JPS6310579A - 半導体レ−ザ− - Google Patents
半導体レ−ザ−Info
- Publication number
- JPS6310579A JPS6310579A JP15397086A JP15397086A JPS6310579A JP S6310579 A JPS6310579 A JP S6310579A JP 15397086 A JP15397086 A JP 15397086A JP 15397086 A JP15397086 A JP 15397086A JP S6310579 A JPS6310579 A JP S6310579A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- waveguide
- coherent
- present
- light
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
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- 241000208422 Rhododendron Species 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザーに関し、特に２本のコヒーレン
トな光束（レーザー）を発生する簡単な構造の半導体レ
ーザーに関する。
トな光束（レーザー）を発生する簡単な構造の半導体レ
ーザーに関する。
（従来の技術及び問題点）
従来の単導体レーザーは、例えば第３図に示すような（
リッジ導波路型）構成をしており、導波路１により導か
れた光が図中の矢印のように互いに正反対の方向に光束
Ｌ１、Ｌ２として出射される。
リッジ導波路型）構成をしており、導波路１により導か
れた光が図中の矢印のように互いに正反対の方向に光束
Ｌ１、Ｌ２として出射される。
このため、同方向に進む２本のコヒーレントな光束を得
るためには、第４図に示すようなハーフミラ−４等を用
いなければならず、複雑な外部光学系が必要であると共
に、それだけ装首が大きくなってしまうという問題点が
あった。また、第４図に示しであるように、片端面から
の光束（Ｌ２）は、無駄になってしまっていた。
るためには、第４図に示すようなハーフミラ−４等を用
いなければならず、複雑な外部光学系が必要であると共
に、それだけ装首が大きくなってしまうという問題点が
あった。また、第４図に示しであるように、片端面から
の光束（Ｌ２）は、無駄になってしまっていた。
また第３図に示すような導波路が微細な間隔をおいて平
行に並んでいる場合はそれらの導波路から出射される光
束はコヒーレントになるが、２つの導波路の間隔が数μ
以上になるとコヒーレントにはならず、数μｊ以以上孔
たコヒーレントな２本の光束を得るためにはやはり外部
光学系が必要であるいう問題点があった。
行に並んでいる場合はそれらの導波路から出射される光
束はコヒーレントになるが、２つの導波路の間隔が数μ
以上になるとコヒーレントにはならず、数μｊ以以上孔
たコヒーレントな２本の光束を得るためにはやはり外部
光学系が必要であるいう問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑み成されたものてあつ、その目
的は、簡単な構造であって２本のコヒーレントな光速を
出射することのできる半導体レーザーを提供することに
ある。
的は、簡単な構造であって２本のコヒーレントな光速を
出射することのできる半導体レーザーを提供することに
ある。
本発明の上記目的は、屈曲した形状の導波路を有してな
る半導体レーザーによって達成される。
る半導体レーザーによって達成される。
本発明においで導波路とは、レーザー光が発生しかつレ
ーザー光が外部にほとんど漏れずに流れる光の閉じ込め
領域のことをいう。
ーザー光が外部にほとんど漏れずに流れる光の閉じ込め
領域のことをいう。
本発明（こおいで、屈曲した形状とは任意の形状に白が
っている状態を意味する。しかし実際は、導波路及び周
辺の材質にもよるが、鋭角的に曲がった部分のある形状
は好ましくない。
っている状態を意味する。しかし実際は、導波路及び周
辺の材質にもよるが、鋭角的に曲がった部分のある形状
は好ましくない。
第１図（ａ）は、リッジ型導波路を有する本発明の半導
体レーザーの一英施態様の模式図である。
体レーザーの一英施態様の模式図である。
この半導体レーザーにおいて導波路は活性層２内にあっ
てＵ字状のリッジ１の真下にあたる部分であり、Ｕ字状
に屈曲した形状であつ、導波路の端からは互いに平行な
光束口とし２が出射される。シ１とＬ２は同じ導波路か
ら出射されているからコヒーレトである。
てＵ字状のリッジ１の真下にあたる部分であり、Ｕ字状
に屈曲した形状であつ、導波路の端からは互いに平行な
光束口とし２が出射される。シ１とＬ２は同じ導波路か
ら出射されているからコヒーレトである。
第１図（ｂ）（よ第１図（ａ）の半導体レーザーを上か
ら見た模式図であつ、図中に示すＷは通常は６０μｊ１
〜３００μ）呈度であつＤは５０〜５００μｍ程度であ
るが、これらは数百μから数ｍｍ程度でもＬｌとＬ２の
コヒーレンスをある程度保ち得る。
ら見た模式図であつ、図中に示すＷは通常は６０μｊ１
〜３００μ）呈度であつＤは５０〜５００μｍ程度であ
るが、これらは数百μから数ｍｍ程度でもＬｌとＬ２の
コヒーレンスをある程度保ち得る。
本発明の半導体レーザーは、第１図（ａ）、（ｂ）のよ
うにＵ字状の導波路を形成するものに限らず、第２図（
ａ）のように導波路が弧状をなしでおつ光束［１とし２
が非平行方向に出射されるものであってもよい、また第
２図（ｂ）や第２図（Ｃ）のように光束Ｌ１とＬ２がチ
ップの異なる面から出射されるものであってもよい、ま
た導波路が直線が折れ曲がったような形状をなしている
ものであってもよい。
うにＵ字状の導波路を形成するものに限らず、第２図（
ａ）のように導波路が弧状をなしでおつ光束［１とし２
が非平行方向に出射されるものであってもよい、また第
２図（ｂ）や第２図（Ｃ）のように光束Ｌ１とＬ２がチ
ップの異なる面から出射されるものであってもよい、ま
た導波路が直線が折れ曲がったような形状をなしている
ものであってもよい。
本発明の適用は上記のようなリッジ型導波路を有するも
のに限られず、８Ｈレーザー、ＶＳＩＳレーザー、Ｃ８
Ｐレーザー、ＴＪＳレーザーのようなレーザー構造のも
のに対しても有効に適用できる。
のに限られず、８Ｈレーザー、ＶＳＩＳレーザー、Ｃ８
Ｐレーザー、ＴＪＳレーザーのようなレーザー構造のも
のに対しても有効に適用できる。
本発明の半導体レーザーの導波路の形成は、従来の直線
状の導波路の形成と同様にウェット・エツチング、ドラ
イ・エツチング等によって成される。
状の導波路の形成と同様にウェット・エツチング、ドラ
イ・エツチング等によって成される。
以下に本発明の具体的実施例を挙げて、本発明を更に説
明する。
明する。
厚さ１００μ履のｎ型ＧａＡｓ基板の上に分子線エピタ
キシー法によりｎ−Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 ｅＡｓのク
ラッド層を２μｌ厚に、更にその上にＧａＡｓの活性層
をＯ，Ｉｕ厚に同様にして設けた。更にその上にＩ）−
ＡＩＧ、３ Ｇａｏ、ｅＡｓのクラッド層を第５図に示
すようにツツジ部の厚さが１．５μで、その他の部分の
厚さが０．４μになるように設けた。このリッリ部は第
６図に上百図を示すように導波路の幅が５μｍになるよ
うにして、Ｒ・９０μ、直線部分の長さが１０μｎのＵ
字型になるように設けた。このクラッド層のＵ字形状部
の上にＰ−ＧａＡｓの電極形成層を厚さ０．５ ｕ厚に
般け、その上と前記基板の下に金属製の電極１８蒸着し
て本発明の１ノツジ型の半導体レーザーを作製した。
キシー法によりｎ−Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 ｅＡｓのク
ラッド層を２μｌ厚に、更にその上にＧａＡｓの活性層
をＯ，Ｉｕ厚に同様にして設けた。更にその上にＩ）−
ＡＩＧ、３ Ｇａｏ、ｅＡｓのクラッド層を第５図に示
すようにツツジ部の厚さが１．５μで、その他の部分の
厚さが０．４μになるように設けた。このリッリ部は第
６図に上百図を示すように導波路の幅が５μｍになるよ
うにして、Ｒ・９０μ、直線部分の長さが１０μｎのＵ
字型になるように設けた。このクラッド層のＵ字形状部
の上にＰ−ＧａＡｓの電極形成層を厚さ０．５ ｕ厚に
般け、その上と前記基板の下に金属製の電極１８蒸着し
て本発明の１ノツジ型の半導体レーザーを作製した。
こうして得られたリッジ型の半導体レーザーを発振させ
て遠視野像を見ると、約１８０ｕ＋の間隔の２つのスリ
ットからの光の干渉縞と同様のものが観測された。
て遠視野像を見ると、約１８０ｕ＋の間隔の２つのスリ
ットからの光の干渉縞と同様のものが観測された。
この半導体レーザーはホログラフィ−用の光源等として
使用される。
使用される。
〔発明の幼果）
以上のように、本発明の半導体レーザーを使用すれば、
複雑な外部光学系を設けることなく２本のコヒーレント
な光束を得ることができるため、装璽の小型化が図れ、
また導波路から出る２本の光束を両方とも使用できるの
で経済的である。
複雑な外部光学系を設けることなく２本のコヒーレント
な光束を得ることができるため、装璽の小型化が図れ、
また導波路から出る２本の光束を両方とも使用できるの
で経済的である。
第１図（ａ）は本発明の半導体レーザーの模式図であり
、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の平面図であり、第２図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の半導体レーザーの別
の態様の平面模式図であり、第３図は従来の半導体レー
ザーの模式図であり、第４図は従来の半導体レーザーに
よりコヒーレントな２本の光束を得るための外部光学系
等の模式図であり、第５図は本発明の半導体レーザーの
模式深てあつ、第６図はその上面図である。 ］、１ノツジ ２ 活′注層 ３：半導体レーザー ４：ハーフミラ− ０８フー
、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の平面図であり、第２図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の半導体レーザーの別
の態様の平面模式図であり、第３図は従来の半導体レー
ザーの模式図であり、第４図は従来の半導体レーザーに
よりコヒーレントな２本の光束を得るための外部光学系
等の模式図であり、第５図は本発明の半導体レーザーの
模式深てあつ、第６図はその上面図である。 ］、１ノツジ ２ 活′注層 ３：半導体レーザー ４：ハーフミラ− ０８フー
Claims (4)
- （１）、屈曲した形状の導波路を有してなる半導体レー
ザー。 - （２）、導波路がＵ字状をなしている特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザー。 - （３）、導波路が弧状をなしている特許請求の範囲第１
項記の半導体レーザー。 - （４）、導波路の光束を出射する２つの端部が、半導体
チップの同一面にある特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれかに記載の半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397086A JPS6310579A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15397086A JPS6310579A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310579A true JPS6310579A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15574055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15397086A Pending JPS6310579A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165867U (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | ||
| JP2012156335A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JP2015122352A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源、波長可変光源モジュール、および光集積素子 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP15397086A patent/JPS6310579A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165867U (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | ||
| JP2012156335A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JP2015122352A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源、波長可変光源モジュール、および光集積素子 |
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