JPS63100092A - セラミツクス基材の表面を金属する方法 - Google Patents
セラミツクス基材の表面を金属する方法Info
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- JPS63100092A JPS63100092A JP24682286A JP24682286A JPS63100092A JP S63100092 A JPS63100092 A JP S63100092A JP 24682286 A JP24682286 A JP 24682286A JP 24682286 A JP24682286 A JP 24682286A JP S63100092 A JPS63100092 A JP S63100092A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミックス基材を湿式めっき法により表面
を金属化する方法に関し、詳しくは、金属皮膜とセラミ
ックス基材とが強固に接着したセラミックス基材の表面
を金属化する方法に関する。
を金属化する方法に関し、詳しくは、金属皮膜とセラミ
ックス基材とが強固に接着したセラミックス基材の表面
を金属化する方法に関する。
(従来技術)
セラミックス基材を湿式めっき法により表面を金属化す
る方法において、湿式めっき法により形成される金員皮
膜とセラミックス基材との間に強固な接着力を得るため
には、あらかじめセラミックス基材表面を適度に粗面化
処理した後に湿式めっきを行う必要がある。例えば、弗
化水素酸、塩化水素酸、硫酸などの水素酸水溶液による
処理。
る方法において、湿式めっき法により形成される金員皮
膜とセラミックス基材との間に強固な接着力を得るため
には、あらかじめセラミックス基材表面を適度に粗面化
処理した後に湿式めっきを行う必要がある。例えば、弗
化水素酸、塩化水素酸、硫酸などの水素酸水溶液による
処理。
アルカリ金属化合物による処理がある。後者については
例えば特開昭60−16885号公報、特開昭60−1
6886号公報に提案されている。
例えば特開昭60−16885号公報、特開昭60−1
6886号公報に提案されている。
(本発明が解決しようとする問題点)
セラミックス基材表面の粗面化処理としては弗化水素酸
、塩化水素酸、硫酸などの水素酸水溶液にセラミックス
基材を一定時間浸漬する処理方法が試みられている。し
かし、弗化水素酸を除き、粗面化程度が小さいため、金
員皮膜とセラミックス基材との間に十分な接着強度を付
与することはできていない。弗化水素酸を用いた場合に
は、セフミツクス基材表面に残留した弗素イオンにより
セラミックス基材との界面から金属皮膜の腐食が生じる
ことが知られている(J、 Electrochem、
Socす120巻、1518頁(1973))。他の
セラミックス基材表面の粗面化方法として、溶融したア
ルカリ金属化合物を用いた処理方法が試みられている〔
特開昭60−16885号公報、特開昭60−1688
6号公軸〕。アルカリ金属化合物という非常に広輪の化
合物のうち、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸水素塩お
よびこれらの混合物について可能性が記述されているが
、実際に十分な効果t−得ることができるのは水酸化物
を用いた場合に限られる。
、塩化水素酸、硫酸などの水素酸水溶液にセラミックス
基材を一定時間浸漬する処理方法が試みられている。し
かし、弗化水素酸を除き、粗面化程度が小さいため、金
員皮膜とセラミックス基材との間に十分な接着強度を付
与することはできていない。弗化水素酸を用いた場合に
は、セフミツクス基材表面に残留した弗素イオンにより
セラミックス基材との界面から金属皮膜の腐食が生じる
ことが知られている(J、 Electrochem、
Socす120巻、1518頁(1973))。他の
セラミックス基材表面の粗面化方法として、溶融したア
ルカリ金属化合物を用いた処理方法が試みられている〔
特開昭60−16885号公報、特開昭60−1688
6号公軸〕。アルカリ金属化合物という非常に広輪の化
合物のうち、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸水素塩お
よびこれらの混合物について可能性が記述されているが
、実際に十分な効果t−得ることができるのは水酸化物
を用いた場合に限られる。
アルカリ金属水酸化物を用いた場合には金属皮膜とセラ
ミックス基材との間の強固な接着力を得ることが可能で
あるが、セラミックス基材自体の脆化も伴うという欠点
がある。セラミックス基材が板状の彫金である場合には
脆化の影響は特に顕著に現れる。具体的には、後述する
金属皮膜とセラミックス基材との接着力を測定する際に
、セラミックス基材が比較的小さな外力によって破壊さ
れてしまう。
ミックス基材との間の強固な接着力を得ることが可能で
あるが、セラミックス基材自体の脆化も伴うという欠点
がある。セラミックス基材が板状の彫金である場合には
脆化の影響は特に顕著に現れる。具体的には、後述する
金属皮膜とセラミックス基材との接着力を測定する際に
、セラミックス基材が比較的小さな外力によって破壊さ
れてしまう。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明者らはこのような従来技術の問題点を解決するた
め鋭意研究を重ねた結果、一般式(HxPyOx )n
で示される化合物がかかる問題点を解決する化合物であ
ることを見出した。すなわち本発明は、湿式めっきによ
りセラミックス基材表面を金属化する方法において、あ
らかじめセラミックス基材を、一般式(1)で示される
化合物の1種または2種以上により、表面を粗面化処理
することを特徴とするセラミックス基材の表面を金属化
する方法。
め鋭意研究を重ねた結果、一般式(HxPyOx )n
で示される化合物がかかる問題点を解決する化合物であ
ることを見出した。すなわち本発明は、湿式めっきによ
りセラミックス基材表面を金属化する方法において、あ
らかじめセラミックス基材を、一般式(1)で示される
化合物の1種または2種以上により、表面を粗面化処理
することを特徴とするセラミックス基材の表面を金属化
する方法。
(HxPyOz )n ・・・・・・・・・・・
・・・・(1)(九だし、Hは水素、Pは燐、0は酸素
を表わし。
・・・・(1)(九だし、Hは水素、Pは燐、0は酸素
を表わし。
Xは0≦X≦4. yは1≦y≦4+zは1≦2≦10
゜nは1≦n≦4の範囲である数を示す。)である。
゜nは1≦n≦4の範囲である数を示す。)である。
本発明におけるセラミックス基材表面の粗面化処理に用
いる一般式(1)で示される化合物とは、ホスフィン酸
、ホスホン酸、りん酸、ジホスホン酸、次りん酸、ニク
ん酸、メタ曲りん酸、直線型ポリりん酸、環状メタりん
酸、無限鎖メタりん酸などであり、好ましい化合物は、
りん酸、二りん酸。
いる一般式(1)で示される化合物とは、ホスフィン酸
、ホスホン酸、りん酸、ジホスホン酸、次りん酸、ニク
ん酸、メタ曲りん酸、直線型ポリりん酸、環状メタりん
酸、無限鎖メタりん酸などであり、好ましい化合物は、
りん酸、二りん酸。
唖状メタりん酸、無限鎮メタりん酸である。本発明にお
けるセラミックス基材表面の粗面化処理にはこれらの化
合物の1種あるいは2種以上の混合物を溶融状籾で用い
る。
けるセラミックス基材表面の粗面化処理にはこれらの化
合物の1種あるいは2種以上の混合物を溶融状籾で用い
る。
本発明におけるセラミックス基材表面の粗面化処理とし
ては以下に示す処理方法を例示することができる。
ては以下に示す処理方法を例示することができる。
(a)温度範囲が26.5℃〜1000℃、好ましくは
200℃〜600℃、さらに好ましくは250℃〜40
0℃のlS融状粗の一般式(1)で示される化合物の1
種あるいは2種以上の混合物にセラミックス基材を浸漬
する方法。
200℃〜600℃、さらに好ましくは250℃〜40
0℃のlS融状粗の一般式(1)で示される化合物の1
種あるいは2種以上の混合物にセラミックス基材を浸漬
する方法。
(b)一般式(1)で示される化合物の1櫨あるいは2
種以上の混合物の水溶液にセラミックス基材を浸漬した
のち取り出し、水分を蒸発除去するために加熱した後、
100℃〜1000℃、好ましくは200℃〜600℃
、さらに好ましくは250℃〜400℃の温度範囲で加
熱する方法。
種以上の混合物の水溶液にセラミックス基材を浸漬した
のち取り出し、水分を蒸発除去するために加熱した後、
100℃〜1000℃、好ましくは200℃〜600℃
、さらに好ましくは250℃〜400℃の温度範囲で加
熱する方法。
(C)粉末状あるいはペースト状とした一般式(1)で
示される化合物の1種あるいは2種以上の混合物をセラ
ミックス基材に塗布し、その後26.5℃〜1000℃
、好ましくは200℃〜600℃、さらに好ましくは2
50℃〜400℃の温度範囲で加熱する方法。
示される化合物の1種あるいは2種以上の混合物をセラ
ミックス基材に塗布し、その後26.5℃〜1000℃
、好ましくは200℃〜600℃、さらに好ましくは2
50℃〜400℃の温度範囲で加熱する方法。
本発明においてはどのような彫金のセラミックス基材を
用いてもよい。また本発明におけるセラミックス基材の
組成は酸化物糸、非酸化物系であるかを問わない。代表
例を挙げれば、アルミナ、ケイ酸塩、ベリリア、チタン
酸塩、ジルコニア。
用いてもよい。また本発明におけるセラミックス基材の
組成は酸化物糸、非酸化物系であるかを問わない。代表
例を挙げれば、アルミナ、ケイ酸塩、ベリリア、チタン
酸塩、ジルコニア。
マグネシア、カルシア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム
、あるいはこれらの混合物などである。
、あるいはこれらの混合物などである。
本発明における湿式めっきとは、銅、ニッケル、コバル
ト、錫、鉛、銀、金、白金などの金属、およびこれらの
合金の無電解めっきを含む公知のあらゆる無電解めっき
およびこれらの無電解めっき皮膜を最下層として、さら
にその上に施す同一金属あるいは他金属の無電解めっき
あるいは電気めっき、さらにめっき皮膜中に自”礪ある
いは無鍼の分数粒子をふくむ分散めっきなどをいう。こ
れらの湿式めっきはセラミックス基材表面の全部あるい
は部分に施すことができる。
ト、錫、鉛、銀、金、白金などの金属、およびこれらの
合金の無電解めっきを含む公知のあらゆる無電解めっき
およびこれらの無電解めっき皮膜を最下層として、さら
にその上に施す同一金属あるいは他金属の無電解めっき
あるいは電気めっき、さらにめっき皮膜中に自”礪ある
いは無鍼の分数粒子をふくむ分散めっきなどをいう。こ
れらの湿式めっきはセラミックス基材表面の全部あるい
は部分に施すことができる。
(実施例)
実施例1
アルミナを96%含有する縦50.81EI、横50.
8鱈、厚さ0.65 rnの白色セラミック基板上に晧
状ポリメタクん酸の粉末を塗布し次後、基板を300℃
に加熱し、基板上の慶状ボリメタクん酸を溶融させ、そ
の1110分間300℃に保った後室温まで冷却し十分
に水洗した。 ′ −一番油声r−−″
− −−祷、この処理基板に触媒付与剤H8l0IBCB立
化成玉条・1掬〕を用いてパラジウム触媒を付与し。
8鱈、厚さ0.65 rnの白色セラミック基板上に晧
状ポリメタクん酸の粉末を塗布し次後、基板を300℃
に加熱し、基板上の慶状ボリメタクん酸を溶融させ、そ
の1110分間300℃に保った後室温まで冷却し十分
に水洗した。 ′ −一番油声r−−″
− −−祷、この処理基板に触媒付与剤H8l0IBCB立
化成玉条・1掬〕を用いてパラジウム触媒を付与し。
促進化剤ADP201 C日立化成工業■〕を用いて
促進化後、の無電解銅めっき液CLIST201(日立
化成工業■〕に室温にて1時間基板を浸漬し、セラミッ
ク基板全面に無電解銅めっきヲ0.6μm付けた。欠に
、ド、ライフィルム法によt) li % 2 amの
円形のレジスト膜(ネガパターン)を形成し、露出して
いる無電解銅めっき皮膜上に酸性硫酸銅めっき浴金用い
て電気銅めっきを15μm付け、レジスト剥離後、レジ
ストに覆われていた無電解銅めっき部分を、fiIt酸
・過酸化水素系エツチング液C11iff14重量%、
過酸化水素5重1tチ)でエツチングして直径2ffi
lの円形パッドを得た。次いで直径0.8 tmの錫め
っき銅線を共晶半田にて円形パッド上に半田付けし、錫
めっき銅線をセラミック基板と垂直方向に引張りその接
看強曳ll!−測定した。
促進化後、の無電解銅めっき液CLIST201(日立
化成工業■〕に室温にて1時間基板を浸漬し、セラミッ
ク基板全面に無電解銅めっきヲ0.6μm付けた。欠に
、ド、ライフィルム法によt) li % 2 amの
円形のレジスト膜(ネガパターン)を形成し、露出して
いる無電解銅めっき皮膜上に酸性硫酸銅めっき浴金用い
て電気銅めっきを15μm付け、レジスト剥離後、レジ
ストに覆われていた無電解銅めっき部分を、fiIt酸
・過酸化水素系エツチング液C11iff14重量%、
過酸化水素5重1tチ)でエツチングして直径2ffi
lの円形パッドを得た。次いで直径0.8 tmの錫め
っき銅線を共晶半田にて円形パッド上に半田付けし、錫
めっき銅線をセラミック基板と垂直方向に引張りその接
看強曳ll!−測定した。
セラミック基板の脆化については上記試験に2いて円形
パッドを引き剥がす際にセラミック基板が割れる確率に
より flJ定した。第1表に!l12盾強度およびセ
ラミック基板の割れ一率(脆化)を示した。
パッドを引き剥がす際にセラミック基板が割れる確率に
より flJ定した。第1表に!l12盾強度およびセ
ラミック基板の割れ一率(脆化)を示した。
実施例2
アルミナを96%含有する白色セラミック基板(I!i
]出)を350℃の溶融状暢にあるりん酸に10分間浸
漬した攪、室温まで冷却し十分に水洗した。次いで、こ
の処理基板に実施例1と同じ方法に従って直径2Hの円
形パッド全形成し、セラミック基板とめつき皮膜との接
着強度および円形パッドを引き剥がす1祭にセラミック
基板が割れる確率を測定した。第1表に接着強度および
セラミック基板の割れ確率(脆化)を示した。
]出)を350℃の溶融状暢にあるりん酸に10分間浸
漬した攪、室温まで冷却し十分に水洗した。次いで、こ
の処理基板に実施例1と同じ方法に従って直径2Hの円
形パッド全形成し、セラミック基板とめつき皮膜との接
着強度および円形パッドを引き剥がす1祭にセラミック
基板が割れる確率を測定した。第1表に接着強度および
セラミック基板の割れ確率(脆化)を示した。
比較例1
アルミナを96%含有する白色セラミック基板(前出)
を50重i1%水酸化ナトリウム水溶液に室温にて10
分間浸漬した後、150℃で10分間加熱することによ
り水分を除去し、その後450℃にて15分間加熱処理
を行った。さらに室温まで放冷後、10重祉チの硫酸で
中和した。蘂4会−−4魂→i導礒→→←← −′ −次いで、この処理基板に実施例1と同じ方法
に従って直径2闘の円形パッドを形成し、セラミック基
板とめっき皮膜との接着強度2よび円形パッドを引き刊
がす際にセラミック基板が割れる確率を測定した。第1
表に接着強度およびセラミック基板の割れ確率(脆化)
を示した。
を50重i1%水酸化ナトリウム水溶液に室温にて10
分間浸漬した後、150℃で10分間加熱することによ
り水分を除去し、その後450℃にて15分間加熱処理
を行った。さらに室温まで放冷後、10重祉チの硫酸で
中和した。蘂4会−−4魂→i導礒→→←← −′ −次いで、この処理基板に実施例1と同じ方法
に従って直径2闘の円形パッドを形成し、セラミック基
板とめっき皮膜との接着強度2よび円形パッドを引き刊
がす際にセラミック基板が割れる確率を測定した。第1
表に接着強度およびセラミック基板の割れ確率(脆化)
を示した。
比較例2
アルミナを96%含有する白色セラミック基板(削出)
を55%弗化水;a酸に室温にて40分間浸漬した後、
十分に水洗した。次いで、この処理基板に実施例1と同
じ方法に従って直径2Hの円形パッドを形成し、セラミ
ック基板とめつき皮膜との接着強度および円形パッドを
引き剥がす際にセラミック基板が割れる一率を測定した
。@1表に接着強度およびセラミック基板の割れ一率(
脆化)1−示した。
を55%弗化水;a酸に室温にて40分間浸漬した後、
十分に水洗した。次いで、この処理基板に実施例1と同
じ方法に従って直径2Hの円形パッドを形成し、セラミ
ック基板とめつき皮膜との接着強度および円形パッドを
引き剥がす際にセラミック基板が割れる一率を測定した
。@1表に接着強度およびセラミック基板の割れ一率(
脆化)1−示した。
wS1表 接着強度およびセラミック基板の割れ一率(
脆化)J);接着強度およびセラミック基板の割れ確率
は試験片20枚測定の平均値 (発明の効果) 本発明の方法により表面合端化されたセラミックス基材
は金属皮膜とセラミックス基材間で強固な&i力を有し
、なおかつセラミックス基材の脆化を伴っていないため
セラミックス基材自身の強度は低下しないという大きな
長所を有する口重発明の方法により表面金属化されたセ
ラミックス基材は、機械部品、電気電子部品、などのよ
うなセラミックス基材に金属の持つ特性を付与した多種
多様な用途に用いることができる。
脆化)J);接着強度およびセラミック基板の割れ確率
は試験片20枚測定の平均値 (発明の効果) 本発明の方法により表面合端化されたセラミックス基材
は金属皮膜とセラミックス基材間で強固な&i力を有し
、なおかつセラミックス基材の脆化を伴っていないため
セラミックス基材自身の強度は低下しないという大きな
長所を有する口重発明の方法により表面金属化されたセ
ラミックス基材は、機械部品、電気電子部品、などのよ
うなセラミックス基材に金属の持つ特性を付与した多種
多様な用途に用いることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 湿式めつきによりセラミックス基材表面を金属化する方
法において、あらかじめセラミックス基材を、一般式(
1)で示される化合物の1種または2種以上により、表
面を粗面化処理することを特徴とするセラミックス基材
の表面を金属化する方法。 (HxPyOz)n……………(1) (ただし、Hは水素、Pは燐、Oは酸素を表わし、xは
0≦x≦4、yは1≦y≦4、zは1≦z≦10、nは
1≦n≦4の範囲である数を示す。)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24682286A JPS63100092A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | セラミツクス基材の表面を金属する方法 |
US07/103,456 US4888208A (en) | 1986-10-16 | 1987-10-01 | Ceramic substrate for printed circuits and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24682286A JPS63100092A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | セラミツクス基材の表面を金属する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63100092A true JPS63100092A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17154210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24682286A Pending JPS63100092A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | セラミツクス基材の表面を金属する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63100092A (ja) |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24682286A patent/JPS63100092A/ja active Pending
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