JPH058549B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH058549B2 JPH058549B2 JP61246778A JP24677886A JPH058549B2 JP H058549 B2 JPH058549 B2 JP H058549B2 JP 61246778 A JP61246778 A JP 61246778A JP 24677886 A JP24677886 A JP 24677886A JP H058549 B2 JPH058549 B2 JP H058549B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- ions
- flight
- material surface
- analyzer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- -1 He + Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン、Ｘ線、または紫外線のビー
ムを材料表面に入射し材料表面から発生する粒子
すなわち散乱イオン、二次イオン、二次電子、ま
たは光電子のエネルギー分析を行つて材料表面の
化学組成、原子配列、原子振動、または電子状態
を解析する材料表面解析装置に関する。
ムを材料表面に入射し材料表面から発生する粒子
すなわち散乱イオン、二次イオン、二次電子、ま
たは光電子のエネルギー分析を行つて材料表面の
化学組成、原子配列、原子振動、または電子状態
を解析する材料表面解析装置に関する。
この材料表面解析装置の具体例としては、イオ
ンを入射して１次イオンを検出するイオン散乱分
光装置ISS、イオンを入射して２次イオンを検出
する２次イオン質量分析装置SIMS、Ｘ線または
紫外線を入射して光電子を検出する光電子分光装
置を挙げることができる。
ンを入射して１次イオンを検出するイオン散乱分
光装置ISS、イオンを入射して２次イオンを検出
する２次イオン質量分析装置SIMS、Ｘ線または
紫外線を入射して光電子を検出する光電子分光装
置を挙げることができる。
例えば、Applied Physics 21（1980）p205に
開示されるように、これら装置においてビーム発
生源とエネルギー分析器は材料表面に対して異な
る方向に配置されている。
開示されるように、これら装置においてビーム発
生源とエネルギー分析器は材料表面に対して異な
る方向に配置されている。
ビーム発生源とエネルギー分析器とが異なる方
向に配置される従来の材料表面解析装置では、少
なくとも２つのポートを有する試料チヤンバーに
ビーム発生源とエネルギー分析器とをそれぞれ設
けるか、あるいは試料チヤンバーを大きくしてエ
ネルギー分析器をその中に収容しているため、装
置全体の構成が必然的に大がかりになるため建設
費が高く、操作性が悪いという欠点があつた。
向に配置される従来の材料表面解析装置では、少
なくとも２つのポートを有する試料チヤンバーに
ビーム発生源とエネルギー分析器とをそれぞれ設
けるか、あるいは試料チヤンバーを大きくしてエ
ネルギー分析器をその中に収容しているため、装
置全体の構成が必然的に大がかりになるため建設
費が高く、操作性が悪いという欠点があつた。
上記問題点は、
イオン、Ｘ線または紫外線のビームを発生する
ビーム発生源、 前記ビームを偏向するためのパルス状電圧を周
期的に発生するパルス電圧発生手段、 このパルス電圧発生手段と接続されており、前
記パルス状電圧を受けて、前記ビーム発生源から
出射したビームを周期的に偏向するチヨツピング
プレート、 前記偏向されたビームが断続的通過することに
よりパルスビームを形成するスリツト、 前記パルスビームが材料表面に入射することに
よりこの材料表面から発生するイオンまたは電子
を検出するエネルギー分析器の検出部、前記パル
ス電圧発生手段と接続する第１の入力と前記エネ
ルギー分析器の検出部と接続する第２の入力とを
備え、前記第１の入力に入力される前記パルス状
電圧の発生を示す信号を飛行時間測定の始点と
し、また前記第２の入力に入力される前記検出信
号を飛行時間測定の終点とし、前記始点と前記終
点との間の時間差を計測する飛行時間計測器、 前記検出部によつて検出されたイオンまたは電
子の収量を前記飛行時間計測器によつて計測され
た時間差ごとに計数していき横軸に時間差、縦軸
にイオンまたは電子の収量をとつたヒストグラム
をつくるマルチチヤンネル分析器、および 前記ビーム発生源、前記チヨツピングプレー
ト、前記スリツト及び前記エネルギー分析器の検
出部を同軸上に位置して保持し、前記パルスビー
ムおよび前記発生したイオンまたは電子が通過す
る開口を有する真空容器、を備えてなる飛行時間
測定型の同軸型材料表面解析装置により解決され
る。
ビーム発生源、 前記ビームを偏向するためのパルス状電圧を周
期的に発生するパルス電圧発生手段、 このパルス電圧発生手段と接続されており、前
記パルス状電圧を受けて、前記ビーム発生源から
出射したビームを周期的に偏向するチヨツピング
プレート、 前記偏向されたビームが断続的通過することに
よりパルスビームを形成するスリツト、 前記パルスビームが材料表面に入射することに
よりこの材料表面から発生するイオンまたは電子
を検出するエネルギー分析器の検出部、前記パル
ス電圧発生手段と接続する第１の入力と前記エネ
ルギー分析器の検出部と接続する第２の入力とを
備え、前記第１の入力に入力される前記パルス状
電圧の発生を示す信号を飛行時間測定の始点と
し、また前記第２の入力に入力される前記検出信
号を飛行時間測定の終点とし、前記始点と前記終
点との間の時間差を計測する飛行時間計測器、 前記検出部によつて検出されたイオンまたは電
子の収量を前記飛行時間計測器によつて計測され
た時間差ごとに計数していき横軸に時間差、縦軸
にイオンまたは電子の収量をとつたヒストグラム
をつくるマルチチヤンネル分析器、および 前記ビーム発生源、前記チヨツピングプレー
ト、前記スリツト及び前記エネルギー分析器の検
出部を同軸上に位置して保持し、前記パルスビー
ムおよび前記発生したイオンまたは電子が通過す
る開口を有する真空容器、を備えてなる飛行時間
測定型の同軸型材料表面解析装置により解決され
る。
ビーム発生源から発生されたイオン、Ｘ線また
は紫外線のビームは装置容器の開口から放出され
て材料表面に入射する。これによつて材料表面か
ら発生されたイオンまたは電子はビームが通過し
たのと同一の開口を通つて装置中のエネルギー分
析器の検出部によつて検出される。このエネルギ
ー分析器の検出部とビーム発生源とは同軸上に配
置されているので、ビームの材料表面への入射お
よび材料表面から発生するイオンまたは電子のエ
ネルギー分析が材料表面を見込む単一方向の小さ
な立体角内で行われる。
は紫外線のビームは装置容器の開口から放出され
て材料表面に入射する。これによつて材料表面か
ら発生されたイオンまたは電子はビームが通過し
たのと同一の開口を通つて装置中のエネルギー分
析器の検出部によつて検出される。このエネルギ
ー分析器の検出部とビーム発生源とは同軸上に配
置されているので、ビームの材料表面への入射お
よび材料表面から発生するイオンまたは電子のエ
ネルギー分析が材料表面を見込む単一方向の小さ
な立体角内で行われる。
本発明の同軸型材料表面分析装置は従来の装置
と較べビーム発生源とエネルギー分析器とが同軸
上に一体化して配置されているので、次のような
優れた効果を奏し得られる。
と較べビーム発生源とエネルギー分析器とが同軸
上に一体化して配置されているので、次のような
優れた効果を奏し得られる。
(1) 装置が一体化されているため小型化が実現で
き、低価格で装備することができる。
き、低価格で装備することができる。
(2) 試料チヤンバーに試料を見込む単一のポート
さえあれば容易に装備することができ、他の表
面解析装置との組合わせが容易であり、操作性
に富む。
さえあれば容易に装備することができ、他の表
面解析装置との組合わせが容易であり、操作性
に富む。
(3) 入射するビームがイオンでありエネルギー分
析される粒子が散乱イオンの場合、材料表面で
180゜に極めて近い散乱角で散乱されてくるイオ
ンを観測するので、材料表面の原子の中心位置
に関する情報を直接得ることができ、材料表面
の原子配列を定量的に容易に解析することがで
きる。又入射イオンの軌道をほぼ逆にたどつて
散乱されてくるイオンのみを観測するので入射
イオンの材料表面上での散乱過程を単一散乱と
みなすことができ解析が著しく容易となる。
析される粒子が散乱イオンの場合、材料表面で
180゜に極めて近い散乱角で散乱されてくるイオ
ンを観測するので、材料表面の原子の中心位置
に関する情報を直接得ることができ、材料表面
の原子配列を定量的に容易に解析することがで
きる。又入射イオンの軌道をほぼ逆にたどつて
散乱されてくるイオンのみを観測するので入射
イオンの材料表面上での散乱過程を単一散乱と
みなすことができ解析が著しく容易となる。
以下、本発明を実施例に従つてより詳細に説明
する。第１図はビーム発生源がイオンビームを発
生し、エネルギー分析器によつてエネルギー分析
される粒子が散乱イオンである場合の実施例の概
略図である。一端に開口Ａを有する真空容器１の
内部には、イオンビームIBを発生するイオン源
であるイオン銃Ｉおよびこのイオン銃Ｉと軸を一
致して散乱イオンのエネルギーを分析する飛行時
間型エネルギー分析器の検出部Ｄが収容されてい
る。飛行時間型エネルギー分析器は散乱イオンを
検出する検出部Ｄ、ドリフトチユーブDT、およ
び散乱イオンがドリフトチユーブ中を飛行するに
要する時間を測定するエレクトロニクスから成
る。容器１は開口Ａにおいて試料チエンバーＣの
ポートＰに接続されている。イオン銃Ｉは、
He+、Ne+、Ar+等の希ガスイオン又はLi+、
Na+、K+等のアルカリ金属イオンを発生し得る
もので、イオンエネルギーは100〜10000eV程度
である。イオン銃Ｉと検出部との間にはスリツト
S1、S2が配されており、更にこれらスリツトS1、
S2の間にイオンビームをパルス化するためのビー
ムチヨツピングプレートCPが設置されている。
このビームチヨツピングプレートCPは約５mm間
隔の平行平板電極から構成されており、この電極
間には一定周波数のパルス状の方形波電圧がパル
ス発生器PGによつて印加される。従つて、スリ
ツトS1を通過したイオンビームIBは周期的に偏
向されて、断続的にスリツトS2を通過することに
なり、これによつてパルス状のイオンビームが形
成される。ビームチヨツピングプレートCPとス
リツトS2との間には偏向板D1、D2が設けられて
おり、偏向器用電源DSの電圧を変化させること
によつてＸおよびＹ方向にイオンビームを偏向し
てスリツトS2の約0.5mmの小孔にイオンビームの
軌道が一致するようにされる。スリツトS2を通過
したイオンビームは開口Ａを通つて試料に入射
し、これにより発生した散乱イオンの一部が再び
開口Ａを通つてドリフトチユーブDTの方向へ戻
る。散乱イオンの検出部Ｄは、その拡大図である
第２図に詳細に示されるように、中心軸に２mmの
小孔を開けた２枚のマイクロチヤンネルプレート
３とアノードプレート４とから構成されている。
マイクロチヤンネルプレート３は内壁が二次電子
放出材料でコーテイングされた細いガラス管を多
数束ねた円板状のものであり、このマイクロチヤ
ンネルプレート３の両端にはグリツド２を通過し
た散乱イオンを加速し又その散乱イオンがマイク
ロチヤンネルプレート３を衝撃することにより生
じた二次電子を増倍する必要から、高圧電源７に
より高電圧が印加されており増倍された二次電子
がアノードプレート４により検出される。上記の
検出器の中心軸上に入射イオン導入用のコリメー
タ６がスペーサー５とともに挿入されており、上
記の高電圧による電界がコリメータ６内を通過中
のイオンに作用しない様にコリメータ６は接地が
施され、絶縁体であるスペーサ５によりマイクロ
チヤンネルプレート３から絶縁されている。又コ
リメータ６を出た入射イオンが上記の高電界によ
りその軌道を変えずに無電界中を進行する様にマ
イクロチヤンネルプレート３の前面には接地を施
したメツシユ状のグリツド２が設けられており、
上記の高電界を遮蔽している。
する。第１図はビーム発生源がイオンビームを発
生し、エネルギー分析器によつてエネルギー分析
される粒子が散乱イオンである場合の実施例の概
略図である。一端に開口Ａを有する真空容器１の
内部には、イオンビームIBを発生するイオン源
であるイオン銃Ｉおよびこのイオン銃Ｉと軸を一
致して散乱イオンのエネルギーを分析する飛行時
間型エネルギー分析器の検出部Ｄが収容されてい
る。飛行時間型エネルギー分析器は散乱イオンを
検出する検出部Ｄ、ドリフトチユーブDT、およ
び散乱イオンがドリフトチユーブ中を飛行するに
要する時間を測定するエレクトロニクスから成
る。容器１は開口Ａにおいて試料チエンバーＣの
ポートＰに接続されている。イオン銃Ｉは、
He+、Ne+、Ar+等の希ガスイオン又はLi+、
Na+、K+等のアルカリ金属イオンを発生し得る
もので、イオンエネルギーは100〜10000eV程度
である。イオン銃Ｉと検出部との間にはスリツト
S1、S2が配されており、更にこれらスリツトS1、
S2の間にイオンビームをパルス化するためのビー
ムチヨツピングプレートCPが設置されている。
このビームチヨツピングプレートCPは約５mm間
隔の平行平板電極から構成されており、この電極
間には一定周波数のパルス状の方形波電圧がパル
ス発生器PGによつて印加される。従つて、スリ
ツトS1を通過したイオンビームIBは周期的に偏
向されて、断続的にスリツトS2を通過することに
なり、これによつてパルス状のイオンビームが形
成される。ビームチヨツピングプレートCPとス
リツトS2との間には偏向板D1、D2が設けられて
おり、偏向器用電源DSの電圧を変化させること
によつてＸおよびＹ方向にイオンビームを偏向し
てスリツトS2の約0.5mmの小孔にイオンビームの
軌道が一致するようにされる。スリツトS2を通過
したイオンビームは開口Ａを通つて試料に入射
し、これにより発生した散乱イオンの一部が再び
開口Ａを通つてドリフトチユーブDTの方向へ戻
る。散乱イオンの検出部Ｄは、その拡大図である
第２図に詳細に示されるように、中心軸に２mmの
小孔を開けた２枚のマイクロチヤンネルプレート
３とアノードプレート４とから構成されている。
マイクロチヤンネルプレート３は内壁が二次電子
放出材料でコーテイングされた細いガラス管を多
数束ねた円板状のものであり、このマイクロチヤ
ンネルプレート３の両端にはグリツド２を通過し
た散乱イオンを加速し又その散乱イオンがマイク
ロチヤンネルプレート３を衝撃することにより生
じた二次電子を増倍する必要から、高圧電源７に
より高電圧が印加されており増倍された二次電子
がアノードプレート４により検出される。上記の
検出器の中心軸上に入射イオン導入用のコリメー
タ６がスペーサー５とともに挿入されており、上
記の高電圧による電界がコリメータ６内を通過中
のイオンに作用しない様にコリメータ６は接地が
施され、絶縁体であるスペーサ５によりマイクロ
チヤンネルプレート３から絶縁されている。又コ
リメータ６を出た入射イオンが上記の高電界によ
りその軌道を変えずに無電界中を進行する様にマ
イクロチヤンネルプレート３の前面には接地を施
したメツシユ状のグリツド２が設けられており、
上記の高電界を遮蔽している。
このように構成された本発明に従う同軸型イオ
ン散乱分光表面解析装置は以下の通りに動作す
る。
ン散乱分光表面解析装置は以下の通りに動作す
る。
イオン銃Ｉから出たイオンビームIBはパルス
発生器PGとビームチヨツピングプレートCP、お
よびスリツトS2の組合わせによりパルス状にさ
れ、同時にトリガ回路TCはパルス状の入射イオ
ンがビームチヨツピングプレートCPを出発する
時刻を飛行時間測定の始点としてスタート信号を
時間波高変換器８に入力する。パルス状の入射イ
オンはコリメータ６を通過し試料Ｓに到達し散乱
され、180゜に極めて近い散乱角で散乱されてくる
イオンは容器１のドリフトチユーブDT内を通り
グリツド２を透過すると、マイクロチヤンネルプ
レート３に印加された高電圧による電界により加
速されてマイクロチヤンネルプレート３を衝撃
し、発生した二次電子が上記の高電界によつて加
速されて増倍されアノードプレート４から検出信
号として取り出され検出信号は飛行時間測定の終
点であるストツプ信号として増幅器AMPを経て
時間波高変換器８に入力される。時間波高変換器
８はスタート信号とストツプ信号間の時間差を測
定しこの値をマルチチヤンネル波高分析器９に転
送し、マルチチヤンネル波高分析器９はこの時間
差を各入射イオンのパルスごとに記憶して同じ時
間差に相当する散乱イオンの数を計数していき、
横軸に時間差、縦軸に散乱イオンの数をとつたヒ
ストグラムをつくる。コンピユーター１０はこの
ヒストグラムのデータを読み込んで時間差から概
知の値である入射イオンの試料Ｓへの飛行時間を
差引くことにより散乱イオンの飛行時間を求め、
これらのデータを散乱イオンの飛行時間に対する
散乱イオンの収量として整理し、これを表示装置
１１に出力する。この散乱イオンの飛行時間スペ
クトルを試料Ｓを回転させて入射イオンの試料Ｓ
に対する極角および方位角を変えて記録していく
ことにより、試料Ｓの表面の化学組成、原子配
列、原子振動、および電子状態を容易に解析する
ことができる。
発生器PGとビームチヨツピングプレートCP、お
よびスリツトS2の組合わせによりパルス状にさ
れ、同時にトリガ回路TCはパルス状の入射イオ
ンがビームチヨツピングプレートCPを出発する
時刻を飛行時間測定の始点としてスタート信号を
時間波高変換器８に入力する。パルス状の入射イ
オンはコリメータ６を通過し試料Ｓに到達し散乱
され、180゜に極めて近い散乱角で散乱されてくる
イオンは容器１のドリフトチユーブDT内を通り
グリツド２を透過すると、マイクロチヤンネルプ
レート３に印加された高電圧による電界により加
速されてマイクロチヤンネルプレート３を衝撃
し、発生した二次電子が上記の高電界によつて加
速されて増倍されアノードプレート４から検出信
号として取り出され検出信号は飛行時間測定の終
点であるストツプ信号として増幅器AMPを経て
時間波高変換器８に入力される。時間波高変換器
８はスタート信号とストツプ信号間の時間差を測
定しこの値をマルチチヤンネル波高分析器９に転
送し、マルチチヤンネル波高分析器９はこの時間
差を各入射イオンのパルスごとに記憶して同じ時
間差に相当する散乱イオンの数を計数していき、
横軸に時間差、縦軸に散乱イオンの数をとつたヒ
ストグラムをつくる。コンピユーター１０はこの
ヒストグラムのデータを読み込んで時間差から概
知の値である入射イオンの試料Ｓへの飛行時間を
差引くことにより散乱イオンの飛行時間を求め、
これらのデータを散乱イオンの飛行時間に対する
散乱イオンの収量として整理し、これを表示装置
１１に出力する。この散乱イオンの飛行時間スペ
クトルを試料Ｓを回転させて入射イオンの試料Ｓ
に対する極角および方位角を変えて記録していく
ことにより、試料Ｓの表面の化学組成、原子配
列、原子振動、および電子状態を容易に解析する
ことができる。
なおマイクロチヤンネルプレート３の有効径が
約40mm、試料Ｓからマイクロチヤンネルプレート
３までの距離が約500mmの場合、10-3srの立体角
で散乱イオンを検出することができ、散乱角180゜
で散乱されてくるイオンを約±2゜の精度で観測す
ることができる。
約40mm、試料Ｓからマイクロチヤンネルプレート
３までの距離が約500mmの場合、10-3srの立体角
で散乱イオンを検出することができ、散乱角180゜
で散乱されてくるイオンを約±2゜の精度で観測す
ることができる。
上述した実施例おいては、真空容器内に、ビー
ム発生源とエネルギー分析器の検出部とが収容さ
れることによつて、両者が同軸上に位置して真空
容器に保持されたが、真空容器の後端部にフラン
ジを介してビーム発生源を取りつけることによつ
て、ビーム発生源とエネルギー分析器の検出部と
を同軸上に位置して真空容器に保持させることも
できる。
ム発生源とエネルギー分析器の検出部とが収容さ
れることによつて、両者が同軸上に位置して真空
容器に保持されたが、真空容器の後端部にフラン
ジを介してビーム発生源を取りつけることによつ
て、ビーム発生源とエネルギー分析器の検出部と
を同軸上に位置して真空容器に保持させることも
できる。
第１図は入射するビームがイオンであり、エネ
ルギー分析される粒子が散乱イオンである同軸型
イオン散乱分光表面解析装置の一実施例を示す概
略図、および第２図は第１図内のエネルギー分析
器の検出部の拡大図。 Ｉ……イオン銃、S1，S2……スリツト、CP…
…ビームチヨツピングプレート、D1，D2……偏
向器、Ｓ……試料、Ｄ……エネルギー分析器の検
出部、DT……ドリフトチユーブ、Ａ……開口、
Ｃ……試料チヤンバー、Ｐ……ポート、PG……
パルス発生器、TC……トリガ回路、DS……偏向
器用電源、AMP……増幅器、１……真空容器、
２……グリツド、３……マイクロチヤンネルプレ
ート、４……アノードプレート、５……スペーサ
ー、５……コリメータ、７……高圧電源、８……
時間−波高変換器、９……マルチチヤンネル波高
分析器、１０……コンピユーター、１１……表示
装置。
ルギー分析される粒子が散乱イオンである同軸型
イオン散乱分光表面解析装置の一実施例を示す概
略図、および第２図は第１図内のエネルギー分析
器の検出部の拡大図。 Ｉ……イオン銃、S1，S2……スリツト、CP…
…ビームチヨツピングプレート、D1，D2……偏
向器、Ｓ……試料、Ｄ……エネルギー分析器の検
出部、DT……ドリフトチユーブ、Ａ……開口、
Ｃ……試料チヤンバー、Ｐ……ポート、PG……
パルス発生器、TC……トリガ回路、DS……偏向
器用電源、AMP……増幅器、１……真空容器、
２……グリツド、３……マイクロチヤンネルプレ
ート、４……アノードプレート、５……スペーサ
ー、５……コリメータ、７……高圧電源、８……
時間−波高変換器、９……マルチチヤンネル波高
分析器、１０……コンピユーター、１１……表示
装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオン、Ｘ線または紫外線のビームを発生す
るビーム発生源Ｉ、 前記ビームを偏向するためのパルス状電圧を周
期的に発生するパルス電圧発生手段、 このパルス電圧発生手段と接続されており、前
記パルス状電圧を受けて、前記ビーム発生源から
出射したビームを周期的に偏向するチヨツピング
プレートCP、 前記偏向されたビームが断続的通過することに
よりパルスビームを形成するスリツトS2、 前記パルスビームが材料表面に入射することに
よりこの材料表面から発生するイオンまたは電子
を検出するエネルギー分析器の検出部Ｄ、 前記パルス電圧発生手段と接続する第１の入力
と前記エネルギー分析器の検出部と接続する第２
の入力とを備え、前記第１の入力に入力される前
記パルス状電圧の発生を示す信号を飛行時間測定
の始点とし、また前記第２の入力に入力される前
記検出信号を飛行時間測定の終点とし、前記始点
と前記終点との間の時間差を計測する飛行時間計
測器、 前記検出部によつて検出されたイオンまたは電
子の収量を前記飛行時間計測器によつて計測され
た時間差ごとに計数していき横軸に時間差、縦軸
にイオンまたは電子の収量をとつたヒストグラム
をつくるマルチチヤンネル分析器、および 前記ビーム発生源、前記チヨツピングプレー
ト、前記スリツト及び前記エネルギー分析器の検
出部を同軸上に位置して保持し、前記パルスビー
ムおよび前記発生したイオンまたは電子が通過す
る開口を有する真空容器１、を備えてなる飛行時
間測定型の同軸型材料表面解析装置。 ２ 前記パルス電圧発生手段が、トリガ信号を周
期的に発生するトリガ回路TC、及びこのトリガ
信号を受けて前記ビームを偏向するためのパルス
状電圧を周期的に発生するパルス発生器PGから
構成され、前記パルス状電圧の発生を示す信号
が、前記トリガ信号であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の飛行時間測定型の同軸型
材料表面解析装置。 ３ 前記飛行時間計測器が、時間波高変換器８で
あり、前記マルチチヤンネル分析器がマルチチヤ
ンネル波高分析器９であることを特徴とるす特許
請求の範囲第１項記載の飛行時間型の同軸型材料
表面解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246778A JPS63102151A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 飛行時間測定型の同軸型材料表面解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246778A JPS63102151A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 飛行時間測定型の同軸型材料表面解析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102151A JPS63102151A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH058549B2 true JPH058549B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=17153518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246778A Granted JPS63102151A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 飛行時間測定型の同軸型材料表面解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102151A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567736B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1996-12-25 | 理化学研究所 | イオン散乱分析装置 |
| JP2009064737A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 可逆形電磁接触器のインターロック装置 |
| KR101052361B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2011-07-27 | 한국표준과학연구원 | 중에너지 이온빔 산란을 이용한 분광분석기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60121654A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-29 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61246778A patent/JPS63102151A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60121654A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-29 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63102151A (ja) | 1988-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7564026B2 (en) | Linear TOF geometry for high sensitivity at high mass | |
| Trujillo et al. | Merging beams, a different approach to collision cross section measurements | |
| US5117107A (en) | Mass spectrometer | |
| US5128543A (en) | Particle analyzer apparatus and method | |
| US9543138B2 (en) | Ion optical system for MALDI-TOF mass spectrometer | |
| Chait et al. | A time-of-flight mass spectrometer for measurement of secondary ion mass spectra | |
| US5202561A (en) | Device and method for analyzing ions of high mass | |
| US5382793A (en) | Laser desorption ionization mass monitor (LDIM) | |
| US7141785B2 (en) | Ion detector | |
| US5619034A (en) | Differentiating mass spectrometer | |
| EP0281413B1 (en) | Mass spectrometer for positive and negative ions | |
| US4058724A (en) | Ion Scattering spectrometer with two analyzers preferably in tandem | |
| US5659170A (en) | Ion source for compact mass spectrometer and method of mass analyzing a sample | |
| US5166521A (en) | Ion-scattering spectrometer | |
| CN103094051A (zh) | 一种同向双通道飞行时间质谱仪 | |
| US6614019B2 (en) | Mass spectrometry detector | |
| Gruntman et al. | H atom detection and energy analysis by use of thin foils and TOF technique | |
| US5026988A (en) | Method and apparatus for time of flight medium energy particle scattering | |
| JPH058549B2 (ja) | ||
| Hunt et al. | Time‐of‐flight mass spectrometer adapted for studying charge transfer, ion dissociation, and photoionization | |
| Pollard et al. | Time‐resolved mass and energy analysis by position‐sensitive time‐of‐flight detection | |
| EP0501257B1 (en) | Ion scattering spectrometer | |
| JPH0830695B2 (ja) | 液体クロマトグラフ・質量分析装置 | |
| JPH0535541B2 (ja) | ||
| Mahoney et al. | A unique fast atom source for mass spectrometry applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |