JPS6310454A - イオン注入装置における帯電防止装置 - Google Patents
イオン注入装置における帯電防止装置Info
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- JPS6310454A JPS6310454A JP61152140A JP15214086A JPS6310454A JP S6310454 A JPS6310454 A JP S6310454A JP 61152140 A JP61152140 A JP 61152140A JP 15214086 A JP15214086 A JP 15214086A JP S6310454 A JPS6310454 A JP S6310454A
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- photoelectric cathode
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- cathode surface
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Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 abstract 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- FHGTUGKSLIJMAV-UHFFFAOYSA-N tricesium;antimony Chemical compound [Sb].[Cs+].[Cs+].[Cs+] FHGTUGKSLIJMAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体試料にイオンを注入するイオン注入
装置に係り、とくに、イオン注入時における試料の帯電
を防止する帯電防止装置に関する。
装置に係り、とくに、イオン注入時における試料の帯電
を防止する帯電防止装置に関する。
（ロ）従来の技術
イオン注入はＬＳＩの製造に不可欠の技術であるが、高
電圧で加速されたイオンが試料に照射されると、試料表
面から二次電子が放出され、試料が電気絶縁性を有する
場合には、試料が正に帯電して絶縁破壊をひきおこす。
電圧で加速されたイオンが試料に照射されると、試料表
面から二次電子が放出され、試料が電気絶縁性を有する
場合には、試料が正に帯電して絶縁破壊をひきおこす。
従って、半導体素子が微細化するに伴い、この帯電現像
により素子の破壊が発生し易く、そのためイオン注入を
微細素子に応用することが制限されてきた。この対策の
一つとして、試料面の近傍に電気ヒータを設け、熱的に
発生した熱電子を試料面に照射し、それによって、試料
の帯電を中和させることが試みられている。
により素子の破壊が発生し易く、そのためイオン注入を
微細素子に応用することが制限されてきた。この対策の
一つとして、試料面の近傍に電気ヒータを設け、熱的に
発生した熱電子を試料面に照射し、それによって、試料
の帯電を中和させることが試みられている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような電気ヒータを使用すると、熱
せられたヒータの金属原子が試料面上を浮遊し、その金
属原子によって試料面が汚染させる恐れがある。
せられたヒータの金属原子が試料面上を浮遊し、その金
属原子によって試料面が汚染させる恐れがある。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので
、光電子によって試料を中和させ、試料面を汚染させる
ことのないイオン注入装置における帯電防止装置を提供
するものである。
、光電子によって試料を中和させ、試料面を汚染させる
ことのないイオン注入装置における帯電防止装置を提供
するものである。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明は、イオン源からのイオンを加速し、必要なイ
オンを分析マグネットで選別して試料面に注入するイオ
ン注入時置に設置されるものであって、光電陰陽材料で
形成した光電陰極面と、その光電陰極面に紫外線を照射
して光電子を放出させる紫外線ランプと３備え、かつ、
その光電子が試料面に供給される位置に充電陰極面と紫
外線ランプが配置されてなるイオン注入装置における帯
電防止装置である。
オンを分析マグネットで選別して試料面に注入するイオ
ン注入時置に設置されるものであって、光電陰陽材料で
形成した光電陰極面と、その光電陰極面に紫外線を照射
して光電子を放出させる紫外線ランプと３備え、かつ、
その光電子が試料面に供給される位置に充電陰極面と紫
外線ランプが配置されてなるイオン注入装置における帯
電防止装置である。
上記の光電陰極材料にはＧａ ＡＳを使用し、これに
１８０〜９１Ｑｎｍの範囲の波長の紫外線を照射するこ
とが好ましい。
１８０〜９１Ｑｎｍの範囲の波長の紫外線を照射するこ
とが好ましい。
上記光電陰極面は、たとえばＮｉ板を基板としｒｉ厚１
〜１ＱμＩＲＧａＡｓｌ！をＭＯＣＶＤ法により成膜し
て形成する。
〜１ＱμＩＲＧａＡｓｌ！をＭＯＣＶＤ法により成膜し
て形成する。
（ホ）作用
試料面にイオンが注入され二次電子が放出されて試料が
正に帯電するとき、光電陰極面が紫外線によって照射さ
れると、光電子が放出されて試料面に供給され、それに
よって試料が中和される。
正に帯電するとき、光電陰極面が紫外線によって照射さ
れると、光電子が放出されて試料面に供給され、それに
よって試料が中和される。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
。なお、これによってこの発明が限定されるものではな
い。
第１図はこの発明の一実施例のイオン注入装置を示す構
成説明図、第２図は第１図の部分詳細説明図である。こ
れらの図面において、１は少なくとも注入すべきイオン
を放出し得るイオン源であり、このイオン源１から放出
されたイオンビーム２の進行路には必要なイオンを選別
する分析マグネット３が設置され、分析マグネット３で
進路が制御されたイオンビーム２が照射される位置に試
料４が配置されている。試料４が配置された近傍には紫
外線を放射するランプ６を内蔵した紫外線１ＩＩ５が設
けられ、紫外線ランプ６が放射した紫外線によって照射
される位置に光電陰極面７パ設置されている。特に光電
陰極面７の位置は照射された紫外線で放出した光電子８
が試料４に達するように配慮されている。、９は試料４
から放出される二次電子、１０．１１は試料４および光
電陰極面７を接地する接地線である。
成説明図、第２図は第１図の部分詳細説明図である。こ
れらの図面において、１は少なくとも注入すべきイオン
を放出し得るイオン源であり、このイオン源１から放出
されたイオンビーム２の進行路には必要なイオンを選別
する分析マグネット３が設置され、分析マグネット３で
進路が制御されたイオンビーム２が照射される位置に試
料４が配置されている。試料４が配置された近傍には紫
外線を放射するランプ６を内蔵した紫外線１ＩＩ５が設
けられ、紫外線ランプ６が放射した紫外線によって照射
される位置に光電陰極面７パ設置されている。特に光電
陰極面７の位置は照射された紫外線で放出した光電子８
が試料４に達するように配慮されている。、９は試料４
から放出される二次電子、１０．１１は試料４および光
電陰極面７を接地する接地線である。
ここで、光電陰極面７を形成する光電陰極材料としては
、アンチモン化セシウムが有名であるが、試料としてシ
リコン半導体集積回路を適用する場合にはアルカリ金属
による汚染によづて特性変動をきたすため、Ｇａ Ａｓ
を採用した。
、アンチモン化セシウムが有名であるが、試料としてシ
リコン半導体集積回路を適用する場合にはアルカリ金属
による汚染によづて特性変動をきたすため、Ｇａ Ａｓ
を採用した。
そして、光電陰極面７は膜厚１μｍのＱａ ＡＳ護をＭ
ＯＣＶＤ法によりＮ１基板上に成膜して形成した。Ｑａ
Ａ３を採用した光電陰極面７は、波長１８０〜９１０
ｒ＋ｎ＋の光に対して光電子を放出し、量子効率は２１
％であるので、１０ｇＩＩｌの光量によって１１ｔｌＡ
程度の光電流を出力することができる。
ＯＣＶＤ法によりＮ１基板上に成膜して形成した。Ｑａ
Ａ３を採用した光電陰極面７は、波長１８０〜９１０
ｒ＋ｎ＋の光に対して光電子を放出し、量子効率は２１
％であるので、１０ｇＩＩｌの光量によって１１ｔｌＡ
程度の光電流を出力することができる。
このような構成において、イオン源１からのイオンビー
ム２が加速され分析マグネット３によって選別され試料
面４に到達すると、イオンが試料面に注入されるととも
に、二次電子９が放出される。このとき、紫外線ランプ
６が点灯されると、紫外線６ａが光電陰ｆｆ１７の表面
に照射される。試料４と光電陰極７は共に接地されてい
るので、光電子８がその表面から放出されると、試料４
に供給され、それによって、試料の帯電が中和される。
ム２が加速され分析マグネット３によって選別され試料
面４に到達すると、イオンが試料面に注入されるととも
に、二次電子９が放出される。このとき、紫外線ランプ
６が点灯されると、紫外線６ａが光電陰ｆｆ１７の表面
に照射される。試料４と光電陰極７は共に接地されてい
るので、光電子８がその表面から放出されると、試料４
に供給され、それによって、試料の帯電が中和される。
なお、この実施例においては、紫外線ランプ６としてウ
シオ■製超高圧水銀ランプを使用した。
シオ■製超高圧水銀ランプを使用した。
（ト）発明の効果
この発明によれば、イオン注入される試料の帯ｉｌ！荷
が光電子によって中和され、しかも、イオン注入時の試
料に不純物が混入することがないので、イオン注入装置
の微細半導体への適用が可能となる。
が光電子によって中和され、しかも、イオン注入時の試
料に不純物が混入することがないので、イオン注入装置
の微細半導体への適用が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例のイオン注入装置の構成説
明図、第２図は第１図の部分詳細説明図である。 １・・・・・・イオン源、 ２・・・・・・イオン
ビーム、３・・・・・・分析マグネット、 ４・・・・
・・試料、５・・・・・・紫外線源、 ６・・・
・・・紫外線ランプ、７・・・・・・光電陰極面、
８・・・・・・光電子、９・・・・・・二次電子。
明図、第２図は第１図の部分詳細説明図である。 １・・・・・・イオン源、 ２・・・・・・イオン
ビーム、３・・・・・・分析マグネット、 ４・・・・
・・試料、５・・・・・・紫外線源、 ６・・・
・・・紫外線ランプ、７・・・・・・光電陰極面、
８・・・・・・光電子、９・・・・・・二次電子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源からのイオンを加速し、必要なイオンを分
析マグネットで選別して試料面に注入するイオン注入装
置に設置されるものであって、光電陰極材料で形成した
光電陰極面と、その光電陰極面に紫外線を照射して光電
子を放出させる紫外線ランプとを備え、かつ、その光電
子が試料面に供給される位置に光電陰極面と紫外線ラン
プが配置されてなるイオン注入装置における帯電防止装
置。 ２、光電陰極材料がＧａＡｓであり、かつ、紫外線ラン
プの紫外線の波長が１８０〜９１０ｎｍの範囲にある特
許請求の範囲第１項に記載の帯電防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152140A JPS6310454A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | イオン注入装置における帯電防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152140A JPS6310454A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | イオン注入装置における帯電防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310454A true JPS6310454A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15533912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61152140A Pending JPS6310454A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | イオン注入装置における帯電防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220350A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152140A patent/JPS6310454A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220350A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置 |
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