JPS6298228U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6298228U JPS6298228U JP19083585U JP19083585U JPS6298228U JP S6298228 U JPS6298228 U JP S6298228U JP 19083585 U JP19083585 U JP 19083585U JP 19083585 U JP19083585 U JP 19083585U JP S6298228 U JPS6298228 U JP S6298228U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- base
- reactive gas
- electrode
- plasma
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案のＣＶＤ装置の要部拡大図、第
２図はプラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は従
来のＣＶＤ装置の要部拡大図である。 図において、２は容器、３は基体、４は放電電
極、５，１１はガス噴出孔である。
２図はプラズマＣＶＤ装置の概略図、第３図は従
来のＣＶＤ装置の要部拡大図である。 図において、２は容器、３は基体、４は放電電
極、５，１１はガス噴出孔である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 回転する円筒基体３と、該基体に対向して設け
た放電電極１０との間でプラズマを発生させて、
反応ガスを分解することにより、前記基体の外周
面に薄膜を形成する装置において、 前記電極１０は、外部から導入された前記反応
ガスを前記基体外経の接線方向に噴出させるとと
もに、その噴出方向が基体の回転方向と一致する
ガス噴出孔１１を有してなることを特徴とするＣ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083585U JPS6298228U (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083585U JPS6298228U (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298228U true JPS6298228U (ja) | 1987-06-23 |
Family
ID=31144422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19083585U Pending JPS6298228U (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298228U (ja) |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP19083585U patent/JPS6298228U/ja active Pending