JPS63100630A - 光ピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は光ディスク等の光記録媒体に記録されている信
号を読み取るための光ピックアップ、特に詳細には光導
波路を用いた光ピックアップに関するものである。

（発明の技術的背景および先行技術） 近時、画像信号や音声信号等の記録媒体として、光ディ
スク等の光記録媒体が広く実用に供されている。この光
記録媒体にビットの形で記録されている信号は、光学式
のピックアップ、いわゆる光ピックアップによって読み
取られる。この光ピックアップは、例えばレーザ光等の
光を光記録媒体表面に照射し、該記録媒体において反射
した光のレベルを検出して上記ピットの有無を検出する
ようにしたものである。

一方最近、上記のような光ピックアップとして、光導波
路を用いるものが提案されている（電子通信学会技術研
究報告０ＱＥ８４−１０９の９７ベージにはその一例が
示されている）。この光ピックアップは、 Ｍ＃ｌ上に形成された光導波路と、 この光導波路内に光を入射させる光源と、上記光導波路
内を進む導波光を平行光とする導波路レンズと、 上記光導波路の表面に形成され、導波光を該光導波路外
に出射させるとともに光記録媒体の表面で集束させる集
光性回折格子と、 光記録媒体の表面において反射し、上記集光性回折格子
を介して光導波路内に戻った戻り光を検出する光検出器
とからなるものであり、従来のピックアップに比べて軽
量小型化、製作の容易化等が期待されるものとなってい
る。

上記構成の光ピックアップにおいて従来は、光検出器と
して、光導波路の端面に結合されたフォトダイオード等
が用いられてきた。しかし現在のところ、こうして端面
結合された光検出器は光導波路との結合強度に問題が有
り、また性能の安定性、再現性にも問題が有ることが認
められている。

さらに、こうして光検出器を端面結合する際には、光導
波路からの光出射軸と光検出器の受光軸とを厳密に合わ
せる煩雑な作業も必要となる。

一方、上記光導波路を用いる光ピックアップを採用する
場合も、従来のレンズ光学系からなる光ピックアップを
用いる場合と同様、光を所定のビット列（トラック）に
正しく照射すること（トラッキング）が必要である。従
来は、光ピックアップのレンズ光学系を光軸方向に移動
させるフォーカシングコイル等を用いてフォーカシング
１ｉｌＪ　ｌｉｔをかけ、一方上記レンズ光学系を光軸
と直角な方向に移動させるトラッキングコイル等を用い
てトラッキング制御をかけるようにしており、このよう
な方法によれば、上記光導波路を用いるピックアップに
おいても正しくトラッキングを行なうことができる。し
かし上述のように電磁的、あるいは機械的な移動手段を
用いてトラッキング制−を実行すると、これらの移動手
段のためにピックアップが大型化し、光導波路を用いた
ことによる効果が半減してしまう。

（発明の目的） 本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、光検出器を光導波路端面に結合することに起因する問
題を解消でき、またトラッキング制御を行なうための機
構も含めて極めて小型軽口に形成されうる、光導波路型
の光ピックアップを提供することを目的とするものであ
る。

（発明の構成） 本発明の第１の光ピックアップは、前述したような光導
波路と、光源と、導波路レンズと、集光性回折格子と、
光検出器とからなる光ピックアップにおいて、光検出器
を、光導波路上に装荷された光導電性材料と電極対とか
ら形成したことを特徴とするものである。

また本発明の第２の光ピックアップは、上記構成の第１
の光ピックアップにおいて、表面弾性波が伝播可能な材
料から光導波路を形成し、そして、平行光とされた導波
光の光路に交わる方向に進行して該導波光を偏向させる
表面弾性波を光導波路において発生させる手段と、光記
録媒体の表面に集束された光のトラッキングエラーを検
出し、該エラーを示すトラッキングエラー信号を出力す
るトラッキングエラー検出回路と、 上記表面弾性波発生手段を、上記トラッキングエラー信
号に応じて表面弾性波周波数を変えるように駆動して、
トラッキングエラーを解消させる表面弾性波発生手段制
御回路とを設けたことを特徴とするものである。

上述の装荷型光検出器は、従来より公知のプレーナ技術
を利用して容易かつ安価に形成可能であり、前述の端面
結合の場合と異なって光導波路に強固に結合されて安定
した性能が得られ、そして面倒な光軸合せも必要としな
い。

なお光検出器を光導波路上に設けるには、例えば特開昭
６０−２０２５５３号に示されるように、光導波路の基
板を半導体基板から形成し、光検出器を該基板上にモノ
リシック化して形成することも提案されている。しかし
本発明装置におけるように光導波路上に光導電性材料を
装荷して光検出器を形成すれば、基板の材料を限定する
必要が無くなり、例えばガラス基板等安価な材料も利用
可能となり、コストダウンが達成される。特に本発明の
第２の光ピックアップにおいては、光導波路を表面弾性
波が伝播可能に形成する必要が有り、したがって基板は
一般に誘電体から形成されることになるが、このような
場合でも、上記構成の光検出器は光導波路上に形成可能
である。

上記表面弾性波発生手段としては例えば交叉くし形電極
対（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒ　　ＤｉｇｉｔａＩ　　Ｔｒａ
ｎｓｄｕｃｅｒ）が用いられる。このような表面弾性波
発生手段から発せられた表面弾性波の周波数が変えられ
ると、該表面弾性波によって偏向される導波光の偏向角
が変化する。この導波光の偏向角が変化すると、集光性
回折格子からの光の出射位置が変わり、光記録媒体表面
上の光照射位置が変化する。したがって、上述のように
トラッキングエラー信号に応じて表面弾性波周波数を変
えることにより、上記光照射位置を変化させて、トラッ
キング制御を行なうことができる。

上記ＩＤＴ等の表面弾性波発生手段は光導波路上に設け
ることができ、前述したトラッキングコイル等に比べれ
ば極めて小型に形成されうる。なおフォーカシング制御
は、従来から知られている機構によって行なえばよい。

（実施態様） 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。

第１図は本発明の第１の光ピックアップの一実ｍｓ様を
示すものである。この光ピックアップは、ガイドバー１
０に沿って図中矢印六方向に移動可能な移動ブロック１
１上に支持されたピックアップヘッド２０を有している
。上記移動ブロック１１には、ガイドバー１０と平行に
配されたスクリューロッド１３が螺合されており、この
スクリューロッド１３が光学系送りモータ１４によって
回転されることにより、移動ブロック１１は前記矢印六
方向に移動する。

上記ピックアップヘッド２０は、基板２１と、この基板
２１上に形成された先導波路２２と、この光導波路２２
の一端面２２ａに直接結合された半導体レーザ２３と、
この半導体レーザ２３から射出されたレーザ光２４が入
射する位置において光導波路２２に設けられた導波路レ
ンズ２５と、この導波路レンズ２５によって平行光とさ
れたレーザ光（導波光）２４′が通過する位置において
先導波路２２に設けられたビームスプリッタ２６と、こ
のビームスプリッタ２６を透過した導波光２４′が通過
する位置において光導波路２２の表面に形成された集光
性回折格子２７とを有している。また上記光導波路２２
には、ビームスプリッタ２６において反射した戻り光２
じ（この戻り光２じについては後に詳述する）を集束さ
せる導波路レンズ３０が設けられ、さらに該光導波路２
２の表面には、上記のように集束された戻り光２じを検
出する光検出器３１が配設されている。

本実施！ｇ様においては一例として、基板２１にＬｉＮ
ｋ）０３ウエハを用い、このウェハの表面にＴｉ拡散膜
を設けることにより光導波路２２を形成している。光導
波路２２は上記のＴｉ拡散に限らず、基板２１上にその
他の材料をスパッタ、蒸着する等して形成することもで
きる。なお光導波路については、例えばティー　タミー
ル（Ｔ、Ｔａｍ１　ｒ）編「インチグレイテッド　オブ
テイクス（■ｎｔｅａｒａｔｅｄ　　０ｐｔｉｃｓ）Ｊ
　　（トビツクスイン　アプライド　フィジックス（Ｔ
ＯｐｉＣ８ｉｎ　　ＡＥ）ｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）第７巻）スプリンガ−７エアラーグ（Ｓｐｒ　ｉ　
ｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｃｎ刊（１９７５）：西原、春名
、栖原共著「光集積回路」オーム社用（１９８５）等の
成著に詳細な記述があり、本発明では光導波路２２とし
てこれら公知の光導波路のいずれをも使用できる。

本実ｍｓ様における導波路レンズ２５は一例としてプロ
トン交換形導波路レンズであるが、このような導波路レ
ンズ２５は、上記光導波路２２の表面にＳｉＮｘ膜を堆
積し、その表面にポジ型電子線レジストを塗布し、さら
にその上にＡｕ導電用薄膜を蒸着し、レンズパターンを
電子線描画し、Ａｕ′ａ膜剥離後現像して得られたレジ
ストパターンをイオンエツチングして５ｉＮＸｌ！に転
写し、レジストを剥離後公知のプロトン交換を行なって
形成することができる。また集光性回折格子２１は、例
えば上記導波路レンズ２５を形成後５ｉＮｘｌｌの表面
にネガ型電子線レジストを塗布し、さらにその上にＡｕ
導電用薄膜を蒸着し、回折格子パターンを電子線描画し
、その後は上述のＡＵ薄膜剥離からレジスト剥離までの
工程を実施することによって形成することができる。

なお基板２１は移動ブロック１１に対して図中矢印Ｂお
よびＥ方向に移動自在に支持され、基板端部に固定され
た磁石３２とフォーカシングコイル３３との間に作用す
る磁力によって、上記矢印Ｂ方向に移動され、また磁石
３４とトラッキングコイル３５との間に作用する磁力に
よって矢印Ｅ方向に移動されるようになっている。また
光検出器３１の出力Ｓ２は図示しない公知の信号読取回
路に送られるとともに、トラッキングエラー検出回路５
２およびフォーカシングエラー検出回路５３に入力され
るようになっている。これらトラッキングエラー検出回
路５２、フォーカシングエラー検出回路５３が各々出力
するトラッキングエラー信号Ｓ３、フォーカシングエラ
ー信号Ｓ４はそれぞれ、トラッキングコイル駆動ｉｌｌ
　Ｉ１１回路５５と、フォーカシングコイル駆動制御回
路５４に入力される。

上述の光検出器３１は第２図に詳しく示すように、光導
波路２２上に下部透明電極３１ａ、薄膜状光導電性材料
３１ｂ１および上部電極３１ｃをこの順に装荷して形成
されたものである。そして下部透明電極３１ａと上部電
極３１０との間には、電源３１ｄから所定の電界が印加
される。この構成の光検出器３１においては、光導電性
材料３１ｂが光照射を受けるとその光量に応じた光電流
が流れる。したがって、端子３１ｅを介して外部回路に
流れる電流値を検出すれば、光導電性材料３１ｂの受光
光量を検出することができる。なお薄膜状光導電性材料
３１ｂは、例えば■族の８１．Ｇｅ、Ｖｌ族のＳｅ、ｍ
−Ｖ族のＧａＡｓ、ｎ−Ｖｌ族のＺｎＯ，ＣｄＳ、ＩＶ
−Ｖｌ族のＰｂＳ等のエピタキシャル膜、多結晶体膜、
非晶質膜等から形成可能であり、また非晶質カルコゲン
ＩＩ　（ａ−８ｅ、　ａ−８ｅ−Ａｓ−Ｔｅナト）、非
晶質Ｓｉを主体とし水素および／またはフッ素を含むＭ
ｌ（ａ−８ｉ　：Ｈ，ａ−８ｉＧｅ二Ｈ，ａ−８ｉＣ：
Ｈなど）に■族、Ｖ族の原子（Ｂ、　Ｐなど）を添加す
ることによりｐｎ接合、ｐ−１−ｎ接合を得てフォトダ
イオードを形成する膜、前記非晶質Ｓｉを主体とし水素
および／またはフッ素を含む膜とショットキー接合を構
成する電極を用いてフォトダイオードを形成する膜等か
ら形成することもできる。

次に、上記構成の光ピックアップの作動について説明す
る。前述の半導体レーザ２３は光導波路２２の一端面（
光入射端面）２２ａから該光導波路２２内に向けてレー
ザ光（放射ビーム）２４を射出する。

この放射ビーム２４は導波路レンズ２５によって平行ビ
ーム２４′とされ、このビーム２４°は光導波路２２内
において導波モードで矢印Ｃ方向に進行する。

この導波光２４゛はビームスプリッタ２６を透過し、集
光性回折格子２７が設けられている部分まで進行する。

集光性回折格子（ＦＧＣ：　Ｆｏｃｕｓ　ｉ　ｎＧ　　
ＧｒａｔｉｎＱ　　Ｃｏｕｐｌｅｒ）２７は、曲りとチ
ャープを有する１回折格子であり、光導波路２２内の平
面波と、該光導波路２２外の空間の一点に焦点を有する
球面波とを直接結合する。したがって導波光２４′は、
この集光性回折格子２７によって光導波路２２外に取り
出され、しかも該光導波路２２外の空間において集束さ
れる。光記録媒体としての光ディスク４０はその表面（
図中下表面）に上記集束された光２４′が照射される位
置に配されており、図示しない口軽駆動手段により矢印
り方向に回転される。光ディスク４０の表面には画像信
号や音声信号等を担持する多数のビットが配列されてお
り、上記光２４°のディスク表面からの反射光２じは、
上記ビットが無い部分においては高レベルで、ビットの
存在部分においては低レベルとなる。この反射光２４”
（戻り光）は集光性回折格子２７を介して光導波路２２
内に入射し、導波光２４゛　とは反対方向に光導波路２
２内を導波モードで進行する。そしてこの戻り光２４”
はビームスプリッタ２６において反射し、前述の光検出
器３１の下方を進行する。

この戻り光２４”は下部透明電極３１ａ越しに光導電性
材料３１ｂを照射するので、既述のようにして該戻り光
２４”の光量が光検出器３１によって検出される。この
光検出器３１の出力Ｓ２は、前記ビットの有無に応じて
レベルが変化するものとなるので、この出力Ｓ２を前述
のように読取回路に送って、光ディスク４０に記録され
ている信号を読み取ることができる。

ピックアップヘッド２０は先に述べたように光学系送り
モータ１４の駆動によって矢印Ａ方向（光ディスク４０
の径方向あるいはそれに近い方向）に送られ、それによ
り光デイスク４０上の光２４′の照射位１ｆｆ（ディス
ク径方向位置）が変えられて、記録信号（ビット）が連
続的に読み取られる。ここで上記光２４′は、所定のビ
ット列（トラック）４１に正しく照射されなければなら
ない。以下、このように光２４°の照射位置を正しく維
持するＩＩＪｉＩｌ（トラッキングｔｉ１１御）につい
て説明する。トラッキングエラー検出回路５２は光検出
器３１の出力ｓ２に基づいて、上記光２４′がトラック
４１から左右いずれかの方向にずれている（トラッキン
グエラー）が否かを検出し、このずれの方向を示すトラ
ッキングエラー信号８３をトラッキングコイル駆動ｔＩ
ＩＪｉｌｌ１回路５５に送る。なお上記トラッキングエ
ラーの検出は、従来から確立されているプッシュプル沫
、ヘテロダイン法等に基づいて行なえばよく、光検出！
１３１はそのようなエラー検出のための機能を備える構
造とされる。トラッキングコイル駆動１１Ｊ　１１１回
路５５は上記トラッキングエラー信号Ｓ３を受け、該信
号Ｓ３が示すトラッキングエラーの方向に応じた電流を
トラッキングコイル３５に供給し、このトラッキングエ
ラーが解消される方向にピックアップヘッド２０を移動
させる。それにより光２４°は、常にトラック４１の中
心に正しく照射されるようになる。

次にフォーカシング制御、すなわち光ディスク４０に照
射する光２４°を光ディスク４０の表面に正しく集束さ
せる制御について説明する。フォーカシングエラー検出
回路５３は光検出器３１の出力Ｓ２に基づいて、上記光
２４′の集束位置がディスク表面よりもピックアップヘ
ッド２０側にあるいはその反対側にずれている（フォー
カシングエラー）か否かを検出し、このずれの方向を示
すフォー力シングエラー信号Ｓ４をフォーカシングコイ
ル駆動制Ｏ１１回路５４に送る。なお上記フォーカシン
グエラーの検出も、従来から確立されている方法に基づ
いて行なわれうる。フォーカシングコイル駆動制御回路
５４は上記フォーカシングエラー信号Ｓ４を受け、該信
号Ｓ４が示すフォーカシングエラーの方向に応じた電流
をフォーカシングコイル３３に供給し、このフォーカシ
ングエラーが解消される方向にピックアップヘッド２０
を移動させる。それにより光２４′は、常に光ディスク
４０の表面に正しく集束するようになる。なお上述のフ
ォーカシングコイル３３とその駆動１ＩＩＩ　１１１回
路５４、およびトラッキングコイル３５とその駆動制御
回路５５は、フォーカシング用レンズ光学系を光軸方向
およびそれと直角な方向に移動させて、フォーカシング
制御とトラッキング制御を行なう公知の制御系に用いら
れるものと基本的に同じである。

なお上記実ＩＡ態様においては、光Ｓ＃電性材料３１ｂ
を下部′７４極３１ａと上部電極３１ｃとで挟み付けた
構造の光検出器３１が用いられているが、光検出器３１
はこのような構造に限らず、第３図に示すように電［１
３１ａ１３１ｃを光導電性材料３Ｉｂ上において互いに
横方向に並置した構造とされてもよい。

次に第４図を参照して、本発明の第２の光ピックアップ
の実施態様について説明する。なおこの第４図において
、前記第１因中の要素と同等の要素には同番号を付し、
それらについての説明は省略する。この第４図の光ピッ
クアップの光導波路２２には、集光性回折格子２７とビ
ームスプリッタ２６との間の導波光２４″の光路に交わ
る方向に進行する表面弾性波２８を発生させる交叉くし
形電極対２９が設けられている。光導波路２２は前述の
ようにして形成されるが、特に前記Ｔ１拡ａ膜等、表面
弾性波２８が伝播可能な材料から形成される。また交叉
くし形電極対２９は、例えば光導波路２２の表面にポジ
型電子線レジストを塗布し、ざらにその上にＡｕ導電用
薄膜を蒸着し、電極パターンを電子線描画し、Ａｌ１１
１Ｍを剥離機現像を行ない、次いでＣｒｙ設、Ａ１８１
躾を蒸＠後、有機溶媒中でリフトオフを行なうことによ
って形成することができる。

なお電極対２９は、基板２１や光導波路２２が圧電性を
有する材料からなる場合には、直接光導波路２２内ある
いは基板２１上に設置しても表面弾性波２８を発生させ
ることができるが、そうでない場合には基板２１あるい
は光導波路２２の一部に例えばＺｎ。

等からなる圧電性薄膜を蒸着、スパッタ等によって形成
し、そこに電極対２９を設置すればよい。この交叉くし
形電極対２９には電極対駆動回路５ｏがら高周波電圧が
印加され、この電圧印加により交叉くし形電極対２９は
表面弾性波２８を発生する。そして上記駆動回路５０に
は、電極対制御回路５１がら駆動制御信号Ｓ１が入力さ
れるようになっている。

上記電極対＆ｌＪ　ｔｉ１１回路５１は、第１図の装置
におけるトラッキングコイル駆動＆ｌＪ　ａ１１回路５
５に代わるものであり、本装置においては第１図に示さ
れるトラッキングコイル３５およびそれに対応する磁石
３４は除かれている。また第１図に示された磁石３２、
フォーカシングコイル３３およびフォーカシングコイル
駆動＆ｌＪ　１２１１回路５４も除かれて、その代わり
にバイモルフ７０およびバイモルフ駆動！１Ｊ１１１回
路７１が設けられ、そしてピックアップヘッド２０が揺
動軸１２を中心に矢印Ｆ方向に揺動自在に移動ブロック
１１に支持されている。バイモルフ１０はピックアップ
ヘッド２０と移動ブロック１１との間に介設されており
、バイモルフ駆動制御回路１１から印加される電圧の大
きさに応じて高さく図中上下方向の長さ）を変えるよう
に駆動する。本装置において、トラッキングエラー信号
Ｓ３とフォーカシングエラー信号Ｓ４はそれぞれ、電極
対制御回路５１とバイモルフ駆動１１３１１回路７１に
入力される。

以下、上記構成の光ピックアップの作動について説明す
る。この光ピックアップにおいて、光ディスク４０から
の信号読取りは、第１図図示の光ピックアップにおける
のと同様にして行なわれる。

次にトラッキング制御について説明する。半導体レーザ
２３が駆動されるとき交叉くし形電極対２９にも前述の
高周波電圧が印加され、したがって導波光２４′は表面
弾性波２８を横切って進行する。電極対制御回路５１は
トラッキングエラー信号Ｓ３を受け、該信号Ｓ３が示す
トラッキングエラーの方向に応じて上記高周波電圧の周
波数を漸増あるいは漸減させるように電極対駆動回路５
０をＭｉｌｌする。

導波光２４°は表面弾性波２８を横切って進行しており
、そのために導波光２４°は、この表面弾性波２８との
音響光学相互作用により偏向する。そして上述のように
交叉くし形電極対２９に印加される高周波電圧の周波数
が変えられると、導波光２４′の偏向角が変わるように
なる。以下、この点について説明する。第５図に示すよ
うに、交叉くし形電極対２９によって発生されて光導波
路２２を伝播する表面弾性波２８の進行方向と、導波光
２４°の進行方向とがなす角（ＢｒａＱＯ角）をθとす
ると、前述の音響光学相互作用による導波光２４°の偏
向角δは、δ−２θとなる。モして導波光２４′の波長
、実効屈折率をλ、Ｎｅとし、表面弾性波２８の波長、
周波数、速度をそれぞれ八、ｆ、ｖとすれば、２θ−２
ｓｉｎ’　（λ／２Ｎｅ−△）ぽλ／Ｎｅ・八 一λ・ｆ／Ｎｅ−ｖ となり、２０つまりδは表面弾性波２８の周波数ｆにほ
ぼ比例する。そこで電極対２９に印加する高周波電圧の
周波数を変化させて、表面弾性波２８の周波数を変化さ
せれば、偏向角δが変化するようになる。このように導
波光２４′の偏向角が変化すれば、集光性回折格子２７
からの光２４′の出射位置が変わり、光デイスク４０上
の光２４°の照射位置がトラック４１に対して左右方向
に変化する。したがって、上記偏向角δの変化により光
２４′の照射位置がトラック４１に近づくように、前記
高周波電圧周波数の＠部方向を設定しておけば、トラッ
キングエラーが解消される。

次にフォーカシング制御について説明する。フォーカシ
ングエラー検出回路５３が検出するフォーカシングエラ
ー信号Ｓ４は、バイモルフ駆動［１回路７１に入力され
る。バイモルフ駆動１４ＩＩ１１回路７１はこのフォー
カシングエラー信号Ｓ４を受け、該信号Ｓ４が示すフォ
ーカシングエラーの方向に応じて、バイモルフ１０に印
加する電圧の大きさを増減する。すなわち例えばバイモ
ルフ７０が、印加電圧が上昇するにつれて上下方向に伸
長するように形成されていると仮定すれば、バイモルフ
駆動制ｗ回路１１は、光２４°の集束位置が光ディスク
４０の表面よりもピックアップヘッド２０に近い場合に
は上記印加電圧を上昇させ、集束位置が上記と反対方向
にディスク表面からずれている場合には印加電圧を下げ
る。このようにバイモルフ７０への印加電圧がＩＩＩｉ
Ｉｇされて、該バイモルフ７０の高さが変化することに
より、ピックアップヘッド２０はフォーカシングエラー
を解消するように矢印Ｆ方向に揺動し、それにより光２
４゛は常に光ディスク４０の表面に正しく集束するよう
になる。

なお上記第４図の実施態様装置においては、バイモルフ
１０およびバイモルフ駆動制御回路１１によってフォー
カシング＆１ＩｉｌＤがなされるようになっているが、
本発明の第２の光ピックアップにおいて、第１図に示さ
れるような磁石３２、フォーカシングコイル３３および
フォーカシングコイル駆動側ｍ回路５４を用いてフォー
カシングＩｌｌ　ＩＩＩを行なってもよい。

（発明の効果） 以上詳報に説明した通り本発明の光ピックアップは、光
導波路上に装荷した光検出器により光記録媒体からの戻
り光を検出するようにしているので、光検出器を光導波
路に端面結合する場合に比べると、光導波路と光検出器
との結合強度が高められ、安定した光検出性能が得られ
、また面倒な光検出器と光導波路との光軸合せ作業も不
要となる。そして上記構成の光検出器を用いれば、光検
出器を基板上にモノリシック化して設ける場合のように
基板を特定のものに限る必要が無いので、安価な基板を
用いることができ、光ピックアップのコストダウンが達
成される。

そして特に本発明の第２の光ピックアップは、構造が極
めて簡単な交叉くし形電極対等により表面弾性波を発生
させ、この表面弾性波によって導波光を偏向させてトラ
ッキング制御を行なうようにしたので、集光性回折格子
を備える光導波路素子からなる光ピックアップの中でも
特に小型軽沿に形成されるものとなり、光デイスク読取
８置の小型＠蝙化に大いに寄与する。またこの本発明の
第２の光ピックアップにおいては、トラッキング制御は
導波光を偏向することによって行なわれ、この制御のた
めにレンズ光学系等型口の有るものを移動させることは
一切していないから、トラッキング制御の応答性が向上
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の光ピックアップの一実施態様を
示す概略斜視図、 第２図は上記実施態様装置の光検出器を示す概略側面図
、 第３図は本発明の光ピックアップに用いられうる別の光
検出器を示す概略斜視図、 第４図は本発明の第２の光ピックアップの一実施態様を
示す概略斜視図、 第５図は本発明に係る表面弾性波による導波光の偏向を
説明する説明図である。 ２０・・・ピックアップヘッド　２１・・・基板２２・
・・光導波路　　　　　　２３・・・半導体レーザ２４
°・・・導波光　　　　　　２４″・・・戻り光２５．
３０・・・導波路レンズ　　２６・・・ビームスプリッ
タ２７・・・集光性回折格子　　　２８・・・表面弾性
波２９・・・交叉くし形電極対　　３１・・・光検出器
３１ａ、３１Ｇ・・・電極　　　　３１ｂ・・・光導電
性材料３１ｄ・・・電源　　　　　　　３２．３４・・
・磁石３３・・・フｔ−ｈシングコイル ３５・・・トラッキングコイル ４０・・・・・・光ディスク　　　　４１・・・トラッ
ク５０・・・電極対駆動回路　　　５１・・・電極対Ｉ
ｌｌ　１回路５２・・・トラッキングエラー検出回路５
３・・・フォーカシングエラー検出回路５４．５５・・
・コイル駆動制御回路　７０・・・バイモルフ７１・・
・バイモルフ駆動１１１０回路第１図 第２図 第３図 第５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された光導波路と、 この光導波路内に光を入射させる光源と、 前記光導波路内を進む導波光を平行光とする導波路レン
   ズと、 前記光導波路の表面に形成され、導波光を該光導波路外
   に出射させるとともに光記録媒体の表面で集束させる集
   光性回折格子と、 前記光記録媒体の表面において反射し、前記集光性回折
   格子を介して前記光導波路内に戻つた戻り光を検出する
   光検出器とからなる光ピックアップにおいて、 前記光検出器が、前記光導波路上に装荷された光導電性
   材料と電極対とから形成されていることを特徴とする光
   ピックアップ。
2. （２）基板上に形成された光導波路と、 この光導波路内に光を入射させる光源と、 前記光導波路内を進む導波光を平行光とする導波路レン
   ズと、 前記光導波路の表面に形成され、導波光を該光導波路外
   に出射させるとともに光記録媒体の表面で集束させる集
   光性回折格子と、 前記光記録媒体の表面において反射し、前記集光性回折
   格子を介して前記光導波路内に戻つた戻り光を検出する
   光検出器とからなる光ピックアップにおいて、 前記光導波路が、表面弾性波が伝播可能な材料から形成
   され、 平行光とされた前記導波光の光路に交わる方向に進行し
   て該導波光を偏向させる表面弾性波を前記光導波路にお
   いて発生させる手段と、 前記光記録媒体の表面に集束された光のトラッキングエ
   ラーを検出し、該エラーを示すトラッキングエラー信号
   を出力するトラッキングエラー検出回路と、 前記表面弾性波発生手段を、前記トラッキングエラー信
   号に応じて表面弾性波周波数を変えるように駆動して、
   前記トラッキングエラーを解消させる表面弾性波発生手
   段制御回路とが設けられ、前記光検出器が、前記光導波
   路上に装荷された光導電性材料と電極対とから形成され
   ていることを特徴とする光ピックアップ。