JPS63112489A - Production apparatus for single crystal - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、超電導磁石による磁界印加下で単結晶を引上
げる単結晶製造装置に係る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a single crystal manufacturing apparatus for pulling a single crystal under the application of a magnetic field by a superconducting magnet.
(従来の技4!i)
従来のシリコン等の単結晶の製造装置としては、CZ法
(チョクラルスキー法)による装置が知られており、こ
のCZ法はルツボ内で溶融された多結晶の溶融体の表面
に種子結晶を接触させ、次に種子結晶を回転させながら
ゆっくり引上げて111結晶を成長させる装置である。(Conventional Technique 4!i) As a conventional manufacturing device for single crystals such as silicon, a device using the CZ method (Czochralski method) is known. This device brings a seed crystal into contact with the surface of a melt, and then slowly pulls up the seed crystal while rotating it to grow a 111 crystal.
この場合、溶融体には、ルツボを介して溶融体の側方か
ら加えられる熱による熱対流、又は種子結晶の回転によ
る溶融体の表層部の遠心方向へ強制対流等の循環流が生
ずる。この循環流は単結晶が成長する界面に温度のゆら
ぎをもたらし、その結果、成長した単結晶の内部に不純
物含有率、特性等の不均一性および結晶の欠陥を生じさ
せるなどの悪影響を及ぼす。In this case, a circulation flow is generated in the melt, such as thermal convection due to heat applied from the side of the melt through the crucible, or forced convection in the centrifugal direction of the surface layer of the melt due to rotation of the seed crystal. This circulating flow causes temperature fluctuations at the interface where the single crystal grows, resulting in adverse effects such as non-uniformity in impurity content, properties, etc., and crystal defects within the grown single crystal.
そこで、溶融体がシリコンのような導電性を有する物質
である場合には、溶融体に対して磁界をほぼ水平方向に
加えることにより、溶融体に磁気粘性を生じさせて溶融
体のv1環流を抑制する。この水平磁界を加える手段と
しては、消費電力が少ない等の経済的な観点から、掘低
温下に冒かれた超電導磁石が使用されている。Therefore, if the melt is a conductive substance such as silicon, applying a magnetic field to the melt in a nearly horizontal direction will generate magnetic viscosity in the melt and increase the v1 reflux of the melt. suppress. As a means for applying this horizontal magnetic field, a superconducting magnet that has been exposed to low drilling temperatures is used from an economic point of view, such as low power consumption.
(発明が解決しようとする問題点)
通常、超電導磁石は、超電導材料により製作される超電
導コイルと、このコイルを極低温に保持する手段(クラ
イオスタット)とから構成されており、クライオスタッ
トには、コイルを極低温に保持するために通常液体ヘリ
ウムが使用されているので、この液体ヘリウムの蒸発に
よる損失が多く運転コストが高い等の問題がある。(Problem to be solved by the invention) A superconducting magnet usually consists of a superconducting coil made of superconducting material and a means (cryostat) for maintaining this coil at an extremely low temperature. Since liquid helium is usually used to maintain the liquid helium at an extremely low temperature, there are problems such as high losses due to evaporation of this liquid helium and high operating costs.
特に、単結晶の取り出し、ルツボの交換等の作業毎に、
その作業性を良好にするためにクライオスタットを移動
し、当該作業時に不要な磁界を消磁、減磁すべくクライ
オスタットを移動する度にクライオスタット内の超電導
磁石に供給されている電流の通電及びしゃ断が行なわれ
る場合は、超電導磁石が励磁状態から消磁、減磁状態に
又はその逆に切換られ、その切換え時に超電導状態にあ
るサーマルスイッチを加熱する必要があり、この熱によ
って液体ヘリウムの蒸発損が増加する等の問題がある。In particular, for each work such as taking out a single crystal and replacing the crucible,
In order to improve the workability, the cryostat is moved, and the current supplied to the superconducting magnet in the cryostat is turned on and off each time the cryostat is moved to demagnetize and demagnetize unnecessary magnetic fields during the work. When a superconducting magnet is switched from an energized state to a demagnetized or demagnetized state or vice versa, it is necessary to heat the thermal switch in the superconducting state at the time of switching, and this heat increases the evaporation loss of liquid helium. There are other problems.
本発明は以上の問題点を解決し、クライオスタットの液
体ヘリウムの消費量を低下せしめ、運転コストが安い単
結晶製造装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, reduce the amount of liquid helium consumed in a cryostat, and provide a single crystal manufacturing apparatus with low operating costs.
(問題点を解決するための手段)
本発明の前記目的は、次の構成によって達成される。す
なわち、円筒状ルツボと、このルツボの外側において前
記ルツボの中心軸と同心に配置されており、前記ルツボ
内の導電性を有する物質を溶融するための環状の加熱手
段と、前記中心軸に関して対称に対向して位置しており
、前記物質に水平磁界を加える一対のコイルと、中に液
体ヘリウムが満たされており、前記一対のコイルを前記
液体ヘリウムに浸漬した状態で収納した容器と、この容
器との間に間隔を持って前記容器を中に吊り下げており
、前記中心軸に沿って移動自在に支持されたクライオス
タット枠と、前記容器と前記クライオスタット枠とが接
触しないように前記クライオスタット枠を前記中心軸に
沿って移動させる移動手段とからなることを特徴とする
単結晶装造装置、および円筒状ルツボと、このルツボの
外側において前記ルツボの中心軸と同心に配置されてお
り、前記ルツボ内の導電性を有する物質を溶融するため
の環状の加熱手段と、前記中心軸に関して対称に対向し
て位置しており、前記物質に水平磁界を加える一対のコ
イルと、中に液体ヘリウムが満たされており、前記一対
のコイルを前記液体ヘリウムに浸漬した状態で収納した
容器と、この容器との間に間隔を持って前記容器を中に
吊り下げており、前記中心軸に沿って移動自在に支持さ
れたクライオスタット枠と、前記一対のコイルを超電導
状態とすべく、前記一対のコイルにスイッチを介して電
流を加える直流電源とからなることを特徴とする単結晶
製造装置である。(Means for solving the problems) The above object of the present invention is achieved by the following configuration. That is, a cylindrical crucible, an annular heating means arranged outside the crucible concentrically with the central axis of the crucible and for melting a conductive substance in the crucible, and symmetrical with respect to the central axis. a pair of coils located opposite to each other and applying a horizontal magnetic field to the substance; a container filled with liquid helium and housing the pair of coils immersed in the liquid helium; A cryostat frame, in which the container is suspended with a space between the container and the cryostat frame is movably supported along the central axis; a cylindrical crucible, and a cylindrical crucible arranged concentrically with the central axis of the crucible on the outside of the crucible; an annular heating means for melting a conductive substance in the crucible; a pair of coils located symmetrically opposite to each other with respect to the central axis and applying a horizontal magnetic field to the substance; and a liquid helium inside. The container is suspended inside with a gap between the container filled with the coil and containing the pair of coils immersed in the liquid helium, and the container is moved along the central axis. This single crystal manufacturing apparatus is characterized by comprising a freely supported cryostat frame and a DC power source that applies current to the pair of coils via a switch in order to bring the pair of coils into a superconducting state.
(具体例)
以下、本発明の装置を図に示す1具体例について説明す
る。(Specific Example) Hereinafter, one specific example of the apparatus of the present invention shown in the drawings will be described.
第1図及び第2図は、CZ法による単結晶!WI造装置
を示す縦断面図と、部分平面図である。第1図及び第2
図において、シリコンのような導電性を有する物質から
なる溶融体1は、架台2の上に設置されたルツボ3に満
たされており、ルツボ3の側方に配設されたヒータ4に
より加熱され常に溶融状態が保たれている。この溶融体
1中に引上駆動機構5によって支持された種結晶6が浸
漬されており、引上げ駆1.jl R構5が種結晶6を
回転させながら上方に所定速度で引き上げてゆくと、固
体−液界面境界層1において結晶が成長し単結晶8が育
成される。これらのルツボ3、ヒータ4、単結晶8等は
チャンバ9内に収納されている。Figures 1 and 2 are single crystals produced by the CZ method! FIG. 1 is a vertical cross-sectional view and a partial plan view showing the WI manufacturing equipment. Figures 1 and 2
In the figure, a melt 1 made of a conductive substance such as silicon is filled in a crucible 3 placed on a pedestal 2, and is heated by a heater 4 placed on the side of the crucible 3. It is always kept in a molten state. A seed crystal 6 supported by a pulling drive mechanism 5 is immersed in this melt 1, and a pulling drive 1. When the R structure 5 rotates the seed crystal 6 and pulls it upward at a predetermined speed, a crystal grows in the solid-liquid interface boundary layer 1 and a single crystal 8 is grown. These crucible 3, heater 4, single crystal 8, etc. are housed in a chamber 9.
結晶育成時溶融体1には、ヒータ4の加熱によって熱対
流10が誘起されるので、この熱対流10を抑制するた
めに超電導コイル11によって溶融体1に直流平行磁界
を加え、溶融体1に磁気粘性を生ビさせる。このコイル
11には直流電源35(第4図)が接続されており、こ
の直流電源35から適宜に電流コイル11に供給される
。また、コイル11は超電導磁石を構成すべく、コイル
11は液体ヘリウム12の中に浸漬されており、この液
体ヘリウム12はクライオスタット13の中に収容され
ている。このクライオスタット13の形状はチャンバ1
1の周囲を包囲するように環状をなす一体型である。During crystal growth, thermal convection 10 is induced in the melt 1 by the heating of the heater 4, so in order to suppress this thermal convection 10, a DC parallel magnetic field is applied to the melt 1 by the superconducting coil 11. Make magnetic viscosity raw. A DC power supply 35 (FIG. 4) is connected to this coil 11, and current is supplied to the coil 11 from this DC power supply 35 as appropriate. Further, the coil 11 is immersed in liquid helium 12 so as to constitute a superconducting magnet, and this liquid helium 12 is housed in a cryostat 13. The shape of this cryostat 13 is that chamber 1
It is an integral type having an annular shape surrounding the periphery of 1.
また、クライオスタット13は上下方向に移動自在に垂
直軸14に支持されており、クライオスタット駆動機1
5によって適宜に移動される。垂直@14及び駆動機1
5は支柱16に支持されており、これらの構成によって
、クライオスタット13を、単結晶8の取り出し、ルツ
ボ3の交換等の作業時にその作業性を良好にするために
チャンバ9に対向する位置から下降させ、第1図中17
の位置に保持し得る、言い変えれば、単結晶育成時のみ
クライオスタット13をチャンバ9に対向する位置に上
νlさせ得る。Further, the cryostat 13 is supported by a vertical shaft 14 so as to be movable in the vertical direction, and the cryostat drive machine 1
5 to move as appropriate. Vertical @14 and drive 1
5 is supported by pillars 16, and these structures allow the cryostat 13 to be lowered from a position facing the chamber 9 in order to improve workability during operations such as taking out the single crystal 8 and replacing the crucible 3. 17 in Figure 1
In other words, the cryostat 13 can be moved upward to a position facing the chamber 9 only during single crystal growth.
第3図は、超電導コイルを収納したクライオスタットの
部分縦断面図であり、第1図と同一部分には同一符号を
付してその説明を省略する(第4図においても同様。)
液体ヘリウム12は、薄いステンレス鋼板で構成される
液体ヘリウム容器20に収納され、この液体ヘリウム容
器20は20′に熱シールド板21及び80′に熱シー
ルド板22によって熱しゃ敵されている。さらに、前述
の液体ヘリウム容器20.20″に熱シールド板21及
び80″に熱シールド板22の集合体はクライオスタッ
ト外枠23内に収納されており、かつこれらは互いに間
隔を保ちつつ支持棒24によってクライオスタット外枠
23から吊り下げられている。また、クライオスタット
外枠23の上に載置された二段ヘリウム冷凍機25は熱
シールド電熱軸26を介して20@にy熱シールド板2
1を冷却する。FIG. 3 is a partial vertical cross-sectional view of a cryostat housing a superconducting coil, and the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals and their explanations are omitted (the same applies to FIG. 4).Liquid helium 12 is housed in a liquid helium container 20 made of a thin stainless steel plate, and this liquid helium container 20 is thermally insulated by a heat shield plate 21 at 20' and a heat shield plate 22 at 80'. Further, the above-mentioned liquid helium container 20.20'', heat shield plate 21, 80'', and heat shield plate 22 are housed in the cryostat outer frame 23, and these are spaced apart from each other by the support rod 24. It is suspended from the cryostat outer frame 23 by. In addition, the two-stage helium refrigerator 25 placed on the cryostat outer frame 23 is connected to the y heat shield plate 20@ via the heat shield electric heating shaft 26.
Cool 1.
第4図は超電導コイルの作動説明図であり、本図によっ
て以下に超電導磁石の作動を励磁工程と消磁工程に分け
て説明する。FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of the superconducting coil, and with reference to this diagram, the operation of the superconducting magnet will be explained below by dividing into an excitation process and a demagnetization process.
a) 励磁工程
液体ヘリウム12に浸漬された一イル11は極低温に保
持された状態において、サーマルスイッチ31内に設け
られた加熱ヒータ32に直流電源33によって通電し、
超電導ワイヤ34を加熱することによってサーマルスイ
ッチ31をOFF (常電導状態)にした後、直流電源
35によってコイル11を単結晶育成に必要な!i場を
出力するまで励磁する。この状態で直流電源33からの
通電を停止すると、超電導ワイヤ34の加熱が停止し、
サーマルスイッチ31がON(超電導状態)となりコイ
ル11は永久電流モードとなる。この模で、直流電源3
5の通電を停止する。a) Excitation process While the coil 11 immersed in liquid helium 12 is kept at an extremely low temperature, the heater 32 provided in the thermal switch 31 is energized by the DC power supply 33.
After the thermal switch 31 is turned OFF (normal conduction state) by heating the superconducting wire 34, the coil 11 is turned off by the DC power supply 35, which is necessary for single crystal growth. Excite until it outputs an i field. When the power supply from the DC power source 33 is stopped in this state, the heating of the superconducting wire 34 is stopped.
The thermal switch 31 is turned ON (superconducting state), and the coil 11 enters the persistent current mode. In this model, DC power supply 3
5. Stop the power supply.
b)8’l磁工程
コイル11が永久電流モードにある状態において、まず
、直流電源35の電圧をコイル11の励磁に必要な電圧
まで昇圧させた後、前述と同様の操作でサーマルスイッ
チ31をOFFとすると、コイル11を流れる永久電流
は直流電源35の方へ流れる。次に、この直流電源35
の電圧を減らし最終的に0とし、直流電源33の通電を
停止して消磁工程が完了する。b) With the 8'l magnetic process coil 11 in the persistent current mode, first increase the voltage of the DC power supply 35 to the voltage required to excite the coil 11, and then turn on the thermal switch 31 in the same manner as described above. When turned off, the persistent current flowing through the coil 11 flows toward the DC power supply 35. Next, this DC power supply 35
The voltage is finally reduced to 0, and the DC power supply 33 is turned off to complete the demagnetization process.
以上の励磁工程及び消磁工程においては、サーマルスイ
ッチ31内の加熱ヒータ32が発生する熱によって液体
ヘリウム12の蒸発量が増加する。このような液体ヘリ
ウム12の消費用を減らすために、単結晶の取り出し、
ルツボの交換等の作業時にその作業性を良好とするため
にクライオスタットを移動する時においても、コイル1
1を消磁せずに、励磁状態のまま保持するのが好ましい
。In the above excitation process and demagnetization process, the amount of evaporation of the liquid helium 12 increases due to the heat generated by the heater 32 in the thermal switch 31. In order to reduce the consumption of such liquid helium 12, single crystal extraction,
Even when moving the cryostat to improve workability during work such as replacing the crucible, the coil 1
It is preferable to hold magnet 1 in an excited state without demagnetizing it.
このように、励磁状態のままコイル11を移動する時は
、コイル11の強磁界にざらされる本装置の固定部品は
強磁性材料でないもので構成するのが好ましく、特に滑
動部、暦勤部、回転軸部については強磁性材料でないも
のを使用するのが好ましい。なぜならば、固定部品に強
磁性材料を使用すると、磁界によって固定部品とクライ
オスタットの間に吸引力又は反ばつ力が不均一に生じ、
クライオスタットの滑動部、摺動部2回転軸受部等の作
動がいわゆるカジリによって茗しく阻害されるからであ
る。止むを得ず磁性材料を使用する場合においては、例
えば、ボールベアリングには、砲金、非磁性ステンレス
、硬質黒鉛、並びに硬質黒鉛及び軟質黒鉛等の併用等の
非磁性材料を、硬鋼軸には非磁性高強度ステンレス鋼を
使用するのがよい。また、電動モータは油圧モータに置
換するのがよく、電動モータを使用するときでも、モー
タ周辺磁界が約500ガウス以下、要すれば300ガウ
ス以下の適当な弱磁界位置がある場合にあっては、延長
軸、ベルト等を使用して電動モータを当該弱磁界位置に
設置し、前記適当な弱磁界位置がない場合にあっては、
電導モータを適宜な磁界しゃ断手段によって覆うのが好
ましい。In this way, when the coil 11 is moved in an excited state, it is preferable that the fixed parts of this device that are exposed to the strong magnetic field of the coil 11 be made of non-ferromagnetic materials, especially the sliding parts and the calendar parts. It is preferable to use a material other than ferromagnetic material for the rotating shaft portion. This is because when a ferromagnetic material is used for the fixed part, the magnetic field creates uneven attractive or repulsive forces between the fixed part and the cryostat.
This is because the operation of the sliding portion of the cryostat, the sliding portion two-rotation bearing portion, etc. is severely hindered by so-called galling. If it is unavoidable to use magnetic materials, for example, non-magnetic materials such as gunmetal, non-magnetic stainless steel, hard graphite, or a combination of hard graphite and soft graphite should be used for ball bearings, and non-magnetic materials such as a combination of hard graphite and soft graphite should be used for ball bearings. It is best to use non-magnetic high strength stainless steel. Also, it is better to replace the electric motor with a hydraulic motor, and even when using an electric motor, if there is a suitable weak magnetic field position where the magnetic field around the motor is about 500 Gauss or less, preferably 300 Gauss or less. , install the electric motor in the weak magnetic field position using an extension shaft, belt, etc., and if there is no suitable weak magnetic field position,
Preferably, the electrically conductive motor is covered by suitable magnetic field interrupting means.
また、クライオスタット13を上下に移動する場合に、
クライオスタット13に傾斜変動を与えると、支持棒2
4のたわみや、液体ヘリウム容器20の変形等によって
、液体ヘリウム容器20と20′に熱シールド板21と
が接近又は接触し、液体ヘリウム容器20内への熱の侵
入が増大する。その結果、液体ヘリウムの損失をもたら
す。このクライオスタット13の傾斜変動の許容値は、
クライオスタット外枠23.20″K、80’に各熱シ
ールド21,22.液体ヘリウム容器20の各寸法に依
存するが、通常は、液体ヘリウム容器20と206に熱
シールド21どの間隔は10 Cm程度、液体ヘリウム
容器20の高さが1TrL程度であることから、クライ
オスタット13が0.6°の傾斜変動で上下に移動した
とすると、液体ヘリウム容器20と20″に熱シールド
21との間隔は1cI!1程度、約10%減少すること
になる。実験によれば、クライオスタット13に0.6
°以上の傾斜変動を与えて上下させた場合に液体ヘリウ
ムの消費1が増大するということがわかった。Also, when moving the cryostat 13 up and down,
When a tilt change is applied to the cryostat 13, the support rod 2
4, deformation of the liquid helium container 20, etc., the heat shield plate 21 approaches or comes into contact with the liquid helium containers 20 and 20', and the intrusion of heat into the liquid helium container 20 increases. The result is a loss of liquid helium. The allowable value of the tilt fluctuation of this cryostat 13 is:
Each heat shield 21, 22 is attached to the cryostat outer frame 23.20''K, 80'.It depends on the dimensions of the liquid helium container 20, but normally the distance between the heat shields 21 and the liquid helium containers 20 and 206 is about 10 cm. Since the height of the liquid helium container 20 is about 1 TrL, if the cryostat 13 moves up and down with a tilt change of 0.6°, the distance between the liquid helium containers 20 and 20'' and the heat shield 21 is 1 cI. ! 1, or approximately 10%. According to the experiment, 0.6 in cryostat 13
It has been found that the consumption of liquid helium 1 increases when the tilt is varied by more than 100 degrees when moving up and down.
したがって、クライオスタット13の移動手段としての
垂直軸14、クライオスタット駆動機15は、クライオ
スタット13を上下に移動させる時にクライオスタット
の傾斜変動を0.6°以下に抑えるように構成するのが
好ましい。具体的には、クライオスタンド13を支持す
る垂直軸14を3本以上設けることによって、3ケ所以
上でクライオスタット13を支持し、かつ駆動機15は
垂直軸14の各1個に対して1個づつ設けるのが好まし
い。当然の如く、クライオスタット13の摺動部、滑動
部1回転軸受部の工作精度は十分に良好であるのが好ま
しい。Therefore, it is preferable that the vertical shaft 14 and the cryostat driver 15, which serve as moving means for the cryostat 13, be configured so as to suppress the tilt fluctuation of the cryostat to 0.6° or less when moving the cryostat 13 up and down. Specifically, by providing three or more vertical shafts 14 that support the cryostand 13, the cryostat 13 is supported at three or more locations, and one drive machine 15 is provided for each vertical shaft 14. It is preferable to provide one. As a matter of course, it is preferable that the working accuracy of the sliding part of the cryostat 13 and the sliding part one rotation bearing part be sufficiently good.
(本発明の効果〉
本発明の装置によれば、クライオスタットの液体ヘリウ
ムの損失量を低下せしめ、運転コストが安い単結晶製造
装置を提供し得る。(Effects of the Present Invention) According to the apparatus of the present invention, it is possible to reduce the loss amount of liquid helium in the cryostat and provide a single crystal manufacturing apparatus with low operating costs.
第1図は本発明の装置の1具体例の縦断面図、第2図は
本発明の装置の1具体例の部分平面図、第3図はクライ
オスタットの部分縦断面図及び第4図は超電導コイルの
作動説明図である。FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view of one specific example of the device of the present invention, FIG. 2 is a partial plan view of one specific example of the device of the present invention, FIG. 3 is a partial vertical cross-sectional view of a cryostat, and FIG. 4 is a superconducting FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of the coil.
Claims (4)
ルツボの中心軸と同心に配置されており、前記ルツボ内
の導電性を有する物質を溶融するための環状の加熱手段
と、前記中心軸に関して対称に対向して位置しており、
前記物質に水平磁界を加える一対のコイルと、中に液体
ヘリウムが満たされており、前記一対のコイルを前記液
体ヘリウムに浸漬した状態で収納した容器と、この容器
との間に間隔を持つて前記容器を中に吊り下げており、
前記中心軸に沿つて移動自在に支持されたクライオスタ
ット枠と、前記容器と前記クライオスタット枠とが接触
しないように前記クライオスタット枠を前記中心軸に沿
って移動させる移動手段とからなることを特徴とする単
結晶製造装置。(1) a cylindrical crucible; an annular heating means disposed outside the crucible concentrically with the central axis of the crucible for melting a conductive substance within the crucible; Located symmetrically opposite each other,
A pair of coils that apply a horizontal magnetic field to the substance, a container filled with liquid helium, and a container in which the pair of coils are immersed in the liquid helium, and a space provided between the container and the container. the container is suspended therein;
The cryostat frame is supported movably along the central axis, and a moving means moves the cryostat frame along the central axis so that the container and the cryostat frame do not come into contact with each other. Single crystal production equipment.
材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の装置。(2) The device according to claim 1, wherein the portion to which the horizontal magnetic field is applied is made of a material that is not ferromagnetic.
をしや断する手段よつて覆われることを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載の装置。(3) The device according to claim 1, wherein the portion to which the horizontal magnetic field is applied is covered with means for cutting off the horizontal magnetic field.
ルツボの中心軸と同心に配置されており、前記ルツボ内
の導電性を有する物質を溶融するための環状の加熱手段
と、前記中心軸に関して対称に対向して位置しており、
前記物質に水平磁界を加える一対のコイルと、中に液体
ヘリウムが満たされており、前記一対のコイルを前記液
体ヘリウムに浸漬した状態で収納した容器と、この容器
との間に間隔を持つて前記容器を中に吊り下げており、
前記中心軸に沿って移動自在に支持されたクライオスタ
ツト枠と、前記一対のコイルを超電導状態とすべく、前
記一対のコイルにスイッチを介して電流を加える直流電
源とからなることを特徴とする単結晶製造装置。(4) a cylindrical crucible; an annular heating means disposed outside the crucible concentrically with the central axis of the crucible for melting a conductive substance within the crucible; Located symmetrically opposite each other,
A pair of coils that apply a horizontal magnetic field to the substance, a container filled with liquid helium, and a container in which the pair of coils are immersed in the liquid helium, and a space provided between the container and the container. the container is suspended therein;
The cryostat frame is supported movably along the central axis, and a DC power source applies current to the pair of coils via a switch in order to bring the pair of coils into a superconducting state. Single crystal production equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25965486A JPS63112489A (en) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Production apparatus for single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25965486A JPS63112489A (en) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Production apparatus for single crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63112489A true JPS63112489A (en) | 1988-05-17 |
Family
ID=17337052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25965486A Pending JPS63112489A (en) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Production apparatus for single crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63112489A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59199597A (en) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Apparatus for producing single crystal |
JPS6036391A (en) * | 1983-08-05 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | Apparatus for pulling single crystal |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP25965486A patent/JPS63112489A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59199597A (en) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Apparatus for producing single crystal |
JPS6036391A (en) * | 1983-08-05 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | Apparatus for pulling single crystal |
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