした。
この感光体ベルトを発振波長790n+oの半導体レー
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出
しを行ったところ、文字パターンなどのライン画像につ
いてはシャープな画像が得られた。しかし各種ドツトパ
ターンによる中間調の画像には干渉縞状のムラが見られ
、ドツトパターンによっては強く現われる場合もあった
。
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出
しを行ったところ、文字パターンなどのライン画像につ
いてはシャープな画像が得られた。しかし各種ドツトパ
ターンによる中間調の画像には干渉縞状のムラが見られ
、ドツトパターンによっては強く現われる場合もあった
。
実施例3
実施例2において、電荷発生物質と電荷輸送物質の組み
合わせを次頁表−1のようにした外は。
合わせを次頁表−1のようにした外は。
同様にしてエンドレスベルト状感光体を得た。
この感光体ベルトを発振波長790nmの半導体レーザ
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、い
ずれの組み合わせの場合にもやはり干渉縞状のムラは見
られなかった。また文字パターンなどのライン画像につ
いてもシャープな画像が得られた。
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、い
ずれの組み合わせの場合にもやはり干渉縞状のムラは見
られなかった。また文字パターンなどのライン画像につ
いてもシャープな画像が得られた。
比較例3
実施例1と全く同様にして電荷発生層まで形成した。た
だし電荷輸送層上層には、平均粒径o、11ル璽のシリ
カ粉末を含有させ、上層に光散乱機能を持たせたエンド
レスベルト状感光体を得た。
だし電荷輸送層上層には、平均粒径o、11ル璽のシリ
カ粉末を含有させ、上層に光散乱機能を持たせたエンド
レスベルト状感光体を得た。
この感光体ベルトを発振波長790!1層の半導体レー
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出
しを行ったところ、各種ドツトパターンによる中間調画
像には干渉縞状ムラは見られなかったが、文字パターン
などのライン画像についてはボケ、にじみ等のある不鮮
明な画像しか得られなかった。
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出
しを行ったところ、各種ドツトパターンによる中間調画
像には干渉縞状ムラは見られなかったが、文字パターン
などのライン画像についてはボケ、にじみ等のある不鮮
明な画像しか得られなかった。
比較例3
実施例1と全く同様にして電荷発生層まで形成した。た
だし電荷輸送層上層には、平均粒径0.11gmのシリ
カ粉末を含有させ、上層に光散乱機能を持たせたエンド
レスベルト状感光体を得た。
だし電荷輸送層上層には、平均粒径0.11gmのシリ
カ粉末を含有させ、上層に光散乱機能を持たせたエンド
レスベルト状感光体を得た。
この感光体ベルトを発振波長790nmの半導体レーザ
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出し
を行ったところ、各種ドツトパターンによる中間調画像
には干渉縞状ムラは見られなかったが1文字パターンな
どのライン画像についてはボケ、にじみ等のある不鮮明
な画像しか得られなかった。
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出し
を行ったところ、各種ドツトパターンによる中間調画像
には干渉縞状ムラは見られなかったが1文字パターンな
どのライン画像についてはボケ、にじみ等のある不鮮明
な画像しか得られなかった。
比較例4
電荷輸送層第2層の樹脂をポリスチレン樹脂(スタイロ
ン685.旭ダウ社製)に代えた以外は実施例1と全、
く同様にして感光体を作成した。
ン685.旭ダウ社製)に代えた以外は実施例1と全、
く同様にして感光体を作成した。
この際830nmのモノクロ光子で電荷輸送層第2層の
屈折率を測定したところ1.59であった。
屈折率を測定したところ1.59であった。
こうして作成された感光体を実施例1と全く同様にして
評価したところ1文字パターン等のライン画像はシャー
プな画像が得られたが、中間調の画像に干渉縞状のムラ
が見られた。
評価したところ1文字パターン等のライン画像はシャー
プな画像が得られたが、中間調の画像に干渉縞状のムラ
が見られた。
比較例5
電荷輸送層第1層形成に際し、特にレチキュレーション
を発生させなかった他は、実施例1と全く同様にして感
光体を作成した。
を発生させなかった他は、実施例1と全く同様にして感
光体を作成した。
この際電荷輸送層第1層の平均膜厚は約11終脂で、凹
凸の大きさ約0.3終鳳、平均ピッチ3c+aであった
。
凸の大きさ約0.3終鳳、平均ピッチ3c+aであった
。
こうして作成された感光体を実施例1と全く同様にして
評価したところ1文字パターン等のライン画像はシャー
プな画像が得られたが、中間調の画像に干渉縞状のムラ
が見られた。
評価したところ1文字パターン等のライン画像はシャー
プな画像が得られたが、中間調の画像に干渉縞状のムラ
が見られた。
比較例6
ポリビニルホルブール樹脂(商品名:ビニレックL、チ
ッソ社製) 25g 、二酸化チタン微粉末(平均粒径
4.2pm ) 25gを1.2−ジクロロエタン10
00a+JL中で分散し、アルミニウムシリンダにディ
ップ塗布法により塗布して、平均膜厚4.2pm平均表
面粗さ2.17zmの下引層を形成した。
ッソ社製) 25g 、二酸化チタン微粉末(平均粒径
4.2pm ) 25gを1.2−ジクロロエタン10
00a+JL中で分散し、アルミニウムシリンダにディ
ップ塗布法により塗布して、平均膜厚4.2pm平均表
面粗さ2.17zmの下引層を形成した。
この下引層上に実施例1と全く同様にして電荷発生層を
形成し、更に比較例1と全く同様にして電荷輸送層を形
成した。
形成し、更に比較例1と全く同様にして電荷輸送層を形
成した。
こうして得られた感光層下部に平均2.1pmの凹凸を
有する感光体を実施例1と全く同様にして評価したとこ
ろ、実施例1の感光体では適性画像濃度を得るのに1.
3+eWのレーザー出力が必要であったのに対し、 4
.2+sWのレーザー出力を要した。
有する感光体を実施例1と全く同様にして評価したとこ
ろ、実施例1の感光体では適性画像濃度を得るのに1.
3+eWのレーザー出力が必要であったのに対し、 4
.2+sWのレーザー出力を要した。
第1図〜第6図は本発明の電子写真感光体の層構成の実
施態様を示す概略断面図である。
施態様を示す概略断面図である。
Claims (1)
- (1)導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層を有する
電子写真感光体において、該電荷輸送層が像様露光に使
用する光の波長下で屈折率が0.03〜0.3の範囲内
で異なる二種の層から成り、二種の層の界面が0.5μ
m以上の凹凸を有し、像様露光が該界面を透過すること
により、凹凸に応じて位相差を生じることを特徴とする
電子写真感光体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-110266 | 1986-05-13 | ||
JP11026686 | 1986-05-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63113461A true JPS63113461A (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=14531329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13553986A Pending JPS63113461A (ja) | 1986-05-13 | 1986-06-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63113461A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009020278A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
JP2017062385A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置用ユニット、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び電子写真感光体 |
WO2020022385A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体および画像形成装置 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13553986A patent/JPS63113461A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009020278A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
JP2017062385A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置用ユニット、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び電子写真感光体 |
WO2020022385A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体および画像形成装置 |
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