JPS63111711A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPS63111711A JPS63111711A JP25725786A JP25725786A JPS63111711A JP S63111711 A JPS63111711 A JP S63111711A JP 25725786 A JP25725786 A JP 25725786A JP 25725786 A JP25725786 A JP 25725786A JP S63111711 A JPS63111711 A JP S63111711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- pattern
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は映像機器１通信機器等に用いられる弾性表面波
デバイスに関するものである。
デバイスに関するものである。
従来の技術
近年映像機器１通信機器の高周波化、高性能化。
小型化に伴い、弾性表面波デバイスが多く使われるよう
になってきているが、さらに高性能化、小型化への要望
が強くなってきている。
になってきているが、さらに高性能化、小型化への要望
が強くなってきている。
従来の弾性表面波デバイスでは、圧電基板、あるいは絶
縁基板に圧電薄膜を形成したものに、所定の電極パター
ンを形成してチップを得ていた。
縁基板に圧電薄膜を形成したものに、所定の電極パター
ンを形成してチップを得ていた。
しかしながら、チップサイズは周波数等によって決まる
ので、さらに小型化しようとしても限界があった。
ので、さらに小型化しようとしても限界があった。
発明が解決しようとする問題点
本発明は以上の欠点に鑑み、従来のものよりチップサイ
ズを小さくして、小型化、低価格化を図ることを目的と
するものである。
ズを小さくして、小型化、低価格化を図ることを目的と
するものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明の弾性表面波デバイ
スは、絶縁基板の上に第１の弾性表面波デバイスのパタ
ーンを設け、その上に圧電薄膜を形成し、さらにその上
に一層目の第１の弾性表面波デバイスと周波数（電極ピ
ッチ間隔）の違う第２の弾性表面波デバイスのパターン
を設けたものである。
スは、絶縁基板の上に第１の弾性表面波デバイスのパタ
ーンを設け、その上に圧電薄膜を形成し、さらにその上
に一層目の第１の弾性表面波デバイスと周波数（電極ピ
ッチ間隔）の違う第２の弾性表面波デバイスのパターン
を設けたものである。
作用
以上のような構成をとることによって、１チツプの大き
さで２チツプ分の働きを得ることができる。
さで２チツプ分の働きを得ることができる。
実施例
以下図面を参照しながら５本発明の一実施例の弾性表面
波デバイスについて説明を行う。第１図は本発明の一実
施例の弾性表面波デバイスの断面図である。第１図にお
いて、１は絶縁基板、２は第１の弾性表面波デバイスの
パターン、３は圧電薄膜、４は第２の弾性表面波デバイ
スのパターンである。第２図は石英ガラス基板の上に酸
化亜鉛の薄膜を形成したときの酸化亜鉛の膜厚による結
合係数を示したものである。
波デバイスについて説明を行う。第１図は本発明の一実
施例の弾性表面波デバイスの断面図である。第１図にお
いて、１は絶縁基板、２は第１の弾性表面波デバイスの
パターン、３は圧電薄膜、４は第２の弾性表面波デバイ
スのパターンである。第２図は石英ガラス基板の上に酸
化亜鉛の薄膜を形成したときの酸化亜鉛の膜厚による結
合係数を示したものである。
まず絶縁基板１の上にフォトリングラフィを用いて第１
の弾性表面波デバイスのパターン２を形成する。その上
にスパッタ等の方法を用いて圧電薄膜３を形成し、さら
にその上に第２の弾性表面波デバイスのパターン４を形
成する。このようにすることによって、第１の弾性表面
波デバイス２の結合係数は第２図の人のようになシ、第
２の弾性表面波デバイス４の結合係数はＢのようになる
ため、膜厚を適当なところに選ぶことによって、両者と
も十分な結合係数を得ることができる。
の弾性表面波デバイスのパターン２を形成する。その上
にスパッタ等の方法を用いて圧電薄膜３を形成し、さら
にその上に第２の弾性表面波デバイスのパターン４を形
成する。このようにすることによって、第１の弾性表面
波デバイス２の結合係数は第２図の人のようになシ、第
２の弾性表面波デバイス４の結合係数はＢのようになる
ため、膜厚を適当なところに選ぶことによって、両者と
も十分な結合係数を得ることができる。
また両者間で電極ピッチが違うため、電極での反射によ
って通過帯域内にリップルが生じることもない。
って通過帯域内にリップルが生じることもない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、絶縁基板の上に弾性表面
波デバイスのパターンを形成した上に圧電薄膜を形成し
、さらにその上に別の周波数の弾性表面波デバイスのパ
ターンを形成することにょ抄、１チツプの大きさの中に
、２つの特性のデバイスを形成することができ、小型化
、低価格化を実現することができ、その実用的価値は大
なるものがある。
波デバイスのパターンを形成した上に圧電薄膜を形成し
、さらにその上に別の周波数の弾性表面波デバイスのパ
ターンを形成することにょ抄、１チツプの大きさの中に
、２つの特性のデバイスを形成することができ、小型化
、低価格化を実現することができ、その実用的価値は大
なるものがある。
第１図は本発明の一実施例による弾性表面波デバイスを
示す断面図１第２図は石英ガラス基板の上に酸化亜鉛の
薄膜を形成したときの酸化亜鉛の膜厚による結合係数の
関係を示す特性図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・第１の弾性表
面波デバイスのパターン、３・川・・圧電薄膜、４・川
・・第２の弾性表面波デバイスのパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一絶姿１１反 ２−−一嶌１の調■目弧面ｉ−Ｘ テ）〈イスのパターン ３−−一工覧漣μ曳 ４−一一第２の慣眸目艮面）友 第 １ 図 テ）＜イスの
ノ（ターン第２図 １ｎｏ間（閑・ｔりり
示す断面図１第２図は石英ガラス基板の上に酸化亜鉛の
薄膜を形成したときの酸化亜鉛の膜厚による結合係数の
関係を示す特性図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・第１の弾性表
面波デバイスのパターン、３・川・・圧電薄膜、４・川
・・第２の弾性表面波デバイスのパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一絶姿１１反 ２−−一嶌１の調■目弧面ｉ−Ｘ テ）〈イスのパターン ３−−一工覧漣μ曳 ４−一一第２の慣眸目艮面）友 第 １ 図 テ）＜イスの
ノ（ターン第２図 １ｎｏ間（閑・ｔりり
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に第１の弾性表面波デバイスのパター
ンを設け、その上に圧電薄膜を形成し、さらにその上に
上記第１の弾性表面波デバイスとは周波数の異なる第２
の弾性表面波デバイスのパターンを設けたことを特徴と
する弾性表面波デバイス。 - （２）第１の弾性表面波デバイスと上記第２の弾性表面
波デバイスがともに弾性表面波フィルタであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波デバイ
ス。 - （３）第１の弾性表面波デバイスが弾性表面波フィルタ
で、第２の弾性表面波デバイスが弾性表面波共振子であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表
面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25725786A JPS63111711A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25725786A JPS63111711A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111711A true JPS63111711A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17303867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25725786A Pending JPS63111711A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111711A (ja) |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25725786A patent/JPS63111711A/ja active Pending
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