JPS63102237A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPS63102237A
JPS63102237A JP24800286A JP24800286A JPS63102237A JP S63102237 A JPS63102237 A JP S63102237A JP 24800286 A JP24800286 A JP 24800286A JP 24800286 A JP24800286 A JP 24800286A JP S63102237 A JPS63102237 A JP S63102237A
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JP
Japan
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chip
wafer
chip area
monitor
monitor elements
Prior art date
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Pending
Application number
JP24800286A
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Japanese (ja)
Inventor
Izumi Tanaka
泉 田中
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce the area occupied by a monitor element in a chip region, and attain the miniaturization of a chip, by a method wherein several kinds of monitor elements to be incorporated in a wafer are arranged on a plurality of separately divided chip regions. CONSTITUTION:On a reticle, for example, four chip regions 3 are arranged. Patterns of, for example, four monitor element O, X, , square are arranged sepa rately on the four chip regions 3 one by one. Consequently, four chip region 3 on a wafer make up a set, and the four patterns O, X, , square are separately replicated on each chip region 3 of the set. Therefore, the number of monitor elements arranged on the chip region 3 is one. Thereby the number of monitor elements arranged on the chip region 3 is reduced, so that the chip region 3 that is a chip itself can be made small in accordance with the reduction amount. Further this miniaturization requires no modification in a manufacturing process containing the manufacture of a mask.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 複数種のモニター素子をウェーハのチップ領域に組み込
む半導体装置の製造において、上記複数種のモニター素
子を複数のチップ領域に分散配置することにより、 チップの小型化を図ったものである。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] In manufacturing a semiconductor device in which a plurality of types of monitor elements are incorporated into a chip area of a wafer, chip miniaturization is achieved by distributing the plurality of types of monitor elements in a plurality of chip areas. The aim is to

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、複数種
のモニター素子をウェーハのチップ領域に組み込む際の
配置方法に関す。
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and particularly to a method of arranging a plurality of types of monitor elements in a chip area of a wafer.

半導体装置特に半導体築積回路(IC)の製造において
は、ウェーハフ゛ロセスの確言忍のため、形成する回路
に基づくモニター素子をウェーハのチップ領域やスクラ
イブライン部に組み込む場合が多い。
In the manufacture of semiconductor devices, particularly semiconductor integrated circuits (ICs), monitor elements based on the circuits to be formed are often incorporated into the chip area or scribe line portion of the wafer due to the reliability of the wafer process.

そして一般に、一つのウェーハから回路を同じにする複
数のチップを製造しており、チップを小型にすることが
望まれている。
Generally, a plurality of chips with the same circuit are manufactured from one wafer, and it is desired to make the chips smaller.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

回路が形成されて半導体装置に用いられるチップは、一
般に方形をなし、通常、複数回のホトリソグラフィ技術
を重ねることを含むウェーハプロセスにより、ウェーハ
にマトリックス状に配置される複数の各チップ領域に同
じ回路を形成し、その後チップ領域を仕切るスクライブ
ラインに沿って切断して製造される。
Chips on which circuits are formed and used in semiconductor devices are generally rectangular, and each chip area is arranged in a matrix on a wafer using a wafer process that typically involves multiple photolithography techniques. It is manufactured by forming a circuit and then cutting it along scribe lines that partition chip areas.

ホトリソグラフィ技術では、上記回路の形成に必要なパ
ターンをマスクまたはレチクルに設け、露光によりその
パターンをウェーハに転写している。レチクルの場合は
、ウェーハの一部しかカバーしないのでステップ・アン
ド・レピート露光を用いる。またウェーハの全面をカバ
ーするマスクは、レチクルの転写により製作される。
In photolithography technology, a pattern necessary for forming the above-mentioned circuit is provided on a mask or a reticle, and the pattern is transferred to a wafer by exposure. In the case of a reticle, step-and-repeat exposure is used because only a portion of the wafer is covered. Furthermore, a mask that covers the entire surface of the wafer is manufactured by transferring a reticle.

一方上記のウェーハプロセスでは、処理の確認のため、
形成する回路に基づく複数種のモニター素子をウェーハ
のチップ領域やスクライブライン部に組み込む場合が多
い。
On the other hand, in the above wafer process, to confirm the process,
A plurality of types of monitor elements based on the circuits to be formed are often incorporated into the chip area or scribe line portion of the wafer.

第2図は、その組み込みをチップ領域に行う際のモニタ
ー素子の配置の従来方法を説明する平面図fal (b
) (clである。
FIG. 2 is a plan view fal (b
) (cl.

同図において、図(a)はレチクルを、図山)はマスク
を、図tc+はウェーハを示し、1はレチクルのチップ
領域、2はマスクのチップ領域、3はウェーハのチップ
領域、4はスクライブライン、であり、チップ領域lの
転写がチップ領域2を、チップ領域2の転写がチップ領
域3を形成する関係にある。
In the figure, figure (a) shows the reticle, figure tc+ shows the mask, figure tc+ shows the wafer, 1 is the chip area of the reticle, 2 is the chip area of the mask, 3 is the chip area of the wafer, and 4 is the scribe. The relationship is such that the transfer of the chip area 1 forms the chip area 2 and the transfer of the chip area 2 forms the chip area 3.

また、○、×、△、口は、それぞれ内容の異なるモニタ
ー素子のパターンを示す。そしてここでは、この4個の
素子がウェーハに組み込みを必要とする複数種のモニタ
ー素子の全てであうとする。
Moreover, ◯, ×, △, and mouth each indicate patterns of monitor elements with different contents. Here, it is assumed that these four elements are all of a plurality of types of monitor elements that need to be incorporated into the wafer.

レチクルには1個のチップ領域1が設けられ、パターン
Q、x、△、口は、そのチップ領域1に配置される。
One chip area 1 is provided on the reticle, and the patterns Q, x, Δ, and mouth are arranged in that chip area 1.

従ってウェーハでは、図tc>に示す如く各チップ領域
3毎にパターン○、X〜へ、口が転写されて、所要とす
る複数種のモニター素子の全てが各チップ領域3毎に配
置される。
Therefore, on the wafer, as shown in FIG. tc, the openings are transferred to the patterns ○,

なお、上述したモニター素子の配置には、スクライブラ
イン4のチップ領域3に接する部分をも利用する場合が
あるが、そのような場合も上述の説明に含まれるものと
する。その場合は、スクライブライン4におけるチップ
領域3の相隣る2辺に接する部分を含めてチップ領域3
と扱えば良い。
Note that the above-mentioned arrangement of the monitor elements may also utilize the portion of the scribe line 4 that is in contact with the chip region 3, but such a case is also included in the above description. In that case, the chip area 3 including the portion in contact with two adjacent sides of the chip area 3 in the scribe line 4
You can treat it as such.

しかしながらスクライブライン4には、通常、レチクル
ないしマスクの位置合わせ用マークを配置するスペース
(アライメントマークスペース)に充当されるので、モ
ニター素子の配置に利用出来る分はそれほど大きいもの
ではない。
However, since the scribe line 4 is usually used as a space (alignment mark space) for arranging alignment marks for a reticle or a mask, the space that can be used for arranging monitor elements is not so large.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

回路の高度化は、所要とするモニター素子の種類数およ
びアライメントマークスペースの増大を招く。
As circuits become more sophisticated, the number of types of monitor elements required and the alignment mark space increase.

また、モニター素子にはモニターする際の接続用パッド
などが含まれるため、モニター素子のパターンは、回路
に組み込まれる素子のパターンより大きい。
Further, since the monitor element includes connection pads for monitoring, the pattern of the monitor element is larger than the pattern of the element incorporated into the circuit.

このため回路が高度化すると、チップ領域3の中でモニ
ター素子の占める面積が増大し、チップ領域3即ちチッ
プが大型化する問題が生ずる。
For this reason, as the circuit becomes more sophisticated, the area occupied by the monitor element in the chip area 3 increases, causing a problem that the chip area 3, that is, the chip becomes larger.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点は、ウェーハに組み込む複数種のモニター素
子を複数のチップ領域に分散して配置する本発明の製造
方法によって解決される。
The above problems are solved by the manufacturing method of the present invention, in which a plurality of types of monitor elements to be incorporated into a wafer are distributed and arranged in a plurality of chip areas.

本発明によれば上記分散は、上記ウェーハに対するパタ
ーン転写の基になるレチクルのチップ領域を複数個にし
、その複数個の中において行うのが望ましい。
According to the present invention, it is preferable that the above-mentioned dispersion be performed in a plurality of chip regions of the reticle which are the basis of pattern transfer to the wafer.

〔作用〕[Effect]

上記分散は、一つのチップ領域に配置するモニター素子
の数を減少させるので、チップ領域の中でモニター素子
の占める面積が減少し、チップ領域即ちチップを小型化
させる。
The above-mentioned dispersion reduces the number of monitor elements arranged in one chip area, so the area occupied by the monitor elements in the chip area decreases, and the chip area, that is, the chip, becomes smaller.

そしてこの分散は、マスクのパターンの中に組み込まれ
る必要があるが、上記の如くレチクルの段階で行うこと
により、マスク製作を含めての半導体装置の製造工程を
従来と変える必要がなくなり、容易に実施することが出
来る。
This dispersion needs to be incorporated into the mask pattern, but by doing it at the reticle stage as described above, there is no need to change the semiconductor device manufacturing process, including mask production, from the conventional one, and it can be easily done. It can be implemented.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明方法の実施例について第1図の平面図fa
t (bl tc)を用い説明する。全図を通じ同一符
号は同一対象物を示す。
Hereinafter, an embodiment of the method of the present invention will be described below.
This will be explained using t (bl tc). The same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.

第1図は、従来方法を説明した第2図に対応する図であ
り、第1図の図(alはレチクルを、図(′b)はマス
クを、図(C1はウェーハを示す。そして第2図の場合
と同様に、チップ領域1の転写がチップ領域2を、チッ
プ領域2の転写がチップ領域3を形成する関係にある。
FIG. 1 is a diagram corresponding to FIG. 2 explaining the conventional method. As in the case of FIG. 2, the transfer of chip area 1 forms chip area 2, and the transfer of chip area 2 forms chip area 3.

レチクルには4個のチップ領域3が設けられ、4個のモ
ニター素子のパターン○、X、△、口は、上記4個のチ
ップ領域3に1個づつ分散して配置される。
The reticle is provided with four chip areas 3, and the four monitor element patterns ○,

従ってウェーハでは、図(C1に示す如く、4個のチッ
プ領域3が1組になり、4個のパターンO1×、△、口
がその1組の中の各チップ領域3に1個づつ分散して転
写されて、チップ領域3に配置されるモニター素子の数
が1(flitとなる。
Therefore, on the wafer, as shown in Figure (C1), four chip areas 3 form one set, and four patterns O1×, △, and openings are distributed one by one in each chip area 3 in the set. The number of monitor elements arranged in the chip area 3 becomes 1 (flit).

このことは、チップ領域3に配置されるモニター素子の
数を従来方法による第2図の場合のl/4に減少させて
、チップ領域3即ちチップをその減少分に応じて小型化
させる。
This reduces the number of monitor elements arranged in the chip area 3 to 1/4 of the conventional method shown in FIG. 2, and reduces the size of the chip area 3, that is, the chip, in proportion to the reduction.

然もこの小型化には、マスク製作を含めて製造工程の変
更を必要としない。
However, this miniaturization does not require any changes to the manufacturing process, including mask production.

なお従来方法の説明の場合と同様に、上述したモニター
素子の配置には、スクライブライン4のチップ領域3に
接する部分をも利用する場合を含まれるものとする。そ
の場合は、スクライブライン4におけるチップ領域3の
相隣る2辺に接する部分を含めてチップ領域3と扱えば
良い。
Note that, as in the case of the description of the conventional method, the above-mentioned arrangement of the monitor elements includes the case where the portion of the scribe line 4 in contact with the chip region 3 is also utilized. In that case, the portions of the scribe line 4 that are in contact with two adjacent sides of the chip region 3 may be treated as the chip region 3 .

この場合、モニター素子の配置がスクライブライン4の
中に吸収される際には、チップの小型化が実現しないこ
とになるが、回路が高度化した際の現実は、先に述べた
アライメントマークスペースの増大の影響もあって、モ
ニター素子の配置領域としてチップ領域3を利用せざる
を得ないのが一般である。
In this case, when the arrangement of the monitor element is absorbed into the scribe line 4, chip miniaturization will not be realized, but as the circuit becomes more sophisticated, the reality is that the alignment mark space mentioned earlier Due to the influence of the increase in the amount of noise, it is generally necessary to use the chip area 3 as the area for arranging the monitor element.

上記の実施例は、パターンの転写がレチクル−マスク−
ウェーハの場合で説明したが、レチクル−ウェーハの場
合にも同様になることは、改めて説明するまでもない。
In the above embodiment, the pattern is transferred from the reticle to the mask.
Although the explanation has been made in the case of a wafer, it goes without saying that the same applies to the case of a reticle-wafer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明の構成によれば、複数種のモ
ニター素子をウェーハに組み込む半導体装置の製造にお
いて、マスク製作を含めての製造工程を変更することな
く、チップ領域の中におけるモニター素子の占める面積
を減少させることが出来て、チップの小型化を容易に可
能にさせる効果がある。
As explained above, according to the configuration of the present invention, in manufacturing a semiconductor device in which multiple types of monitor elements are assembled on a wafer, the monitor elements can be arranged in a chip area without changing the manufacturing process including mask production. This has the effect of reducing the area occupied and making it easier to miniaturize the chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明方法の実施例を説明する平面図、第2図
は従来方法を説明する平面図、 である。 図にいて、 1はレチクルのチップ領域、 2はマスクのチップ領域、 3はウェーハのチップ領域、 4はスクライブライン、 ○、×、△、口はモニター素子のパターン、である。
FIG. 1 is a plan view illustrating an embodiment of the method of the present invention, and FIG. 2 is a plan view illustrating a conventional method. In the figure, 1 is the chip area of the reticle, 2 is the chip area of the mask, 3 is the chip area of the wafer, 4 is the scribe line, and ○, ×, and △ are the patterns of the monitor element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)スクライブラインに仕切られて方形をなし同じ回路
を有する複数のチップ領域をウェーハに形成し、且つ該
回路に基づく複数種のモニター素子を該チップ領域に組
み込むに際して、上記複数種のモニター素子を複数の上
記チップ領域に分散して配置することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 2)上記分散は、上記ウェーハに対するパターン転写の
基になるレチクルのチップ領域を複数個にし、その複数
個の中において行うことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の半導体装置の製造方法。
[Claims] 1) When forming a plurality of rectangular chip areas partitioned by scribe lines and having the same circuit on a wafer, and incorporating a plurality of types of monitor elements based on the circuit into the chip area, the above-mentioned A method for manufacturing a semiconductor device, comprising distributing and arranging a plurality of types of monitor elements in a plurality of the chip regions. 2) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the dispersion is performed in a plurality of chip regions of a reticle that serve as a basis for pattern transfer to the wafer. .
JP24800286A 1986-10-17 1986-10-17 Manufacture of semiconductor device Pending JPS63102237A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561373A (en) * 1990-10-09 1996-10-01 Fujitsu Limited Method and device for detecting electrostatic stress applied to a product semiconductor device during each production process

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56138936A (en) * 1980-04-01 1981-10-29 Nec Corp Semiconductor evaluation element

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