JPS63111690A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents

半導体レーザおよびその製造方法

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JPS63111690A JP62264030A JP26403087A JPS63111690A JP S63111690 A JPS63111690 A JP S63111690A JP 62264030 A JP62264030 A JP 62264030A JP 26403087 A JP26403087 A JP 26403087A JP S63111690 A JPS63111690 A JP S63111690A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第１導電型の基板領域およびその上に配置され
た層構造を具える半導体本体からなり、前記層構造は第
１導電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対導電
型の第２不活性層、および前記第１および第２の不活性
層の間に介挿された活性層を具え、かつｐｎ接合を有し
、該ｐｎ接合は順方向の十分に高い電流強度において可
干渉性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴
内に配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の
方向に対して直角な方向に発生ずることができ、前記層
構造はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻
止層は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前
記第１および第２の不活性層および前記阻止層はすべて
前記活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出さ
れる放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、
前記第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連
結され、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区
切られている半導体レーザに関するものである。
このような半導体レーザは米国特許第４３０９６７０号
明細書から既知である。この米国特許明細書は、均一な
厚さを有する活性層において放射が発生され、この放射
が活性層に対して直角方向に放出されること、および隣
接半導体材料と逆バイアスされたｐｎ接合を形成する埋
設された阻止層によって電流制限が達成されることを開
示している。この米国特許明細書に示されている実施例
の１つでは、活性領域は比較的大きいバンドギャップを
有しかつ放射される放射に対して比較的小さい屈折率を
有するエピタキシャル成長させた半導体領域によって横
方向で区切られている。
このタイプの半導体レーザでは、発生する放射は活性層
に対して直角方向に放出される。このような半導体レー
ザは光ファイバに容易に連結することができ、放出され
るビームは余り開拡せず、結晶の正確な位置決めが不必
要であるという利点を有する。
既知レーザでは増幅が行われる活性領域の長さは活性層
の厚さに相当し、従って極めて短いので、レーザ作用に
必要な増幅を達成するには高い電流密度が必要である。
限界電流を受入れることのできる値に維持するためには
、可成り複雑なエピタキシャル構造が必要であり、上述
の米国特許第４３０９６７０号におけるように、活性層
のほかに追加のエビクキシャル不活性層および／または
局部拡散阻止層が使用されている。なかんずくこのため
に、前記の既知レーザ構造はその実現に大きな困難を伴
う。
本発明の目的は、このタイプの既知半導体レーザに固有
の上述の欠点を回避するが、あるいは上述の欠点を少く
とも可成りの程度まで軽減することにある。本発明はな
がんずく、活性領域の電気的および光学的の両方の制限
が満足に実現されていて、比較的短い波長および比較的
小さい限界電流を有し、最近の技術によって比較的簡単
に製造することができる新規なレーザ構造を従供するこ
とにある。
本発明はなかんずく、活性領域において厚さの異なる活
性層を使用することによって本発明の目的が達成される
ことを見出したことに基づく。
本発明は、冒頭に記載した半導体レーザにおいて、前記
活性領域は前記活性層の残りの部分より大きい厚さを有
し、かつ前記中断区域において前記阻止層を貫通して少
くとも前記第１不活性層まで延在し、前記活性層は第１
導電型であり、前記阻止層は前記活性層と前記基板領域
との間に配置されていることを特徴とする。
本発明の半導体レーザにおいては、上述の既知半導体レ
ーザとは異なり、活性領域の厚さは阻止層の厚さより大
きく、これにより電気的および光学的制限が達成される
。この結果、活性層自体が電流制限層構造の一部分を形
成する。従って、層構造は著しく簡単に構成され、簡単
に実現することができる。さらに、極めて有効な電気的
および光学的制限のために、限界電流を小さくすること
ができるので、室温における作動が可能になる。
活性層は阻止層上に直接設けることができる。
しかし、与えられた環境では、活性層より大きいバンド
ギャップを有し、放出される放射に対して活性層より小
さい屈折率を有する第１導電型の追加の半導体層を活性
層と阻止層との間に設けるのが好ましい。製造中に、電
気的制限に悪影響を与えることがある漏洩電流が生しに
くくなる。
共振空胴は種々の方法で形成することができる。
例えば、ＤＢＲまたはＤＦＢ　レーザとして知られてい
る装置の原理に従って、放出される放射の方向における
実効屈折率の周期的変動によって、反射器の一方または
両方を形成することができる。本発明の他の好適例では
、反射器は、層構造の光学的に平坦な端面によって構成
され、基板領域には平坦な底を有する空所が設けられ、
放射はこの空所を通って放出され、この空所は基板の厚
さを貫通して第１不活性層まで延在する。
さらに、本発明は半導体レーザを製造する特に適当な方
法に関するものである。
本発明は第１導電型の単結晶基板領域上に、第１導電型
の第１不活性半導体層および第２反対導電型の阻止層を
、この順序に逐次エピタキシャル成長させ、次いで前記
阻止層を貫通して前記第１不活性層まで延在する空所を
形成し、しかる後に第１導電型の活性層を液相からエピ
タキシャル成長させることにより形成し、この活性層の
活性領域で前記空所を充填し、最後に前記活性層上に第
２導電型の第２不活性層をエピタキシャル成長により形
成し、該不活性層上に第２導電型の接点層を形成し、こ
の際前記活性領域とは反対の側の接点層に前記第２不活
性層まで延在する開口部をエツチングし、放出される放
射の１７４波長の整数倍の光路長に等しい厚さを有する
誘電層を前記開口部内に設け、かつ最後に前記基板領域
および前記接点領域に接続導体を設けることを特徴とす
る。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。図面
は路線図であって、一定の比に拡大して描かれているわ
けではなく、特に厚さ方向の寸法は明瞭にするために拡
大しである。
以下に説明する種々の例において対応する部分には同じ
符号を付けた。同じ導電型の半導体領域には同じ方向に
平行な斜線を引いた。
第１図は本発明の半導体レーザの断面略図である。簡単
のために、半導体レーザは線ＭＭの回りに回転対称であ
ると仮定するが、これは絶対的に必要なことではない。
半導体レーザは基板領域１を有する半導体本体を具え、
この例では基板領域１は第１導電型、この場合にはｐ導
電型のヒ化ガリウム単結晶領域からなる。この基板領域
１の上には第１（ｐ）導電型である第１不活性層２、第
２反対（この場合にはｎ）導電型の第２不活性層３、お
よび第１不活性層２と第２不活性層３との間に位置する
活性層４を具える層構造が配置されている。活性層４は
ｐｎ接合５を有する。ｐｎ接合５は順方向の十分に高い
電流強度において可干渉性電磁放射を矢６の方向、従っ
て活性層４の方向に対して直角に発生することができる
。この放射は活性層４の活性領域４八で発生し、この活
性領域は２個の反射器の・間の共振空胴内に位置し、こ
の例ではこれらの反射器は層構造の反射性端面７および
８によって構成されている。さらに、この層構造は、第
２（この場合にはｎ）導電型の電流制限阻止層９を具え
、阻止層９は活性領域４Ａの区域において中断区域を有
する。活性層４、第１および第２の不活性Ｎ２および３
、および阻止層９は、この例ではすべてヒ化アルミニウ
ムガリウムからなり、アルミニウム含有量は層２．３お
よび９がすべて活性層４より大きいバンドギャップ、従
って発生する放射に対して活性層４より小さい屈折率を
有するように選定されている。第１および第２の不活性
層（２および３）はそれぞれ電極層１０および１１によ
って構成されている接続導体に電気的に連結されている
。
ただし、層２は高ドープ基板領域１を介して電極層１０
に連結され、層３はｎ型ヒ化ガリウムの高ドープ接点層
１２を介して電極層１２に連結されている。
活性領域４Ａは阻止層９によって横方向で区切られてい
る。
本発明においては、活性領域４Ａは活性層４の残りの部
分より大きい厚さを有し、阻止層９を貫通ずる中断区域
において少くとも第１活性層２まで延在している。さら
に、本発明においては、不活性層２は第１　（この場合
にはｐ）導電型であるので、ｐｎ接合５は第２不活性層
３と活性層４との間に位置し、他方阻止層９は活性層４
と基板領域１との間に位置する。
本発明の半導体レーザの層構造では、活性領域４八は活
性層４の残りの部分より厚く、阻止層９を貫通して少く
とも不活性層２まで延在しているので、発生する放射は
比較的簡単に電気的かつ光学的に極めて有効に制限され
る。この結果、比較的小さい限界電流を得ることができ
る。
この例の半導体レーザでは、活性層４と阻止層９との間
に第１（この場合にはｐ）導電型の半導体層１３が設け
られ、半導体層１３はヒ化アルミニウムガリウムからな
り、活性層４より大きいバンドギャップおよび発生する
放射に対して活性層４より小さい屈折率を有する。この
層は、生ずることのある漏洩電流が活性層４を通って流
れる場合に、ｎ型阻止層９と隣接ｐ型材料との間の逆バ
イアスされたｐｎ接合の電流制限特性が悪影響を受ける
のを防止する作用をする。
さらに、この例では、基板領域１には平坦な底を有する
空所１４が設けられており、この空所を通って放射が放
出される。この空所は基板領域１の全厚さを貫通して第
１不活性層２まで延在し、レーザに連結されるガラスフ
ァイバを受取ることができるように形成されている。こ
の結果、連結が極めて簡単になる。
この例では、種々の層について下記の組成、ドーピング
濃度および厚さを使用している。
層　の　組　成　導電型　ドーピング濃度　厚　　さ　
屈折率２　Ｇａ６．５ｏＡＩ（１，５ｏＡｓ　　Ｐ　　
　　　１０”　　　　　　３　　　３．２６３　Ｇａｏ
、　５ｏＡｌｏ、　５ｏＡｓ　　Ｎ　　　　　１０”　
　　　　　３　　　３．２６４　Ｇａｏ、　８６Ａ］０
．　＋４＾ｓ　　Ｐ　　　　　１０■０．５　　３．４
９９　Ｇａｏ、　ａｏＡｌｏ、　ｚｏＡｓ　　Ｎ　　　
　２　×１Ｑ１７　　　　１　　　３．４５１２　　Ｇ
ａＡｓ　　　　　　　　　　　　　　　Ｎ　　　　　　
　　３　　ＸＩＯ”　　　　　　　　　　１１３　Ｇａ
ｏ、５ａＡ１ｏ、ｚｏＡｓ　　Ｐ　　　　　１０Ｉ８０
．５　　３．４５このレーザから放出される放射は７５
０ｎｎ＋の波長を有する。活性領域の直径（ａ）は約３
μｍ　；基板開口１４の直径（ｂ）は底８の区域におい
て約２０μｍである。基板１の上の電極層１０は、例え
ば、白金−モリブデン−金属または白金−タンクルー金
属である。高ドープヒ化ガリウム接点層１２の上の電極
層１１は、例えば、金−ゲルマニウム−ニッケル層から
なる。この層は開口部１４の反対側で酸化ケイ素層１５
の上の接点層１２の開口部内に位置し、０．１５μｍの
厚さを有する。この厚さは放出される放射の１７４波長
の整数倍の光路長に相当しているので、レーザ構造のこ
の側における放射は実質的に完全に反射される。このレ
ーザの限界電流ば３０゛Ｃで１０ｍＡであった。
本発明の半導体レーザは本発明方法により次のようにし
て製造することができる。出発材料は２×１ＱＩ９原子
／ｃＴ１１３のドーピング濃度および例えば３５０μｍ
の厚さを有する単結晶のｐ型ヒ化ガリウムからなる基板
１である。この単結晶は（１００）配向を有するのが好
ましく、この表面を研摩およびエツチングした後に、こ
の表面の上に、例えば液相（ＬＰＥ　＝液相エピタキシ
ャル成長と呼ばれる）からドーピング濃度ＩＱＩＢ原子
／　ＣＴ１１３で厚さ３μｍのｐ型Ｇａｏ−５ｏＡ１ｏ
、　５ｏＡｓ層２、ドーピング濃度２×１０′７原子／
　ｃｍ　’で厚さ１μｍのｎ型Ｇａ６．　ＢＡｌａ、　
ｚ八Ｓ層９、およびドーピング濃度１０１８原子／　ｃ
ｍ　３で厚さ０．５　ｐｍのｐ型Ｇａｏ、　ｌｌＡｌ０
．２ＡＳ層１３を逐次成長させる。この成長も、有機金
属化合物の化学的分解によって、ＭＯＣＶＤまたはＯＭ
ＶＰＥ　　（有機金属気相エピタキシャル成長）という
名称で知られている気相からの有機金属エピタキシャル
成長によって達成することができてる。ＬＰＥ技術の詳
細については、ディー、エルウェル（Ｄ、Ｅｌｗｅｌ　
１　）およびエッチ、ジェー、シェール（１１，Ｊ、５
ｃｈｅｅｌ　）の著書［高温溶液からの結晶成長（Ｃｒ
ｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｉｙｔｈ　ｆｒｏｍ　ｔｌｉｇｈ−
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　５ｏｌｕｔｉｏｎｓ　）　Ｊ
　　（アカデミツク０プレス社）　　（１９７５）第４
３３〜４６７頁を参照することができる。ＯＭＶＰＥ技
術の詳細については、「ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジークスコ第５８巻（１９８５年１０月１５日）
第Ｒ３１〜Ｒ５５頁中の報分子１−ＩＶ半導体の有機金
属化学気相堆積法（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　
ｏｆ　ｍ−ＩＶＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）　Ｊを
参照することができる。次いで、このようにして得た層
構造をに阻止層９を丁度貫通し、好ましくは平坦な底を
有する１個の孔、この例では直径約３μｍの孔をエツチ
ングして、第２図の配置を得る。エツチング技術として
は、例れば、「反応性イオンエッヂングＪ　　（１？Ｉ
Ｅ）を使用することができる。
次に、ＯＭＶＰＨにより極めて薄い（５ｎｍの）ヒ化ガ
リウム層を成長させる（図示せず）。これは次のエピタ
キシャル成長を行うことができるようにするために必要
である。その理由はヒ化アルミニウムガリウム上におけ
るエピタキシャル成長が極めて困難であるからである。
次に、エツチングされた孔を、ＬＰＥ技術によって液相
からヒ化アルミニウムガリウムをエピタキシャル成長さ
せることにより充填する。この場合には、孔は成長によ
って極めて迅速に閉鎖される。
その後得られた実際上平坦な表面上にさらにいくつかの
層を形成する。すなわち、それぞれ０．５μｍ、３μｍ
および１μｍの厚さを有し、上述の組成を有する活性層
４、不活性層３および高ドープ接点層１２　（ＧａＡｓ
層）を、この順序で逐次成長させる（第３図参照）。
次に、選択的エツチング液により活性領域４Ａの表面と
は反対の側の接点層１２に直径１５〜２０μｍの孔をエ
ツチングする。このエツチング液は例えば過酸化水素と
アンモニアとの混合物で、実際上ＧａＡｓのみを腐食し
、ＧａＸＡ１１−、Ａｓを腐食しない。この際、このエ
ツチング処理はＧａＡｓとＧａ、ＡＩ　、−ＸＡｓとの
光学的に平坦な界面において終了する。次いで、例えば
、濃硫酸と過酸化水素（３０％）と水との混合物（容積
比３　：　１　：　１）中でエツチングすることにより
基板１を約９０μｍの厚さまで薄くし、しかる後にＨｚ
Ｏ□およびＮｌ（、ＯＨの水溶液によって直径約２０μ
ｍの開口部を活性領域４＾とは反対の側の基板１に層２
との光学的に平坦な界面まで選択的にエツチングする。
この界面は第２反射器として作用する。接点層１２にお
ける開口部に厚さ０．１５μｍの酸化ケイ素層１５を設
け、電極層１０および１１を形成した後に、第１図の構
造が得られる。
次に、本発明の半導体レーザの他の例を第４〜６図につ
いて説明する。この場合においても、レーザは線Ｍ−Ｍ
の回りに回転対称であると仮定するが、これは本発明に
とって必須要件ではない。
この半導体レーザは光通信の目的に屡々使用されるよう
な比較的長い１，３μｍの波長を有する放射を発生させ
るのに適している。
出発材料はｐ導電型であって、３５０μｍの厚さおよび
２Ｘ１０１８原子／ｃｍ’のドーピング濃度を有するリ
ン化インジウムの基板である。この場合には基板領域お
よび第１不活性層が同じ材料から構成されているので、
基板上に先ず中間層２０を形成する必要がある。この例
では、この層は０．３　μｍの厚さを有し、ｐ型Ｉｎ０
．　ｖｚＧａｏ、　ｚｓＡｓｏ、　ｂｏＰｏ、　４０か
らなる。中間層２０はリン化インジウムに関して選択的
にエツチングすることができる。次いで、中間層２０の
上に液相から６μｍの厚さおよび１０１８原子／　ｃｖ
ｎ　３のドーピング濃度を有するｎ型リン化インジウム
の第１不活性層２を成長させ、次いでまた液相から約１
μｍの厚さおよび１０′８原子／　ｃｍ　’のドーピン
グ濃度を有するｎ型リン化インジウムの阻止層９を成長
させる。次いで、孔、例えば直径２μｍの孔を表面にエ
ツチングし、この孔を層９の厚さを貫通して層２中に延
在させる。この結果、第４図に示す構造が得られる。
この後、第１の例におけると同様に、エツチングされた
空所を液相からエピタキシャル成長により極めて迅速に
充填し、その後このようにして得た実際上平坦な表面上
に活性層４の残りの厚さ約２μｍの部分を設ける。この
場合にはこの部分はｐ型１ｎｏ、　ｑｚＧａｏ、　ｚｅ
＾ＳＱ、　６ｏＰｏ、　４０からなる。次いで、２μｍ
の厚さおよび１０′６原子／ｃｍ３のドーピング濃度を
有するｎ型リン化インジウムの第２不活性層３、および
約０．５μｍの厚さおよび５Ｘ１０１８原子／　ｃｒｎ
　３のドーピング濃度を有するｎ型ｒｎｏ、　７ｚＧａ
ｏ、　ｚａＡｓｏ、　ｂｏＰｏ、　４０の接点層１２を
、この順序で液相から逐次成長させる。
次いで、第１の例におけると同様に、選択的エツチング
液により活性領域４八とは反対の側で接点層１２に直径
約２０μｍの開口部をエツチングする。
このエツチング液は層３を腐食しないので、光学的に平
坦な表面７が得られる。この開口部に誘電体層１５、例
えば酸化ケイ素からなる誘電体層を設ける。層１５は放
出される放射の１７４波長の整数倍の光学的厚さを有す
る。基板領域１を約５０μｍの厚さまでエツチングした
後に、中間層２０を全くまたはほとんど腐食しない選択
的エツチング液、例えば、塩化水素酸により活性領域４
八とは反対の側の基板１に開口部１４をエツチングする
。次いで、中間層２０のみを腐食し、リン化インジウム
層２を腐食しない他の選択的エツチング液、例えば、１
ｃ＋ｎ３の濃硫酸および５０ｃｍ３の水に５ｇの過マン
ガン酸カリウムを溶解した溶液により、層２０を層２と
層２０との間の光学的に平坦な界面８までエツチングす
る。界面８は第２反射器の作用をする。電極層１０およ
び１１を形成した後に、第６図に示す半導体レーザが得
られる。この半導体レーザは、例えば、空所１４内に取
付けたファイバ中に、波長約１．３μｍの可干渉性電磁
放射を矢６の方向に放出することができる。
反射器はレーザの反射性端面から構成する必要はない。
他の解決、例えば第７図に示すような解決も可能である
。第７図では、上述の２つの例における反射性単面８の
代りに、いわゆるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂ
ｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ニブラッグ反射型）
反射器を使用する。この反射器は交互にＧａｌ−ｗＡｌ
ｗＡｓおよびＧａｌ−、ＡｌｙＡｓ　（ただし、０≦Ｗ
≦１゜０≦ｙ≦ｌ、ｗ＞ｙ）からなる多数の薄層３０か
らなる。この結果、上述の米国特許第４３０９６７０号
明細書に記載されているように、放出される放射の方向
６で実効屈折率の周期的変動が達成される。
薄層３０はＧａＡｓのｐ型基板１の表面上に成長させる
。
半導体レーザは第１図の例と同様に構成することができ
る。層構造３０は、例えば、ＭＢＢ　　（分子ビームエ
ピタキシャル成長）またはＯＭＶＰＥ　　（有機金属気
相エピタキシャル成長）の技術によってエピタキシャル
成長させることにより得ることができる。
これらの層は例えば交互にＧａＡｓおよびＡｌＡｓから
構成され、すべての層が約８０μｍの厚さを有する。
層構造３０における全層数は例えば２０個である。
本発明の範囲を逸脱することなく多（の変更を行うこと
ができるので、本発明は上述の例に限定されるものでは
ない。例えば、上述の例で使用し＝２５− た材料以外の半導体材料を使用することができる。
また、導電型はすべて（同時に）反対導電型に換えるこ
とができる。所望の用途に応じて他の層厚を使用するこ
とができる。しかも、レーザ構造は回転対称であること
は全く必要ではない。例えば、長方形構造も使用するこ
とができる。さらに、１個の反射器ではなく２個の反射
器を（第７図に（３ｏ）で示したようなタイプの）「ブ
ラッグ反射器」がら構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体レーザの１例の断面略図、 第２図および第３図は第１図に示す半導体レーザの逐次
の製造段階を示す断面略図、 第４図、第５図および第６図は本発明の半導体レーザの
他の例の逐次の製造段階を示す断面略図、第７図は本発
明の半導体レーザのさらに他の例の断面略図である。 １・・・基板領域（基板、ｐ型基板） ２・・・第１不活性層（ｐ型層） ３・・・第２不活性層（ｎ型層） ４・・・活性層　　　　　　４Ａ・・・活性領域訃・・
ｐｎ接合　　　　　　６・・・放射方向を示す矢７．８
・・・層構造の端面（反射性端面、光学的に平坦な表面
または界面） ９・・・阻止層（ｎ型層）　１帆１１・・・電極層１２
・・・接点層（ｎ型層）１３・・・半導体層（ｐ型層）
１４・・・空所、開口部 １５・・・誘電体層（酸化ケイ素層） ２０・・・中間層　　　　　　３ｏ・・・薄層（層構造
）ｌ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の基板領域およびその上に配置された層
    構造を具える半導体本体からなり、前記層構造は第１導
    電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対導電型の
    第２不活性層、および前記第１および第２の不活性層の
    間に介挿された活性層を具え、かつｐｎ接合を有し、該
    ｐｎ接合は順方向の十分に高い電流強度において可干渉
    性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴内に
    配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の方向
    に対して直角な方向に発生することができ、前記層構造
    はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻止層
    は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前記第
    １および第２の不活性層および前記阻止層はすべて前記
    活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出される
    放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、前記
    第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連結さ
    れ、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区切ら
    れている半導体レーザにおいて、 前記活性領域は前記活性層の残りの部分よ り大きい厚さを有し、かつ前記中断区域において前記阻
    止層を貫通して少くとも前記第１不活性層まで延在し、 前記活性層は第１導電型であり、 前記阻止層は前記活性層と前記基板領域と の間に配置されている ことを特徴とする半導体レーザ。 ２、活性層より大きいバンドギャップを有し、放出され
    る放射に対して活性層より小さい屈折率を有する第１導
    電型半導体層が活性層と阻止層との間に設けられている
    特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 ３、反射器は層構造の光学的に平坦な端面によって構成
    され、基板領域には平坦な底を有する空所が設けられ、
    この空所を通って放射が放出され、前記空所は基板領域
    の厚さを貫通して不活性層まで延在している特許請求の
    範囲第１項または第２項記載の半導体レーザ。 ４、基板領域および第１不活性層は同じ半導体材料から
    なり、基板領域および第１エピタキシャル層の材料に関
    して選択的にエッチングすることができる材料からなる
    薄い中間層が基板領域と第１不活性層との間に設けられ
    ている特許請求の範囲第３項記載の半導体レーザ。 ５、基板領域はｐ型リン化インジウムからなり、第１不
    活性層はｐ型リン化インジウムからなり、活性層はｐ型
    リン化ヒ素ガリウムインジウムからなり、第２不活性層
    はｎ型リン化インジウムからなり、中間層はｐ型リン化
    ヒ素ガリウムインジウムからなり、阻止層はｎ型リン化
    インジウムからなる特許請求の範囲第４項記載の半導体
    レーザ。 ６、基板領域はｐ型ヒ化ガリウムからなり、第１不活性
    層はｐ型ヒ化アルミニウムガリウムからなり、活性層は
    ｐ型ヒ化アルミニウムガリウムからなり、第２不活性層
    はｎ型ヒ化アルミウニムガリウムからなり、阻止層はｎ
    型ヒ化アルミウニムガリウムからなる特許請求の範囲第
    １〜５項のいずれか一つの項に記載の半導体レーザ。 ７、反射器の少くとも１個が放出された放射の方向の実
    効屈折率の周期的変動によって構成されている特許請求
    の範囲第１項または第２項記載の半導体レーザ。 ８、第１導電型の基板領域およびその上に配置された層
    構造を具える半導体本体からなり、前記層構造は第１導
    電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対導電型の
    第２不活性層、および前記第１および第２の不活性層の
    間に介挿された活性層を具え、かつｐｎ接合を有し、該
    ｐｎ接合は順方向の十分に高い電流強度において可干渉
    性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴内に
    配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の方向
    に対して直角な方向に発生することができ、前記層構造
    はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻止層
    は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前記第
    １および第２の不活性層および前記阻止層はすべて前記
    活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出される
    放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、前記
    第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連結さ
    れ、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区切ら
    れている半導体レーザを製造するに当り、 第１導電型の単結晶基板領域上に、第１導 電型の第１不活性半導体層および第２反対導電型の阻止
    層を、この順序に逐次エピタキシャル成長させ、 次いで前記阻止層を貫通して前記第１不活 性層まで延在する空所を形成し、 しかる後に第１導電型の活性層を液相から エピタキシャル成長させることにより形成し、この活性
    層の活性領域で前記空所を充填し、最後に前記活性層上
    に第２導電型の第２不 活性層をエピタキシャル成長により形成し、該不活性層
    上に第２導電型の接点層を形成し、この際前記活性領域
    とは反対の側の接点層に前記第２不活性層まで延在する
    開口部をエッチングし、放出される放射の１／４波長の
    整数倍の光路長に等しい厚さを有する誘電層を前記開口
    部内に設け、かつ最後に前記基板領域および前記接点領
    域に接続導体を設ける ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 ９、第１不活性層はヒ化アルミニウムガリウムからなり
    、空所を充填する前にヒ化ガリウムの薄層を気相から有
    機金属エピタキシャル成長によって堆積させる特許請求
    の範囲第８項記載の方法。 １０、空所をエッチングする前に活性層より小さい屈折
    率を有する第１導電型の層を阻止層上に成長させる特許
    請求の範囲第８項記載の方法。 １１、エピタキシャル成長処理を達成した後に、活性領
    域とは反対の側の基板領域に、実際上第１不活性層を腐
    食しない選択的エッチング処理により、第１不活性層の
    表面によって構成される光学的に平坦な底が得られるま
    で、空所をエッチングする特許請求の範囲第８〜１０項
    のいずれか一つの項に記載の方法。 １２、基板領域および第１不活性層を同じ材料から構成
    し、第１不活性層を成長させる前に、前記材料に関して
    選択的にエッチングすることができる中間層を形成し、
    かつ前記空所のエッチング中に先ず基板領域の材料を除
    去し、次いで別個の選択的エッチング工程で前記中間層
    を除去する特許請求の範囲第１０項記載の方法。
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