JPS63106025A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPS63106025A JPS63106025A JP61253014A JP25301486A JPS63106025A JP S63106025 A JPS63106025 A JP S63106025A JP 61253014 A JP61253014 A JP 61253014A JP 25301486 A JP25301486 A JP 25301486A JP S63106025 A JPS63106025 A JP S63106025A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にスタンバイ機
能を有する0MO3構造の半導体集積回路装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device with an 0MO3 structure having a standby function.
半導体集積回路装置に於ては、たとえ0MO3構造で回
路を構成しても、回路規模の増大と高速化の要求により
その消費電流が非常に大きくなり、乾電池等のバックア
ップ電源に切換えたときの動作電流を抑えるためにスタ
ンバイ機能が設けられている。In semiconductor integrated circuit devices, even if the circuit is configured with a 0MO3 structure, the current consumption becomes extremely large due to the increase in circuit scale and the demand for higher speeds, and the operation when switching to a backup power source such as a dry battery becomes difficult. A standby function is provided to reduce current.
このスタンバイ状態では、半導体集積回路装置のデータ
処理等の動作を禁止するとともに、RAM回路やレジス
タ回路等の最低限次の動作に必要なデータのみを保持す
ることで動作電流を抑えていた。In this standby state, operations such as data processing of the semiconductor integrated circuit device are prohibited, and operating current is suppressed by holding only the data necessary for the next operation of the RAM circuit, register circuit, etc.
従来、この種の半導体集積回路装置は、電源をバックア
ップ電源に切換えるときに、外部からのスタンバイ制御
信号によりRAM回路やレジスタ回路を含む内部回路を
スタンバイ状!5に切換えてから電源を切換える構成と
なっていた。Conventionally, when switching the power supply to a backup power source, this type of semiconductor integrated circuit device has put internal circuits including RAM circuits and register circuits into standby mode using an external standby control signal. The configuration was such that the power supply was switched after switching to 5.
上述した従来の半導体集積回路装置は、外部からのスタ
ンバイ制御信号により内部回路をスタンバイ状態にして
から電源をバックアップ電源に切換える構成となってい
るので、内部回路の負荷変動等により著しく電源電圧が
低下したとしてもこの電源電圧の低下を検出する手段が
なく、たとえ内部回路が電源電圧に対して余裕をもって
いるといえども必要なデータが消滅してしまうことがあ
るという欠点があった。The conventional semiconductor integrated circuit device described above has a configuration in which the internal circuit is put into standby state by an external standby control signal and then the power supply is switched to the backup power supply, so the power supply voltage drops significantly due to load fluctuations in the internal circuit. Even if this were the case, there was no means to detect this drop in power supply voltage, and even if the internal circuitry had a margin with respect to the power supply voltage, there was a drawback that necessary data could be lost.
本発明の目的は、電源電圧の変動を検出してスタンバイ
状態にすることができ、必要なデータが消滅することを
防止することのできる半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that can detect fluctuations in power supply voltage and enter a standby state, and can prevent necessary data from disappearing.
本発明の半導体集積回路装置は、1つの半導体基板上に
、電源電圧を所定の期間、所定の範囲内に保持して出力
する保持回路と、この保持回路の出力電圧と前記電源電
圧とを比較しこの電源電圧が所定の値より低下しなとき
電源低下信号を出力する比較検出回路と、前記電源低下
信号を入力しスタンバイ制御信号を出力するスタンバイ
制御回路と、所定のデータを記憶、処理し前記スタンバ
イ制御信号により前記データの処理動作を停止して特定
のデータを記憶保持する内部回路とを有している。The semiconductor integrated circuit device of the present invention includes a holding circuit that holds and outputs a power supply voltage within a predetermined range for a predetermined period on one semiconductor substrate, and compares the output voltage of this holding circuit with the power supply voltage. a comparison detection circuit that outputs a power drop signal when the power supply voltage does not drop below a predetermined value; a standby control circuit that inputs the power drop signal and outputs a standby control signal; and a standby control circuit that stores and processes predetermined data. and an internal circuit that stops the data processing operation in response to the standby control signal and stores and holds specific data.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
保持回路1は、電源電圧VDDを一定の期間、定められ
た範囲内に保持してこの電圧を出力する。The holding circuit 1 holds the power supply voltage VDD within a predetermined range for a certain period of time and outputs this voltage.
比較検出回路2は、保持回路1の出力電圧と電源電圧V
DDとを比較し、電源電圧VDDが予め設定された電圧
より低下したときに電圧低下信号を出力する。The comparison detection circuit 2 compares the output voltage of the holding circuit 1 with the power supply voltage V.
DD and outputs a voltage drop signal when the power supply voltage VDD falls below a preset voltage.
スタンバイ制御回路3は、電圧低下信号を入力し内部回
路4ヘスタンバイ制御信号を出力する。The standby control circuit 3 receives the voltage drop signal and outputs a standby control signal to the internal circuit 4.
内部回路4は、演算処理部41.プログラム・カウンタ
42.ROM回路43.インストラクション・デコーダ
44.RAM回路45.レジスタ回路46及びバス回路
47を含んで構成され、所定のデータを記憶、処理し、
スタンバイ信号が入力されると処理動作を停止し、少な
くとも次の処理動作に必要な特定の記憶素子に記憶され
ているデータを保持し、スタンバイ状態となる。The internal circuit 4 includes an arithmetic processing section 41. Program counter 42. ROM circuit 43. Instruction decoder 44. RAM circuit 45. It is configured to include a register circuit 46 and a bus circuit 47, and stores and processes predetermined data.
When a standby signal is input, the processing operation is stopped, at least the data stored in a specific storage element necessary for the next processing operation is held, and the apparatus enters a standby state.
上記各回路は、同一の半導体基板上に構成されている。Each of the above circuits is constructed on the same semiconductor substrate.
スタンバイ状態になった後、上記各回路への電源がバッ
クアップ電源に切換えられる。After entering the standby state, the power supply to each of the circuits described above is switched to a backup power supply.
従って、自動的に電源電圧V□pの低下を検出して内部
回路4をスタンバイ状態にすることができ、必要なデー
タが消滅することを防止することができる。Therefore, it is possible to automatically detect a drop in the power supply voltage V□p and put the internal circuit 4 into a standby state, thereby preventing necessary data from disappearing.
第2図は第1図に示された保持回路1.比較検出回路2
及びスタンバイ制御回路3の一例を示す回路図である。FIG. 2 shows the holding circuit 1 shown in FIG. Comparison detection circuit 2
2 is a circuit diagram showing an example of a standby control circuit 3. FIG.
保持回路1はトランジスタQ+、抵抗R1及びコンデン
サC,で構成され、プリチャージクロック信号Φ3によ
りトランジスタQ+を介して電源電圧■DDをコンデン
サC1に伝達し、一定の期間、定められた範囲内に保持
し比較検出回路2へ出力する。The holding circuit 1 is composed of a transistor Q+, a resistor R1, and a capacitor C. The holding circuit 1 transmits the power supply voltage DD to the capacitor C1 via the transistor Q+ according to the precharge clock signal Φ3, and holds it within a predetermined range for a certain period of time. and outputs it to the comparison detection circuit 2.
比較検出回路2はトランジスタQ2〜Q8等で構成され
、コンデンサC1の電圧VCとサンプリングクロック信
号Φ1によりトランジスタQ8を介して伝達された電源
電圧VDoとが比較され、保持回路1と比較検出回路2
とを構成する回路素子及び各クロック信号周期等で定ま
る電圧に対し電源電圧VDDが低下すると電源低下信号
VDoを出力する。The comparison detection circuit 2 is composed of transistors Q2 to Q8, etc., and compares the voltage VC of the capacitor C1 with the power supply voltage VDo transmitted via the transistor Q8 by the sampling clock signal Φ1.
When the power supply voltage VDD decreases with respect to the voltage determined by the circuit elements constituting the circuit elements and the period of each clock signal, the power supply drop signal VDo is output.
スタンバイ制御回路3はゲート素子01〜G7で形成さ
れたフリップクロップ、ゲート回路及びインバータ31
〜33等で構成され、電源低下信号VDOが入力される
と所定のタイミングでスタンバイ制御信号V5cを出力
する。The standby control circuit 3 includes a flip-flop formed of gate elements 01 to G7, a gate circuit, and an inverter 31.
33, etc., and outputs a standby control signal V5c at a predetermined timing when the power supply drop signal VDO is input.
第3図は第2図に示された回路を動作させたときの各部
信号の波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram of various signals when the circuit shown in FIG. 2 is operated.
比較検出回路2において、電源電圧VDDはトランジス
タQ8を介して伝達されて電圧VDXとなり、この電圧
VDXが電圧■。と比較され電圧低下信号VDOが出力
される。そしてスタンバイ制御回路3のインバータ33
からスタンバイ制御信号■scが出力され、内部回路4
をスタンバイ状態とする。In the comparison and detection circuit 2, the power supply voltage VDD is transmitted through the transistor Q8 to become the voltage VDX, and this voltage VDX is the voltage ■. A voltage drop signal VDO is output. And the inverter 33 of the standby control circuit 3
A standby control signal SC is output from the internal circuit 4.
on standby.
以上説明したように本発明は、電源電圧の低下を自動的
に検出し内部回路をスタンバイ状態とすることにより、
必要なデータの消滅を防止することができる効果がある
。しかも、保持回路を設けることにより電源電圧を一定
期間保持し、電源電圧低下を検出するための基準電圧と
しているので、外部から基準電圧用として特別な電源を
入力しなくても済むという効果もある。As explained above, the present invention automatically detects a drop in power supply voltage and puts the internal circuit into standby mode.
This has the effect of preventing the loss of necessary data. Furthermore, by providing a holding circuit, the power supply voltage is held for a certain period of time and used as a reference voltage for detecting a drop in the power supply voltage, so there is no need to input a special power source from outside for the reference voltage. .
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図に示された実施例の保持回路、比較検出回路及び
スタンバイ制御回路の一例を示す回路図、第3図は第2
図の回路を動作させたときの各部信号の波形図である。
1・・・保持回路、2・・・比較検出回路、3・・・ス
タンバイ制御回路、4・・・内部回路、31〜33・・
・インバータ、41・・・演算処理部、42・・・プロ
グラム・カウンタ、43・・・ROM回路、44・・・
インストラクション・デコーダ、45・・・RAM回路
、46・・・レジスタ回路、47・・・バス回路、C1
・・・コンデンサ、G、〜G7・・・ゲート回路、Q1
〜Q8・・・トランジスタ、r(l・・・抵抗。
箔1 図FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the holding circuit, comparison detection circuit, and standby control circuit of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. Second
FIG. 4 is a waveform diagram of signals of various parts when the circuit shown in the figure is operated. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Holding circuit, 2... Comparison detection circuit, 3... Standby control circuit, 4... Internal circuit, 31-33...
- Inverter, 41... Arithmetic processing unit, 42... Program counter, 43... ROM circuit, 44...
Instruction decoder, 45... RAM circuit, 46... register circuit, 47... bus circuit, C1
...Capacitor, G, ~G7...Gate circuit, Q1
~Q8...transistor, r(l...resistance. Foil 1 Figure
Claims (1)
範囲内に保持して出力する保持回路と、この保持回路の
出力電圧と前記電源電圧とを比較しこの電源電圧が所定
の値より低下したとき電源低下信号を出力する比較検出
回路と、前記電源低下信号を入力しスタンバイ制御信号
を出力するスタンバイ制御回路と、所定のデータを記憶
、処理し前記スタンバイ制御信号により前記データの処
理動作を停止して特定のデータを記憶保持する内部回路
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。On one semiconductor substrate, there is a holding circuit that holds the power supply voltage within a predetermined range for a predetermined period and outputs it, and compares the output voltage of this holding circuit with the power supply voltage and determines whether the power supply voltage is lower than the predetermined value. a comparison detection circuit that outputs a power drop signal when the power drops; a standby control circuit that inputs the power drop signal and outputs a standby control signal; and a standby control circuit that stores and processes predetermined data and performs processing operations on the data in response to the standby control signal. What is claimed is: 1. A semiconductor integrated circuit device comprising: an internal circuit that stops and stores specific data;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61253014A JPS63106025A (en) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61253014A JPS63106025A (en) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63106025A true JPS63106025A (en) | 1988-05-11 |
Family
ID=17245284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61253014A Pending JPS63106025A (en) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63106025A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02154160A (en) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP61253014A patent/JPS63106025A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02154160A (en) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
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