JPS63102150A - イオン散乱分光顕微鏡 - Google Patents
イオン散乱分光顕微鏡Info
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- JPS63102150A JPS63102150A JP61246777A JP24677786A JPS63102150A JP S63102150 A JPS63102150 A JP S63102150A JP 61246777 A JP61246777 A JP 61246777A JP 24677786 A JP24677786 A JP 24677786A JP S63102150 A JPS63102150 A JP S63102150A
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- Japan
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- ions
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- ion
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- incident
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- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 title claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 56
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 L Bi Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は入射イオンビームを材料表面上で２次元走査し
ながら材料表面からほぼ１８０°の散乱角で散乱されて
くるイオンのエネルギー分布を測定し、材料表面の局所
の化学的組成および原子配列を解析するイオン散乱分光
顕微鏡に関する。
ながら材料表面からほぼ１８０°の散乱角で散乱されて
くるイオンのエネルギー分布を測定し、材料表面の局所
の化学的組成および原子配列を解析するイオン散乱分光
顕微鏡に関する。
従来から用いられているイオン散乱分光装置では、イオ
ンビームを集束しこれを材料表面上で走査する機能がな
く、材料表面の化学組成および原子配列を表面上での分
布として観察することができなかった。また、従来のイ
オン散乱分光装置では１８０°よりはるかに小さな散乱
角（典型的には９０°）で散乱されたイオンを観測して
いたため、表面の各原子の中心からずれた位置を観測す
ることになり表面原子の中心位置に関する直接的な情報
を得ることができず、表面の原子配列の解析が複雑とな
るという難点を有していた。
ンビームを集束しこれを材料表面上で走査する機能がな
く、材料表面の化学組成および原子配列を表面上での分
布として観察することができなかった。また、従来のイ
オン散乱分光装置では１８０°よりはるかに小さな散乱
角（典型的には９０°）で散乱されたイオンを観測して
いたため、表面の各原子の中心からずれた位置を観測す
ることになり表面原子の中心位置に関する直接的な情報
を得ることができず、表面の原子配列の解析が複雑とな
るという難点を有していた。
材料表面上の組成分布を観察することができる代表的な
装置としては走査型オージェ電子顕微鏡（ＳＡＭ）と電
子プローブマイクロアナリシス（Ｅ Ｐ Ｍ Ａ ）が
挙げられる。これらはともに入射粒子として電子を用い
ており、前者はオージェ電子を後者は特性Ｘ線を検出し
、入射電子を集束して材料表面上を走査することにより
材料表面上の組成分布をを二次元の画像として得るもの
である。
装置としては走査型オージェ電子顕微鏡（ＳＡＭ）と電
子プローブマイクロアナリシス（Ｅ Ｐ Ｍ Ａ ）が
挙げられる。これらはともに入射粒子として電子を用い
ており、前者はオージェ電子を後者は特性Ｘ線を検出し
、入射電子を集束して材料表面上を走査することにより
材料表面上の組成分布をを二次元の画像として得るもの
である。
しかし前者はＩＯ人程度後者はμｍ程度の表面からの深
さについて平均化した組成に関する情報を与えるので、
表面の最外層の組成に関し正確な値を与えることができ
ず、かつこのために表面の構造を解析することが困難で
あるという欠点をもっていた。
さについて平均化した組成に関する情報を与えるので、
表面の最外層の組成に関し正確な値を与えることができ
ず、かつこのために表面の構造を解析することが困難で
あるという欠点をもっていた。
上記問題点は、材料表面に入射するイオンビームに対し
てほぼ１８０＠の散乱角で散乱されるイオンのエネルギ
ー分布を測定するイオン散乱分光装置と、前記イオンビ
ームを集束する集束レンズと、前記イオンビームを偏向
して材料表面上で２次元走査する走査用偏向器とを備え
る本発明のイオン散乱分光顕微鏡によって解決される。
てほぼ１８０＠の散乱角で散乱されるイオンのエネルギ
ー分布を測定するイオン散乱分光装置と、前記イオンビ
ームを集束する集束レンズと、前記イオンビームを偏向
して材料表面上で２次元走査する走査用偏向器とを備え
る本発明のイオン散乱分光顕微鏡によって解決される。
集束レンズによって集束されたイオンビームは走査用偏
向器によって偏向されて材料表面上を２次元走査する。
向器によって偏向されて材料表面上を２次元走査する。
このとき入射イオンビームに対してほぼ１８０°の散乱
角で散乱されてくるイオンのエネルギー分析が、エネル
ギー分析器によって行われる。
角で散乱されてくるイオンのエネルギー分析が、エネル
ギー分析器によって行われる。
（１） イオン散乱顕微鏡は材料表面で散乱されたイ
オンを検出するので、走査型オージェ電子顕微鏡（ＳＡ
Ｍ）や電子マイクロプローブアナリシス（ＥＰＭＡ）と
較べ、表面最外層に極めて敏感であり、表面最外層の組
成の局所的な分布を解析することができる。
オンを検出するので、走査型オージェ電子顕微鏡（ＳＡ
Ｍ）や電子マイクロプローブアナリシス（ＥＰＭＡ）と
較べ、表面最外層に極めて敏感であり、表面最外層の組
成の局所的な分布を解析することができる。
（２）入射イオンビーム発生源と散乱イオンのエネルギ
ー分析器の検出部とが同軸上に配置されているので装置
を小型一体化することができ、試料チャンバーに試料を
見込む単一のポートさえあれば本発明の顕微鏡を取り付
けることができる。
ー分析器の検出部とが同軸上に配置されているので装置
を小型一体化することができ、試料チャンバーに試料を
見込む単一のポートさえあれば本発明の顕微鏡を取り付
けることができる。
（３） 材料表面で１８０°に極めて近い散乱角で散
乱されてくるイオンを観測するので、表面の原子の中心
位置に関する情報を得ることができ、表面の構造を定量
的に容易に解析することができる。また、入射軌道をほ
ぼ逆にたどって散乱されるイオンのみを観測するので、
入射イオンの材料表面上での散乱を１回散乱とみなすこ
とができ、解析が著しく容易となる。
乱されてくるイオンを観測するので、表面の原子の中心
位置に関する情報を得ることができ、表面の構造を定量
的に容易に解析することができる。また、入射軌道をほ
ぼ逆にたどって散乱されるイオンのみを観測するので、
入射イオンの材料表面上での散乱を１回散乱とみなすこ
とができ、解析が著しく容易となる。
以下、本発明を実施例に従ってより詳細に説明する。第
１図は散乱イオンのエネルギー分布を飛行時間型エネル
ギー分析器によって行う場合の実施例の概略図である。
１図は散乱イオンのエネルギー分布を飛行時間型エネル
ギー分析器によって行う場合の実施例の概略図である。
一端に開口Ａを有する真空容器１の内部には、イオンビ
ームＩＢを発生するイオン源であるイオン銃１１このイ
オン銃■と軸を一致して飛行時間型エネルギー分析器の
検出部Ｄ１入射イオン集束レンズＥＬ、および入射イオ
ンの進行方向に垂直なＸ、Ｙ方向への走査用の偏向器Ｄ
Ｘ、ＤＹが収容されている。飛行時間型エネルギー分析
器は散乱イオンを検出する検出部、ドリフトチューブＤ
Ｔ、および散乱イオンがドリフトチューブ中を飛行する
に要する時間を測定するエレクトロニクスから成る。容
器１は開口Ａにおいて試料チャンバーＣのポートＰに接
続されている。イオン銃ＩはＨｅ″″、Ｎｅ″″、Ａｒ
＋等の希ガスイオン又はＬビ、Ｎａ”、Ｋ” 等のアル
カリ金属イオンを発生し得るもので、イオンエネルギー
は１００〜１００００ｅＶ程度である。イオンｉＩと検
出部りとの間にはスリブ）Ｓ、、Ｓ２ が配されており
、更にこれらスリブトＳｔ 、Ｓ２ の間にイオンビ
ームをパルス化するためのビームチョッピングプレート
ＣＰが設置されている。このビームチョッピングブレー
）ＣＰは約５ ｍｍ間隔の平行平板電極から構成されて
おり、この電極間には一定周波数のパルス状の方形波電
圧がパルス発生器ＰＧによって印加される。従って、ス
リットＳ１を通過したイオンビームＩＢは周期的に偏向
されて、断続的にスリットＳ２を通過することになり、
これによってパルス状のイオンビームが形成される。ビ
ームチョッピングプレートＣＰとスリットＳ２ との間
には偏向板Ｄ＋ 、Ｄ２ が設けられており、偏向器用
電源ＤＳの電圧を変化させることによってＸおよびＹ方
向にイオンビームを偏向してスリブ）Ｓ２ の約０．５
雅の小孔にイオンビームの軌道が一致するようにされる
。飛行時間型エネルギー分析器の検出部りは中心軸に２
ｍｍの穴を開けた２枚のマイクロチャンネルプレート
３を使用している。このマイクロチャンネルプレート３
は内壁が二次電子放出材料でコーティングされた細いガ
ラス管を多数束ねたものであり、散乱イオンの（ｋ５に
よって生じた二次電子をマイクロチャンネルプレート３
内で加速する必要から、マイクロチャンネルプレート３
の両端には高圧電源７により高電圧が印加されている。
ームＩＢを発生するイオン源であるイオン銃１１このイ
オン銃■と軸を一致して飛行時間型エネルギー分析器の
検出部Ｄ１入射イオン集束レンズＥＬ、および入射イオ
ンの進行方向に垂直なＸ、Ｙ方向への走査用の偏向器Ｄ
Ｘ、ＤＹが収容されている。飛行時間型エネルギー分析
器は散乱イオンを検出する検出部、ドリフトチューブＤ
Ｔ、および散乱イオンがドリフトチューブ中を飛行する
に要する時間を測定するエレクトロニクスから成る。容
器１は開口Ａにおいて試料チャンバーＣのポートＰに接
続されている。イオン銃ＩはＨｅ″″、Ｎｅ″″、Ａｒ
＋等の希ガスイオン又はＬビ、Ｎａ”、Ｋ” 等のアル
カリ金属イオンを発生し得るもので、イオンエネルギー
は１００〜１００００ｅＶ程度である。イオンｉＩと検
出部りとの間にはスリブ）Ｓ、、Ｓ２ が配されており
、更にこれらスリブトＳｔ 、Ｓ２ の間にイオンビ
ームをパルス化するためのビームチョッピングプレート
ＣＰが設置されている。このビームチョッピングブレー
）ＣＰは約５ ｍｍ間隔の平行平板電極から構成されて
おり、この電極間には一定周波数のパルス状の方形波電
圧がパルス発生器ＰＧによって印加される。従って、ス
リットＳ１を通過したイオンビームＩＢは周期的に偏向
されて、断続的にスリットＳ２を通過することになり、
これによってパルス状のイオンビームが形成される。ビ
ームチョッピングプレートＣＰとスリットＳ２ との間
には偏向板Ｄ＋ 、Ｄ２ が設けられており、偏向器用
電源ＤＳの電圧を変化させることによってＸおよびＹ方
向にイオンビームを偏向してスリブ）Ｓ２ の約０．５
雅の小孔にイオンビームの軌道が一致するようにされる
。飛行時間型エネルギー分析器の検出部りは中心軸に２
ｍｍの穴を開けた２枚のマイクロチャンネルプレート
３を使用している。このマイクロチャンネルプレート３
は内壁が二次電子放出材料でコーティングされた細いガ
ラス管を多数束ねたものであり、散乱イオンの（ｋ５に
よって生じた二次電子をマイクロチャンネルプレート３
内で加速する必要から、マイクロチャンネルプレート３
の両端には高圧電源７により高電圧が印加されている。
検出器りの中心軸上には、入射イオン導入用のコリメー
タ４が挿入されており、上記の高電圧による電界から遮
蔽するためコリメータ４は接地され、絶縁体によって検
出器りから絶縁されている。また、コリメータ４を出た
入射イオンビームに上記の高電圧による高電界が作用し
ない様に、検出器りの前面にはコリメータ４を囲んで、
接地を施したグリッド２が置かれている。なお、試料Ｓ
は二軸回転可能なマニピュレーターに取付けられている
。
タ４が挿入されており、上記の高電圧による電界から遮
蔽するためコリメータ４は接地され、絶縁体によって検
出器りから絶縁されている。また、コリメータ４を出た
入射イオンビームに上記の高電圧による高電界が作用し
ない様に、検出器りの前面にはコリメータ４を囲んで、
接地を施したグリッド２が置かれている。なお、試料Ｓ
は二軸回転可能なマニピュレーターに取付けられている
。
以上の様にして構成されたイオン散乱分光顕微鏡は以下
の様にして動作する。
の様にして動作する。
イオン銃■からでたイオンビームＩＢはパルス発生器Ｐ
Ｃ，ビームチョッピングプレートＣＰ。
Ｃ，ビームチョッピングプレートＣＰ。
およびスリットＳ２の組合わせによりパルス状にされ、
トリガ回路ＴＣはビームチョッピングプレー）ＣＰに印
加する方形波電圧が入射イオンのパルスを発生させる時
刻を飛行時間測定の始点としてスタート信号を時間波高
変換器８に人力する。
トリガ回路ＴＣはビームチョッピングプレー）ＣＰに印
加する方形波電圧が入射イオンのパルスを発生させる時
刻を飛行時間測定の始点としてスタート信号を時間波高
変換器８に人力する。
入射イオンのパルスはコリメータ４を通過しドリフトチ
ューブＤＴ内で集束レンズＥＬにより集束され偏向器Ｄ
Ｘ、Ｄ￥によりＸ、Ｙ方向に偏向されて試料Ｓの表面上
を走査する。試料の表面原子により散乱されるイオンの
うち１８０°に極めて近い散乱角で散乱されてくるイオ
ンは前記の入射イオンと同じドリフトチューブＤＴ内を
通るが、この場合偏向器ＤＸ、ＤＹ、集束レンズＥＬが
散乱イオンに作用しない様、これらに印加する電圧はビ
ーム走査用電源１１および集束レンズ用電源１２のスイ
ッチングを制御するゲート回路ＧＣによりパルス状にさ
れている。第２図は入射イオンのパルスの発生と共に動
作する集束レンズＥＬと偏向器ＤＸＳＤＹに印加した電
圧の時間相関図を示している。集束レンズＥＬと偏向器
ＤＸ、ＤＹは入射イオンのパルスがビームチョッピング
プレー）ＣＰを出発し試料Ｓに到達するまでの時間Ｔ。
ューブＤＴ内で集束レンズＥＬにより集束され偏向器Ｄ
Ｘ、Ｄ￥によりＸ、Ｙ方向に偏向されて試料Ｓの表面上
を走査する。試料の表面原子により散乱されるイオンの
うち１８０°に極めて近い散乱角で散乱されてくるイオ
ンは前記の入射イオンと同じドリフトチューブＤＴ内を
通るが、この場合偏向器ＤＸ、ＤＹ、集束レンズＥＬが
散乱イオンに作用しない様、これらに印加する電圧はビ
ーム走査用電源１１および集束レンズ用電源１２のスイ
ッチングを制御するゲート回路ＧＣによりパルス状にさ
れている。第２図は入射イオンのパルスの発生と共に動
作する集束レンズＥＬと偏向器ＤＸＳＤＹに印加した電
圧の時間相関図を示している。集束レンズＥＬと偏向器
ＤＸ、ＤＹは入射イオンのパルスがビームチョッピング
プレー）ＣＰを出発し試料Ｓに到達するまでの時間Ｔ。
のあいだ設定した電圧を保ち、入射イオンのパルスが試
料Ｓに到達した後は次の入射イオンのパルスが出発する
まで電圧はゼロとなる様に、ゲート回路ＧＣにより制御
されている。前記の散乱イオンはこの様に無電界のドリ
フトチューブＤＴ内を進み、グリッド２を透過して検出
部りにより検出され、この検出信号が増幅器ＡＭＰを経
て時間波高変換器８に飛行時間測定の終点であるストッ
プ信号として入力される。前記のスタート信号とストッ
プ信号との時間差が飛行時間Ｔとして前記の時間波高変
換器８によりアナログ量として測定され、これが波高分
析器９内でアナログ−ディジタル変換されて、横軸に飛
行時間Ｔ１縦軸に検出された散乱イオンの計数をとった
ヒストグラム上にＩＩされる。コンピューター１０はこ
れらのデータを読みとり、飛行時間Ｔから既知の値であ
る入射イオンのパルスの試料Ｓへの飛行時間Ｔ０を差引
くことにより、第２図に示す様に試料Ｓから飛行時間型
エネルギー分析器の検出部りまで飛行距離りを進む散乱
イオンの飛行時間Ｔ、を求め、第３図に示される様な飛
行時間Ｔ、に対する散乱イオンの飛行時間スペクトルを
記憶する。
料Ｓに到達した後は次の入射イオンのパルスが出発する
まで電圧はゼロとなる様に、ゲート回路ＧＣにより制御
されている。前記の散乱イオンはこの様に無電界のドリ
フトチューブＤＴ内を進み、グリッド２を透過して検出
部りにより検出され、この検出信号が増幅器ＡＭＰを経
て時間波高変換器８に飛行時間測定の終点であるストッ
プ信号として入力される。前記のスタート信号とストッ
プ信号との時間差が飛行時間Ｔとして前記の時間波高変
換器８によりアナログ量として測定され、これが波高分
析器９内でアナログ−ディジタル変換されて、横軸に飛
行時間Ｔ１縦軸に検出された散乱イオンの計数をとった
ヒストグラム上にＩＩされる。コンピューター１０はこ
れらのデータを読みとり、飛行時間Ｔから既知の値であ
る入射イオンのパルスの試料Ｓへの飛行時間Ｔ０を差引
くことにより、第２図に示す様に試料Ｓから飛行時間型
エネルギー分析器の検出部りまで飛行距離りを進む散乱
イオンの飛行時間Ｔ、を求め、第３図に示される様な飛
行時間Ｔ、に対する散乱イオンの飛行時間スペクトルを
記憶する。
以上の飛行時間測定を行うと同時に入射イオンのパルス
の発生毎にコンピューター１０によりビーム走査用電源
１１を制御して入射イオンのパルスを試りｓ上で走査し
、且つその走査時の偏向電圧から試料Ｓ上での入射イオ
ンの走査位置をコンピューター１０により算出し、試料
Ｓ表面の各微小部分における散乱イオンの飛行時間スペ
クトルを入射イオンの走査位置とともに記録してい（こ
とにより、試料表面の組成分布を解析することができる
。
の発生毎にコンピューター１０によりビーム走査用電源
１１を制御して入射イオンのパルスを試りｓ上で走査し
、且つその走査時の偏向電圧から試料Ｓ上での入射イオ
ンの走査位置をコンピューター１０により算出し、試料
Ｓ表面の各微小部分における散乱イオンの飛行時間スペ
クトルを入射イオンの走査位置とともに記録してい（こ
とにより、試料表面の組成分布を解析することができる
。
第１図は本発明のイオン散乱分光顕微鏡の一実施例の概
略図、 第２図は第１図に示された実施例の動作を説明するタイ
ミング図、および 第３図は本発明によって得られる散乱イオンの飛行時間
スペクトル。 ■・・・・・・イオン銃、ＩＢ・・・・・・入射イオン
ビーム、Ｓ＋ −Ｓ２ ・・・・・・スリット、Ｃ
Ｐ・・・・・・ビームチョッピングプレート、Ｄｔ 、
Ｄｔ・・・・・・偏向器、 Ｓ・・・・・・試料、ＥＬ
・・・・・・ビーム集束用レンズ、ＤＸＳＤＹ・・・・
・・ビーム走査用偏向器、Ｄ・・・・・・エネルギー分
析器の検出部、ＤＴ・・・・・・ドリフトチューブ、 Ｌ・・・・・・散乱イオンの飛行距離、Ｃ・・・・・・
試料チャンバー、 Ｐ・・・・・・ポート、 Ａ・・・・・・開口、ＰＧ
・・・・・・パルス発生器、ＴＣ・・・・・・トリガ回
路、ＧＣ・・・・・・ゲート回路、ＡＭＰ・・・・・・
増幅器、ＤＣ・・・・・・偏向器用電源、１・・・・・
・真空容器、Ｔｏ・・・・・・入射イオンが試料に到達
するまでの飛行時間、 ＴＬ・・・・・・散乱イオンの飛行時間、２・・・・・
・グリッド、 ３・・・・・・マイクロチャンネルプレート、４・・・
・・・コリメータ、７・・・・・・高圧電源、８・・・
・・・時間−波高変換器、９・・・・・・波高分析器、
１０・・・・・・コンピューター、 １１・・・・・・ビーム走査用電源、 １２・・・・・・レンズ用電源。
略図、 第２図は第１図に示された実施例の動作を説明するタイ
ミング図、および 第３図は本発明によって得られる散乱イオンの飛行時間
スペクトル。 ■・・・・・・イオン銃、ＩＢ・・・・・・入射イオン
ビーム、Ｓ＋ −Ｓ２ ・・・・・・スリット、Ｃ
Ｐ・・・・・・ビームチョッピングプレート、Ｄｔ 、
Ｄｔ・・・・・・偏向器、 Ｓ・・・・・・試料、ＥＬ
・・・・・・ビーム集束用レンズ、ＤＸＳＤＹ・・・・
・・ビーム走査用偏向器、Ｄ・・・・・・エネルギー分
析器の検出部、ＤＴ・・・・・・ドリフトチューブ、 Ｌ・・・・・・散乱イオンの飛行距離、Ｃ・・・・・・
試料チャンバー、 Ｐ・・・・・・ポート、 Ａ・・・・・・開口、ＰＧ
・・・・・・パルス発生器、ＴＣ・・・・・・トリガ回
路、ＧＣ・・・・・・ゲート回路、ＡＭＰ・・・・・・
増幅器、ＤＣ・・・・・・偏向器用電源、１・・・・・
・真空容器、Ｔｏ・・・・・・入射イオンが試料に到達
するまでの飛行時間、 ＴＬ・・・・・・散乱イオンの飛行時間、２・・・・・
・グリッド、 ３・・・・・・マイクロチャンネルプレート、４・・・
・・・コリメータ、７・・・・・・高圧電源、８・・・
・・・時間−波高変換器、９・・・・・・波高分析器、
１０・・・・・・コンピューター、 １１・・・・・・ビーム走査用電源、 １２・・・・・・レンズ用電源。
Claims (1)
- 材料表面に入射するイオンビームに対してほぼ１８０°
の散乱角で散乱されるイオンのエネルギー分布を測定す
るイオン散乱分光装置と、前記イオンビームを集束する
集束レンズと、前記イオンビームを偏向して材料表面上
で２次元走査する走査用偏向器とを備えるイオン散乱分
光顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246777A JPS63102150A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | イオン散乱分光顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246777A JPS63102150A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | イオン散乱分光顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102150A true JPS63102150A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH0535541B2 JPH0535541B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=17153503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246777A Granted JPS63102150A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | イオン散乱分光顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102150A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290049A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Shimadzu Corp | イオン散乱分光装置 |
| EP0488067A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-03 | Shimadzu Corporation | Ion-scattering spectrometer |
| US5182453A (en) * | 1991-02-22 | 1993-01-26 | Shimadzu Corporation | Ion scattering spectrometer |
| US5371366A (en) * | 1992-06-30 | 1994-12-06 | Shimadzu Corporation | Ion scattering spectroscope |
| WO2010013921A3 (ko) * | 2008-07-31 | 2010-05-06 | 케이맥(주) | 중에너지 이온빔 산란을 이용한 분광분석기 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110992A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-28 | Hitachi Ltd | |
| JPS5320995A (en) * | 1976-08-09 | 1978-02-25 | Minnesota Mining & Mfg | Apparatus for surface layer analysis |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61246777A patent/JPS63102150A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
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|---|---|
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