JPS63110787A - 光学位相操作板の装着方法 - Google Patents
光学位相操作板の装着方法Info
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- JPS63110787A JPS63110787A JP25786086A JP25786086A JPS63110787A JP S63110787 A JPS63110787 A JP S63110787A JP 25786086 A JP25786086 A JP 25786086A JP 25786086 A JP25786086 A JP 25786086A JP S63110787 A JPS63110787 A JP S63110787A
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- Japan
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- optical
- stem
- semiconductor laser
- optical phase
- light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザステムへの光学位相操作板の固定
方法に関し、特に半導体レーザの近視野状態での光学位
相操作を企図する操作板の固定方法に関する。
方法に関し、特に半導体レーザの近視野状態での光学位
相操作を企図する操作板の固定方法に関する。
〈従来技術〉
現在、半導体レーザは光計測や光通信などに広く利用さ
れているが、こnらの分野においては半導体レーザ素子
からの光をレンズやプリズムにより成形し利用している
。中でも近視野状態での光位相を空間的に操作するため
には対物レンズによって近視野像を結像させ、その部分
に位相操作板を配置させることが必要であった。この方
式を採用した例としてばJ 、 R,He1delら
によるI EE E Journal of Qua
ntum Electcrnis。
れているが、こnらの分野においては半導体レーザ素子
からの光をレンズやプリズムにより成形し利用している
。中でも近視野状態での光位相を空間的に操作するため
には対物レンズによって近視野像を結像させ、その部分
に位相操作板を配置させることが必要であった。この方
式を採用した例としてばJ 、 R,He1delら
によるI EE E Journal of Qua
ntum Electcrnis。
Vol、QE−22,No、6.PP 740〜752
(1986)の報告が挙げられる。第4図はこの方式を
採用した光学系の配列を示す構成図であり、半導体レー
ザ1より出射さnた出射光はレンズ2を介して光軸上に
結像されるがこの位置に光学位相操作板3が配置されて
いる。しかしながらこの方式ではシステム全体が大!化
しまた正確な光・軸合わせが必要となり、半導体レーザ
素子1とレンズ2及び位相操作板3の相対位置が一定不
変でなくてはならないという条件が生ずる。これらの事
実は実際のシステムの小型化や長期の性能安定化を図る
場合において大きな問題となる。
(1986)の報告が挙げられる。第4図はこの方式を
採用した光学系の配列を示す構成図であり、半導体レー
ザ1より出射さnた出射光はレンズ2を介して光軸上に
結像されるがこの位置に光学位相操作板3が配置されて
いる。しかしながらこの方式ではシステム全体が大!化
しまた正確な光・軸合わせが必要となり、半導体レーザ
素子1とレンズ2及び位相操作板3の相対位置が一定不
変でなくてはならないという条件が生ずる。これらの事
実は実際のシステムの小型化や長期の性能安定化を図る
場合において大きな問題となる。
〈発明の目的〉
本発明は、上述の問題点を解消し、小型で安定した位相
操作を実現するために、半導体レーザのステム内に光学
位相操作板を固定する方法を提供することを目的として
いる。
操作を実現するために、半導体レーザのステム内に光学
位相操作板を固定する方法を提供することを目的として
いる。
〈実施例〉
第1図は本発明の1実施例の説明に供する半導体レーザ
・ステムへの光学位相操作板固定装置の構成図である。
・ステムへの光学位相操作板固定装置の構成図である。
第2図は第1図に示す半導体レーザステムの要部断面拡
大図である。以下、光学位相操作板の固定手順について
これらの図を用いて詳細に説明する。
大図である。以下、光学位相操作板の固定手順について
これらの図を用いて詳細に説明する。
まず、半導体レーザ素子(201)を半導体レーザ搭載
用ステム(101)にマウントする。次にステム(10
1)の素子(201)前方位置に設けられた溝(202
)に光硬化性樹脂(204)を適量注入した後光学位相
操作板(203)をこの溝(202)に沿ってさし込む
。光硬化性樹脂は光照射によって硬化し、光をとり除い
てもこの硬化状態が維持される接着剤である。光学位相
操作板(203)のぐらつきを小さくするために溝(2
02)の幅は光学位相操作板(203)の厚みの1.2
〜1.5倍程度にするのが望ましい。また溝内(202
)内の光硬化樹脂(204)に光を照射するために溝(
202)の前方に光照射用の窓(205)が穿設されて
いる。この窓(205)にも光硬化樹脂(204)が適
量存在するようにする。次にステム(101)のリード
端子(206)を利用し定出力制御をした状1態で素子
レーザ(201)に電流を注入しレーザ発振させる。光
出方パワーのモニターとしてはステム内の太陽電池素子
(207)を用いた。本実施例では半導体レーザ素子(
201)として、半導体レーザアレイ素子を用いておち
、出力100mWで駆動した。ステム(1o1)から1
0cm程度隔れた位置にCCDのような空間的光強度分
布検知素子(104)を置き、レーザ素子(101)の
遠視野像をモニターする。次に光学位相操作板(203
)を溝(202)に沿った′!まで平行に移動させて、
遠視野像のパターンが所望のパターンと一致する場所で
停止させる。このままランプ(102,103)により
10秒程度光(102’、103’)を照射し、光硬化
性樹脂(204)を硬化させ、光学位相操作板(203
)を固定する。尚、本実施例では紫外線硬化樹脂を用い
ており、波長300 nm〜400 nmの光に感光す
るので、ランプ(102,103)としては水銀ランプ
を採用した。
用ステム(101)にマウントする。次にステム(10
1)の素子(201)前方位置に設けられた溝(202
)に光硬化性樹脂(204)を適量注入した後光学位相
操作板(203)をこの溝(202)に沿ってさし込む
。光硬化性樹脂は光照射によって硬化し、光をとり除い
てもこの硬化状態が維持される接着剤である。光学位相
操作板(203)のぐらつきを小さくするために溝(2
02)の幅は光学位相操作板(203)の厚みの1.2
〜1.5倍程度にするのが望ましい。また溝内(202
)内の光硬化樹脂(204)に光を照射するために溝(
202)の前方に光照射用の窓(205)が穿設されて
いる。この窓(205)にも光硬化樹脂(204)が適
量存在するようにする。次にステム(101)のリード
端子(206)を利用し定出力制御をした状1態で素子
レーザ(201)に電流を注入しレーザ発振させる。光
出方パワーのモニターとしてはステム内の太陽電池素子
(207)を用いた。本実施例では半導体レーザ素子(
201)として、半導体レーザアレイ素子を用いておち
、出力100mWで駆動した。ステム(1o1)から1
0cm程度隔れた位置にCCDのような空間的光強度分
布検知素子(104)を置き、レーザ素子(101)の
遠視野像をモニターする。次に光学位相操作板(203
)を溝(202)に沿った′!まで平行に移動させて、
遠視野像のパターンが所望のパターンと一致する場所で
停止させる。このままランプ(102,103)により
10秒程度光(102’、103’)を照射し、光硬化
性樹脂(204)を硬化させ、光学位相操作板(203
)を固定する。尚、本実施例では紫外線硬化樹脂を用い
ており、波長300 nm〜400 nmの光に感光す
るので、ランプ(102,103)としては水銀ランプ
を採用した。
このようにして固定された光学位相操作板(203)と
レーザ素子(201)の相対位置は所望の遠視像を得る
ことができる状態となシ、振動などにより動くことはな
くなる。
レーザ素子(201)の相対位置は所望の遠視像を得る
ことができる状態となシ、振動などにより動くことはな
くなる。
レーザ素子(201)と光学位相操作板(203)の相
対位置のゆらぎを少なくするためにレーザ素子(201
)の光出射面と溝(202)の後面(208)は平行で
かつ5μm以内の距離にあることが望ましい。またシス
テム全体の小型化を考慮すると光出射面と光学位相操作
板(202)の間の距離は80μm以下とすることが望
ましい。
対位置のゆらぎを少なくするためにレーザ素子(201
)の光出射面と溝(202)の後面(208)は平行で
かつ5μm以内の距離にあることが望ましい。またシス
テム全体の小型化を考慮すると光出射面と光学位相操作
板(202)の間の距離は80μm以下とすることが望
ましい。
このようにするとレーザ素子(201)の光出射面と光
学位相操作板(202)の位相操作部との距離は15μ
m程度にすることができる。上述の実施例で2つのラン
プ(102,103)t[いて2つの方向から光(10
2’、103’)を照射するのは光学位相操作板(20
3)のガイドレールとなる溝(202)内の光硬化樹脂
(204)を効率よく硬化させるためである。一方、−
方向からの光照射のみで樹脂を硬化させる方法としては
次の如き構成が考えられる。第3図にそのステム部の拡
大図を示す。この実施例では光学位相操作板(3,03
)のガイドとしてL字形部(302゜308)をステム
に設けこの2而(302,308)に光硬化樹脂(30
4)を付着させ位相操作板(303)を真空吸着などの
方法で固定してガイド(302,308)の2面に沿わ
して移動させる。遠視野線を測定しつつ、所望のパター
ンが得られた位置で光(103’)を照射し樹脂を硬化
させるのは前述の実施例の場合と同様である。この場合
には光硬化樹脂(304)の全部に光(103’)を照
射することが可能であシ、固定強度も大きくなる。また
硬化用照射ランプも一つで良いこととなる。
学位相操作板(202)の位相操作部との距離は15μ
m程度にすることができる。上述の実施例で2つのラン
プ(102,103)t[いて2つの方向から光(10
2’、103’)を照射するのは光学位相操作板(20
3)のガイドレールとなる溝(202)内の光硬化樹脂
(204)を効率よく硬化させるためである。一方、−
方向からの光照射のみで樹脂を硬化させる方法としては
次の如き構成が考えられる。第3図にそのステム部の拡
大図を示す。この実施例では光学位相操作板(3,03
)のガイドとしてL字形部(302゜308)をステム
に設けこの2而(302,308)に光硬化樹脂(30
4)を付着させ位相操作板(303)を真空吸着などの
方法で固定してガイド(302,308)の2面に沿わ
して移動させる。遠視野線を測定しつつ、所望のパター
ンが得られた位置で光(103’)を照射し樹脂を硬化
させるのは前述の実施例の場合と同様である。この場合
には光硬化樹脂(304)の全部に光(103’)を照
射することが可能であシ、固定強度も大きくなる。また
硬化用照射ランプも一つで良いこととなる。
本発明は上記実施例に限らず以下の場合にも適用するこ
とができ、同様の効果が期待できる。
とができ、同様の効果が期待できる。
(1)光学位相操作板用ガイドが半導体レーザ素子の接
合面に垂直の場合。
合面に垂直の場合。
(2)光学位相操作板と半導体レーザ素子端面が平行で
ない場合。
ない場合。
(3)遠視野像のモニター用素子として、スリットと太
陽電池を組み合わせた素子を用いる場合。
陽電池を組み合わせた素子を用いる場合。
(4)硬化樹脂として温度を上げることにより非可逆的
に硬化する材料(硬化後は加熱しても軟化しない材料)
を採用した場合。
に硬化する材料(硬化後は加熱しても軟化しない材料)
を採用した場合。
(5)光学位相操作板を半導体レーザステム用窓ガラス
と共用し、光又は温度硬化樹脂により固定及びキャップ
シールを行う場合。
と共用し、光又は温度硬化樹脂により固定及びキャップ
シールを行う場合。
〈発明の効果〉
以上のように本発明を用いると、近視野状態で空間的に
光学位相を操作する際の光学アライメントは不要となり
素子内部に光学位相操作板を組み込んでしまうことが可
能となる。これによυ小型でかつ所望の遠視野像を簡易
に得ることができ、経時的な位置ずれも皆無である。
光学位相を操作する際の光学アライメントは不要となり
素子内部に光学位相操作板を組み込んでしまうことが可
能となる。これによυ小型でかつ所望の遠視野像を簡易
に得ることができ、経時的な位置ずれも皆無である。
第1図は本発明の1実施例の説明に供する半導体レーザ
・ステムへの光学位相操作板固定装置の構成図である。 瀉2図は第1図に示す半導体レーザステムの要部断面拡
大図である。 第3図は本発明の他の実施例の説明に供する半導体レー
ザステムの要部断面図である。 窮4図は従来の光学系の配列を示す構成図である。 101・・・ステム、201・・・半導体レーザ素子、
202・・・溝、203・・・光学位相操作板、204
・・・光硬化樹脂、205・・・窓。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)第2図 第3図 第4図
・ステムへの光学位相操作板固定装置の構成図である。 瀉2図は第1図に示す半導体レーザステムの要部断面拡
大図である。 第3図は本発明の他の実施例の説明に供する半導体レー
ザステムの要部断面図である。 窮4図は従来の光学系の配列を示す構成図である。 101・・・ステム、201・・・半導体レーザ素子、
202・・・溝、203・・・光学位相操作板、204
・・・光硬化樹脂、205・・・窓。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体レーザ素子の光出射面前方位置のステムにガ
イド手段を設け、該ガイド手段に光又は温度により非可
逆的に硬化する液状樹脂を付与した後光学位相操作板を
取り付け、前記半導体レーザ素子の遠視野像を観測しな
がら前記光学位相操作板を前記ガイド手段に沿って移動
調整した後前記液状樹脂を硬化させて前記光学位相操作
板を位置決め固定することを特徴とする光学位相操作板
の装着方法。 2、ガイド手段がステムに設けられた光出射面と平行な
溝である特許請求の範囲第1項記載の光学位相操作板の
装置方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25786086A JPS63110787A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光学位相操作板の装着方法 |
US07/113,003 US4780175A (en) | 1986-10-27 | 1987-10-26 | Method for the production of an optical phase-shifting board |
GB8725170A GB2200765B (en) | 1986-10-27 | 1987-10-27 | A method for the production of an optical phase-shifting board |
GB9013070A GB2232271B (en) | 1986-10-27 | 1990-06-12 | A method of fixing an optical phase-shifting board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25786086A JPS63110787A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光学位相操作板の装着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63110787A true JPS63110787A (ja) | 1988-05-16 |
JPH058877B2 JPH058877B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=17312176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25786086A Granted JPS63110787A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-29 | 光学位相操作板の装着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63110787A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02109218U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-31 | ||
JPH0548211A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Fanuc Ltd | 半導体レーザセンサの制御方式 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25786086A patent/JPS63110787A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02109218U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-31 | ||
JPH0548211A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Fanuc Ltd | 半導体レーザセンサの制御方式 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH058877B2 (ja) | 1993-02-03 |
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