JPS6297301A - メグオ−ム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗体 - Google Patents
メグオ−ム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗体Info
- Publication number
- JPS6297301A JPS6297301A JP61197006A JP19700686A JPS6297301A JP S6297301 A JPS6297301 A JP S6297301A JP 61197006 A JP61197006 A JP 61197006A JP 19700686 A JP19700686 A JP 19700686A JP S6297301 A JPS6297301 A JP S6297301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paint
- resistor
- powder
- base metal
- resinate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/88—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06573—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder
- H01C17/0658—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder composed of inorganic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この出願は「予備反応抵抗体ペイントおよびそれからつ
くった抵抗体」という標題の、１９８５年７月１日登録
の継続用Ｉｌｌ Ｓ 、Ｎ 、０６／７５０，０２９の
継続部分であり、その継続出願の主題はここに文献とし
て組入れられている。
くった抵抗体」という標題の、１９８５年７月１日登録
の継続用Ｉｌｌ Ｓ 、Ｎ 、０６／７５０，０２９の
継続部分であり、その継続出願の主題はここに文献とし
て組入れられている。
皮１１１
本発明は卑金属抵抗性ペイント、その抵抗性ペイントか
らつくった抵抗体、およびその抵抗性ペイントをつくる
方法に関するものである。さらに特定的には、本発明は
卑金属粉末をレジネート溶液で被覆し、還元雰囲気中で
焼成し；ガラスフリット、スクリーン印刷剤およびハフ
ニウムの酸化物と混合し、次いで基板上へスクリーン印
刷し、不活性雰囲気中で焼成してそれから±２００ｐｐ
ｍ／ ℃内のＴＣＲで以て５００，０００オームから５
メグオーム／スクエアの範囲にある卑金属抵抗体を形成
するために、予備反応導電性粉末を形成させる；ことに
関係している。
らつくった抵抗体、およびその抵抗性ペイントをつくる
方法に関するものである。さらに特定的には、本発明は
卑金属粉末をレジネート溶液で被覆し、還元雰囲気中で
焼成し；ガラスフリット、スクリーン印刷剤およびハフ
ニウムの酸化物と混合し、次いで基板上へスクリーン印
刷し、不活性雰囲気中で焼成してそれから±２００ｐｐ
ｍ／ ℃内のＴＣＲで以て５００，０００オームから５
メグオーム／スクエアの範囲にある卑金属抵抗体を形成
するために、予備反応導電性粉末を形成させる；ことに
関係している。
背」Ｕ支止−
過去においては、メグオーム／スクエアの範囲のシート
抵抗率をもち、また±２００ｐｐｍ／ ”Ｃの範囲てい
な、パラジウムまたは酸化パラジウム（銀と併用または
併用しないで）がＩＯＫから１００にオーム／スクエア
範囲でのみ良好な抵抗性質を生ずる抵抗体をつくるのに
使用されてきた。
抵抗率をもち、また±２００ｐｐｍ／ ”Ｃの範囲てい
な、パラジウムまたは酸化パラジウム（銀と併用または
併用しないで）がＩＯＫから１００にオーム／スクエア
範囲でのみ良好な抵抗性質を生ずる抵抗体をつくるのに
使用されてきた。
三つの別の試みがルテニウム酸化物抵抗体に関して、抵
抗体ペイントの抵抗性質をメグオーム範囲へ上げるのに
使用された。一つの試みはガラスフリットをさらに添加
することであった。第二の試みは使用ガラスフリットよ
り高い融点をもつ不活性物質を混合することである。第
三の試みは十分な半導体物質を抵抗体ペイントへ添加し
て抵抗性質をメグオーム領域へ上げることであった。
抗体ペイントの抵抗性質をメグオーム範囲へ上げるのに
使用された。一つの試みはガラスフリットをさらに添加
することであった。第二の試みは使用ガラスフリットよ
り高い融点をもつ不活性物質を混合することである。第
三の試みは十分な半導体物質を抵抗体ペイントへ添加し
て抵抗性質をメグオーム領域へ上げることであった。
これらの三つの試みは部分的に成功した樟すぎず、イン
ターフェース問題、表面荒さの増加、悪い熱安定性、高
い短時間過負荷（ｓｈｏｒｔ ｔｉｍｅ ｏｖｅｒ−１
ｏｏｄ）および過度に負のＴＣＲをもたらした。
ターフェース問題、表面荒さの増加、悪い熱安定性、高
い短時間過負荷（ｓｈｏｒｔ ｔｉｍｅ ｏｖｅｒ−１
ｏｏｄ）および過度に負のＴＣＲをもたらした。
既濡ｆｉ木迭−
ここで引用する親特許中で参照される従来法のほかに、
ワーラーの米国特許４，２９３，８３８はシート抵抗率
を上げるためのジルコニウム酸化物の使用を開示してい
る。
ワーラーの米国特許４，２９３，８３８はシート抵抗率
を上げるためのジルコニウム酸化物の使用を開示してい
る。
杢ｎ刀！示−
酸化錫粉末（Ｓ ｎｏ ２）が混合によって導電性粉末
として使用されてきたが、本発明は５ｎＯ１のような卑
金属粉末をマンガン（Ｍｎ）レジネート溶液で以て被覆
し、レジネート被覆卑金属粉末を４５０−５２０℃にお
ける還元性雰囲気中で焼成して予備反応導電層を形成さ
せることを開示している。予備反応導電性粉末をガラス
フリット、スクリーン印刷剤およびハフニウムの酸化物
と混合することによって、メグオーム抵抗性ペイントま
たはインキが混合され５００，０００オーム／スクエア
から５メグオーム／スクエアの範囲にわたるシート抵抗
率およびＴＣＲの改善された制御性を示す、その領域全
体にわたって、ＴＣＲは±２００ｐｐｓ＋／ ℃内で保
持され、熱安定性は０，２５％以内で保持される。
として使用されてきたが、本発明は５ｎＯ１のような卑
金属粉末をマンガン（Ｍｎ）レジネート溶液で以て被覆
し、レジネート被覆卑金属粉末を４５０−５２０℃にお
ける還元性雰囲気中で焼成して予備反応導電層を形成さ
せることを開示している。予備反応導電性粉末をガラス
フリット、スクリーン印刷剤およびハフニウムの酸化物
と混合することによって、メグオーム抵抗性ペイントま
たはインキが混合され５００，０００オーム／スクエア
から５メグオーム／スクエアの範囲にわたるシート抵抗
率およびＴＣＲの改善された制御性を示す、その領域全
体にわたって、ＴＣＲは±２００ｐｐｓ＋／ ℃内で保
持され、熱安定性は０，２５％以内で保持される。
それゆえ、要望されるものは、５００Ｋから５メグオー
ム／スクエアの制御されたシート抵抗率と±２００ｐｐ
ｍ／ ”Ｃ内のＴＣＲとを示す安価な卑金属抵抗体ペイ
ントである。
ム／スクエアの制御されたシート抵抗率と±２００ｐｐ
ｍ／ ”Ｃ内のＴＣＲとを示す安価な卑金属抵抗体ペイ
ントである。
本発明の一つの目的は基板上にスクリーン印刷し焼成し
てその上でメグオーム抵抗体を形成するのに適する、改
善された卑金属抵抗性ペイントを提供することである。
てその上でメグオーム抵抗体を形成するのに適する、改
善された卑金属抵抗性ペイントを提供することである。
もう一つの目的は予備反応導電性粉末、ガラスフリット
、ハフニウムの酸化物、およびスクリーン印刷剤から混
合された抵抗性ペイントを提供することである。
、ハフニウムの酸化物、およびスクリーン印刷剤から混
合された抵抗性ペイントを提供することである。
もう一つの目的は、卑金属粉末をＭｎレジネート溶液の
ようなレジネート溶液で以て被覆し、被覆粉末を予備加
熱して予備反応導電性粉末を形成し、このように形成さ
れた予備反応導電性粉末をガラスフリット、ハフニウム
の酸化物、およびスクリーン印刷剤と混練してそれから
５００，０００−５メグオーム／スクエアのシート抵抗
率をもつ抵抗体ペイントを形成することにより、予備反
応導電性粉末を提供することである。
ようなレジネート溶液で以て被覆し、被覆粉末を予備加
熱して予備反応導電性粉末を形成し、このように形成さ
れた予備反応導電性粉末をガラスフリット、ハフニウム
の酸化物、およびスクリーン印刷剤と混練してそれから
５００，０００−５メグオーム／スクエアのシート抵抗
率をもつ抵抗体ペイントを形成することにより、予備反
応導電性粉末を提供することである。
さらにもう一つの目的は予備反応導電性粉末上に被覆さ
れた解重合性有機物を、焼成に先立って、焼去ることで
ある。
れた解重合性有機物を、焼成に先立って、焼去ることで
ある。
さらにもう一つの目的は前記諸口的のいずれかの組合せ
を具体化する、抵抗性ペイントからつくった改善抵抗体
を提供することである。
を具体化する、抵抗性ペイントからつくった改善抵抗体
を提供することである。
本発明の上述およびその他の特徴と目的、およびそれを
達成する方式は付属図面と関連させて考えるとき、本発
明の具体化に関する以下の記述を参考にすることによっ
て最もよく理解される。
達成する方式は付属図面と関連させて考えるとき、本発
明の具体化に関する以下の記述を参考にすることによっ
て最もよく理解される。
口を る
本発明者が自分の発明として考えている主題は特許請求
の範囲において具体的に指摘されかつ明確に主張されて
いる６本発明の構造と操作は、その他の目的および利点
と一緒に、付属図面に関連して与えられる以下の記述か
らより良く理解できる。
の範囲において具体的に指摘されかつ明確に主張されて
いる６本発明の構造と操作は、その他の目的および利点
と一緒に、付属図面に関連して与えられる以下の記述か
らより良く理解できる。
第１Ａ図は基板１２上でスクリーン印刷された本発明の
抵抗体ペイントまたはインキＺ４の、焼成前の拡大断面
図を示している。
抵抗体ペイントまたはインキＺ４の、焼成前の拡大断面
図を示している。
第１Ｂ図は焼成後の、本発明の予備反応抵抗体ペイント
２４の拡大断面図を示す、マンガン（Ｍ ｎ ンレジネ
ート溶液のようなレジネート溶液２０の錫酸化物（Ｓｎ
Ｏ２）粉末のような卑金属粉末１８上の均一被覆は、予
備反応抵抗性ペイント全体にわたって均質な精度を与え
、制御されたシート抵抗率、低いＴＣＲ、パリアンス（
Ｃ、Ｖ 、）係数の均一性、および改善されたノイズ水
準、のような改善性能特性を提供する。
２４の拡大断面図を示す、マンガン（Ｍ ｎ ンレジネ
ート溶液のようなレジネート溶液２０の錫酸化物（Ｓｎ
Ｏ２）粉末のような卑金属粉末１８上の均一被覆は、予
備反応抵抗性ペイント全体にわたって均質な精度を与え
、制御されたシート抵抗率、低いＴＣＲ、パリアンス（
Ｃ、Ｖ 、）係数の均一性、および改善されたノイズ水
準、のような改善性能特性を提供する。
親特許において開示されている高い抵抗値は、ハフニウ
ム酸化物１６とここでは混合されて、シート抵抗を５０
０，０００オームから５メグオーム／スクエアの好まし
い範囲へ増し、一方、ＴＣＲは好ましい±２００ρｐ＊
／℃の範囲にとどまる。好ましい焼成温度は８８０℃か
ら９２０℃の範囲にとどまる。
ム酸化物１６とここでは混合されて、シート抵抗を５０
０，０００オームから５メグオーム／スクエアの好まし
い範囲へ増し、一方、ＴＣＲは好ましい±２００ρｐ＊
／℃の範囲にとどまる。好ましい焼成温度は８８０℃か
ら９２０℃の範囲にとどまる。
９００℃±２０℃の好ましい焼成温度はたいていの卑金
属抵抗体の場合に使用される慣用的な１０００℃の焼成
温度より低く、炉温を低く保ちエネルギー節約の改善を
もたらす。
属抵抗体の場合に使用される慣用的な１０００℃の焼成
温度より低く、炉温を低く保ちエネルギー節約の改善を
もたらす。
本発明においては、組成はすべて重量％で与えられる。
好ましい予備反応抵抗性ペイント２４はＳｎＯ，のよう
な卑金属導電性粉１８をＭｎ溶液のようなレジネート溶
液２０で以て被覆し、レジネート被覆導電性粉末を４５
０−５２０℃の還元雰囲気中で焼成して予備反応導電性
粉末２２を形成し予備反応導電性粉末２２をガラスフリ
ット１４、スクリーン印刷剤２６、およびハフニウム酸
化物１Ｂと混合し、基板１２の上へその後スクリーン印
刷するために予備反応抵抗性ペイント２４を形成し、そ
して、スクリーン塗布基板を９００℃±２０℃において
不活性雰囲気中で焼成してそれから卑金属抵抗体を形成
する、ことによってつくられる。
な卑金属導電性粉１８をＭｎ溶液のようなレジネート溶
液２０で以て被覆し、レジネート被覆導電性粉末を４５
０−５２０℃の還元雰囲気中で焼成して予備反応導電性
粉末２２を形成し予備反応導電性粉末２２をガラスフリ
ット１４、スクリーン印刷剤２６、およびハフニウム酸
化物１Ｂと混合し、基板１２の上へその後スクリーン印
刷するために予備反応抵抗性ペイント２４を形成し、そ
して、スクリーン塗布基板を９００℃±２０℃において
不活性雰囲気中で焼成してそれから卑金属抵抗体を形成
する、ことによってつくられる。
予備反応導電性粉末２２、ガラスフリット１４、ハフニ
ウムの酸化物１６およびスクリーン印刷剤２６は３本ロ
ールのミルを通じて処理してスクリーン印刷することが
容易であるバラつきのないペイント２４を生じさせるこ
とが好ましい、抵抗体ペイント２４の好ましい粒径は１
５ミクロン以下である。
ウムの酸化物１６およびスクリーン印刷剤２６は３本ロ
ールのミルを通じて処理してスクリーン印刷することが
容易であるバラつきのないペイント２４を生じさせるこ
とが好ましい、抵抗体ペイント２４の好ましい粒径は１
５ミクロン以下である。
スクリーン印刷剤は代表的には溶剤、結合剤および湿潤
剤から成る。好ましいスクリーン印刷剤は窒素雰囲気中
で焼成後において炭素残渣を全く残さない有機化合物で
ある。抵抗体ペイントは代表的には７２％の粉末と２８
％のスクリーン塗布剤とから成る。
剤から成る。好ましいスクリーン印刷剤は窒素雰囲気中
で焼成後において炭素残渣を全く残さない有機化合物で
ある。抵抗体ペイントは代表的には７２％の粉末と２８
％のスクリーン塗布剤とから成る。
溶剤はパイン油、テレピネオールおよびテキサス・イー
ストマン社のテキサノールのエステルアルコール、プチ
ルカービトールアセテート、などであってよい。
ストマン社のテキサノールのエステルアルコール、プチ
ルカービトールアセテート、などであってよい。
結合剤用に使用する樹脂はデュポンまたはローム・アン
ド・ハースからのポリアルキルメタクリレート、あるい
はアモコ・ケミカル・コーポレーションからのアモコＨ
−２５、アモコＨ−５０あるいはアモコＬ−１００のよ
うなポリブテンが好ましい。
ド・ハースからのポリアルキルメタクリレート、あるい
はアモコ・ケミカル・コーポレーションからのアモコＨ
−２５、アモコＨ−５０あるいはアモコＬ−１００のよ
うなポリブテンが好ましい。
湿潤剤をときにはスクリーン印刷剤２６へ添加して、予
備反応導電性粉末２２およびハフニウム酸化物１６を濡
らし、ペイントのレオロジーを改善する助けとする。
備反応導電性粉末２２およびハフニウム酸化物１６を濡
らし、ペイントのレオロジーを改善する助けとする。
混合した抵抗体ペイント２４はその後、焼成する以前に
基板１２の上にスクリーン印刷してセラミック基板のよ
うな基板上に指定された抵抗体パターンを形成させる。
基板１２の上にスクリーン印刷してセラミック基板のよ
うな基板上に指定された抵抗体パターンを形成させる。
抵抗性ペイント２４は好ましくは２００メツシユのステ
ンレス鋼スクリーンを通して０．５ミルのエマルジョン
で以て印刷される。
ンレス鋼スクリーンを通して０．５ミルのエマルジョン
で以て印刷される。
基板上の銅導体は窒素雰囲気中で９００℃±２０℃で予
備焼成した。スクリーン印刷した抵抗体ペイントは１０
０−１２５℃で空気中で１５から３０分間乾燥した。乾
燥した抵抗体ペイント２４は次にベルト炉中で９００℃
±２０℃のピーク温度において約３−１０分間不活性雰
囲気中で焼成した。ベルト炉中の酸素含量は１５ｐρ−
以下であった。レジネート溶液２０中の金属含量は好ま
しくは３０％以下である。ハフニウムの酸化物は抵抗体
ペイント２４の重量で２から１２％が好ましい。
備焼成した。スクリーン印刷した抵抗体ペイントは１０
０−１２５℃で空気中で１５から３０分間乾燥した。乾
燥した抵抗体ペイント２４は次にベルト炉中で９００℃
±２０℃のピーク温度において約３−１０分間不活性雰
囲気中で焼成した。ベルト炉中の酸素含量は１５ｐρ−
以下であった。レジネート溶液２０中の金属含量は好ま
しくは３０％以下である。ハフニウムの酸化物は抵抗体
ペイント２４の重量で２から１２％が好ましい。
ここで引用する親特許において開示されるとおり、予備
反応導電性粉末２２は次の諸段階によって処理される： （ａ） Ｍｎレジネート溶液２０をアセトン、キシレ
ン、またはベンゼンのような低沸点溶剤中で稀釈して均
質溶液を形成させ、 （ｂ） この均質溶液を卑金属導電性粉末１８へその
導電性粉末を被覆する十分な量で添加し、（ｃ） レ
ジネート被覆粉末を３００℃から５５０℃の温度におい
て、解重合性有機質を焼去する十分な温度で乾燥し、 （ｄ） 乾燥されたレジネート被覆粉末を１０ミクロ
ン以下の粒径へ磨砕して篩にかけ、 （ｃ） その乾燥したレジネート被覆粉末を４５０℃
−５２０℃の還元温度において酸素欠乏半導体装置くる
十分な時間の間焼成する。
反応導電性粉末２２は次の諸段階によって処理される： （ａ） Ｍｎレジネート溶液２０をアセトン、キシレ
ン、またはベンゼンのような低沸点溶剤中で稀釈して均
質溶液を形成させ、 （ｂ） この均質溶液を卑金属導電性粉末１８へその
導電性粉末を被覆する十分な量で添加し、（ｃ） レ
ジネート被覆粉末を３００℃から５５０℃の温度におい
て、解重合性有機質を焼去する十分な温度で乾燥し、 （ｄ） 乾燥されたレジネート被覆粉末を１０ミクロ
ン以下の粒径へ磨砕して篩にかけ、 （ｃ） その乾燥したレジネート被覆粉末を４５０℃
−５２０℃の還元温度において酸素欠乏半導体装置くる
十分な時間の間焼成する。
以下の実施例においては、被覆導電性粉末を還元するの
に用いる設備は石英管または金属管をもつ管状炉であっ
た。還元用ガスは７％Ｈ，７９３％Ｎ２のような低パー
センテージの水素混合物であった。スクリュー型または
ベルト型推進設備をもったボートまたは回転チューブも
自動方式として使用してよい０回転チューブのような連
続方式は静止ボートの設備から得られるよりも一定した
結果を与える。
に用いる設備は石英管または金属管をもつ管状炉であっ
た。還元用ガスは７％Ｈ，７９３％Ｎ２のような低パー
センテージの水素混合物であった。スクリュー型または
ベルト型推進設備をもったボートまたは回転チューブも
自動方式として使用してよい０回転チューブのような連
続方式は静止ボートの設備から得られるよりも一定した
結果を与える。
第２図は５００，０００オームから５メグオーム／スク
エアの範囲にあるシート抵抗率を持ち、ＴＣＲが±２０
０ｐｐｍ／ ℃である卑金属抵抗体ペイントを混練する
ためのフローチャートを示す。
エアの範囲にあるシート抵抗率を持ち、ＴＣＲが±２０
０ｐｐｍ／ ℃である卑金属抵抗体ペイントを混練する
ためのフローチャートを示す。
ここで第２図を参照すると、ここで開示するメグオーム
抵抗体ペイントはＳｎＯ□粉末のような卑金属導電性粉
末１８をＭｎレジネート溶液のようなレジネート溶液で
以て被覆することによって形成される予備反応導電性粉
末２２から成る。レジネート被覆導電性粉末１８．２０
の中で存在する解重合性有機物質は次に焼却されて好ま
しいレジネート導電性粉末が得られる。このレジネート
被覆導電性粉末は次に還元雰囲気中で好ましくは４５０
℃−５２０℃において焼成して予備反応導電性粉末２２
を生成させる。
抵抗体ペイントはＳｎＯ□粉末のような卑金属導電性粉
末１８をＭｎレジネート溶液のようなレジネート溶液で
以て被覆することによって形成される予備反応導電性粉
末２２から成る。レジネート被覆導電性粉末１８．２０
の中で存在する解重合性有機物質は次に焼却されて好ま
しいレジネート導電性粉末が得られる。このレジネート
被覆導電性粉末は次に還元雰囲気中で好ましくは４５０
℃−５２０℃において焼成して予備反応導電性粉末２２
を生成させる。
予備反応導電性粉末２２はガラスフリット１４、ハフニ
ウム酸化物１６、およびスクリーン印刷剤２６と混練し
てメグオーム抵抗体ペイント２４を混合する。
ウム酸化物１６、およびスクリーン印刷剤２６と混練し
てメグオーム抵抗体ペイント２４を混合する。
混合された抵抗体ペイント２４は次に基板１２上へスク
リーン印刷されてその上に抵抗性パターンを形成する。
リーン印刷されてその上に抵抗性パターンを形成する。
スクリーン印刷された基板は次に９００°Ｃ±２０℃で
不活性雰囲気中で焼成されて卑金属抵抗体１０を形成す
る。
不活性雰囲気中で焼成されて卑金属抵抗体１０を形成す
る。
ガラスフリットは好ましくはタンタラガラス・フリット
である。好ましいタンタラガラス・フリットは２−１Ｏ
％の５ｉ０２．２０−４０％のＳｒＯ、および５０−７
０％のＢ ２０ ｓ、あるいはそれらの前駆体からのガ
ラス粉末の混合物である。この混合物は好ましくは約１
２００℃において溶融され、微細粉末を形成するようボ
ールミルで磨砕される。このように混合されるガラス粉
末の６０−８０％は２０−４０％のＴ ａ ｚ Ｏｓと
混練され、その組合わせ混合物は約１．２００″Ｃにお
いて溶融され、次に磨砕されて均質のタンタラガラス・
フリットを形成する。実施例１−１０で使ったガラスフ
リットは５％の５ｉ０２．３５％のＳｒＯおよび６０％
の８２０３から成り立っていた。実施例１−１０のガラ
スフリットは８０％のガラスフリットと２０％のＴ ａ
２０ ｓの比で混練してタンタラガラス・フリットが
つくられた。
である。好ましいタンタラガラス・フリットは２−１Ｏ
％の５ｉ０２．２０−４０％のＳｒＯ、および５０−７
０％のＢ ２０ ｓ、あるいはそれらの前駆体からのガ
ラス粉末の混合物である。この混合物は好ましくは約１
２００℃において溶融され、微細粉末を形成するようボ
ールミルで磨砕される。このように混合されるガラス粉
末の６０−８０％は２０−４０％のＴ ａ ｚ Ｏｓと
混練され、その組合わせ混合物は約１．２００″Ｃにお
いて溶融され、次に磨砕されて均質のタンタラガラス・
フリットを形成する。実施例１−１０で使ったガラスフ
リットは５％の５ｉ０２．３５％のＳｒＯおよび６０％
の８２０３から成り立っていた。実施例１−１０のガラ
スフリットは８０％のガラスフリットと２０％のＴ ａ
２０ ｓの比で混練してタンタラガラス・フリットが
つくられた。
表Ｉに示す実施例１においては、２．５％のＭｎレジネ
ートで被覆されたＳ ｎ Ｏ２粉末は６００℃で乾燥さ
れ、還元雰囲気中において５２０℃で約３０分間焼成さ
れて、予備加熱された導電性粉末を形成した。
ートで被覆されたＳ ｎ Ｏ２粉末は６００℃で乾燥さ
れ、還元雰囲気中において５２０℃で約３０分間焼成さ
れて、予備加熱された導電性粉末を形成した。
予備反応導電性粉末の５４％と１８％のタンタラガラス
・フリットを２８％のスクリーン印刷剤と混合して実施
例１の抵抗性ペイントを混練する。この抵抗体ペイント
は指定された抵抗体パターンで以てセラミック基板上で
ステンレス鋼スクリーンを通して印９１された。抵抗体
ペイントは１００−１２５°Ｃにおいて空気中で１５か
ら３０分間乾燥した。乾燥した抵抗体ペイントはベル１
−炉中で９００℃において約５分間、不活性雰囲気中で
焼成された。ベルト炉中の酸素含量は１５ｐｐ＠より低
かった。
・フリットを２８％のスクリーン印刷剤と混合して実施
例１の抵抗性ペイントを混練する。この抵抗体ペイント
は指定された抵抗体パターンで以てセラミック基板上で
ステンレス鋼スクリーンを通して印９１された。抵抗体
ペイントは１００−１２５°Ｃにおいて空気中で１５か
ら３０分間乾燥した。乾燥した抵抗体ペイントはベル１
−炉中で９００℃において約５分間、不活性雰囲気中で
焼成された。ベルト炉中の酸素含量は１５ｐｐ＠より低
かった。
表１．ＺｒｏｚおよびＨｓＯ□の添加剤比較実施例２か
ら５および１５．１６におけるＺｒＯ□添加剤の使用は
好ましい発明の部分ではない、ＺｒＯ２添加剤は好まし
いハフニウム酸化物の添加剤と比較するために含められ
ている。実施例６から１０．１２゜１３．１７，２０．
２２および２３において使用したハフニウム酸化物添加
剤はＨｆＯ２であった。
ら５および１５．１６におけるＺｒＯ□添加剤の使用は
好ましい発明の部分ではない、ＺｒＯ２添加剤は好まし
いハフニウム酸化物の添加剤と比較するために含められ
ている。実施例６から１０．１２゜１３．１７，２０．
２２および２３において使用したハフニウム酸化物添加
剤はＨｆＯ２であった。
実施例７においては、実施例１の抵抗性ペイントの５ｇ
を０．２５９のＨｆＯ２と混練した。
を０．２５９のＨｆＯ２と混練した。
実施例８においては、実施例１の抵抗性ベイン）の５ｙ
を０．３５ｇのＨｆ０ｔと混練した。
を０．３５ｇのＨｆ０ｔと混練した。
実施例９においては、実施例１の抵抗性ペイントの０．
５ｇをＯ，ＳｔのＨｆ Ｏｘと混練しな。
５ｇをＯ，ＳｔのＨｆ Ｏｘと混練しな。
実施例１０においては、実施例１の抵抗性ペイントの０
．５ｇを０．７５．のＨｆＯ２と混練した。
．５ｇを０．７５．のＨｆＯ２と混練した。
実施例６から１０は、）−１ｆ Ｏ２が０．１ｇから０
．７５９へ増すにつれて、シート抵抗が７７６Ｋから２
．７メグオームへ劇的に増加することを示している。熱
時および冷時の両ＴＣＲともに多くは好ましい±２００
ｐｐｍ／℃内にとどまり、熱安定性は実施例６から９に
おいて０．１５％かそれより低くとどまっていることが
認められる。
．７５９へ増すにつれて、シート抵抗が７７６Ｋから２
．７メグオームへ劇的に増加することを示している。熱
時および冷時の両ＴＣＲともに多くは好ましい±２００
ｐｐｍ／℃内にとどまり、熱安定性は実施例６から９に
おいて０．１５％かそれより低くとどまっていることが
認められる。
ここで開示される抵抗性ペイントを注意深く制御する場
合、実施例９によって認められるとおり、±１１００ｐ
ｐ／℃内のＴＣＲを得ることができる。
合、実施例９によって認められるとおり、±１１００ｐ
ｐ／℃内のＴＣＲを得ることができる。
好ましくは、熱安定性は０．２５％以内に保たれ、これ
はすでに、実施例６から９で認められるとおりＨｆ Ｏ
ｔの添加によって得られている。このように、ＨｆＯ□
の好ましいパーセンテージは抵抗性ペイントの重量で２
から１２％である。
はすでに、実施例６から９で認められるとおりＨｆ Ｏ
ｔの添加によって得られている。このように、ＨｆＯ□
の好ましいパーセンテージは抵抗性ペイントの重量で２
から１２％である。
表■、実施例１１から１３においては、ガラス粉末、す
なわち、５％の５ｉＯｚ、３５％のＳｒＯ、および６０
％の８２０３の同じ混合物を前述のとおり溶融および磨
砕した０次にこのガラス粉末の７１．５％を２８．５％
のＴａ、Ｏ，と混練してタンタラガラス・フリットをつ
くった。５１．４％の予備反応導電性粉末と２０．６％
のタンタラガラス・フリットを次に２８％のスクリーン
印刷剤と混合して実施例１１の抵抗性ペイントを混練し
た（２．５対１の比） 表■、抵抗体性質 実施例１１においては、上述の（２，５対１）の抵抗性
へ添加剤を加えなかった。
なわち、５％の５ｉＯｚ、３５％のＳｒＯ、および６０
％の８２０３の同じ混合物を前述のとおり溶融および磨
砕した０次にこのガラス粉末の７１．５％を２８．５％
のＴａ、Ｏ，と混練してタンタラガラス・フリットをつ
くった。５１．４％の予備反応導電性粉末と２０．６％
のタンタラガラス・フリットを次に２８％のスクリーン
印刷剤と混合して実施例１１の抵抗性ペイントを混練し
た（２．５対１の比） 表■、抵抗体性質 実施例１１においては、上述の（２，５対１）の抵抗性
へ添加剤を加えなかった。
実施例１２においては、実施例１１の抵抗性ペイントの
５９を０．２５．のＨｆＯ２と一緒に混練した。
５９を０．２５．のＨｆＯ２と一緒に混練した。
実施例１３においては、実施例１１の抵抗性ペイントの
５ｇをｏ、ｓｇのＨｆ Ｏ２と混練した。
５ｇをｏ、ｓｇのＨｆ Ｏ２と混練した。
実施例１１ら１３において示されるとおり、シート抵抗
率は、すぐれた熱時および冷時のＴＣＲを保ち同時に熱
安定性を０．１５より十分下に保持しなから、４６０に
オームから３．２メグオームへ増加する。
率は、すぐれた熱時および冷時のＴＣＲを保ち同時に熱
安定性を０．１５より十分下に保持しなから、４６０に
オームから３．２メグオームへ増加する。
実施例１２と１３におけるＨｆＯ，粉末添加剤は４．５
から９％の範囲にあった。
から９％の範囲にあった。
表■、実施例１４から１８においては、１．７％Ｍｎし
ジネート被覆導電性粉末を実施例１においてさきに開示
したとおりにつくった。（実施例１から１３は２．５％
Ｍｎレジネート被覆のＳｎ０ｗ導電性粉末を含んでいた
ことに注意せよ）。
ジネート被覆導電性粉末を実施例１においてさきに開示
したとおりにつくった。（実施例１から１３は２．５％
Ｍｎレジネート被覆のＳｎ０ｗ導電性粉末を含んでいた
ことに注意せよ）。
実施例１４においては、１．７％Ｍｎレジネート被覆の
Ｓ ｎ ０２抵抗性ペイントく前記言及）へ添加剤を加
えなかった。
Ｓ ｎ ０２抵抗性ペイントく前記言及）へ添加剤を加
えなかった。
実施例１５においては、実施例１４の抵抗性ペイントの
５ｇを０．２５．のＺｒＯ□と比較目的で混練した。
５ｇを０．２５．のＺｒＯ□と比較目的で混練した。
実施例１６においては、実施例１４の抵抗性ペイントの
５ｇを０．５．のＺ「０２と比較の目的で混練した。
５ｇを０．５．のＺ「０２と比較の目的で混練した。
実施例１７においては、実施例１４の抵抗性ペイントの
５２をｏ、ｚｓｙのＨｆ Ｏｚと混練した。
５２をｏ、ｚｓｙのＨｆ Ｏｚと混練した。
実施例１８においては、実施例１４の抵抗性へインドの
５ｇを０．５．のＨｆ Ｏ２と混練した。
５ｇを０．５．のＨｆ Ｏ２と混練した。
実施例１５および１６におけるＺ「０２添加はシート抵
抗率を１メグオーム領域の中へ上げたが、冷時ＴＣＲは
±２００ρｐ−／”Ｃをこえた。
抗率を１メグオーム領域の中へ上げたが、冷時ＴＣＲは
±２００ρｐ−／”Ｃをこえた。
実施例１７および１８におけるＨｆＯ□添加はシート抵
抗率を４メグオーム領域へ上げ、一方、熱時および冷時
のＴＣＲをともに十分±２００ｐｐｍ／ ”Ｃ内に維持
した。熱安定性もまた所望範囲内に保たれた。
抗率を４メグオーム領域へ上げ、一方、熱時および冷時
のＴＣＲをともに十分±２００ｐｐｍ／ ”Ｃ内に維持
した。熱安定性もまた所望範囲内に保たれた。
表■においては、０．４％Ｔａレジネートと０．４％Ｍ
ｎレジネートの溶液をＳｎ○２粉木上で被覆してレジネ
ート被覆のＳｎＯ，粉末をつくった。レジネート被覆５
ｎ０２粉末を６００℃において空気中で乾燥し、５００
℃において３０分間、７％Ｈｚ／９３％Ｎ２雰囲気中で
還元して、実施例１９および２０で使用する予備反応導
電性粉末をつくった。実施例１９の抵抗性ペイントを７
５％の予備反応導電性粉末と２５％のタンタラガラス・
フリットの比、すなわち３対１の比で混練した。
ｎレジネートの溶液をＳｎ○２粉木上で被覆してレジネ
ート被覆のＳｎＯ，粉末をつくった。レジネート被覆５
ｎ０２粉末を６００℃において空気中で乾燥し、５００
℃において３０分間、７％Ｈｚ／９３％Ｎ２雰囲気中で
還元して、実施例１９および２０で使用する予備反応導
電性粉末をつくった。実施例１９の抵抗性ペイントを７
５％の予備反応導電性粉末と２５％のタンタラガラス・
フリットの比、すなわち３対１の比で混練した。
表■、抵抗体性質
□□□；耳
実施［１９においては、上述の抵抗性ペイントへ添加剤
の追加はしなかった。
の追加はしなかった。
実施例２０においては、０．２５％のＨｆ Ｏ２を実施
例１９の抵抗性ペイントの５ｇへ添加した。このことは
、シート抵抗率を２００ Ｋから１．９メグオームへ上
げ、一方、ＴＣＲは±２００ｐｐｍ／ ”Ｃ内にとどま
り、熱安定性は０．２％以下であった。
例１９の抵抗性ペイントの５ｇへ添加した。このことは
、シート抵抗率を２００ Ｋから１．９メグオームへ上
げ、一方、ＴＣＲは±２００ｐｐｍ／ ”Ｃ内にとどま
り、熱安定性は０．２％以下であった。
表Ｖにおいては、実施例１９において使用した同じ予備
反応導電性粉末、すなわち、０．４％Ｔａおよび０．４
％Ｍｎレジネート溶液を５ｎ０２粉末上に被覆し、その
レジネート被覆５ｎＯｚを前述のとおりに予備焼成して
予備反応導電性粉末をつくり、実施１３ｉ１２１におい
て使用した。しかし、実施例２１においては、予備反応
導電性粉末とタンクルガラス・フリットの比は２．５対
１の比へ変更した。すなわち、７１．５％の予備反応導
電性粉末と２８．５％のタンタルガラス・フリットの比
である。
反応導電性粉末、すなわち、０．４％Ｔａおよび０．４
％Ｍｎレジネート溶液を５ｎ０２粉末上に被覆し、その
レジネート被覆５ｎＯｚを前述のとおりに予備焼成して
予備反応導電性粉末をつくり、実施１３ｉ１２１におい
て使用した。しかし、実施例２１においては、予備反応
導電性粉末とタンクルガラス・フリットの比は２．５対
１の比へ変更した。すなわち、７１．５％の予備反応導
電性粉末と２８．５％のタンタルガラス・フリットの比
である。
表Ｖ、抵抗体性質
実施例２１においては、上述の抵抗性ペイントへ追加の
添加剤を加えなかった。
添加剤を加えなかった。
実施例２２においては、実施例２１の抵抗性ペイントの
５ｇを０．２５９のＨｆ Ｏ２と混練した。
５ｇを０．２５９のＨｆ Ｏ２と混練した。
実施例２３においては、実施例２１の抵抗性ペイントの
５ｇを０．５．のＨｆ Ｏ２と混練した。
５ｇを０．５．のＨｆ Ｏ２と混練した。
表■、実施例２１から２３に示されるとおり、シート抵
抗率はメグオーム領域の中に上がり、一方、ＴＣＲおよ
び熱安定性は十分に所望限度内にとどまった。
抗率はメグオーム領域の中に上がり、一方、ＴＣＲおよ
び熱安定性は十分に所望限度内にとどまった。
ここで開示される抵抗性ペイントはたいていのルテニウ
ムをベースとする抵抗体ペイントで以て観察されるより
も処理条件に対して鈍感のままである。焼成温度、焼成
時間、ベルト速度および焼成回数の影響は第４図から第
７図に開示されている。
ムをベースとする抵抗体ペイントで以て観察されるより
も処理条件に対して鈍感のままである。焼成温度、焼成
時間、ベルト速度および焼成回数の影響は第４図から第
７図に開示されている。
第４Ａ図はシート抵抗率に及ぼす８８０℃から９２０℃
の焼成温度の効果を示している。シート抵抗率は±１０
％以内にとどまる。
の焼成温度の効果を示している。シート抵抗率は±１０
％以内にとどまる。
第４Ｂ図はｐｐｍ／”ＣのＴＣＨに及ぼす焼成温度の効
果を示している。好ましい９００℃±２０℃の温度範囲
においては、ＴＣＲは±２００ｐｐｍ／ ℃内にとどま
る。
果を示している。好ましい９００℃±２０℃の温度範囲
においては、ＴＣＲは±２００ｐｐｍ／ ℃内にとどま
る。
第５Ａおよび第５Ｂ図は９００℃において不活性雰囲気
中で赤外線焼成する間の、シート抵抗率とＴＣＲにおよ
ぼすベルト速度（インチ７分）の効果を示している。い
くつかの貴金属厚膜の抵抗体ペイントは赤外炉中で焼成
するときに慣用的焼成とはかなりちがった性質を生ずる
。赤外焼成の利点はエネルギー節約、迅速加熱および冷
却、早い生産速度および空間の節約を含む、赤外炉は修
理し易く、コストは慣用炉とほぼ同じである。ここで開
示する抵抗体ペイントは赤外炉中で焼成するときに一定
した結果を生ずる。
中で赤外線焼成する間の、シート抵抗率とＴＣＲにおよ
ぼすベルト速度（インチ７分）の効果を示している。い
くつかの貴金属厚膜の抵抗体ペイントは赤外炉中で焼成
するときに慣用的焼成とはかなりちがった性質を生ずる
。赤外焼成の利点はエネルギー節約、迅速加熱および冷
却、早い生産速度および空間の節約を含む、赤外炉は修
理し易く、コストは慣用炉とほぼ同じである。ここで開
示する抵抗体ペイントは赤外炉中で焼成するときに一定
した結果を生ずる。
第５Ａ図に示すとおり、４インチ／分から８インチ／分
のベルト速度の変化はオーム／スクエアで示すシート抵
抗率を著しく変えることがなかった。４インチ／分にお
いては、抵抗体ペイントは３６分間加熱した。６インチ
／分においては、抵抗体ペイントは２４分間加熱した。
のベルト速度の変化はオーム／スクエアで示すシート抵
抗率を著しく変えることがなかった。４インチ／分にお
いては、抵抗体ペイントは３６分間加熱した。６インチ
／分においては、抵抗体ペイントは２４分間加熱した。
８インチ／分においては、抵抗体ペイントは１８分間加
熱した。試験の赤外加熱帯は長さが５フイートで、冷却
帯の長さが７フイートであった。９００℃のピーク焼成
温度を四帯域ＩＲ炉中の中間の二つの帯域において設定
した。炉中の酸素含量は１５ｐｐｍ以下であった。
熱した。試験の赤外加熱帯は長さが５フイートで、冷却
帯の長さが７フイートであった。９００℃のピーク焼成
温度を四帯域ＩＲ炉中の中間の二つの帯域において設定
した。炉中の酸素含量は１５ｐｐｍ以下であった。
第５Ｂ図に示すとおり、ＴＣＨにおよぼすベルト速度の
影響は選択した領域にわたって±１１００ｐｐ／℃内に
十分にとどまっていた。
影響は選択した領域にわたって±１１００ｐｐ／℃内に
十分にとどまっていた。
第６Ａおよび６Ｂ図はシート抵抗率とＴＣＲにおよぼす
分で示す焼成時間の効果を示している。
分で示す焼成時間の効果を示している。
第６Ａ図は２０分から６０分の焼成時間の変動がシート
抵抗率を全く変えなかったことを示している。
抵抗率を全く変えなかったことを示している。
第６Ｂ図は焼成時間の２０分から６０分の変動に関係な
（ＴＣｒｔが十分に±１１００ｐｐ／℃内にとどまっな
ことを示している。
（ＴＣｒｔが十分に±１１００ｐｐ／℃内にとどまっな
ことを示している。
第７Ａと７Ｂ図はシート抵抗率とＴＣＲにおよぼす焼成
回数の影響を示す。
回数の影響を示す。
第７Ａ図はシート抵抗率が４回の焼成後において±１０
％以内にとどまっていることを示している。
％以内にとどまっていることを示している。
第７Ｂ図はＴＣＲが４回の焼成後において十分に±１１
００ｐｐ／ ”Ｃ内に十分にとどまっていることを示し
ている。
００ｐｐ／ ”Ｃ内に十分にとどまっていることを示し
ている。
このように、ここで開示される抵抗体ペイントは各桂の
処理条件に対して理想的に適合しており、焼成温度、焼
成時間、ベルト速度、および焼成回数によって比較的影
響を受けないままであることが見られる。
処理条件に対して理想的に適合しており、焼成温度、焼
成時間、ベルト速度、および焼成回数によって比較的影
響を受けないままであることが見られる。
開示された抵抗体ペイントのもう一つのｍ著な利点は低
電流ノイズ（ｃｕｒｒｅｎｔ ｎｏｉｓｅ）である、卑
金属抵抗体は代表的には相当する貴金属抵抗体よりも多
くの電流ノイズを発生する。１９８２年のＳｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ ｏｒ Ｉ ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆＨｙｂｒｉｄ Ｍ １ｅｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ刊行の二つの論文が参照される
。ｆ４流ノイズは代表的にはシート抵抗率の増加ととも
に増加する。メグオーム領域の抵抗性ペイントの電流ノ
イズは１００Ｋ領域における抵抗性ペイントよりも一般
的にずっと高い。
電流ノイズ（ｃｕｒｒｅｎｔ ｎｏｉｓｅ）である、卑
金属抵抗体は代表的には相当する貴金属抵抗体よりも多
くの電流ノイズを発生する。１９８２年のＳｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ ｏｒ Ｉ ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆＨｙｂｒｉｄ Ｍ １ｅｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ刊行の二つの論文が参照される
。ｆ４流ノイズは代表的にはシート抵抗率の増加ととも
に増加する。メグオーム領域の抵抗性ペイントの電流ノ
イズは１００Ｋ領域における抵抗性ペイントよりも一般
的にずっと高い。
ここで開示される抵抗性ペイントは比較的低い電流ノイ
ズを示す、実際に、ここで開示されるメグオーム抵抗性
ペイントの電流ノイズはメグオームのルテニウムベース
の抵抗体のノイズ水準と匹敵またはそれより改善された
ノイズ水準を示す。
ズを示す、実際に、ここで開示されるメグオーム抵抗性
ペイントの電流ノイズはメグオームのルテニウムベース
の抵抗体のノイズ水準と匹敵またはそれより改善された
ノイズ水準を示す。
電流ノイズは抵抗体の幾何形態に強く依存する。
ここで開示される抵抗体ペイントの発明者は抵抗体の幾
何形態と独立的であるノイズ定数（ｎｏｉｓｅｃｏｎｓ
ｔａｎｔ）を導入し、単位容積の抵抗体物質のノイズ指
数値（ｎｏｉｓｅ １ｎｄｅｘ ｖａｌｕｅ）（ｄＢ／
ミル３またはｄＢ／ａｍ’）を示している。ノイズ定数
＝ノイズ指数＋１１０１ｏ容積、負のｄＢが大きいこと
は抵抗体中のノイズが少ないことを意味する。
何形態と独立的であるノイズ定数（ｎｏｉｓｅｃｏｎｓ
ｔａｎｔ）を導入し、単位容積の抵抗体物質のノイズ指
数値（ｎｏｉｓｅ １ｎｄｅｘ ｖａｌｕｅ）（ｄＢ／
ミル３またはｄＢ／ａｍ’）を示している。ノイズ定数
＝ノイズ指数＋１１０１ｏ容積、負のｄＢが大きいこと
は抵抗体中のノイズが少ないことを意味する。
本発明のメグオーム／スクエア抵抗体のノイズ定数はパ
ラジウム抵抗体についての５５ｄＢ／ミルクおよびルテ
ニウムベースの抵抗体系についての４０ｄＢ／ミル３と
比べて、平均して１２ｄＢ／ミル３である。このように
、ここで開示されるメグオーム抵抗体の電流ノイズは貴
金属抵抗体の電流ノイズよりもさらに小さいことが見ら
れる。
ラジウム抵抗体についての５５ｄＢ／ミルクおよびルテ
ニウムベースの抵抗体系についての４０ｄＢ／ミル３と
比べて、平均して１２ｄＢ／ミル３である。このように
、ここで開示されるメグオーム抵抗体の電流ノイズは貴
金属抵抗体の電流ノイズよりもさらに小さいことが見ら
れる。
抵抗体ペイントからつくられる厚膜抵抗体を処理する際
のもう一つの重要な因子はレーザー・トリミング性（ｌ
ａｓｅｒ ＬｒｉｍａｂｉｌｉＬｙ）である、ここで開
示されるとおりにつくった抵抗体の試料をシカゴ・レー
ザーのＣＬ ５３５５０ＷＹＡＧ型レーザーを使ってレ
ーザー・トリムを行なった。トリミングの変数は０．７
５＝−１，２５″／秒のトリム速度であり、４キロヘル
ツのパルス振動数のＱレート、および３ワッ１−のビー
ム電力であった。シート抵抗率の増加は２０−４０％で
あった。トリミング後の抵抗変化はメグオーム／スクエ
アのシート抵抗率について０．２％より小さく、それは
ルテニウムベースの抵抗体と匹敵する。
のもう一つの重要な因子はレーザー・トリミング性（ｌ
ａｓｅｒ ＬｒｉｍａｂｉｌｉＬｙ）である、ここで開
示されるとおりにつくった抵抗体の試料をシカゴ・レー
ザーのＣＬ ５３５５０ＷＹＡＧ型レーザーを使ってレ
ーザー・トリムを行なった。トリミングの変数は０．７
５＝−１，２５″／秒のトリム速度であり、４キロヘル
ツのパルス振動数のＱレート、および３ワッ１−のビー
ム電力であった。シート抵抗率の増加は２０−４０％で
あった。トリミング後の抵抗変化はメグオーム／スクエ
アのシート抵抗率について０．２％より小さく、それは
ルテニウムベースの抵抗体と匹敵する。
短時間過負荷（ＳＴＯＬ）は開示の抵抗体ペイントで以
てつくった抵抗体を使って実施した。定格電圧、５秒間
５ワツト、の２．５倍で、ただし５００ボルトをこえな
い短時間負荷を使用した。試験結果は、ここで開示する
抵抗体についてのＳ Ｔ ＯＬ １１の抵抗変化が一般
的に０．２５％より少なく、これは最もきびしい要求を
満たしている。
てつくった抵抗体を使って実施した。定格電圧、５秒間
５ワツト、の２．５倍で、ただし５００ボルトをこえな
い短時間負荷を使用した。試験結果は、ここで開示する
抵抗体についてのＳ Ｔ ＯＬ １１の抵抗変化が一般
的に０．２５％より少なく、これは最もきびしい要求を
満たしている。
ここで開示されるとおりにつくった抵抗体におよぼす幾
何形状の影響は第３図に示される。結果は幾何形状のこ
れらの抵抗体におよぼす影響が小さいことを示している
。
何形状の影響は第３図に示される。結果は幾何形状のこ
れらの抵抗体におよぼす影響が小さいことを示している
。
温度サイクル試験は一６５℃から１５０℃で１００サイ
クル実施した。開示抵抗体ペイントで以てつくった抵抗
体の平均の抵抗変化は０．１％以下であった。
クル実施した。開示抵抗体ペイントで以てつくった抵抗
体の平均の抵抗変化は０．１％以下であった。
開示抵抗体ペイント中に貴金属が存在しないことは著し
いコスト節減をもたらす、それゆえ、本発明は特定具体
化を参照して記述してきたが、本発明の精神あるいは特
許請求の範囲の領域から外れることなく変更をなし得る
ことはもちろんである。
いコスト節減をもたらす、それゆえ、本発明は特定具体
化を参照して記述してきたが、本発明の精神あるいは特
許請求の範囲の領域から外れることなく変更をなし得る
ことはもちろんである。
五１１趣Ｕ１
本発明は、引続いて基板上にスクリーン印刷を行ないそ
して焼成してエレクトロニクス回路で使用する卑金属厚
膜抵抗体をつくるための、卑金属抵抗性ペイントを開示
するものである。
して焼成してエレクトロニクス回路で使用する卑金属厚
膜抵抗体をつくるための、卑金属抵抗性ペイントを開示
するものである。
第１Ａ図はガラスフリット、予備反応導電性粉末、八ツ
ニウム酸化物、およびスクリーン印刷剤の混合物の、焼
成を行なう以前の、抵抗体ペイントを形成し基板上へス
クリーン印刷するよう混練した混合物の拡大断面図を示
す。 第１Ｂ図は焼成後の、第１図の混合物の拡大断面図を示
す。 第２図は５００，０００オームから５メグオーム／スク
エアのシート抵抗率をもつ好ましい卑金属抵抗性ペイン
トのフローチャートを示す。 第３図は抵抗体におよぼす幾何的因子の効果の図であり
、メグオーム範囲のシート抵抗におよぼすスクエア数（
ｎｕ＋５ｂｅｒ ｏｆ ５ｑｕａｒｅｓ）の影響を１ヒ
較している。 第４Ａ図はメグオーム／スクエアのシート抵抗におよぼ
す焼成温度の効果を示している。 第４Ｂ図はＴ ＣＲにおよぼす焼成温度の効果を示して
いる。 第５Ａ図はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼす
インチ７分のベルト速度の効果を示している。 第５Ｂ図はｐｐｍ／”ＣのＴＣＲにおよぼすインチ７分
のベルト速度の効果を示している。 第６ＡＩ］はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼ
す９００°Ｃでの合計焼成時間の効果を示している。 第６Ｂ図はｐｐ険／℃のＴＣＲにおよぼす９００℃での
合計焼成時間の効果を示している。 第７Ａ図はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼす
９００℃での焼成回数の効果を示している。 第７Ｂ図はｐｐｍ／”Ｃにおよぼす９００℃での焼成回
図面の浄占（内容に変更なし） ＦＩＧ、 ＩＡ ＦＩＧ、旧 スクエア款 ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、 ４４ ＦＩＧ ４Ｂ
８８０℃９００℃９２０”Ｃ８８０” ９” ９２０°
Ｃ謄飄ｌ亀 ０Ｃ煉へｌ塵 ・Ｃ ＦＩＧ、 ５Ａ ＦＩＧ、５Ｂべ
′ルＬｊｔＪシ、 イン＋、％
ぺ′ルトｔｍシ、 イン→ン４芥＋
０２０３０４０５０６０ ２０ ３０４
０５０６０合ｔｔ鏝へ晴間（４） 会
針焼べ時間（会）手続補正書（方式） １、事件の表示 昭和６１年特許願第１９７００６号 ２、発明の名称 メグオーム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗
体３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 住所 名 称 シーティーニス・コーポレーション４、代理
人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６号室
ニウム酸化物、およびスクリーン印刷剤の混合物の、焼
成を行なう以前の、抵抗体ペイントを形成し基板上へス
クリーン印刷するよう混練した混合物の拡大断面図を示
す。 第１Ｂ図は焼成後の、第１図の混合物の拡大断面図を示
す。 第２図は５００，０００オームから５メグオーム／スク
エアのシート抵抗率をもつ好ましい卑金属抵抗性ペイン
トのフローチャートを示す。 第３図は抵抗体におよぼす幾何的因子の効果の図であり
、メグオーム範囲のシート抵抗におよぼすスクエア数（
ｎｕ＋５ｂｅｒ ｏｆ ５ｑｕａｒｅｓ）の影響を１ヒ
較している。 第４Ａ図はメグオーム／スクエアのシート抵抗におよぼ
す焼成温度の効果を示している。 第４Ｂ図はＴ ＣＲにおよぼす焼成温度の効果を示して
いる。 第５Ａ図はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼす
インチ７分のベルト速度の効果を示している。 第５Ｂ図はｐｐｍ／”ＣのＴＣＲにおよぼすインチ７分
のベルト速度の効果を示している。 第６ＡＩ］はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼ
す９００°Ｃでの合計焼成時間の効果を示している。 第６Ｂ図はｐｐ険／℃のＴＣＲにおよぼす９００℃での
合計焼成時間の効果を示している。 第７Ａ図はオーム／スクエアのシート抵抗率におよぼす
９００℃での焼成回数の効果を示している。 第７Ｂ図はｐｐｍ／”Ｃにおよぼす９００℃での焼成回
図面の浄占（内容に変更なし） ＦＩＧ、 ＩＡ ＦＩＧ、旧 スクエア款 ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、 ４４ ＦＩＧ ４Ｂ
８８０℃９００℃９２０”Ｃ８８０” ９” ９２０°
Ｃ謄飄ｌ亀 ０Ｃ煉へｌ塵 ・Ｃ ＦＩＧ、 ５Ａ ＦＩＧ、５Ｂべ
′ルＬｊｔＪシ、 イン＋、％
ぺ′ルトｔｍシ、 イン→ン４芥＋
０２０３０４０５０６０ ２０ ３０４
０５０６０合ｔｔ鏝へ晴間（４） 会
針焼べ時間（会）手続補正書（方式） １、事件の表示 昭和６１年特許願第１９７００６号 ２、発明の名称 メグオーム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗
体３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 住所 名 称 シーティーニス・コーポレーション４、代理
人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６号室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、卑金属抵抗体ペイントであって、 卑金属粉末をレジネート（ｒｅｓｉｎａｔｅ）溶液で被
覆してレジネート被覆卑金属粉末を形成し レジネート被覆卑金属粉末を還元雰囲気中で予備焼成し
て予備反応導電性粉末を形成し、 予備反応導電性粉末をガラスフリット、ハフニウムの酸
化物、およびスクリーン印刷剤と混合して卑金属抵抗ペ
イントを形成する、 ことから成る、ペイント。 ２、ガラスフリットがタンタラガラス・フリットである
、特許請求の範囲第１項に記載のペイント。 ３、タンタラガラス・フリットが６０−８０％のガラス
粉末と２０−４０％のＴａ＿２Ｏ＿５粉末とから成り、
上記粉末がタンタラガラス・フリットを形成するよう磨
砕する前に混合および溶融される、特許請求の範囲第２
項に記載のペイント。 ４、ガラス粉末が２−１０％のＳｉＯ＿２、２０−４０
％のＳｒＯ、および５０−７０％のＢ＿２Ｏ＿３の粉末
から成り、上記粉末が磨砕前に混合および溶融される、
特許請求の範囲第３項に記載のペイント。 ５、卑金属粉末が錫酸化物粉末である、特許請求の範囲
第１項に記載のペイント。 ６、レジネート溶液がマンガンレジネート溶液とタンタ
ルレジネート溶液との少くとも一つである、特許請求の
範囲第１項に記載のペイント。 ７、レジネート被覆卑金属粉末を４５０−５２０℃の還
元雰囲気中で焼成して予備反応導電性粉末を形成する、
特許請求の範囲第１項に記載のペイント。 ８、解重合性有機質物を、焼成の前に、卑金属粉末上に
被覆したレジネート溶液から焼去する、特許請求の範囲
第１項に記載のペイント。 ９、ハフニウムの酸化物が２から１２％の混合状抵抗体
ペイントから成る、特許請求の範囲第１項に記載のペイ
ント。 １０、熱時および冷時のＴＣＲが±２００ｐｐｍ／℃内
で制御的に保持される、特許請求の範囲第１項に記載の
ペイント。 １１、抵抗体ペイントを基板上にスクリーン塗布し不活
性雰囲気中で焼成した厚膜卑金属抵抗体であって、その
改善が、 （ａ）卑金属粉末をレジネート溶液で被覆し、レジネー
ト被覆卑金属粉末を還元性雰囲気中で予備焼成して予備
反応導電性粉末を形成し、 （ｂ）予備反応導電性粉末をガラスフリット、ハフニウ
ムの酸化物、およびスクリーン印刷剤と混合してそれら
から抵抗体ペイントを形成し、 （ｃ）抵抗体ペイントを基板上へスクリーン印刷し不活
性雰囲気中で焼成して、５００，０００オームから５メ
グオーム／スクエアの範囲から選ばれるシート抵抗率を
示す卑金属抵抗体を形成する、ことから成る、厚膜卑金
属抵抗体。 １２、卑金属粉末が鍋酸化物粉末である、特許請求の範
囲第１１項に記載の抵抗体。 １３、レジネート溶液がマンガンレジネート溶液とタン
タルレジネート溶液との少なくとも一つから成る、特許
請求の範囲第１１項に記載の抵抗体。 １４、レジネート被覆卑金属粉末を４５０−５２０℃の
還元温度において、予備反応導電性粉末の形成前に、予
備焼成する、特許請求の範囲第１１項に記載の抵抗体。 １５、スクリーン塗布した基板を９００℃±２０℃にお
ける不活性雰囲気中で焼成する、特許請求の範囲第１１
項に記載の抵抗体。 １６、ガラスフリットがタンタラガラス・フリットであ
る、特許請求の範囲第１１項に記載の抵抗体。 １７、熱時および冷時のＴＣＲが±２０００ｐｐｍ／℃
内で制御的に保持される、特許請求の範囲第１１項に記
載の抵抗体。 １８、ハフニウムの酸化物が２から１２％の混合状抵抗
体ペイントから成る、特許請求の範囲第１１項に記載の
抵抗体。 １９、シート抵抗率が５００，０００オームから５メグ
オーム／スクエアである抵抗体ペイントであって、 （ａ）酸化錫粉末をレジネート溶液で被覆してレジネー
ト被覆粉末を形成し、 （ｂ）レジネート被覆粉末を４５０−５２０℃において
還元雰囲気中で予備焼成して予備反応導電性粉末をそれ
から形成し、 （ｃ）予備反応導電性粉末をタンタラガラス・フリット
、ハフニウムの酸化物、およびスクリーン印刷剤と混合
して抵抗体ペイントを形成する、ことから成る、抵抗体
ペイント。 ２０、ハフニウムの酸化物が２から１２％の混合状抵抗
体ペイントから成る、特許請求の範囲第１９項に記載の
抵抗体ペイント。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US768058 | 1985-08-22 | ||
| US06/768,058 US4711803A (en) | 1985-07-01 | 1985-08-22 | Megohm resistor paint and resistors made therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297301A true JPS6297301A (ja) | 1987-05-06 |
| JPH0453082B2 JPH0453082B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=25081396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197006A Granted JPS6297301A (ja) | 1985-08-22 | 1986-08-22 | メグオ−ム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4711803A (ja) |
| JP (1) | JPS6297301A (ja) |
| FR (1) | FR2586419B1 (ja) |
| GB (1) | GB2183229B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1305374C (en) * | 1987-08-31 | 1992-07-21 | John Schultz, Jr. | Application of conductive metallic film to a glass ceramic support surface |
| US5608373A (en) * | 1994-06-01 | 1997-03-04 | Cts Corporation | Glass frit compositions and electrical conductor compositions made therefrom compatible with reducing materials |
| EP1198521A2 (en) | 1999-07-02 | 2002-04-24 | Ameritech Holdings Corporation | Systems and methods for producing and using fine particle materials |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB812858A (en) * | 1957-03-08 | 1959-05-06 | Ver Porzellanwerke Koppelsdorf | Process for the production of semi-conducting glazes |
| US3598761A (en) * | 1969-10-06 | 1971-08-10 | Owens Illinois Inc | Conductor compositions for microcircuitry |
| JPS5035233B1 (ja) * | 1970-11-17 | 1975-11-14 | ||
| JPS5141714A (en) * | 1974-10-08 | 1976-04-08 | Ngk Spark Plug Co | Teikofunyutenkasenno jikoshiiruseigarasushitsuteikotaisoseibutsu |
| US4065743A (en) * | 1975-03-21 | 1977-12-27 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4378409A (en) * | 1975-09-15 | 1983-03-29 | Trw, Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4397915A (en) * | 1975-09-15 | 1983-08-09 | Trw, Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4041436A (en) * | 1975-10-24 | 1977-08-09 | Allen-Bradley Company | Cermet varistors |
| US4172922A (en) * | 1977-08-18 | 1979-10-30 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4130671A (en) * | 1977-09-30 | 1978-12-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for preparing a thick film conductor |
| US4215020A (en) * | 1978-04-03 | 1980-07-29 | Trw Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4293838A (en) * | 1979-01-29 | 1981-10-06 | Trw, Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
| DE3063533D1 (en) * | 1979-11-12 | 1983-07-07 | Emi Plc Thorn | An electrically conducting cermet, its production and use |
| FR2511804A1 (fr) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Thomson Csf | Materiau destine a la realisation de composants electriques par des procedes mettant en oeuvre au moins une poudre |
| CA1191022A (en) * | 1981-12-29 | 1985-07-30 | Eiichi Asada | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
-
1985
- 1985-08-22 US US06/768,058 patent/US4711803A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-08-21 GB GB8620303A patent/GB2183229B/en not_active Expired
- 1986-08-22 FR FR868611982A patent/FR2586419B1/fr not_active Expired
- 1986-08-22 JP JP61197006A patent/JPS6297301A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2586419A1 (fr) | 1987-02-27 |
| JPH0453082B2 (ja) | 1992-08-25 |
| US4711803A (en) | 1987-12-08 |
| GB2183229B (en) | 1989-08-09 |
| GB2183229A (en) | 1987-06-03 |
| FR2586419B1 (fr) | 1989-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4720418A (en) | Pre-reacted resistor paint, and resistors made therefrom | |
| KR100369565B1 (ko) | 전기발열체용 저항 페이스트 조성물 | |
| JPS6314841B2 (ja) | ||
| KR890001785B1 (ko) | 저항값을 갖는 개량된 저항체 잉크 | |
| KR0142577B1 (ko) | 질소 연소성 저항체 조성물 | |
| JPS59138305A (ja) | 酸化ルテニウムベ−ス抵抗体組成物 | |
| US4639391A (en) | Thick film resistive paint and resistors made therefrom | |
| JPS6297301A (ja) | メグオ−ム抵抗体ペイントおよびそれからつくった抵抗体 | |
| US3681261A (en) | Resistors,compositions,pastes,and method of making and using same | |
| KR880002063B1 (ko) | 공기 연소 가능 도체 및 저항체 잉크 | |
| US4698265A (en) | Base metal resistor | |
| EP0201362B1 (en) | Base metal resistive paints | |
| JP2812336B2 (ja) | ペースト組成物 | |
| JP2986539B2 (ja) | 厚膜抵抗組成物 | |
| KR900004815B1 (ko) | 저항기 조성물 | |
| JP3358804B2 (ja) | 導電ペースト | |
| JPH0618122B2 (ja) | 抵抗インクおよび回路板 | |
| JP7116362B2 (ja) | 抵抗体用組成物と抵抗ペースト、及び抵抗体 | |
| JP2004250300A (ja) | 厚膜誘電体ペースト及び厚膜回路基板 | |
| JPS6019632B2 (ja) | セラミックヒ−タ−用抵抗ペ−ストの製造法 | |
| JPS58117264A (ja) | 抵抗塗料 | |
| KR20020082010A (ko) | 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물 | |
| JPH0475856B2 (ja) | ||
| JP2007042291A (ja) | 絶縁ペースト | |
| JPH0660718A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 |